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1. 发明公开

KR1020060102321A 반도체 레이저장치 有权
标题翻译：半导体激光装置
公开(公告)号：KR1020060102321A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：KR1020060086769
申请日：2006-09-08
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 마쓰오카히로마스 , 쿠니츠구야스히로 , 니시구치하루미 , 야기테쓰야 , 나카가와야스유키 , 호리에준이치
IPC分类号： H01S5/028
CPC分类号： H01S5/028 , H01S5/0287
摘要： 저반사막은, 레이저칩에 접하는 측에서 순서대로, 굴절률 n1 및 막두께 d1의 제1 유전체막, 굴절률 n2 및 막두께 d2의 제2 유전체막, 굴절률 n3 및 막두께 d3의 제3 유전체막, 굴절률 n4 및 막두께 d4의 제4 유전체막으로 형성되어 있고, 구체적으로는, 제1 유전체막에는 굴절률 n1=1.638의 산화알루미늄 Al
2 O
3 , 제2 유전체막 및 제4 유전체막에는 굴절률 n2=n4=1.489의 산화규소 SiO
2 , 제3 유전체막에는 굴절률 n3=2.063의 산화탄탈 Ta
2 O
5 가 각각 사용된다. 이것에 의해 안정하게 제어할 수 있는 반사율을 갖는 반도체 레이저를 얻을 수 있다.
반도체, 레이저, 웨이퍼, 유전체, 반사막, 활성층, 칩, 굴절률
摘要翻译：低反射膜，第三介电膜，第二介电膜的折射率，并且折射率n3和厚度的第一电介质膜中，折射率n2和作为侧的顺序中与所述激光器芯片接触的厚度，折射率n1和厚度D1 D2 D3 n4，膜厚d4，具体而言，第一电介质膜由折射率n1 = 1.638的氧化铝Al构成

2. 发明公开

KR1020020095428A 반도체 레이저장치 无效
标题翻译：半导体激光器件
公开(公告)号：KR1020020095428A
公开(公告)日：2002-12-26
申请号：KR1020020025227
申请日：2002-05-08
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 아베신지 , 야기테쓰야 , 미야시타모토하루 , 니시구치하루미 , 오오쿠라유지 , 카사이노부유키 , 타시로요시히사 , 타니무라준지
IPC分类号： H01S5/343
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/162 , H01S5/34
摘要： PURPOSE: To provide the semiconductor laser device of high reliability and satisfactory temperature characteristics in the semiconductor laser device, having a window structure area using the random process of a quantum well structure. CONSTITUTION: In the semiconductor laser device, having the window structure area formed by making random the active layer of the quantum well structure through the implantation of silicon ions and following heat treatment; no transition loop practically exists in the window structure region 10a and the neighborhood (upper clad layer 9a). Therefore, deterioration of the semiconductor laser device, caused by the transition loop can be prevented and the reliability of the semiconductor laser device, can be improved.
摘要翻译：目的：提供半导体激光器件具有高可靠性和令人满意的温度特性的半导体激光器件，具有使用量子阱结构的随机过程的窗口结构区域。构成：在半导体激光器件中，通过硅离子的注入和热处理使具有量子阱结构的有源层随机地形成的窗口结构区域; 在窗口结构区域10a和附近（上部包层9a）中实际上不存在过渡环路。因此，可以防止半导体激光器件由过渡环路引起的劣化，并且可以提高半导体激光器件的可靠性。

3. 发明公开

KR1020020046905A 반도체 레이저 장치 및 그 제조방법 失效
标题翻译：半导体激光器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020020046905A
公开(公告)日：2002-06-21
申请号：KR1020010048139
申请日：2001-08-10
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 타시로요시히사 , 카와즈젬페이 , 니시구치하루미 , 야기테쓰야 , 시마아키히로
IPC分类号： H01S5/30
CPC分类号： H01S5/162 , H01S2302/00
摘要： PURPOSE: To provide a semiconductor laser that is less in variation, with respect to COD deterioration and is high in reliability. CONSTITUTION: In the semiconductor laser 10 having an oscillation wavelength of 770-810 nm, a disordered area is formed as a window layer 20, by introducing an impurity to an MQW active layer 16 in the vicinity of the end face of the laser 10. The window layer 20 is irradiated with exciting light, and the wavelength λdpl (nm) of the photoluminescence light of the layer 20 is measured. The COD level of a product is predicted in a middle stage of a process, based on degree of a blue shift λbl which is the difference between the wavelength λapl (nm) of the photoluminescence light generated, when the active layer 16 is irradiated with the exciting light and the wavelength λdpl (nm) of the photoluminscence light generated with the window layer 20 is irradiated with the exciting light.
摘要翻译：目的：提供一种半导体激光器，其相对于COD劣化的变化较小，可靠性高。构成：在具有770-810nm的振荡波长的半导体激光器10中，通过在激光器10的端面附近的MQW有源层16引入杂质，形成无序区域作为窗口层20。用激发光照射窗口层20，并测量层20的光致发光的波长λdpl（nm）。产品的COD水平在工艺的中间阶段被预测，基于蓝色移位的程度λbl，蓝色移动量λbl是当活性层16照射时产生的光致发光光的波长λap1（nm）激发光和用窗口层20产生的光发光的波长λdpl（nm）被激发光照射。

4. 发明授权

KR100457028B1 반도체 레이저 장치 및 그 제조방법 失效
标题翻译： 반放射저저및및그그제조방법
公开(公告)号：KR100457028B1
公开(公告)日：2004-11-16
申请号：KR1020010048139
申请日：2001-08-10
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 타시로요시히사 , 카와즈젬페이 , 니시구치하루미 , 야기테쓰야 , 시마아키히로
IPC分类号： H01S5/30
CPC分类号： H01S5/162 , H01S2302/00
摘要： In fabricating a semiconductor laser producing light with a wavelength of 770 to 810 nm, impurities are introduced into an MQW active layer near a light emitting facet of the laser to form a disordered region constituting a window layer. Pump light is applied to the window layer to generate photoluminescence whose wavelength lambda dpl (nm) is measured. A blue shift amount lambda bl (nm) is defined as the difference between the wavelength lambda apl (nm) 0f photoluminescence generated by application of pump light to the active layer on the one hand, and the wavelength lambda dpl (nm) of photoluminescence from the window layer under pump light irradiation on the other hand. The blue shift amount lambda bl is referenced during the fabrication process in order to predict catastrophic optical damage levels of semiconductor lasers.
摘要翻译：在制造产生波长为770-810nm的光的半导体激光器中，杂质被引入到激光器的发光面附近的MQW有源层中以形成构成窗口层的无序区域。将泵浦光施加到窗口层以产生波长λdpl（nm）被测量的光致发光。蓝色偏移量λbl（nm）被定义为一方面通过向激活层施加泵浦光而产生的光致发光的波长λapl（nm）与来自光致发光的波长λdpl（nm）之间的差另一方面在泵浦光照射下的窗口层。为了预测半导体激光器的灾难性光学损伤水平，在制造过程中引用蓝移量λbl。

5. 发明公开

KR1020040053794A 반도체 레이저 소자 无效
标题翻译：半导体激光器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020040053794A
公开(公告)日：2004-06-24
申请号：KR1020030088251
申请日：2003-12-05
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 타케미마사요시 , 오노켄이치 , 하나마키요시히코 , 와타타니치카라 , 야기테쓰야 , 니시구치하루미 , 사사키모토코 , 아베신지 , 요시다야스아키
IPC分类号： H01S5/323
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/0421 , H01S5/2226 , H01S5/2231 , H01S5/34326 , H01S5/3436
摘要： PURPOSE: A semiconductor laser device and a manufacturing method thereof are provided to enhance the light emitting output and the light emitting efficiency by preventing diffusion of a p-type dopant into an active layer and a p-type cladding layer. CONSTITUTION: A semiconductor laser device includes an active layer, a p-type cladding layer, and a p-type cap layer. The p-type cladding layer(2) is formed on the active layer(3). The p-type cap layer(1) is formed on the p-type cladding layer. The p-type cap layer includes both a p-type dopant and an n-type dopant. A stacked structure is formed by laminating the active layer, the p-type cladding layer, and the p-type cap layer, sequentially.
摘要翻译：目的：提供半导体激光器件及其制造方法，以通过防止p型掺杂剂扩散到有源层和p型覆层中来增强发光输出和发光效率。构成：半导体激光器件包括有源层，p型覆层和p型覆盖层。 p型覆层（2）形成在有源层（3）上。 p型覆盖层（1）形成在p型覆层上。 p型覆盖层包括p型掺杂剂和n型掺杂剂。通过依次层压有源层，p型包覆层和p型覆盖层来形成堆叠结构。

6. 发明公开

KR1020030093918A 반도체 레이저장치 失效
公开(公告)号：KR1020030093918A
公开(公告)日：2003-12-11
申请号：KR1020030007515
申请日：2003-02-06
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 야기테쓰야 , 요시다야스아키
IPC分类号： H01S5/30
CPC分类号： H01S5/22 , H01S5/02461 , H01S5/162 , H01S5/2213 , H01S5/2214 , H01S5/2216 , H01S5/2227 , H01S2301/18
摘要： 광 출력이 변화한 경우에도 원방계 패턴 FFPx에서의 광 강도의 반진폭 너비의 차 △FFPx가 크게 변화하지 않은 반도체 레이저장치를 제공한다. 반도체 레이저장치(10)는, 제1 전극(6a)과, 상기 제1 전극 상에 순서대로 적층된, 제1 도전형의 기판(1)과, 제1 도전형의 제1 클래드층(2)과, 활성층(3)과, 층 두께로 복수의 단계를 갖는 제2 도전형의 제2 클래드층(4)과, 상기 제2 클래드층의 상대적으로 층 두께가 두꺼운 단계의 부분 이외를 덮는 절연체층(5)과, 상기 제2 클래드층의 상기 상대적으로 층 두께가 두꺼운 단계의 부분에 전기적으로 접속된 제2 전극(6b)을 구비하고, 상기 절연체층은, 층 두께의 역수와 열전도율과의 곱이 4×10
8 W/(m
2 ·K)보다 작다.

7. 发明授权

KR100895056B1 반도체 레이저장치 失效
标题翻译：半导体激光器件
公开(公告)号：KR100895056B1
公开(公告)日：2009-04-30
申请号：KR1020060094976
申请日：2006-09-28
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 니시구치하루미 , 야기테쓰야 , 요시다야스아키
IPC分类号： H01S5/00
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/162 , H01S5/209 , H01S5/22 , H01S5/2216 , H01S5/34326 , H01S5/3436
摘要： 반도체 레이저장치의 상부 클래드층에 스트라이프형의 볼록부를 지장 없이 형성할 수 있고, 또한 상부 클래드층측으로의 광 분포의 확장을 억제 없이 방지할 수 있는 수단을 제공한다. 반도체 레이저장치에 있어서는, n-GaAs 기판(1) 상에, 순서대로, n-AlGaInP 클래드층(2)과, AlGaInP/GaInPMQW 활성층(3)과, p-AlGaInP 클래드층(4)과, 단층의 p-Al
x Ga
1
-
x As-ESL(5)과, 스트라이프형의 볼록부(6)를 구비한 p-AlGaInP 제2 클래드층(7)과, p-GaAs 콘택층(8)이 적층되어 있다. p-AlGaInP 제2 클래드층(7)의 스트라이프형의 볼록부(6) 이외의 부분은, 절연막(9)에 의해 덮어져 있다. p-Al
x Ga
1
-
x As-ESL(5)의 굴절률은 각 클래드층(2, 4, 7)의 굴절률과 거의 같게 되어 있다.
반도체, 레이저, 클래드층, 콘택층, 발광효율, 굴절률, 전극, 절연막

8. 发明授权

KR100709281B1 반도체 레이저장치 有权
公开(公告)号：KR100709281B1
公开(公告)日：2007-04-19
申请号：KR1020060086769
申请日：2006-09-08
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 마쓰오카히로마스 , 쿠니츠구야스히로 , 니시구치하루미 , 야기테쓰야 , 나카가와야스유키 , 호리에준이치
IPC分类号： H01S5/028
CPC分类号： H01S5/028 , H01S5/0287
摘要： 저반사막은, 레이저칩에 접하는 측에서 순서대로, 굴절률 n1 및 막두께 d1의 제1 유전체막, 굴절률 n2 및 막두께 d2의 제2 유전체막, 굴절률 n3 및 막두께 d3의 제3 유전체막, 굴절률 n4 및 막두께 d4의 제4 유전체막으로 형성되어 있고, 구체적으로는, 제1 유전체막에는 굴절률 n1=1.638의 산화알루미늄 Al
2 O
3 , 제2 유전체막 및 제4 유전체막에는 굴절률 n2=n4=1.489의 산화규소 SiO
2 , 제3 유전체막에는 굴절률 n3=2.063의 산화탄탈 Ta
2 O
5 가 각각 사용된다. 이것에 의해 안정하게 제어할 수 있는 반사율을 갖는 반도체 레이저를 얻을 수 있다.
반도체, 레이저, 웨이퍼, 유전체, 반사막, 활성층, 칩, 굴절률

9. 发明授权

KR100682426B1 반도체 레이저장치 失效
标题翻译：半导体激光装置
公开(公告)号：KR100682426B1
公开(公告)日：2007-02-15
申请号：KR1020030077886
申请日：2003-11-05
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 니시구치하루미 , 야기테쓰야 , 요시다야스아키
IPC分类号： H01S5/10
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/162 , H01S5/209 , H01S5/22 , H01S5/2216 , H01S5/34326 , H01S5/3436
摘要： 반도체 레이저장치의 상부 클래드층에 스트라이프형의 볼록부를 지장 없이 형성할 수 있고, 또한 상부 클래드층측으로의 광 분포의 확장을 억제 없이 방지할 수 있는 수단을 제공한다. 반도체 레이저장치에 있어서는, n-GaAs 기판(1) 상에, 순서대로, n-AlGaInP 클래드층(2)과, AlGaInP/GaInPMQW 활성층(3)과, p-AlGaInP 클래드층(4)과, 단층의 p-Al
x Ga
1-x As-ESL(5)과, 스트라이프형의 볼록부(6)를 구비한 p-AlGaInP 제2 클래드층(7)과, p-GaAs 콘택층(8)이 적층되어 있다. p-AlGaInP 제2 클래드층(7)의 스트라이프형의 볼록부(6) 이외의 부분은, 절연막(9)에 의해 덮어져 있다. p-Al
x Ga
1-x As-ESL(5)의 굴절률은 각 클래드층(2, 4, 7)의 굴절률과 거의 같게 되어 있다.
반도체, 레이저, 클래드층, 콘택층, 발광효율, 굴절률, 전극, 절연막
摘要翻译：和半导体激光装置的上部包层可以无障碍地形成条纹状的凸部，还提供了用于防止上覆层的侧面的光分布的膨胀而不抑制的装置。此外，在半导体激光装置中，n-GaAs衬底1和n-AlGaInP包层2和，的AlGaInP / GaInPMQW有源层（3）和，对 - AlGaInP包覆层4中，为了在单个层上对铝

10. 发明授权

KR100668096B1 반도체 레이저장치 有权
公开(公告)号：KR100668096B1
公开(公告)日：2007-01-15
申请号：KR1020040020390
申请日：2004-03-25
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 마쓰오카히로마스 , 쿠니츠구야스히로 , 니시구치하루미 , 야기테쓰야 , 나카가와야스유키 , 호리에준이치
IPC分类号： H01S5/028
CPC分类号： H01S5/028 , H01S5/0287
摘要： 저반사막은, 레이저칩에 접하는 측에서 순서대로, 굴절률 n1 및 막두께 d1의 제1 유전체막, 굴절률 n2 및 막두께 d2의 제2 유전체막, 굴절률 n3 및 막두께 d3의 제3 유전체막, 굴절률 n4 및 막두께 d4의 제4 유전체막으로 형성되어 있고, 구체적으로는, 제1 유전체막에는 굴절률 n1=1.638의 산화알루미늄 Al
2 O
3 , 제2 유전체막 및 제4 유전체막에는 굴절률 n2=n4=1.489의 산화규소 SiO
2 , 제3 유전체막에는 굴절률 n3=2.063의 산화탄탈 Ta
2 O
5 가 각각 사용된다. 이것에 의해 안정하게 제어할 수 있는 반사율을 갖는 반도체 레이저를 얻을 수 있다.
반도체, 레이저, 웨이퍼, 유전체, 반사막, 활성층, 칩, 굴절률

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