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1. 发明公开

KR1020040053794A 반도체 레이저 소자 无效
标题翻译：半导体激光器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020040053794A
公开(公告)日：2004-06-24
申请号：KR1020030088251
申请日：2003-12-05
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 타케미마사요시 , 오노켄이치 , 하나마키요시히코 , 와타타니치카라 , 야기테쓰야 , 니시구치하루미 , 사사키모토코 , 아베신지 , 요시다야스아키
IPC分类号： H01S5/323
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/0421 , H01S5/2226 , H01S5/2231 , H01S5/34326 , H01S5/3436
摘要： PURPOSE: A semiconductor laser device and a manufacturing method thereof are provided to enhance the light emitting output and the light emitting efficiency by preventing diffusion of a p-type dopant into an active layer and a p-type cladding layer. CONSTITUTION: A semiconductor laser device includes an active layer, a p-type cladding layer, and a p-type cap layer. The p-type cladding layer(2) is formed on the active layer(3). The p-type cap layer(1) is formed on the p-type cladding layer. The p-type cap layer includes both a p-type dopant and an n-type dopant. A stacked structure is formed by laminating the active layer, the p-type cladding layer, and the p-type cap layer, sequentially.
摘要翻译：目的：提供半导体激光器件及其制造方法，以通过防止p型掺杂剂扩散到有源层和p型覆层中来增强发光输出和发光效率。构成：半导体激光器件包括有源层，p型覆层和p型覆盖层。 p型覆层（2）形成在有源层（3）上。 p型覆盖层（1）形成在p型覆层上。 p型覆盖层包括p型掺杂剂和n型掺杂剂。通过依次层压有源层，p型包覆层和p型覆盖层来形成堆叠结构。

2. 发明公开

KR1020080093368A 반도체 광장치의 제조 방법 有权
标题翻译：制造半导体光学器件的方法
公开(公告)号：KR1020080093368A
公开(公告)日：2008-10-21
申请号：KR1020080033027
申请日：2008-04-10
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 하나마키요시히코 , 니시다타케히로 , 타카다마코토 , 오노켄이치
IPC分类号： H01S5/343 , H01S5/30
CPC分类号： H01S5/3407 , H01S5/321 , H01S5/342
摘要： A method for manufacturing a semiconductor optical device is provided to prevent a crystal defect or a crystal transition from occurring in an activation layer or a clad layer by preventing fluorine from permeating into the semiconductor optical device. A p-type clad layer is formed. After the p-type clad layer is formed, a cap layer is formed on the p-type clad layer. One of the cap layer and the p-type clad layer is etched. After the cap layer is formed, a through-film is formed on the cap layer. After the through-film is formed, a window structure is formed by using an ion implantation process. After the ion implantation process, the through-film is removed. After etching the through-film, the cap layer is selectively removed.
摘要翻译：提供一种制造半导体光学器件的方法，以通过防止氟渗透到半导体光学器件中来防止在活化层或包覆层中发生晶体缺陷或晶体转变。形成p型覆盖层。在形成p型覆盖层之后，在p型覆盖层上形成覆盖层。蚀刻覆盖层和p型覆盖层中的一个。在形成盖层之后，在盖层上形成贯穿膜。在形成通膜之后，通过使用离子注入工艺形成窗口结构。在离子注入工艺之后，去除透膜。在蚀刻通膜之后，选择性地去除盖层。

3. 发明授权

KR100979417B1 반도체 광장치의 제조 방법 有权
标题翻译：制造半导体光学器件的方法
公开(公告)号：KR100979417B1
公开(公告)日：2010-09-02
申请号：KR1020080033027
申请日：2008-04-10
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 하나마키요시히코 , 니시다타케히로 , 타카다마코토 , 오노켄이치
IPC分类号： H01S5/343 , H01S5/30
摘要： 본 발명은 반도체 광장치의 제조 방법에 관하며, 반도체 광장치의 특성 열화나 신뢰성 저하를 억제한 반도체 광장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. p형 클래드층 형성을 위한 p형 클래드층 형성공정과, p형 클래드층 형성공정후, p형 클래드층의 상층에 형성되는 p형 클래드층과의 선택 에칭이 가능한 캡층 형성을 위한 캡층 형성 공정과, 캡층 형성 공정후, 캡층의 상층에 형성되는 스루막을 형성하기 위한 스루막 형성 공정과, 스루막 형성후 창문구조를 제작하기 위한 이온주입공정과, 이온주입공정 후에 전술한 스루막을 제거하는 스루막 에칭 공정과, 스루막 에칭 공정후에 캡층을 선택적으로 제거하는 약액을 사용하여 캡층을 에칭하는 캡층 에칭 공정을 가진다.
반도체 광장치, p형 클래드층, 선택 에칭, 캡층, 창문구조

4. 发明授权

KR100912622B1 반도체 광소자의 제조 방법 失效
标题翻译：半导体光器件制造方法
公开(公告)号：KR100912622B1
公开(公告)日：2009-08-17
申请号：KR1020070114724
申请日：2007-11-12
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 하나마키요시히코 , 오노켄이치
IPC分类号： H01S5/00 , H01L33/36
CPC分类号： H01S5/0421 , H01L33/02 , H01L33/305 , H01S5/3054
摘要： 본 발명은 반도체 광소자의 제조 방법에 열람해 동작시의 소자 저항값이 설계값과 일치하는 반도체 광소자를 제공하는 것을 목적으로 한다. 불순물 도프된, 제1도전형인 BDR(Band Discontinuity Reduction)층 형성을 위한 BDR층 형성 공정과, BDR층에 접하여, BDR층 성장 후에 퇴적된, 전극형성을 위한, 상기 불순물과 동일한 불순물이 도프된 제1도전형인 콘택층 형성을 위한 콘택층 형성 공정과, 콘택층 형성 공정 후에 열처리를 행하기 위한, 열처리 공정을 구비한다.
열처리 공정, 불순물, 콘택층, 반도체 광소자

5. 发明公开

KR1020080084541A 반도체 광소자의 제조 방법 失效
标题翻译：制造半导体光学器件的方法
公开(公告)号：KR1020080084541A
公开(公告)日：2008-09-19
申请号：KR1020070114724
申请日：2007-11-12
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 하나마키요시히코 , 오노켄이치
IPC分类号： H01S5/00 , H01L33/36
CPC分类号： H01S5/0421 , H01L33/02 , H01L33/305 , H01S5/3054
摘要： A method for manufacturing a semiconductor optical device is provided to avoid reduction in dopant density of a p-BDR(Band Discontinuity Reduction) layer by preventing the impurity diffusion from the p-BDR layer to a contact layer. A method for manufacturing a semiconductor optical device includes the steps of: forming a BDR(Band Discontinuity Reduction) layer of a first conductivity type doped with a first impurity; depositing a contact layer of the first conductivity type in contact with the BDR layer, after formation of the BDR layer, wherein the contact layer is doped with the first impurity and a second impurity and is used to form an electrode; and heat treating after forming the contact layer. The first conductivity type is a p type and the first impurity is one of Mg, Be, and Zn. The contact layer is GaAs, and the BDR layer is InGaP.
摘要翻译：提供一种制造半导体光学器件的方法，以通过防止从p-BDR层到接触层的杂质扩散来避免p-BDR（带断续降低）层的掺杂剂密度的降低。一种制造半导体光学器件的方法包括以下步骤：形成掺杂有第一杂质的第一导电类型的BDR（带断续降低）层; 在形成BDR层之后，沉积与BDR层接触的第一导电类型的接触层，其中接触层掺杂有第一杂质和第二杂质，并用于形成电极; 并在形成接触层之后进行热处理。第一导电类型是p型，第一杂质是Mg，Be和Zn之一。接触层是GaAs，BDR层是InGaP。

6. 发明公开

KR1019970068065A 반도체 레이저 장치 无效
公开(公告)号：KR1019970068065A
公开(公告)日：1997-10-13
申请号：KR1019960041991
申请日：1996-09-24
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 모토다타카시 , 오노켄이치
IPC分类号： H01S5/30
摘要： [과제]
우물층과 배리어층이 각각 다른 변형을 가지는 변형 다중 양자우물 활성층에 있어서, 우물층과 배리어층의 계면에서의 전위등의 격자 결합의 발생을 방지한다.
[해결수단]
우물층(11)은 Ga
0.56 In
0.44 P로 이루어지는 주요영역(110)과, 이 영역에서 우물층/배리어층계면까지의 사이에서, 그 변형이 -0.5%로 부터 -0.1%로 점차 변화하도록 조성이 점차 변화하고 있는 GaInP로 이루어지는 천이영역(111)에 의해 구성되고, 또, 배리어층(12)은, (Al
0.5 Ga
0.5 )
0.452 In
0.548 P로 이루어지는 주요영역(120)과, 이영역에서 배리어층/ 우물층 계면까지의 사이에서, 그 변형이 +0.4%로부터 -0.1%까지 점차 변화하도록 조성이 점차 변화하고 있는 AlGaInP으로 이루어지는 천이영역(121)에 의해 구성되어 있다.

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