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2. 发明授权

KR101811819B1 심자외 LED 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：外在LED及其制造方法
公开(公告)号：KR101811819B1
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：KR1020177013240
申请日：2016-11-01
申请人： 마루분 가부시키가이샤 , 도시바 기카이 가부시키가이샤 , 고쿠리쓰 겐큐 가이하쓰 호징 리가가쿠 겐큐소 , 가부시키가이샤 아루박 , 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤
发明人： 가시마유키오 , 마츠우라에리코 , 고쿠보미츠노리 , 다시로다카하루 , 히라야마히데키 , 가미무라류이치로 , 오사다야마토 , 모리타도시로
IPC分类号： H01L33/16 , H01L33/14 , H01L33/40 , H01L33/32 , H01L33/12
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/0075 , H01L33/10 , H01L33/405 , H01L33/16 , H01L33/04 , H01L33/12 , H01L33/14 , H01L2933/0016 , H01L2933/0058
摘要： 심자외 LED에서광취출효율을높인다. 설계파장을λ로하는심자외 LED로서, 반사전극층과, 금속층과, p형 GaN 컨택트층과, 파장(λ)에대해투명한 p형 AlGaN층, 다중양자장벽층혹은전자블록층, 배리어층, 양자우물층을기판과는반대측으로부터이 순서로가지며, 상기 p형 AlGaN층의막두께가 100nm 이내이고, 적어도상기 p형 GaN 컨택트층과상기 p형 AlGaN층의계면을포함하고, 상기기판방향에서상기 p형 AlGaN층을넘지않는두께방향의범위내에설치된복수의공공을갖는반사형포토닉결정주기구조를가지며, 상기공공의기판방향의단면으로부터양자우물층까지의거리가상기배리어층과상기다중양자장벽층(혹은상기전자블록층)의막두께의합계값이상 80nm 이내및 그깊이(h)가상기 p형 AlGaN층과상기 p형 GaN 컨택트층의막두께의합계값이내에서광취출효율의극대값이얻어지고, 또한상기반사형포토닉결정주기구조는 TE 편광성분에대해열리는포토닉밴드갭을가지며, 상기설계파장(λ)의광에대해상기포토닉결정주기구조의주기(a)가브래그조건을만족하면서브래그조건식에있는차수(m)는 1≤m≤5를만족하고, 상기공공의반경을 R로하였을때 포토닉밴드갭이최대가되는 R/a를만족하는것을특징으로하는심자외 LED.
摘要翻译：提高心脏外部LED提取光的效率。作为将其它的LED的设计波长λ，反射电极层和金属层，p型GaN接触层，和一个透明的p型AlGaN层的波长（λ），多量子阻挡层，或电子阻挡层，阻挡层，量子具有在所述基板的所述相反侧eurobuteoyi顺序的阱层，小于p型AlGaN层为100nm的厚度，至少包含p型GaN接触层和p型AlGaN层之间的界面，在所述衬底的所述方向所述p 类型的具有具有在不大于AlGaN层更厚的范围内的多个公共集合的反射型光子晶体的周期性结构，并从公共距离的衬底的横截面的方向kkajiui量子阱层是阻挡层和多重量子势垒层（或电子阻挡层）比大于80nm uimak厚度以下，所述深度（h）中，虚拟机p型AlGaN层和p型GaN接触层的Aurora-输出效率膜的厚度的合计值的范围内的最大值的合计值获得，此外，基于相位的长丝光子晶体周期性结构是TE 光子晶体的周期性结构1≤m具有在布拉格条件的光子带隙，将打开的偏振光成分，该命令（M）相对于设计波长（λ）满足uigwang周期（一）GABRIELE滞后情况＆amp; le; 5和R / a满足当孔的半径为R时光子带隙变为最大的R / a。

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