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1. 发明公开

KR1020050068021A 로봇 암의 진공 제어 장치 및 이를 갖는 애싱 장치 无效
标题翻译：用于机器人臂的真空控制器和具有该机器人的ASHING装置
公开(公告)号：KR1020050068021A
公开(公告)日：2005-07-05
申请号：KR1020030099064
申请日：2003-12-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박해중 , 임상만 , 배종환
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： 진공 제어 장치는 로봇 암의 블레이드들 사이에 형성된 다수개의 슬롯들로 진공을 제공하기 위한 진공 펌프를 포함한다. 진공 펌프에서 발생된 진공을 각 슬롯들로 독립적으로 전달하기 위한 다수개의 진공 라인들이 진공 펌프와 각 슬롯들 사이에 연결된다. 각 진공 라인에는 진공의 흐름을 제어하기 위한 밸브들이 개별적으로 설치된다. 각 슬롯에는 각 진공 라인을 통해 제공되는 진공의 압력을 측정하는 압력 센서들이 배치된다. 압력 센서들에서 감지된 진공 압력에 따라 밸브를 제어하는 제어부가 압력 센서들에 전기적으로 연결된다. 로봇 암의 각 슬롯들로 진공을 개별적으로 제공할 수가 있게 되므로써, 진공 손실이 방지된다. 따라서, 진공 부족으로 웨이퍼가 로봇 암에서 추락하는 사고가 방지된다.

2. 实用新型

KR2019980061850U 반도체 제조장비의 고진공 펌핑시스템 无效
标题翻译：半导体制造设备中的高真空泵送系统
公开(公告)号：KR2019980061850U
公开(公告)日：1998-11-16
申请号：KR2019970006135
申请日：1997-03-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 임상만 , 신지철 , 임전주
IPC分类号： H01L21/26
摘要： 본 고안은 반도체 제조장비의 고진공 펌핑시스템에 관한 것으로, 반도체 제조공정에서 로딩된 웨이퍼에 대한 소정의 공정이 수행되도록 하는 공정챔버와, 상기 공정챔버의 일측에서 그 내부와 서로 연통되게 설치되어 공정챔버의 내부압을 1차 감압시키는 크라이오 펌프와, 상기 공정챔버의 다른 일측에서 그 내부와 서로 연통되게 설치되어 상기 그 공정챔버의 내부압을 2차 감압시키는 로터리 펌프와, 상기 크라이오 펌프에 설치되어 크라이오 펌프의 리제너레이션시에 발생되는 수분을 배출시키는 드레인수단과, 상기 공정챔버와 로터리 펌프의 연결관로상에 설치되어 2차감압을 위한 로터리 펌프의 작동시에 상기 공정챔버를 경유하여 로터리 펌프의 내부로 유입되는 수분을 흡수제거하는 습기제거수단으로 구성된다.
이와 같은 구성에 따르면, 반도체 제조공정에서 공정챔버에 설치된 크라이오우 펌프를 리제너레이션할 때 발생되는 수분이 드레인수단에 의해서 크라이오 펌프의 내부에 잔류되지 않게 되고, 습기제거수단에 의하여 로터리 펌프내로 유입되지 않게 되어 크라이오 펌프 및 로터리 펌프의 성능저하 및 수명단축을 방지할 수 있으며, 공정챔버내에서의 웨이퍼의 오염요소를 최소화 할 수 있게 된다.

3. 发明公开

KR1019980082859A 플라즈마 장치의 솔레노이드 정글 박스 无效
标题翻译：等离子设备的电磁丛林箱
公开(公告)号：KR1019980082859A
公开(公告)日：1998-12-05
申请号：KR1019970017958
申请日：1997-05-09
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 문병준 , 이성학 , 임상만 , 이병삼
IPC分类号： H01L29/30
摘要： 플라즈마 장치 내로 유입된 공기를 설비 내의 각 구성부로 공급하는 역할을 하는 솔레노이드 정글박스(solenoid jungle box)에 관하여 개시한다. 본 발명은 복수개로 병렬 연결된 솔레노이드 밸브와, 상기 단위 솔레노이드 밸브의 상단에 설치된 복수개의 전원인가 단자와, 상기 복수개의 솔레노이드 밸브의 일 측면에 있는 기체 공급관과, 상기 복수개의 솔레노이드 밸브의 타측면에 있는 기체 배기관과, 상기 단위 솔레노이드 밸브의 상단에 있는 복수개의 기체 분배관 및 상기 전원인가 단자를 통하여 서로 연결되고, 단위 솔레노이드 밸브 사이에 삽입되도록 구성된 열전도 방지부를 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 장치의 솔레노이드 정글박스(jungle box)를 제공한다. 따라서, 단위 솔레노이드 밸브가 열전도에 의하여 파괴됨으로 인하여 장비의 가동률이 떨어지고, 유지 경비가 증가되는 문제점을 개선할 수 있다.

4. 发明公开

KR1019980065674A 플라즈마 장비의 가스 안전화 방법 无效
标题翻译：如何稳定等离子设备中的气体
公开(公告)号：KR1019980065674A
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019970000787
申请日：1997-01-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 임상만 , 임전주
IPC分类号： H01L21/306
摘要： 반도체 장치에 응용되는 플라즈마 장비의 챔버 내에서의 가스 안정화 방법에 관하여 개시한다. 이를 위하여 본 발명은, 플라즈마 챔버로 반응가스를 하나씩 순차적으로 일정시간 동안 공급하는 제1 단계와, 상기 가스공급이 끝난 플라즈마 챔버의 압력을 순차적으로 올리는 제2 단계와, 상기 순차적으로 압력이 올라간 플라즈마 챔버로 RF 전력을 인가하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 장비의 가스 안정화 방법을 제공한다. 따라서, 플라즈마 장비의 챔버로 반응가스를 공급하는 방법을 개선하여 축전전류에 의한 반도체 소자의 손상을 억제할 수 있다.

5. 发明公开

KR1019980005745A 반도체 장치의 박막 식각 방법 无效
标题翻译：半导体器件的薄膜刻蚀方法
公开(公告)号：KR1019980005745A
公开(公告)日：1998-03-30
申请号：KR1019960024000
申请日：1996-06-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 임상만 , 신지철 , 서강일
IPC分类号： H01L21/304

6. 发明公开

KR1019970077316A 플라즈마 에칭 시스템 无效
公开(公告)号：KR1019970077316A
公开(公告)日：1997-12-12
申请号：KR1019960018228
申请日：1996-05-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 임상만 , 서강일 , 문병준 , 양형태
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： 웨이퍼를 원하는 형상으로 에칭시키기 위한 플라즈마 에칭 시스템에 관하여 기재하고 있다. 이는, 플라즈마 상태로 존재하는 반응 가스의 에칭 작용에 의하여 웨이퍼를 원하는 형상으로 에칭시키는 반응이 이루어지는 챔버와, 상기 챔버에 혼합 가스를 공급하기 위한 제1저장 용기와, 상기 제1저장 용기에 산소를 공급하기 위한 제2저장 용기로 이루어져 있으며, 상기 제1저장 용기로부터 상기 챔버에 공급된 혼합 가스는 메탄올과 산소로 이루어져 있다. 본 발명에 따르면, 진공 챔버내에 공급되는 메탄올이 산소와 적절한 혼합 비율로 혼합된 상태로 유지되어 있으므로 산소의 분압에 의하여 상기 진공 챔버내의 진공 상태가 변하여도 메탄올과 산소로 이루어진 혼합 가스가 일정한 혼합 비율로 유지되어 있으므로 웨이퍼를 원하는 형상으로 에칭시킬 수 있다.

7. 发明公开

KR1019980066713A 반도체막의 식각방법 无效
公开(公告)号：KR1019980066713A
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019970002410
申请日：1997-01-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 임상만 , 임전주
IPC分类号： H01L21/306
摘要： 반도체막의 식각방법에 대해 개시된다. 이 방법은, 다층 구조의 막질중 상부 마스크 패턴의 형성을 위한 식각방법은, RIE 에처에서 CHF
3 , CF
4 , Ar 가스의 조합으로 패시베이션 폴리머를 생성시켜 건식식각함으로써 이루어지는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 마스크 패턴에 식각공정중에 발생하는 로딩 효과를 줄일 수 있다.

8. 发明公开

KR1019980015760A 플라즈마 처리장치 无效
公开(公告)号：KR1019980015760A
公开(公告)日：1998-05-25
申请号：KR1019960035198
申请日：1996-08-23
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 홍영기 , 임상만
IPC分类号： H01L21/205
摘要： 본 발명은 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치는 웨이퍼를 지지하는 지지 수단이 도체로 이루어져 있다. 본 발명에 의하면, 플라즈마 처리 장치에서 불균일한 플라즈마에 의한 웨이퍼의 손상을 방지할 수 있다.

9. 发明公开

KR1019980011795A 챔버와 온도조절부가 일체형으로 된 반도체 제조장비 无效
标题翻译：集成腔室和温度控制的半导体制造设备
公开(公告)号：KR1019980011795A
公开(公告)日：1998-04-30
申请号：KR1019960029379
申请日：1996-07-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 임상만 , 김동희 , 홍영기 , 권성운
IPC分类号： H01L21/205

10. 发明公开

KR1019970052765A 반도체소자 제조용 공정장치의 개폐밸브 失效
公开(公告)号：KR1019970052765A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950055034
申请日：1995-12-22
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 임상만 , 박종석
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： 본 발명은 반도체소자 제조공정중 건식식각공정에 관한 것으로 특히 챔버에서 발생한 부산물을 외부로 배출하기 위한 펌프라인에 설치되는 밸브의 구조에 대한 것이다.
종래의 건식식각장비에 챔버와 펌프사이에 설치되는 밸브는 밸브의 동작시 밸브내부에 있는 파티클이 공정챔버로 유입되어 공정결함을 유발하고 오염의 정도가 심하여 크리닝하는 주기가 짧은 문제점이 있었다.
본 발명은 상술한 문제점들을 해소하기 위한 것으로 공정챔버와 파티클을 제거하기 위한 펌프사이에 설치되는 슬라이드 방식으로 개폐동작되는 격리판을 구비한 개폐밸브에 있어서, 상기 격리판의 상부에 고정되는 링모양의 브러쉬나, 흡입 또는 분사하는 제거부재를 설치하여 공정챔버의 오염을 방지하고 제품의 품질이 향상과 장비의 가동효율을 높이도록 한 것이다.

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