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1. 发明公开

KR1020040092422A 반도체 레이저장치 失效
标题翻译：具有介质多层膜的半导体激光器件
公开(公告)号：KR1020040092422A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：KR1020040026685
申请日：2004-04-19
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 쿠니츠구야스히로 , 마쓰오카히로마스 , 나카가와야스유키 , 니시구치하루미
IPC分类号： H01S5/028
CPC分类号： H01S5/028 , H01S5/0287
摘要： PURPOSE: A semiconductor laser device having a dielectric multi-layer film is provided to improve a COD degradation level by forming the dielectric multi-layer film with a material having an optical absorption coefficient smaller than an optical absorption coefficient of a silicon film. CONSTITUTION: A semiconductor laser device includes a semiconductor substrate(1), an active layer(2), cladding layers(3), and electrodes(4). The dielectric multi-layer film having a reflectance of at least 40 percent is formed on at least one of light-transmitting faces of a laser chip. The dielectric multi-layer film includes a tantalum oxide film. The dielectric multi-layer film includes an aluminum oxide film and the tantalum oxide film.
摘要翻译：目的：提供具有电介质多层膜的半导体激光器件，通过用具有小于硅膜的光吸收系数的光吸收系数的材料形成介电多层膜来提高COD降解水平。构成：半导体激光装置包括半导体基板（1），有源层（2），包覆层（3）和电极（4）。在激光芯片的透光面的至少一个上形成具有至少40％的反射率的电介质多层膜。电介质多层膜包括氧化钽膜。电介质多层膜包括氧化铝膜和氧化钽膜。

2. 发明公开

KR1020040022155A 반도체 광소자장치 및 그것을 사용한 반도체 레이저 모듈 有权
标题翻译：半导体光学器件和半导体激光器模块
公开(公告)号：KR1020040022155A
公开(公告)日：2004-03-11
申请号：KR1020030058950
申请日：2003-08-26
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 시기하라키미오 , 카와사키카즈시게 , 마쓰오카히로마스
IPC分类号： H01S5/028
摘要： PURPOSE: A semiconductor optical device and a semiconductor laser module using the same are provided to improve design freedom of an anti-reflection film even when a total film thickness of plural films is different from a quarter wavelength. CONSTITUTION: The semiconductor optical device comprises a semiconductor optical element, and an anti reflection film which receives an emitted light from the semiconductor optical element and makes zero reflection rate of the light by interfering an incident light with a reflected light as to a light of a specific wavelength. The anti reflection film comprises a plurality of films whose refractive index is larger than 1. The anti reflection film comprises a high refractive index film and a low refractive index film.
摘要翻译：目的：提供半导体光学器件和使用其的半导体激光器模块，以便即使当多个膜的总膜厚度与四分之一波长不同时，也可以提高抗反射膜的设计自由度。构成：半导体光学器件包括半导体光学元件和抗反射膜，其接收来自半导体光学元件的发射光，并且通过干涉具有反射光的入射光而使光的零反射率相对于特定波长。防反射膜包括折射率大于1的多个膜。抗反射膜包括高折射率膜和低折射率膜。

3. 发明授权

KR100653320B1 반도체 레이저장치 失效
标题翻译：半导体激光装置
公开(公告)号：KR100653320B1
公开(公告)日：2006-12-04
申请号：KR1020040026685
申请日：2004-04-19
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 쿠니츠구야스히로 , 마쓰오카히로마스 , 나카가와야스유키 , 니시구치하루미
IPC分类号： H01S5/028
CPC分类号： H01S5/028 , H01S5/0287
摘要： 반도체 레이저장치는, 레이저칩의 광출사면의 적어도 한쪽에, 반사율이 40% 이상의 유전체다층막이 형성되고, 유전체다층막은, 산화탄탈(Ta2O5)로 이루어지는 유전체막과, 산화알루미늄(Al
2 O
3 ), 산화실리콘(SiO
2 ) 등의 유전체 산화물로 이루어지는 다른 유전체막을 포함한다. 산화탄탈은, 광흡수계수가 실리콘(Si)막보다 작고, 발광에 따른 열적 안정성이 산화티타늄(TiO
2 )막보다 우수하기 때문에, COD 열화를 대폭 개선할 수 있다.
레이저, 산화실리콘, 반사막, 굴절률, 반도체, 웨이퍼, 반사율, 산화티타늄
摘要翻译：在激光芯片的发光面的至少一个面上形成反射率为40％以上的电介质多层膜，该电介质多层膜由氧化钽（Ta2O5）构成的电介质膜形成，

4. 发明授权

KR100870949B1 반도체 레이저장치 失效
标题翻译：半导体激光装置
公开(公告)号：KR100870949B1
公开(公告)日：2008-12-01
申请号：KR1020070054823
申请日：2007-06-05
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 쿠니츠구야스히로 , 마쓰오카히로마스
IPC分类号： H01S3/10
CPC分类号： H01S5/028 , H01S5/4087
摘要： 레이저 칩의 뒤쪽 단면에 형성된 고반사율 막으로서, 2개의 파장λ
1 , λ
2 의 쌍방에 있어서 고반사율을 얻을 수 있고, 반사율의 파장의존성이 작은 것을 구비한 반도체 레이저장치를 얻는다. 2개의 파장λ
1 , λ
2 에서 발광하는 반도체 레이저장치로서, 레이저 칩의 뒤쪽 단면에, 레이저 칩측에서 순서대로 제1층부터 최종층까지의 7층 이상으로 구성된 고반사율 막이 형성되며, 고반사율 막은, 파장λ= (λ
1 +λ
2 )/2에 대하여, 제1층 및 최종층을 제외한 임의의 층으로서 광학 막두께가 n·λ/2(n은 자연수)의 층을 적어도 1층 포함하고, 고반사율 막의 임의의 층 및 최종층을 제외한 층의 광학 막두께는 (2n+1)·λ/4(n은 0을 포함하는 양의 정수)이며, 고반사율 막의 최종층의 광학 막두께는 n·λ/4(n은 자연수)이다.
레이저 칩, 고반사율 막, 파장 의존성
摘要翻译：作为在激光器芯片的后端面上形成的高反射率膜，使用两个波长λ

5. 发明授权

KR100834867B1 반도체 레이저장치 有权
标题翻译：半导体激光器件
公开(公告)号：KR100834867B1
公开(公告)日：2008-06-03
申请号：KR1020060084991
申请日：2006-09-05
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 마쓰오카히로마스 , 나카가와야스유키 , 시가토시히코
IPC分类号： H01S5/00
CPC分类号： H01S5/028 , H01S5/0287
摘要： 간단한 구성에 의한 COD열화가 잘 일어나지 않는 표면막을 공진기의 단면에 설치함으로써 신뢰성이 높은 반도체 레이저장치를 구성한다. 본 발명에 따른 반도체 레이저장치는, 주된 빛의 출사 단면인 전단면(24)과 이 전단면(24)에 대향하는 후단면(26)을 가지고 이들 양단면의 사이가 공진기(22)가 된 반도체 레이저 본체(36)와, 이 반도체 레이저 본체(36)의 전단면(24) 또는 후단면(36)위에 배치되는 동시에, 반사율 제어막으로서의 산화 알루미늄막(38), 혹은 산화 알루미늄막(38)이 전단면(24) 또는 후단면(26)으로부터 더욱 떨어진 층에 배치된 5층막(42)과, 이 반사율 제어막의 산화 알루미늄막(38) 위에 배치되는 동시에 막두께가 20nm이하의 산화 실리콘 막(40)을 구비한 것이다.
COD 열화, 반도체 레이저장치, 전단면, 후단면, 반사율 제어막

6. 发明公开

KR1020060102321A 반도체 레이저장치 有权
标题翻译：半导体激光装置
公开(公告)号：KR1020060102321A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：KR1020060086769
申请日：2006-09-08
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 마쓰오카히로마스 , 쿠니츠구야스히로 , 니시구치하루미 , 야기테쓰야 , 나카가와야스유키 , 호리에준이치
IPC分类号： H01S5/028
CPC分类号： H01S5/028 , H01S5/0287
摘要： 저반사막은, 레이저칩에 접하는 측에서 순서대로, 굴절률 n1 및 막두께 d1의 제1 유전체막, 굴절률 n2 및 막두께 d2의 제2 유전체막, 굴절률 n3 및 막두께 d3의 제3 유전체막, 굴절률 n4 및 막두께 d4의 제4 유전체막으로 형성되어 있고, 구체적으로는, 제1 유전체막에는 굴절률 n1=1.638의 산화알루미늄 Al
2 O
3 , 제2 유전체막 및 제4 유전체막에는 굴절률 n2=n4=1.489의 산화규소 SiO
2 , 제3 유전체막에는 굴절률 n3=2.063의 산화탄탈 Ta
2 O
5 가 각각 사용된다. 이것에 의해 안정하게 제어할 수 있는 반사율을 갖는 반도체 레이저를 얻을 수 있다.
반도체, 레이저, 웨이퍼, 유전체, 반사막, 활성층, 칩, 굴절률
摘要翻译：低反射膜，第三介电膜，第二介电膜的折射率，并且折射率n3和厚度的第一电介质膜中，折射率n2和作为侧的顺序中与所述激光器芯片接触的厚度，折射率n1和厚度D1 D2 D3 n4，膜厚d4，具体而言，第一电介质膜由折射率n1 = 1.638的氧化铝Al构成

7. 发明公开

KR1020070116729A 반도체 레이저장치 失效
标题翻译：半导体激光器件
公开(公告)号：KR1020070116729A
公开(公告)日：2007-12-11
申请号：KR1020070054823
申请日：2007-06-05
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 쿠니츠구야스히로 , 마쓰오카히로마스
IPC分类号： H01S3/10
CPC分类号： H01S5/028 , H01S5/4087
摘要： A semiconductor laser device is provided to decrease wavelength-dependence of reflection rate as obtaining high reflection rate in two wavelengths. A semiconductor laser device radiates at two wavelengths(lambda 1, lambda 2). A high reflective film(10) constituted with more than 7 layers from a first layer to a final layer starting from a laser chip, on a facet behind the laser chip. The high reflective film includes at least one random layer with optical film thickness of (n x lambda/2) where n is a natural number and lambda is (lambda 1 + lambda 2)/2. The optical film thickness of a layer except the random layer and the final layer of the high reflective film is (2n+1) x lambda/4. The optical film thickness of the final layer of the high reflective film is n x lambda/4 where n is a natural number.
摘要翻译：提供一种半导体激光器件，以在两个波长中获得高反射率来降低反射率的波长依赖性。半导体激光器件以两个波长（λ1，λ2）辐射。在激光芯片后面的小面上从激光芯片开始从第一层到最后层超过7层构成的高反射膜（10）。高反射膜包括至少一个光学膜厚度为（n×λ/ 2）的随机层，其中n是自然数，λ是（λ1 +λ2）/ 2。除了随机层之外的层和高反射膜的最终层的光学膜厚度为（2n + 1）×λ/ 4。高反射膜的最终层的光学膜厚度为n×λ/ 4，其中n为自然数。

8. 发明授权

KR100709281B1 반도체 레이저장치 有权
公开(公告)号：KR100709281B1
公开(公告)日：2007-04-19
申请号：KR1020060086769
申请日：2006-09-08
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 마쓰오카히로마스 , 쿠니츠구야스히로 , 니시구치하루미 , 야기테쓰야 , 나카가와야스유키 , 호리에준이치
IPC分类号： H01S5/028
CPC分类号： H01S5/028 , H01S5/0287
摘要： 저반사막은, 레이저칩에 접하는 측에서 순서대로, 굴절률 n1 및 막두께 d1의 제1 유전체막, 굴절률 n2 및 막두께 d2의 제2 유전체막, 굴절률 n3 및 막두께 d3의 제3 유전체막, 굴절률 n4 및 막두께 d4의 제4 유전체막으로 형성되어 있고, 구체적으로는, 제1 유전체막에는 굴절률 n1=1.638의 산화알루미늄 Al
2 O
3 , 제2 유전체막 및 제4 유전체막에는 굴절률 n2=n4=1.489의 산화규소 SiO
2 , 제3 유전체막에는 굴절률 n3=2.063의 산화탄탈 Ta
2 O
5 가 각각 사용된다. 이것에 의해 안정하게 제어할 수 있는 반사율을 갖는 반도체 레이저를 얻을 수 있다.
반도체, 레이저, 웨이퍼, 유전체, 반사막, 활성층, 칩, 굴절률

9. 发明公开

KR1020070026271A 반도체 레이저장치 有权
标题翻译：半导体激光器件
公开(公告)号：KR1020070026271A
公开(公告)日：2007-03-08
申请号：KR1020060084991
申请日：2006-09-05
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 마쓰오카히로마스 , 나카가와야스유키 , 시가토시히코
IPC分类号： H01S5/00
CPC分类号： H01S5/028 , H01S5/0287
摘要： A semiconductor laser device is provided to maintain a reflection factor of a reflection factor control film constantly by using a surface protection film arranged on the reflection factor control film. In a semiconductor laser device, a semiconductor laser main body(36) has a front section(24) and a rear section(26). The front section(24) is a main light emission section. The rear section(26) faces the front section(24). The semiconductor laser main body(36) has a resonator(22) between the two sections(24,26). A reflection factor control film is arranged on the front or rear section(24,26) of the semiconductor laser main body(36). The reflection factor control film is a multi-layer film of a first dielectric film having first heat conductivity. The reflection factor control film is arranged on a layer separated from the front section(24) or the rear section(26). A surface protection film is arranged on the first dielectric film of the reflection factor control film. A thickness of the surface protection film is less than 20 nm. The surface protection film has second heat conductivity different from the first heat conductivity.
摘要翻译：提供半导体激光装置，通过使用布置在反射因子控制膜上的表面保护膜来恒定地维持反射系数控制膜的反射系数。在半导体激光装置中，半导体激光器主体（36）具有前部（24）和后部（26）。前部（24）是主发光部。后部（26）面向前部（24）。半导体激光器主体（36）在两个部分（24,26）之间具有谐振器（22）。反射系数控制膜设置在半导体激光器主体（36）的前部或后部（24,26）上。反射因子控制膜是具有第一导热性的第一电介质膜的多层膜。反射系数控制膜设置在与前部（24）或后部（26）分离的层上。表面保护膜设置在反射因子控制膜的第一介电膜上。表面保护膜的厚度小于20nm。表面保护膜具有与第一导热性不同的第二导热性。

10. 发明授权

KR100668096B1 반도체 레이저장치 有权
公开(公告)号：KR100668096B1
公开(公告)日：2007-01-15
申请号：KR1020040020390
申请日：2004-03-25
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 마쓰오카히로마스 , 쿠니츠구야스히로 , 니시구치하루미 , 야기테쓰야 , 나카가와야스유키 , 호리에준이치
IPC分类号： H01S5/028
CPC分类号： H01S5/028 , H01S5/0287
摘要： 저반사막은, 레이저칩에 접하는 측에서 순서대로, 굴절률 n1 및 막두께 d1의 제1 유전체막, 굴절률 n2 및 막두께 d2의 제2 유전체막, 굴절률 n3 및 막두께 d3의 제3 유전체막, 굴절률 n4 및 막두께 d4의 제4 유전체막으로 형성되어 있고, 구체적으로는, 제1 유전체막에는 굴절률 n1=1.638의 산화알루미늄 Al
2 O
3 , 제2 유전체막 및 제4 유전체막에는 굴절률 n2=n4=1.489의 산화규소 SiO
2 , 제3 유전체막에는 굴절률 n3=2.063의 산화탄탈 Ta
2 O
5 가 각각 사용된다. 이것에 의해 안정하게 제어할 수 있는 반사율을 갖는 반도체 레이저를 얻을 수 있다.
반도체, 레이저, 웨이퍼, 유전체, 반사막, 활성층, 칩, 굴절률

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