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    • 1. 发明授权
    • 콘스탄트 트랜스 컨덕턴스 전류 소스 및 이를 이용한 연산 증폭기
    • 恒定的跨导电流源和使用它的运算放大器
    • KR101766586B1
    • 2017-08-23
    • KR1020160080187
    • 2016-06-27
    • 이화여자대학교 산학협력단
    • 박성민박민선
    • H03F1/30H03F3/45H03F1/22G05F3/26
    • H03F1/301G05F3/262H03F1/223H03F3/45183
    • 본실시예에의한콘스탄트트랜스컨덕턴스전류소스는제1 도전형 MOS 트랜지스터의모디파이드캐스코드(modified cascode) 회로및 모디파이드캐스코드회로와연결된제2 도전형 MOS 트랜지스터의전류미러회로를포함하며, 모디파이드캐스코드회로는, 게이트(gate) 전극이서로연결된제1 트랜지스터및 제2 트랜지스터와, 게이트(gate) 전극이서로연결된제3 트랜지스터및 제4 트랜지스터가캐스코드(cascode)로연결되고, 제1 트랜지스터및 제2 트랜지스터의게이트전극이제4 트랜지스터의드레인전극에연결되며, 제3 트랜지스터및 제4 트랜지스터의게이트전극에는바이어스전압이제공된다.
    • 并且根据本实施例的恒定跨电流源包括莫迪硫化物共源共栅(改性共源共栅)电路和莫迪硫化物级联电路和连接到所述第一导电型MOS晶体管,莫迪第二导电型MOS晶体管的电流镜电路 硫化物共源共栅电路,栅极(栅极)电极连接到所述第一和第二晶体管,以及栅极(栅极)第三晶体管电极连接到彼此和所述第四晶体管是共源共栅(级联)彼此连接,所述第一 晶体管,并且连接到栅电极现在是第二晶体管的第四晶体管的漏极电极,第三晶体管设置有偏置电压,并且第四晶体管的栅电极。
    • 3. 发明公开
    • 전력 모드 선택 기능을 갖는 바이어스 회로 및 전력 증폭기
    • 具有电源模式选择功能的偏置电路和功率放大器
    • KR1020150002348A
    • 2015-01-07
    • KR1020130076062
    • 2013-06-28
    • 삼성전기주식회사
    • 송영진한명우원준구이이쯔까,신이치김윤석김기중
    • H03F1/30H03F3/19
    • H03F1/301H03F1/302H03F3/21
    • 본 발명은 바이어스 회로 및 전력 증폭기에 관한 것으로, 상기 바이어스 회로는, 동작전압단과 접지 사이에 연결되어, 기준전압에 따라 동작하여 턴온 전압을 생성하는 제1 온도 보상부; 기준전압단과 접지 사이에 연결되어, 상기 턴온 전압에 따라 동작하여 제어 전압을 생성하는 제2 온도 보상부; 전력 모드 전압에 따라 고전력 모드 및 저전력 모드중 하나의 모드를 선택하고, 상기 저전력 모드 선택시는 상기 제1 온도 보상부에 추가 전류를 제공하여, 상기 턴온 전압을 상승시키는 전력 모드 선택부; 및 상기 제어 전압에 따라 바이어스 전압을 생성하는 바이어스 전압 생성부; 를 포함하고, 상기 턴온 전압의 상승에 따라 상기 제어 전압 및 바이어스 전압이 낮아지도록 이루어질 수 있다.
    • 本发明涉及通过选择功率模式来降低功耗的偏置电路和功率放大器。 偏置电路包括:第一温度补偿单元,连接在工作电压端子和地之间,并由参考电压操作以产生导通电压; 第二温度补偿单元,连接在参考电压端子和地之间,并由导通电压操作以产生控制电压; 功率模式选择单元,通过功率模式电压来选择高功率模式和低功率模式之一,并且当选择低功率模式时,通过向所述第一温度补偿单元提供附加电流来增加所述导通电压; 以及偏置电压产生单元,用于通过所述控制电压产生偏置电压,其中所述控制电压和所述偏置电压通过所述接通电压的增加而减小。
    • 4. 发明公开
    • 피드백 신호를 이용한 전력 증폭기
    • 功率放大器使用反馈信号
    • KR1020140139279A
    • 2014-12-05
    • KR1020130059748
    • 2013-05-27
    • 숭실대학교산학협력단
    • 이창현윤재혁박창근
    • H03F1/30
    • H03F1/301H03F1/223H03F2200/537H03G3/007
    • 본 발명은 피드백 신호를 이용한 전력 증폭기에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 게이트를 통하여 교류 형태의 제1 입력 신호가 인가되며, 제1단이 제1 전원에 연결되어 있고 제2단을 통해서 제1 입력 신호와 반대 위상의 증폭된 신호를 출력하는 제1 트랜지스터와, 게이트를 통하여 제1 입력 신호와 반대 위상의 제2 입력 신호가 인가되며, 제1단이 제1 전원에 연결되어 있고 제2단을 통해서 제2 입력 신호와 반대 위상의 증폭된 신호를 출력하는 제2 트랜지스터와, 게이트에 제1 직류 전원이 연결되고, 제1단이 제2 트랜지스터의 바디에 연결되고 제2단이 제1 트랜지스터의 제2단에 연결되는 제3 트랜지스터와, 게이트에 제1 직류 전원이 연결되고, 제1단이 제1 트랜지스터의 바디에 연결되고 제2단이 2 트랜지스터의 제2단에 연결되는 제4 트랜지스터, 및 제1 및 제2 트랜지스터의 바디에 연결되어 있는 제2 직류 전원을 포함하는 피드백 신호를 이용한 전력 증폭기를 제공한다.
      본 발명에 따르면 트랜지스터의 바디에 전력 증폭기의 입력 신호와 동일한 위상의 신호 및 직류 전압을 인가하여 문턱 전압을 조절할 수 있어, 종래 기술에 비하여 동일한 소모 전력 대비 상대적으로 높은 이득을 가질 수 있다. 또한, 신호를 증폭기의 출력에서 가져옴으로써 외부의 다른 회로와의 복잡한 연결이 필요하지 않고 간단하게 구성할 수 있는 이점이 있다.
    • 本发明涉及使用反馈信号的功率放大器。 根据本发明,提供了使用反馈信号的功率放大器,其包括:通过栅极接收AC型的第一输入信号的第一晶体管,包括连接到第一电源的第一端子,并输出放大的 信号通过第二端子与第一输入信号的相位相反的相位; 通过栅极接收具有与第一输入信号的相位相反的相位的第二输入信号的第二晶体管包括连接到第一电源的第一端子,并且以与第一输入信号相反的相位输出放大信号 第二输入信号的相位; 第三晶体管,其包括连接到第一DC电源的栅极,连接到第二晶体管的主体的第一端子和连接到第一晶体管的第二端子的第二端子; 第四晶体管,其包括连接到第一DC电源的栅极,连接到第一晶体管的主体的第一端子和连接到第二晶体管的第二端子的第二端子,以及连接到第二DC电源的第二DC电源 到第一和第二晶体管的主体。 根据本发明,与现有技术相比,通过将DC电压和与该功率放大器的输入信号相同的相位信号施加到 晶体管体。 此外,通过从功率放大器的输出获得信号,简化了与外部不同电路的复杂连接的配置。
    • 10. 发明公开
    • 드레인 바이어스 변조 회로가 적용된 고주파 전력 증폭기
    • 包含排水偏心调制电路的高效放大器
    • KR1020130080911A
    • 2013-07-16
    • KR1020120001789
    • 2012-01-06
    • 한국산업기술대학교산학협력단주식회사 인스파워
    • 김정곤최영규
    • H03F1/30H03F3/193
    • H03F1/0222H03F1/223H03F1/301H03F3/245
    • PURPOSE: A high frequency power amplifier with a drain bias modulation circuit is provided to control a drain bias voltage of a transistor in two or more levels without a limit of power capacity. CONSTITUTION: A high frequency power amplifier includes a drain bias modulation circuit (100) and a power amplifier (200). The drain bias modulation circuit outputs a voltage corresponding to a power voltage or multiples of the power voltage according to the size of an input signal. The drain bias modulation circuit includes a transistor and an envelope detector (110). The transistor applies the power voltage to a drain and connects a source to a drain of an amplification transistor. The envelope detector detects the size of the transistor and the input signal and inputs the same to a gate of the transistor. The power amplifier applies an output voltage of the drain bias modulation circuit to the drain and includes the amplification transistor which amplifies and outputs the input signal inputted to the gate. [Reference numerals] (110) Envelope detector
    • 目的:提供具有漏极偏置调制电路的高频功率放大器,以在两级或更多级别控制晶体管的漏极偏置电压,而不受功率容量的限制。 构成:高频功率放大器包括漏极偏置调制电路(100)和功率放大器(200)。 漏极偏置调制电路根据输入信号的大小输出对应于电源电压或电源电压倍数的电压。 漏极偏置调制电路包括晶体管和包络检测器(110)。 晶体管将电源电压施加到漏极,并将源极连接到放大晶体管的漏极。 包络检测器检测晶体管的尺寸和输入信号,并将其输入到晶体管的栅极。 功率放大器将漏极偏置调制电路的输出电压施加到漏极,并且包括放大并输出输入到栅极的输入信号的放大晶体管。 (附图标记)(110)包络检测器