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1. 发明授权

KR102063607B1 웨이퍼 처리 장치 有权
公开(公告)号：KR102063607B1
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：KR1020130025927
申请日：2013-03-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 양철규 , 이석민 , 장철영 , 손동민 , 안병호
IPC分类号： H01L21/205

2. 发明公开

KR1020140111731A 웨이퍼 처리 장치 审中-实审
标题翻译：加工过程的装置
公开(公告)号：KR1020140111731A
公开(公告)日：2014-09-22
申请号：KR1020130025927
申请日：2013-03-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 양철규 , 이석민 , 장철영 , 손동민 , 안병호
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/67109 , C23C16/4405 , C23C16/4408 , C23C16/4409 , C23C16/54
摘要： An apparatus for processing a wafer includes a reaction tube extended in a vertical direction; a door plate which loads a boat which supports a plurality of wafers in the reaction tube, is arranged in the lower part of the reaction tube, and encapsulates the reaction tube; a cap plate which is arranged on the door plate and has a cylindrical body part surrounding the lower side of the boat and having a guiding groove formed on the outside surface in a circumferential direction, at least one nozzle which is formed in the lower part of the reaction tube and injects a gas into the reaction tube, and an exhaust part which discharges the gas of the reaction tube to the outside through the guiding groove formed in the body part.
摘要翻译：一种用于处理晶片的装置包括在垂直方向上延伸的反应管; 装载在反应管中支撑多个晶片的舟皿的门板设置在反应管的下部，并封装反应管; 盖板，其布置在所述门板上，并且具有围绕所述船的下侧的圆筒体部，并且具有沿圆周方向形成在所述外表面上的引导槽，至少一个喷嘴，形成在所述船体的下部反应管并将气体注入到反应管中，以及通过形成在主体部分中的引导槽将反应管的气体排出到外部的排气部。

3. 发明公开

KR1020060118079A 반도체 기판 가공 장치 无效
标题翻译：用于加工半导体基板的装置
公开(公告)号：KR1020060118079A
公开(公告)日：2006-11-23
申请号：KR1020050040539
申请日：2005-05-16
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김영민 , 이재철 , 김화식 , 안병호 , 김성길 , 서영동
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/205 , H01L21/0262 , H01L21/67098
摘要： An apparatus for processing a semiconductor substrate is provided to effectively and accurately process plural semiconductor substrates at the same time by preventing damages to an injector. An apparatus for processing a semiconductor substrate includes a tube(110), a boat(120), a heater(150), and a gas supply unit(160). The tube confines a space, in which the semiconductor substrate is processed. Plural semiconductor substrates are stacked in multiple layers. The semiconductor substrates are elevated inside the tube by the boat. The heater heats up an inner portion of the tube from outside the tube. The gas supply unit is elongated into the tube and supplies process gas for performing various processes. The gas supply unit is made of a metal alloy, such that the gas supply unit is protected from pollutants, which are generated by the process gas.
摘要翻译：提供了一种用于处理半导体衬底的设备，以通过防止对喷射器的损坏同时有效且精确地处理多个半导体衬底。一种用于处理半导体衬底的设备包括管（110），船（120），加热器（150）和气体供应单元（160）。管限制了半导体衬底被处理的空间。多个半导体衬底被堆叠成多层。半导体衬底通过船在管内升高。加热器从管外部加热管的内部。气体供应单元伸长到管中并提供用于执行各种工艺的工艺气体。气体供给单元由金属合金制成，使得气体供给单元被防止由处理气体产生的污染物。

4. 发明公开

KR1020040099578A 반도체 공정용 원료가스 용기의 가열장치 无效
标题翻译：具有加热加热机构的装置，用于加热半导体工艺中的材料罐
公开(公告)号：KR1020040099578A
公开(公告)日：2004-12-02
申请号：KR1020030031604
申请日：2003-05-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 강성호 , 이석민 , 정승욱 , 안병호
IPC分类号： H01L21/20
摘要： PURPOSE: An apparatus for heating a canister of material gas in a semiconductor process is provided to replace easily the canister with a new one and to improve the uniformity of process temperature by enhancing a mechanism for heating. CONSTITUTION: An apparatus includes a constant temperature tub, a cover, a heating part, a temperature measuring part, and a display part(250). The tub(200) holds a canister with a first pipe and a second pipe. The canister stores material gas. The first pipe is used for flowing carrier gas into the canister and the second pipe is used for flowing the material gas from the canister. The cover(220) covers the tub and has a pair of through holes(210) for the first pipe and the second pipe of the canister. The heating part(230) is installed at one inner side of the tub to heat uniformly the inner space. The temperature measuring part(240) is installed at the other inner side of the tub.
摘要翻译：目的：提供一种用于在半导体工艺中加热材料气体罐的装置，以便容易地更换新的罐，并通过增强加热机构来提高工艺温度的均匀性。构成：装置包括恒温桶，盖，加热部，温度测量部和显示部（250）。桶（200）容纳具有第一管和第二管的罐。罐存储原料气。第一管用于将载气流入罐中，第二管用于使来自罐的材料气体流动。盖（220）覆盖桶，并且具有用于第一管和罐的第二管的一对通孔（210）。加热部（230）安装在桶的一个内侧，以均匀地加热内部空间。温度测量部分（240）安装在桶的另一内侧。

5. 发明公开

KR1020010003954A 반도체 메모리 장치의 캐패시터 제조 방법 无效
标题翻译：制造半导体存储器件的电容器的方法
公开(公告)号：KR1020010003954A
公开(公告)日：2001-01-15
申请号：KR1019990024508
申请日：1999-06-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 임헌형 , 안병호
IPC分类号： H01L27/10
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a capacitor of a semiconductor memory device is provided to simplify a manufacturing process and to embody a storage electrode layer having a large surface area, by forming hemispherical crystal grains on a lightly doped amorphous silicon layer. CONSTITUTION: Hemispherical crystal grains(130) are grown on an amorphous silicon layer to form a bent polycrystalline silicon layer(126a). The first gas for impurity doping is injected into the polycrystalline silicon layer to improve conductivity of the bent polycrystalline silicon layer. The second gas is injected by an in-situ process to form a high dielectric layer(134) on the polycrystalline silicon layer doped with the impurities.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造半导体存储器件的电容器的方法，以通过在轻掺杂的非晶硅层上形成半球形晶粒来简化制造工艺并体现具有大表面积的存储电极层。构成：半球形晶粒（130）生长在非晶硅层上以形成弯曲的多晶硅层（126a）。将第一种用于杂质掺杂的气体注入到多晶硅层中以改善弯曲多晶硅层的导电性。通过原位工艺注入第二气体，以在掺杂有杂质的多晶硅层上形成高介电层（134）。

6. 发明授权

KR101867364B1 배치 타입 반도체 장치 有权
公开(公告)号：KR101867364B1
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：KR1020120000357
申请日：2012-01-03
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 양철규 , 이석민 , 장철영 , 손동민 , 안병호 , 전두한 , 주용규 , 하상철
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/67017 , C23C16/455 , C23C16/45563 , C23C16/45568 , C23C16/45578 , C23C16/45587 , H01L21/67109
摘要： 배치타입반도체장치는, 원통형로 형상을갖는튜브가구비된다. 복수의기판이적재되는보트가구비된다. 통형상을갖고내부에반응가스가유입되는홀을포함하고, 하단부위인제1 부분과상단부위인제2 부분을포함하는가스노즐이구비된다. 상기가스노즐의제1 부분이삽입구내부로삽입하여결합되고, 금속합금재질로이루어지는체결부재가구비된다. 상기체결부재의하부면및 상기가스노즐의홀 부위를통과하여연장되는가스이송파이프가구비된다. 상기튜브의하단부에는가스이송파이프의수평연장부와결합하여상기가스노즐을상기튜브에장착하는장착부재가구비된다. 상기배치타입반도체장치는가스노즐의취급및 교체가용이하다.

7. 发明授权

KR100855582B1 액 공급 장치 및 방법, 상기 장치를 가지는 기판 처리설비, 그리고 기판 처리 방법 失效
标题翻译：液体供应单元和方法，用于处理基板的设备，以及处理基板的方法
公开(公告)号：KR100855582B1
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：KR1020070003838
申请日：2007-01-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 남태영 , 김태호 , 김호왕 , 이상곤 , 안병호 , 김형구
IPC分类号： H01L21/208
CPC分类号： C23C16/4485 , C23C16/52
摘要： 본 발명은 가스를 공급하여 버퍼 용기 내부를 가압함으로써 버퍼 용기 내에 채워진 케미컬을 버퍼 용기 외부로 공급하는 액 공급 장치를 제공한다. 본 발명에 의하면, 버퍼 용기의 내부 압력을 측정할 수 있는 압력 센서가 제공되며, 버퍼 용기 내부에 케미컬을 충전할 때 버퍼 용기 내부 압력이 설정 압력 이상이면 버퍼 용기 내 가스를 배기하도록 벤트 라인이 설치된다.
버퍼 용기, 전구체, 케미컬, 벤트 라인, 기화기

8. 发明公开

KR1020070038262A 원자층 적층 장치 无效
标题翻译：原子层压膜机
公开(公告)号：KR1020070038262A
公开(公告)日：2007-04-10
申请号：KR1020050093370
申请日：2005-10-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 강성호 , 하상철 , 안병호 , 이광영 , 전두한
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/4408
摘要： 반도체 디바이스의 제조 중에서 원자층 적층을 수행하여 반도체 기판 상부에 박막을 형성할 때 사용하는 장치로서, 한 묶음의 반도체 기판들을 수용하는 반응 공간을 갖는 반응 챔버와, 반응 물질들을 제공하기 위한 반응 물질 제공부 등을 포함한다. 상기 반응 물질 제공부는 상기 반응 물질들이 제공되는 유량을 제어하기 위한 유량 제어기와, 상기 반응 물질들을 기화시키기 위한 기화기 및 상기 반응 물질들을 상기 반응 챔버로 제공하는 선택 밸브를 포함한다. 특히, 상기 원자층 적층 장치는 상기 기화기 내부에 상기 반응 물질들이 잔류할 때 상기 기화기 내부에 세정 물질을 제공하여 상기 기화기 내부에 잔류하는 반응 물질들을 외부로 배출시켜 제거하는 세정 물질 제공부를 포함한다.

9. 发明公开

KR1020060029534A 반도체 장치의 제조장치 无效
标题翻译：半导体器件的制造设备
公开(公告)号：KR1020060029534A
公开(公告)日：2006-04-06
申请号：KR1020040078527
申请日：2004-10-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 신원식 , 하상철 , 안병호 , 김성길 , 이고은
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/02315 , H01L21/22 , H05H1/46
摘要： 복수의 반도체 웨이퍼에 질화처리를 수행하는 수직형 노에 관한 것이다. 복수의 반도체 웨이퍼가 수평 방향을 따라 수납되는 웨이퍼 보트가 배치되는 반응 튜브(Tube)와 상기 반응 튜브와 일체형으로 상기 반응 튜브의 일측 내벽에 설치되어 플라즈마를 발생시키고, 그 측면에 플라즈마 도입구가 마련되어 상기 웨이퍼 보트에 수납된 웨이퍼들 사이사이로 플라즈마를 공급하는 플라즈마 발생 장치와 상기 플라즈마 발생 장치에 대향하는 상기 반응 튜브의 타측 내벽에 배치되어 상기 웨이퍼 보트에 수납된 웨이퍼들 사이사이로 상기 플라즈마가 균일하게 흐르도록 배치된 배출구를 갖는 제1 가스 배출 기구와 상기 반응 튜브의 측벽에 설치되어 사용된 플라즈마를 배출시키는 제2 배출구를 구비한다. 복수의 반도체 웨이퍼에 균일하게 질화처리를 수행할 수 있다.

10. 发明授权

KR100558550B1 플라즈마 이온 주입 장치의 포스포러스 세정방법 失效
标题翻译：清除血浆植入物磷的方法
公开(公告)号：KR100558550B1
公开(公告)日：2006-03-10
申请号：KR1020030091718
申请日：2003-12-16
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김영진 , 김진국 , 신원식 , 안병호 , 이재철 , 황기현
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： C23C14/564 , B08B7/00 , B08B7/0035 , H01J37/32412 , H01J37/32862
摘要： 본 발명은 플라즈마 이온 주입 장치의 포스포러스 세정방법에 관한 것으로서, 즉 본 발명은 플라즈마 이온 주입 장치의 포스포러스 세정방법에 있어서, 플라즈마 이온 주입 공정이 완료되어 웨이퍼를 반응 챔버의 내부로부터 인출시키면 반응 챔버의 내부로 NF
3 가스를 주입하여 순수한 NF
3 가스 또는 NF
3 플라즈마가 반응 챔버 내부의 포스포러스 폴리머와 반응하면서 기상화시켜 원활하게 배출되도록 하는 포스포러스가 인-시튜 세정에 의해 제거될 수 있도록 함으로써 포스포러스의 제거 효율이 대폭적으로 향상되도록 하는 동시에 PN 공정과 동일한 공정 조건에서 인-시튜 세정을 하게 되므로 작업의 대폭적인 편의를 제공하게 되는 동시에 재차 PN 공정을 수행하는데 따른 시간의 단절을 최소화하여 PN 공정의 효율을 극대화시키도록 한다.
ＮＦ3, 인-시튜 세정, 하부전극, 포스포러스

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