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1. 发明授权

KR100834867B1 반도체 레이저장치 有权
标题翻译：半导体激光器件
公开(公告)号：KR100834867B1
公开(公告)日：2008-06-03
申请号：KR1020060084991
申请日：2006-09-05
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 마쓰오카히로마스 , 나카가와야스유키 , 시가토시히코
IPC分类号： H01S5/00
CPC分类号： H01S5/028 , H01S5/0287
摘要： 간단한 구성에 의한 COD열화가 잘 일어나지 않는 표면막을 공진기의 단면에 설치함으로써 신뢰성이 높은 반도체 레이저장치를 구성한다. 본 발명에 따른 반도체 레이저장치는, 주된 빛의 출사 단면인 전단면(24)과 이 전단면(24)에 대향하는 후단면(26)을 가지고 이들 양단면의 사이가 공진기(22)가 된 반도체 레이저 본체(36)와, 이 반도체 레이저 본체(36)의 전단면(24) 또는 후단면(36)위에 배치되는 동시에, 반사율 제어막으로서의 산화 알루미늄막(38), 혹은 산화 알루미늄막(38)이 전단면(24) 또는 후단면(26)으로부터 더욱 떨어진 층에 배치된 5층막(42)과, 이 반사율 제어막의 산화 알루미늄막(38) 위에 배치되는 동시에 막두께가 20nm이하의 산화 실리콘 막(40)을 구비한 것이다.
COD 열화, 반도체 레이저장치, 전단면, 후단면, 반사율 제어막

2. 发明授权

KR101392420B1 반도체장치 및 그 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101392420B1
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：KR1020120102039
申请日：2012-09-14
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 히사카타카유키 , 나카모토타카히로 , 시가토시히코 , 니시자와코이치로
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L23/3192 , H01L23/564 , H01L24/05 , H01L2224/02331 , H01L2224/05008 , H01L2224/0508 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05568 , H01L2224/05569 , H01L2224/05573 , H01L2224/05583 , H01L2224/05644 , H01L2924/00014 , H01L2224/05552
摘要： 외부에서의불순물등에대한내성을향상할수 있는반도체장치및 그제조방법을얻는다. GaAs 기판(1) 위에하층배선(2)이설치되어있다. GaAs 기판(1) 및하층배선(2) 위에수지막(4)이설치되어있다. 수지막(4)은, 하층배선(2) 위에개구 5를갖는다. 하층배선(2) 및수지막(4) 위에 SiN막 6이설치되어있다. SiN막 6은, 개구 5 내부에개구 7을갖는다. 하층배선(2) 및수지막(4)의일부위에상층배선(8)이설치되어있다. 상층배선(8)은, 개구 5, 7을통해하층배선(2)에접속된 Ti막 8a와, Ti막 8a 위에설치된 Au막 8b를갖는다. 상층배선(8) 및수지막(4) 위에 SiN막 9가설치되어있다. SiN막 9는, 수지막(4) 위에있어서 SiN막 6에부착되어있다. SiN막 6, 9는 Ti막 8a의주위를보호한다.

3. 发明公开

KR1020130039664A 반도체장치 및 그 제조방법 有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020130039664A
公开(公告)日：2013-04-22
申请号：KR1020120102039
申请日：2012-09-14
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 히사카타카유키 , 나카모토타카히로 , 시가토시히코 , 니시자와코이치로
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L23/3192 , H01L23/564 , H01L24/05 , H01L2224/02331 , H01L2224/05008 , H01L2224/0508 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05568 , H01L2224/05569 , H01L2224/05573 , H01L2224/05583 , H01L2224/05644 , H01L2924/00014 , H01L2224/05552
摘要： PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to protect a Ti layer using a SiN layer with excellent wet-proof properties and to prevent the corrosion of the Ti layer due to impurities. CONSTITUTION: A lower line layer(2) is formed on a GaAs substrate(1). A resin layer(4) is formed on the GaAs substrate and the lower line layer. A SiN layer(6) is formed on the lower line layer and the resin layer. An upper line layer(8) is formed on the lower line layer and a part of the resin layer. The upper line layer has a Ti layer(8a) connected to the lower line layer and an Au layer(8b) through an opening(5,7). A SiN layer(9) is formed on the upper line layer and the resin layer.
摘要翻译：目的：提供半导体器件及其制造方法，以使用具有优异的耐湿性能的SiN层来保护Ti层，并且防止由于杂质导致的Ti层的腐蚀。构成：在GaAs衬底（1）上形成下层（2）层。在GaAs衬底和下层层上形成树脂层（4）。在下层层和树脂层上形成SiN层（6）。在下层层和树脂层的一部分上形成上层层（8）。上层层具有通过开口（5,7）连接到下层层的Ti层（8a）和Au层（8b）。在上层层和树脂层上形成SiN层（9）。

4. 发明授权

KR100731800B1 반도체 장치 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR100731800B1
公开(公告)日：2007-06-25
申请号：KR1020060033406
申请日：2006-04-13
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 아마스가히로타카 , 시가토시히코 , 쿠니이테쓰오 , 오쿠토모키
IPC分类号： H01L21/20 , H01L29/47
CPC分类号： H01L29/475 , H01L21/28581 , H01L21/28587 , H01L29/42316
摘要： 쇼트키 전극의 내습성을 향상할 수 있는 반도체 장치를 얻는다. 쇼트키 전극인 게이트 전극(8)은, TaNx층(6)과 Au층(7)을 가지고 있다. TaNx층(6)은, Au층(7)과 기판(100) 사이에서 원자가 확산하는 것을 방지하기 위한, 배리어 메탈로서 기능한다. TaNx은 Si을 포함하지 않기 때문에, Si를 포함하는 WSiN보다도 내습성이 높다. 그 때문에 게이트 전극(8)은, WSiN층을 가지는 종래의 게이트 전극에 비해 내습성이 높다. 또한 질소 함유율 x을 0.8미만으로 설정함으로써, 종래의 게이트 전극에 비해 쇼트키 특성이 대폭 저하하는 것을 피할 수 있다. 또는, 질소 함유율 x이 0.5이하의 범위내에서는, 종래의 게이트 전극보다도 쇼트키 특성을 향상시킬 수 있다.
게이트 전극, 쇼트키 특성, 질소 함유율, 배리어 메탈
摘要翻译：获得能够改善肖特基电极的耐湿性的半导体器件。作为肖特基电极的栅电极8具有TaNx层6和Au层7。 TaN x层6用作阻挡金属以防止原子在Au层7和衬底100之间扩散。由于TaNx不含Si，因此比含Si的WSiN具有更高的耐湿性。因此，与具有WSiN层的传统栅电极相比，栅电极8具有更高的防潮性。此外，通过将氮含量x设定为小于0.8，与常规栅极电极相比，可以避免肖特基特性显着降低。或者，在氮含量x为0.5或更小的范围内，肖特基特性可以比常规栅电极改善得更多。

5. 发明公开

KR1020070026271A 반도체 레이저장치 有权
标题翻译：半导体激光器件
公开(公告)号：KR1020070026271A
公开(公告)日：2007-03-08
申请号：KR1020060084991
申请日：2006-09-05
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 마쓰오카히로마스 , 나카가와야스유키 , 시가토시히코
IPC分类号： H01S5/00
CPC分类号： H01S5/028 , H01S5/0287
摘要： A semiconductor laser device is provided to maintain a reflection factor of a reflection factor control film constantly by using a surface protection film arranged on the reflection factor control film. In a semiconductor laser device, a semiconductor laser main body(36) has a front section(24) and a rear section(26). The front section(24) is a main light emission section. The rear section(26) faces the front section(24). The semiconductor laser main body(36) has a resonator(22) between the two sections(24,26). A reflection factor control film is arranged on the front or rear section(24,26) of the semiconductor laser main body(36). The reflection factor control film is a multi-layer film of a first dielectric film having first heat conductivity. The reflection factor control film is arranged on a layer separated from the front section(24) or the rear section(26). A surface protection film is arranged on the first dielectric film of the reflection factor control film. A thickness of the surface protection film is less than 20 nm. The surface protection film has second heat conductivity different from the first heat conductivity.
摘要翻译：提供半导体激光装置，通过使用布置在反射因子控制膜上的表面保护膜来恒定地维持反射系数控制膜的反射系数。在半导体激光装置中，半导体激光器主体（36）具有前部（24）和后部（26）。前部（24）是主发光部。后部（26）面向前部（24）。半导体激光器主体（36）在两个部分（24,26）之间具有谐振器（22）。反射系数控制膜设置在半导体激光器主体（36）的前部或后部（24,26）上。反射因子控制膜是具有第一导热性的第一电介质膜的多层膜。反射系数控制膜设置在与前部（24）或后部（26）分离的层上。表面保护膜设置在反射因子控制膜的第一介电膜上。表面保护膜的厚度小于20nm。表面保护膜具有与第一导热性不同的第二导热性。

6. 发明授权

KR101573251B1 반도체 소자, 반도체 소자의 제조방법 有权
标题翻译：半导体器件及制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR101573251B1
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：KR1020140043990
申请日：2014-04-14
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 마에다카즈히로 , 시가토시히코
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L29/045 , H01L21/0485 , H01L21/283 , H01L21/445 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/45 , H01L29/452 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 본발명은, 기판면 위에외관이상이없는도전막을형성할수 있는반도체소자와그 반도체소자의제조방법을제공하는것을목적으로한다. 육방정이고기판면이 (0001)면인기판(10)과, 상기기판면 위에형성된복수의도전막(12)을구비한다. 상기복수의도전막은, 상기기판의상기기판면에있어서의원자배열과동등한대칭성을갖는평면을갖지않는결정구조의제1 도전막(14)과, 상기제1 도전막의윗쪽에형성되고, 상기기판의상기기판면에있어서의원자배열과동등한대칭성을갖는평면을적어도 1개갖는결정구조의제2 도전막(16)을갖고, 상기제2 도전막은, 입경이 15㎛이하인다결정인것을특징으로한다.

7. 发明公开

KR1020140127155A 반도체 소자, 반도체 소자의 제조방법 有权
标题翻译：半导体器件及制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020140127155A
公开(公告)日：2014-11-03
申请号：KR1020140043990
申请日：2014-04-14
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 마에다카즈히로 , 시가토시히코
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L29/045 , H01L21/0485 , H01L21/283 , H01L21/445 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/45 , H01L29/452 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은, 기판 면 위에 외관 이상이 없는 도전막을 형성할 수 있는 반도체 소자와 그 반도체 소자의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 육방정이고 기판 면이 (0001)면인 기판(10)과, 상기 기판 면 위에 형성된 복수의 도전막(12)을 구비한다. 상기 복수의 도전막은, 상기 기판의 상기 기판 면에 있어서의 원자 배열과 동등한 대칭성을 갖는 평면을 갖지 않는 결정 구조의 제1 도전막(14)과, 상기 제1 도전막의 윗쪽에 형성되고, 상기 기판의 상기 기판 면에 있어서의 원자 배열과 동등한 대칭성을 갖는 평면을 적어도 1개 갖는 결정 구조의 제2 도전막(16)을 갖고, 상기 제2 도전막은, 입경이 15㎛ 이하인 다결정인 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：本发明的目的是提供能够在基板表面上形成无缺陷的导电层的半导体器件，以及制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括六边形晶体并具有（0001）表面的衬底（10）和形成在衬底表面上的多个导电层（12）。所述导电层具有晶体结构的第一导电层（14），所述第一导电层（14）不具有与所述基板的基板表面中的原子排列相等的平面的平面，以及形成有晶体结构的第二导电层（16）在第一导电层的上部并且具有至少一个具有等于基板的基板表面中的原子排列的对称的平面。第二导电层是直径为15μm以下的多晶体。

8. 发明公开

KR1020060109829A 반도체 장치 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020060109829A
公开(公告)日：2006-10-23
申请号：KR1020060033406
申请日：2006-04-13
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 아마스가히로타카 , 시가토시히코 , 쿠니이테쓰오 , 오쿠토모키
IPC分类号： H01L21/20 , H01L29/47
CPC分类号： H01L29/475 , H01L21/28581 , H01L21/28587 , H01L29/42316
摘要： A semiconductor device is provided to improve Schottky characteristics and wet endurance of a Schottky electrode by forming a TaNx layer being contacted to an AlGaAs layer and a GaAs layer. A substrate(100) has AIGaAs layer(1), GaAs layer(2), and n+-GaAs layer(3). The GaAs layer is formed on the AIGaAs layer. The n+-GaAs layer that is a source region or a drain region is formed on GaAs layer. A source electrode(4) and a drain electrode(5) are formed on the n+-GaAs layer. A T-shaped gate electrode(8) that is Schottky electrode is formed on the substrate. The gate electrode has a TaNx layer(6) and an Au layer(7). The TaNx layer is contacted to the AIGaAs layer and the GaAs layer. The Au layer is formed on TaNx layer.
摘要翻译：提供半导体器件以通过形成与AlGaAs层和GaAs层接触的TaNx层来提高肖特基电极的肖特基特性和耐湿性。基板（100）具有AIGaAs层（1），GaAs层（2）和n + -GaAs层（3）。 GaAs层形成在AIGaAs层上。作为源极区域或漏极区域的n + -GaAs层形成在GaAs层上。源极电极（4）和漏电极（5）形成在n + -GaAs层上。在基板上形成有肖特基电极的T形栅电极（8）。栅电极具有TaNx层（6）和Au层（7）。 TaNx层与AIGaAs层和GaAs层接触。 Au层形成在TaNx层上。

9. 发明公开

KR1019980041734A 반도체 장치 및 그 제조방법 无效
公开(公告)号：KR1019980041734A
公开(公告)日：1998-08-17
申请号：KR1019970018334
申请日：1997-05-12
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 오쿠토모키 , 요시다나오히토 , 미야쿠니신이치 , 시가토시히코
IPC分类号： H01L29/772
摘要： SAGFET에서, 게이트 전극6a의 게이트 길이가, 반도체 기판1의 표면에 형성된 凹형 리세스부1a의 평면형상에 의해 정해지는 것으로 되어, 게이트 길이의 제어를 凹형 리세스부1a의 평면형상에 의해 간단하게 행하도록 된다.
반도체 기판1의 표면에 형성한 凹형 리세스부1a의 양측부분에, 소스, 드레인영역을 구성하는 n＇ 확산층3a,3b 및 n
+ 확산층4a,4b를 형성 함과 동시에, 그 凹형 리세스부1a 내에 게이트 전극6a을 매립 배치하고, 그 게이트 전극6a을, 그 평면형상이 그 凹형 리세스부1a 저면의 형상과 일치된 구조로 하였다.

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