반도체 소자, 반도체 소자의 제조방법

专利标题： 반도체 소자, 반도체 소자의 제조방법
专利标题（英）：Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
专利标题（中）：半导体器件及制造半导体器件的方法
申请号：KR1020140043990 申请日：2014-04-14
公开(公告)号：KR1020140127155A 公开(公告)日：2014-11-03
发明人： 마에다카즈히로 , 시가토시히코
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
申请人地址： *-*, Marunouchi *-Chome, Chiyoda-ku, Tokyo ***-**** Japan
专利权人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
当前专利权人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
当前专利权人地址： *-*, Marunouchi *-Chome, Chiyoda-ku, Tokyo ***-**** Japan
代理人： 이화익; 김홍두
优先权： JPJP-P-2013-091548 2013-04-24
主分类号： H01L21/28
IPC分类号： H01L21/28

摘要：

본 발명은, 기판 면 위에 외관 이상이 없는 도전막을 형성할 수 있는 반도체 소자와 그 반도체 소자의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 육방정이고 기판 면이 (0001)면인 기판(10)과, 상기 기판 면 위에 형성된 복수의 도전막(12)을 구비한다. 상기 복수의 도전막은, 상기 기판의 상기 기판 면에 있어서의 원자 배열과 동등한 대칭성을 갖는 평면을 갖지 않는 결정 구조의 제1 도전막(14)과, 상기 제1 도전막의 윗쪽에 형성되고, 상기 기판의 상기 기판 면에 있어서의 원자 배열과 동등한 대칭성을 갖는 평면을 적어도 1개 갖는 결정 구조의 제2 도전막(16)을 갖고, 상기 제2 도전막은, 입경이 15㎛ 이하인 다결정인 것을 특징으로 한다.

摘要（中）：

本发明的目的是提供能够在基板表面上形成无缺陷的导电层的半导体器件，以及制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括六边形晶体并具有（0001）表面的衬底（10）和形成在衬底表面上的多个导电层（12）。所述导电层具有晶体结构的第一导电层（14），所述第一导电层（14）不具有与所述基板的基板表面中的原子排列相等的平面的平面，以及形成有晶体结构的第二导电层（16）在第一导电层的上部并且具有至少一个具有等于基板的基板表面中的原子排列的对称的平面。第二导电层是直径为15μm以下的多晶体。

摘要（英）：

The object of the present invention is to provide a semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device which can form a conductive film is not more than the exterior surface over a substrate. Hexagonal and provided with a plurality of conductive films 12 is formed with a substrate surface and the substrate 10 - surface (0001), on the substrate surface. Film of the plurality of electrically conductive, the first conductive film 14 of the crystal structure that does not have a plane having the same symmetry as the atomic arrangement in the substrate surface of the substrate and, formed on top of the first conductive film, the substrate a and a second conductive film (16) of at least one crystal structure has a plane symmetry and having the same atomic arrangement in the substrate surface, and wherein the second conductive film, characterized in that the particle size is not more than polycrystalline 15㎛ .

KR101573251B1 반도체 소자, 반도체 소자의 제조방법 公开/授权日：2015-12-01

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H	电学
--H01	基本电气元件
----H01L	半导体器件；其他类目未包含的电固体器件
------H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
--------H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
----------H01L21/027	..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
------------H01L21/18	...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
--------------H01L21/28	....用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的

发明公开 KR1020140127155A 반도체 소자, 반도체 소자의 제조방법 有权

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