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1. 发明公开

KR1020140112710A 유도결합형 플라즈마 처리 장치 및 이를 이용한 플라즈마 처리 방법 审中-实审
标题翻译：电感耦合等离子体加工设备和等离子体处理方法
公开(公告)号：KR1020140112710A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：KR1020130027113
申请日：2013-03-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이정윤 , 박해중 , 전경엽 , 전상진
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC分类号： H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32119 , H01J37/32165 , H01J37/32651 , H01J37/32697 , H01L43/12
摘要： An inductively coupled plasma processing apparatus includes a chamber which provides a space for processing a substrate and has a window formed on the upper side thereof; a substrate stage which supports the substrate in the chamber and has a lower electrode to which a first high frequency signal is applied; an upper electrode which is arranged at the outer part of the chamber to face the lower electrode by interposing the window between them and to which a second high frequency signal is applied; a conductive shield member which covers the window in the chamber; and a shield power supply part which applies a shield signal synchronized with a second frequency signal to the shield member.
摘要翻译：电感耦合等离子体处理装置包括：腔室，其提供用于处理衬底的空间，并且在其上侧形成有窗口; 衬底台，其在所述腔室中支撑所述衬底并且具有施加了第一高频信号的下电极; 上部电极，其布置在所述腔室的外部，以通过在它们之间插入窗口并且施加第二高频信号来面对所述下部电极; 导电屏蔽构件，其覆盖所述室中的窗口; 以及屏蔽电源部，其向屏蔽部件施加与第二频率信号同步的屏蔽信号。

2. 发明授权

KR101295776B1 직류 및 교류 전압들을 교대로 사용하는 웨이퍼의 디척킹방법 및 이를 채택하는 반도체 소자의 제조 장치 有权
标题翻译：交替使用直流电压和交流电压去除夹紧晶片的方法和使用该晶片的半导体器件的制造装置
公开(公告)号：KR101295776B1
公开(公告)日：2013-08-12
申请号：KR1020070077793
申请日：2007-08-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박해중 , 신동준
IPC分类号： H01L21/687
CPC分类号： H01L21/6831
摘要： 직류 및 교류 전압들을 교대로 사용하는 웨이퍼의 디척킹 방법 및 이를 채택하는 반도체 소자의 제조 장치가 제공된다. 상기 웨이퍼의 디척킹 방법은 웨이퍼를 척킹하는 정전척에 인가된 척킹 전압을 차단하는 것을 구비한다. 상기 척킹 전압과 다른 극성을 갖거나 영(zero)의 값을 갖는 제1 디척킹 전압을 상기 정전척에 인가한다. 주기적으로 변하는 극성을 갖는 제2 디척킹 전압을 상기 정전척에 인가한다. 아울러, 이를 채택하는 반도체 소자의 제조 장치도 제공된다.
디척킹, 직류 전압, 교류 전압

3. 发明公开

KR1020160015508A 반도체 제조설비의 관리방법 및 그의 관리시스템 审中-实审
标题翻译：管理半导体制造设备及其管理系统的方法
公开(公告)号：KR1020160015508A
公开(公告)日：2016-02-15
申请号：KR1020140097536
申请日：2014-07-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 백계현 , 권오형 , 조정현 , 박해중
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/302
CPC分类号： H01J37/32917 , H01J37/32807 , H01J37/3288
摘要： 본발명은반도체제조설비의관리방법및 그의관리시스템을개시한다. 그의방법은챔버의부품들을분해하여세정하기위한예방정비를지시에따라상기부품들이조립될때마다상기부품들에제공된고주파전압의반사율과흡수율을이용하여상기부품들이정상적으로조립되는지를개별적으로확인하는단계를포함한다.
摘要翻译：公开了一种用于管理半导体制造设备的方法和用于管理半导体制造设备的系统。该方法包括以下步骤：根据预防性维护命令，通过使用提供给部件的高频电压的反射性和吸收率来检查每个部件是否正常组装，以便拆卸和清洁腔室的部件。

4. 发明公开

KR1020090013552A 직류 및 교류 전압들을 교대로 사용하는 웨이퍼의 디척킹방법 및 이를 채택하는 반도체 소자의 제조 장치 有权
标题翻译：使用直接电压和替代电压替代波形的方法和用于制造使用其的半导体器件的装置
公开(公告)号：KR1020090013552A
公开(公告)日：2009-02-05
申请号：KR1020070077793
申请日：2007-08-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박해중 , 신동준
IPC分类号： H01L21/687
CPC分类号： H01L21/6831
摘要： A dechucking method and the method of manufacturing the semiconductor device by using the same are provided to prevent the damage of wafer and improve the yield by removing the electrostatic force between the electrostatic chuck and the wafer. The chucking voltage applied at the electrostatic chuck(130) for chucking the wafer (W) is blocked. The second dechucking voltage having the periodically changeable polarity is applied to the electrostatic chuck. The second dechucking voltage has the fixed absolute value, or is the AC voltage converged from the initial value having the predetermined absolute value to the zero. The AC voltage is the sinusoidal wave, the square wave or the triangle wave. The second dechucking voltage includes the first AC voltage and the second AC voltage applied in successively at the electrostatic chuck. The second AC voltage has the value smaller than the absolute value of the first AC voltage.
摘要翻译：为了防止晶片的损坏并且通过去除静电卡盘和晶片之间的静电力来提高产量，提供了一种解扣方法和使用该方法制造该半导体器件的方法。施加在用于夹持晶片（W）的静电卡盘（130）处的夹持电压被阻挡。具有周期性可变极性的第二脱扣电压被施加到静电卡盘。第二脱扣电压具有固定的绝对值，或者是从具有预定绝对值的初始值收敛到零的交流电压。交流电压是正弦波，方波或三角波。第二脱扣电压包括依次在静电卡盘处施加的第一AC电压和第二AC电压。第二交流电压的值小于第一交流电压的绝对值。

5. 发明公开

KR1020160029213A 냉매의 양방향 흐름이 가능한 정전척 어셈블리 및 이를 구비한 반도체 제조장치 审中-实审
标题翻译：具有冷却剂和半导体制造装置的双向流动的静电冲击组件
公开(公告)号：KR1020160029213A
公开(公告)日：2016-03-15
申请号：KR1020140117784
申请日：2014-09-04
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박해중 , 김홍명 , 백계현 , 박상규
IPC分类号： H01L21/683 , H02N13/00 , B23Q3/15 , H01L21/02
CPC分类号： H02N13/00 , H01L21/67109 , H01L21/6831
摘要： 본발명은정전척어셈블리및 이를갖는반도체제조장치에관한것으로, 기판을탑재하는정전척, 상기정전척의내부에서의냉매의흐름경로로제공되며, 상기정전척에탑재되는기판의센터에대응하는제1 오프닝과상기기판의에지에대응하는제2 오프닝을양단에갖는채널, 및상기채널에서의상기냉매의흐름방향을제어하는밸브박스를포함한다. 상기밸브박스는상기제1 오프닝으로의상기냉매의공급을제어하는제1 공급밸브, 상기제1 오프닝으로제공된상기냉매의상기제2 오프닝으로부터의배출을제어하는제1 회수밸브, 상기제2 오프닝으로의상기냉매의공급을제어하는제2 공급밸브, 및상기제2 오프닝으로제공된상기냉매의상기제1 오프닝으로부터의배출을제어하는제2 회수밸브를포함한다.
摘要翻译：本发明涉及一种静电吸盘组件及包括该静电吸盘组件的半导体制造装置，其中静电吸盘组件可改善衬底上的温度分布。静电卡盘组件包括：安装基板的静电卡盘; 所述通道被设置为所述静电卡盘中的冷却剂的流动路径，并且具有对应于安装在所述静电卡盘上的所述基板的中心的第一开口和对应于所述基板的边缘的第二开口; 以及控制通道中的冷却剂的流动方向的阀箱。阀箱包括：第一供给阀，其控制向第一开口供给冷却剂; 第一回流阀控制从第二开口排出提供给第一开口的冷却剂; 控制向第二开口供应冷却剂的第二供应阀; 以及第二回流阀，其控制从第一开口排出提供给第二开口的冷却剂。

6. 发明公开

KR1020050068021A 로봇 암의 진공 제어 장치 및 이를 갖는 애싱 장치 无效
标题翻译：用于机器人臂的真空控制器和具有该机器人的ASHING装置
公开(公告)号：KR1020050068021A
公开(公告)日：2005-07-05
申请号：KR1020030099064
申请日：2003-12-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박해중 , 임상만 , 배종환
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： 진공 제어 장치는 로봇 암의 블레이드들 사이에 형성된 다수개의 슬롯들로 진공을 제공하기 위한 진공 펌프를 포함한다. 진공 펌프에서 발생된 진공을 각 슬롯들로 독립적으로 전달하기 위한 다수개의 진공 라인들이 진공 펌프와 각 슬롯들 사이에 연결된다. 각 진공 라인에는 진공의 흐름을 제어하기 위한 밸브들이 개별적으로 설치된다. 각 슬롯에는 각 진공 라인을 통해 제공되는 진공의 압력을 측정하는 압력 센서들이 배치된다. 압력 센서들에서 감지된 진공 압력에 따라 밸브를 제어하는 제어부가 압력 센서들에 전기적으로 연결된다. 로봇 암의 각 슬롯들로 진공을 개별적으로 제공할 수가 있게 되므로써, 진공 손실이 방지된다. 따라서, 진공 부족으로 웨이퍼가 로봇 암에서 추락하는 사고가 방지된다.

7. 发明授权

KR102223623B1 반도체 제조설비의 관리방법 및 그의 관리시스템 有权
公开(公告)号：KR102223623B1
公开(公告)日：2021-03-08
申请号：KR1020140097536
申请日：2014-07-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 백계현 , 권오형 , 조정현 , 박해중
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/302
摘要： 본발명은반도체제조설비의관리방법및 그의관리시스템을개시한다. 그의방법은챔버의부품들을분해하여세정하기위한예방정비를지시에따라상기부품들이조립될때마다상기부품들에제공된고주파전압의반사율과흡수율을이용하여상기부품들이정상적으로조립되는지를개별적으로확인하는단계를포함한다.

8. 发明公开

KR1020090002637A 플라즈마 처리 장치 및 방법 无效
标题翻译：使用等离子体处理基板的装置和方法
公开(公告)号：KR1020090002637A
公开(公告)日：2009-01-09
申请号：KR1020070066150
申请日：2007-07-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박해중 , 경용범 , 감병산
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/67259 , H01J37/32623
摘要： A plasma processing apparatus and a method are provided to efficiently control the work pressure of the processing chamber by detecting the position of the confinement ring between the lower and upper electrodes on a real time basis. A plasma processing apparatus comprises a processing chamber(100), confinement rings(410,420,430), a driving shaft(540), a sensor(550), a controller(560), and a display unit(570). The processing chamber performs the plasma process on the semiconductor substrate using the plasma formed between the upper and lower electrodes(210,220). The confinement ring is formed to surround the plasma process area(P) between the upper and lower electrodes in order to limit the movement of the plasma. A drive shaft adjusts the work pressure of the plasma process area by moving the confinement ring up and down. A sensor generates the electric signal according to the moving displacement of the driving shaft. A controller generates the control signal according to the electric signal of the sensor. A display unit informs an operator of the control signal of the controller.
摘要翻译：提供了一种等离子体处理装置和方法，用于通过实时地检测下电极和上电极之间的限制环的位置来有效地控制处理室的工作压力。等离子体处理装置包括处理室（100），限制环（410,420,430），驱动轴（540），传感器（550），控制器（560）和显示单元（570）。处理室使用在上下电极（210,220）之间形成的等离子体对半导体基板进行等离子体处理。限制环形成为围绕上部和下部电极之间的等离子体处理区域（P），以限制等离子体的移动。驱动轴通过上下移动限制环来调节等离子体处理区域的工作压力。传感器根据驱动轴的移动位移产生电信号。控制器根据传感器的电信号产生控制信号。显示单元通知操作者控制器的控制信号。

9. 发明公开

KR1020060125150A 웨이퍼 플랫존 정렬 장치 无效
标题翻译：对准平铺区域的装置
公开(公告)号：KR1020060125150A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：KR1020050047016
申请日：2005-06-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박해중 , 김홍명 , 김영재
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/68 , H01L21/67063
摘要： An apparatus for aligning a flat zone of a wafer is provided to prevent the fabricating process from being performed in a state that wafers are abnormally positioned by aligning the flat zone of a wafer and by checking whether the wafers are abnormally aligned. A wafer(W) is supported and rotated by a chuck. A first sensor part(120) detects the flat zone of the wafer rotated by the chuck. A control part(140) controls the rotation of the chuck according to a detection signal of the flat zone of the first sensor part so as to align the wafer with respect to the flat zone of the wafer. At least one of a second sensor part detects the edge portions of the wafer to determine the align state of the aligned wafer. An alarm part(142) generates an alarm when the wafer is abnormally aligned.
摘要翻译：提供了一种用于对准晶片的平坦区域的装置，以防止在通过对准晶片的平坦区域并且通过检查晶片是否异常对准而使晶片异常定位的状态下进行制造工艺。晶片（W）由卡盘支撑并旋转。第一传感器部件（120）检测由卡盘旋转的晶片的平坦区域。控制部件（140）根据第一传感器部件的平坦区域的检测信号来控制卡盘的旋转，以使晶片相对于晶片的平坦区域对准。第二传感器部分中的至少一个检测晶片的边缘部分以确定对准的晶片的对准状态。当晶片异常对准时，报警部件（142）产生报警。

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