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1. 发明授权

KR102155018B1 코폴리머 제제, 그 제조방법 및 그를 포함하는 물품 有权
公开(公告)号：KR102155018B1
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：KR1020170061568
申请日：2017-05-18
申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 , 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨
发明人： 허스태드필립디. , 트레포나스3세피터 , 박종근
IPC分类号： C08F220/10 , H01L21/027 , C08F299/00

2. 发明授权

KR101809567B1 모노머, 포토레지스트 조성물 및 포토리소그래피 패턴의 형성 방법 有权
公开(公告)号：KR101809567B1
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：KR1020120000213
申请日：2012-01-02
申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 , 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨
发明人： 오버마티아스에스. , 배영철 , 류이 , 이승현 , 박종근
IPC分类号： C07D317/14 , C07D317/08 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0397 , C07D307/93 , C07D317/24 , C08F24/00 , C08F220/28 , G03F7/0382 , G06F7/38 , Y10S430/111
摘要： 아세탈부분을함유하는 (메트)아크릴레이트모노머, 상기모노머로부터형성된단위를함유하는폴리머및 이폴리머를함유하는포토레지스트조성물이제공된다. 상기모노머, 폴리머및 포토레지스트조성물은포토리소그래피패턴을형성하는데유용하다. 포토레지스트조성물로코팅된기판, 포토리소그래피패턴형성방법및 전자디바이스가또한제공된다. 이들조성물, 방법및 코팅기판은반도체디바이스의제조에특히적용가능하다.

3. 发明授权

KR101805617B1 폴리머, 포토레지스트 조성물 및 포토리소그래피 패턴의 형성 방법 有权
标题翻译：聚合物，光刻胶组合物和形成光刻图案的方法
公开(公告)号：KR101805617B1
公开(公告)日：2017-12-07
申请号：KR1020120000205
申请日：2012-01-02
申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 , 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨
发明人： 배영철 , 피터슨토마스에이치. , 류이 , 박종근 , 이승현 , 카르돌라시아토마스
IPC分类号： C08F20/26 , C08G63/08 , G03F7/027 , G03F7/26
CPC分类号： G03F7/0397 , C08F220/28 , G03F7/11 , G03F7/2041 , G03F7/322 , G03F7/325
摘要： 락톤부분을가지는단위및 특정아세탈부분을가지는단위를포함하는폴리머가제공된다. 이폴리머를함유하는포토레지스트조성물, 이포토레지스트조성물로코팅된기판및 포토리소그래피패턴형성방법이또한제공된다. 상기폴리머, 조성물, 방법및 코팅기판은반도체디바이스의제조에특히적용가능하다.
摘要翻译：提供了包含具有内酯部分的单元和具有特定缩醛部分的单元的聚合物。通过涂敷光致抗蚀剂组合物的基材和光刻图案形成，还提供了含有该聚合物划时代光致抗蚀剂组合物。聚合物，组合物，方法和涂覆的基材特别适用于制造半导体器件。

4. 发明授权

KR101740276B1 블럭 코폴리머 특성을 제어하는 방법 및 이로부터 제조된 제품 有权
标题翻译：控制嵌段共聚物性质的方法和由其制备的产物
公开(公告)号：KR101740276B1
公开(公告)日：2017-05-26
申请号：KR1020140193255
申请日：2014-12-30
申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 , 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨
发明人： 챙시-웨이 , 박종근 , 크레이머존더블유. , 보겔에린비. , 허스태드필립디. , 트레포나스3세피터
IPC分类号： C08J7/04 , C08L83/10 , C08L33/00 , C08G77/16 , C08G77/442 , C08F299/06 , C08G77/42 , C09D183/10
CPC分类号： C09D183/10 , C08G77/16 , C08G77/442 , Y10T428/31663
摘要： 본명세서에는이것이배치되는기판에대해반응하는반응성잔기(moiety)를포함하는브러쉬폴리머; 및서로공유결합하는제1 블럭과제2 블럭을포함하는블럭코폴리머 (이때, 상기제1 블럭은제1 폴리머를포함하고제2 블럭은제2 폴리머를포함하며; 상기제1 폴리머는폴리실록산을 10 원자% 이하로포함하고; 상기제2 폴리머는폴리실록산을 15 원자% 이상포함한다)를포함하며; 상기브러쉬폴리머는상기제1 폴리머및 상기제2 폴리머와화학적으로상이하고; 상기제1 폴리머는상기제2 폴리머와화학적으로상이하며; 상기블럭코폴리머가상기브러쉬폴리머위에배치되는조성물이개시되어있다.
摘要翻译：包含反应性部分的刷状聚合物，所述反应性部分与其所在的基材反应; 和嵌段共聚物（在这种情况下，包括：第一任务块2组的块共价连接至彼此第一块包括第一聚合物和所述第二块包括第二聚合物;所述第一聚合物是聚硅氧烷10 本文以原子百分比掺入;其中所述第一和第二聚合物包括原子％的聚硅氧烷至少15）。其中刷毛聚合物在化学上不同于第一聚合物和第二聚合物; 其中第一聚合物在化学上不同于第二聚合物; 其中嵌段共聚物设置在刷子聚合物上。

5. 发明公开

KR1020170034879A 블록 코폴리머의 어닐링 방법 및 그로부터 제조된 물품 审中-实审
标题翻译：对嵌段共聚物和由其制成的制品进行退火的方法
公开(公告)号：KR1020170034879A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：KR1020170036341
申请日：2017-03-22
申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 , 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨
发明人： 챙시-웨이 , 박종근 , 트레포나스3세피터 , 크레이머존더블유. , 보겔에린비. , 허스태드필립디.
IPC分类号： C08G77/442 , C08G85/00 , C08F299/08 , C08F297/00 , C08J3/00 , B05D3/02 , B29C71/02
CPC分类号： C08G77/442 , B29C59/14 , B29C71/0009 , B29C71/02 , B29C2059/023 , B29C2071/022 , B81C1/00 , G03F7/0002
摘要： 방향족고리상에적어도하나의알킬치환을갖는비닐방향족모노머로부터유도된제1 블록; 및실록산모노머로부터유도된제2 블록;을포함하며, 여기서, 상기제1 블록과제2 블록사이의상호작용을측정한카이파라미터가 200℃의온도에서 0.03 내지 0.18인, 블록코폴리머가개시된다. 비닐방향족모노머를중합하여제1 블록을형성하는단계; 및상기제1 블록상에제2 블록을중합하여블록코폴리머를형성하는단계;를포함하며, 여기서, 상기제2 블록은실록산모노머를중합하는것에의해유도되며; 상기블록코폴리머는 200℃의온도에서 0.03 내지 0.18의카이파라미터를갖고; 상기카이파라미터는코폴리머의상기제1 블록과제2 블록사이의상호작용을측정한것인, 방법이개시된다.
摘要翻译：衍生自在芳环上具有至少一个烷基取代基的乙烯基芳族单体的第一嵌段; 和衍生自硅氧烷单体的第二嵌段，其中在200℃的温度下测量第一嵌段任务2嵌段之间的相互作用的Kai参数为0.03至0.18。结合乙烯基芳族单体形成第一嵌段; 并且通过组合第一嵌段上的第二嵌段形成嵌段共聚物，其中第二嵌段通过聚合硅氧烷单体得到; 嵌段共聚物在200℃的温度下具有0.03至0.18的K ai参数; 其中，Kai参数测量第一块任务和共聚物的两个嵌段之间的相互作用。

6. 发明公开

KR1020160079721A 공극-충진 조성물 有权
标题翻译： PORE-FILL组合物
公开(公告)号：KR1020160079721A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：KR1020150186999
申请日：2015-12-26
申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 , 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨
发明人： 이마드아콰드 , 박종근 , 필립디.허스타드 , 밍치리 , 쳉-바이시 , 피터트레포나스3세 , 제임스더블유.새커리
IPC分类号： C08L71/12 , C08K5/01 , C08G65/40 , C09D5/34
CPC分类号： C09D5/34 , C08G65/4012 , C08G65/4043 , C08G65/485 , C09D161/16 , C09D171/00 , C09D171/12 , H01B3/307 , H01L21/02205
摘要： 조성물로서, 중합체및 용매를포함하고, 상기중합체는하기일반화학식 (I)의반복단위; 및중합성비닐기및 히드록실기가없는말단캡핑기를포함하는, 조성물.상기식에서, Ar1, Ar2, Ar3및 Ar4은독립적으로임의로치환된 2가방향족기를나타내고; X1및 X2는독립적으로단일결합, -O-, -C(O)-, -C(O)O-, OC(O)-, C(O)NR1-, NR2C(O)-, -S-, -S(O)-, SO2-, 또는임의로치환된 C1-202가탄화수소기를나타내고; R1및 R2는독립적으로 H 또는C1-20하이드로카르빌기를나타내고; m은 0 또는 1이고; n은 0 또는 1이고; 그리고 o는 0 또는 1이다. 상기조성물은저-k 및초저-k 유전체물질을형성하는반도체장치의제조에있어특별한적용성을제공한다.
摘要翻译：本发明涉及包含聚合物和溶剂的组合物，其中聚合物包含由下式（I）表示的重复单元和不含可聚合乙烯基和羟基的封端基。在上式中，Ar 1，Ar 2，Ar 3和Ar 4各自独立地表示任选取代的二齿芳族基团; X1和X2各自独立地表示单键，-O - ， - C（O） - ， - C（O）O-，OC（O） - ，C（O）NR 1 - ，NR 2 C（O） - ， - （O） - ，SO2-或任选取代的C 1-20价基烃基; R1和R2各自独立地表示H或C1-20烃基; m为0或1; n为0或1; 并且o为0或1.本发明的组合物独特地适用于形成低k和超低k电介质材料的半导体器件的制造。

7. 发明公开

KR1020120078673A 모노머, 포토레지스트 조성물 및 포토리소그래피 패턴의 형성 방법 审中-实审
标题翻译：单体，光电组合物和形成光刻图案的方法
公开(公告)号：KR1020120078673A
公开(公告)日：2012-07-10
申请号：KR1020120000213
申请日：2012-01-02
申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 , 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨
发明人： 오버마티아스에스. , 배영철 , 류이 , 이승현 , 박종근
IPC分类号： C07D317/14 , C07D317/08 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0397 , C07D307/93 , C07D317/24 , C08F24/00 , C08F220/28 , G03F7/0382 , G06F7/38 , Y10S430/111 , C07D317/14 , G03F7/0045
摘要： PURPOSE: A polymer containing (meth)acrylate monomers and a photoresist composition containing the same are provided to form a photolithography pattern and to manufacture a semi-conductor device. CONSTITUTION: A monomer is denoted by chemical formula I. A polymer contains a unit formed from the monomer and a second unit with a lactone part. The second unit is formed from acid-unstable alkyl or alkyl oxy (meth)acrylate. A photoresist composition contains the polymers and photoacid generator. The polymer has ether, ester, polar group, or acid unstable part. A coating substrate contains a substrate and the photoresist composition.
摘要翻译：目的：提供含有（甲基）丙烯酸酯单体和含有它们的光致抗蚀剂组合物的聚合物以形成光刻图案并制造半导体器件。构成：单体由化学式I表示。聚合物含有由单体形成的单元和具有内酯部分的第二单元。第二单元由酸不稳定的烷基或烷氧基（甲基）丙烯酸酯形成。光致抗蚀剂组合物含有聚合物和光致酸产生剂。聚合物具有醚，酯，极性基团或酸不稳定部分。涂布基板包含基板和光致抗蚀剂组合物。

8. 发明公开

KR1020170113518A 포토리소그래픽 방법 审中-实审
标题翻译：光刻法
公开(公告)号：KR1020170113518A
公开(公告)日：2017-10-12
申请号：KR1020170121934
申请日：2017-09-21
申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 , 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨
发明人： 필립디.허스타드 , 박종근
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/225 , H01L21/47 , G03F7/09 , G03F7/038 , G03F7/075
CPC分类号： H01L21/0206 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/325 , G03F7/405 , H01L21/0273 , H01L21/31144
摘要： 포토리소그래픽방법이제공된다. 본방법은하기단계를포함한다: (a) 에칭될유기층을포함하는반도체기판을제공하는단계; (b) 포토레지스트조성물의층을상기유기층상에직접적으로도포하는단계로서, 상기포토레지스트조성물은하기를포함하는단계: 산절단가능이탈그룹을포함하는수지로서, 그것의절단은산 그룹및/또는알코올그룹을형성하는수지; 광산발생제; 및용매; (c) 상기포토레지스트층을패턴화된포토마스크를통해활성방사선에노광시키는단계; (d) 상기포토레지스트층을가열하는단계로서, 상기산 발생제에의해산출된산은산 절단가능이탈그룹의절단을야기하고, 그렇게함으로써상기산 그룹및/또는상기알코올그룹을형성하는단계; (e) 상기노출된포토레지스트조성물층을유기용매현상액으로현상하여상기산 그룹및/또는상기알코올그룹을포함하는음성레지스트패턴을형성하는단계; (f) 실리콘-함유조성물을상기레지스트패턴상에도포하는단계로서, 상기조성물은실리콘-함유폴리머및 용매를포함하고가교결합제가없는단계; (g) 잔류실리콘-함유조성물을상기기판으로부터린스하고, 일부의상기실리콘-함유폴리머를상기레지스트패턴의표면상에남겨두는단계; 및 (h) 선택적으로상기유기층을에칭하는단계. 본방법은고분해패턴을제공하기위해반도체소자의제조에서특정한적용가능성을발견한다.
摘要翻译：提供了光刻方法。该方法包括以下步骤：（a）提供包括待蚀刻的有机层的半导体衬底; （b）将光致抗蚀剂组合物层直接施加到有机层上，所述光致抗蚀剂组合物包含：包含酸可裂解离去基团的树脂，其裂解包括使酸基团和/或形成醇基的树脂; 光酸发生器; 和一种溶剂; （c）通过图案化的光掩模将光致抗蚀剂层暴露于光化辐射; （d）加热光致抗蚀剂层，其中酸产生剂产生的酸引起酸可裂解离去基团的裂解，从而形成酸基团和/或醇基团; （e）用有机溶剂显影剂显影曝光的光致抗蚀剂组合物层以形成包含酸基团和/或醇基团的负性抗蚀剂图案; （f）将含硅组合物涂覆到抗蚀剂图案上，所述组合物包含含有机硅的聚合物和溶剂且不含交联剂; （g）从衬底清洗剩余的含硅组合物，并在抗蚀剂图案的表面上留下一些含硅聚合物; （h）任选地蚀刻所述有机层。本发明的方法在制造半导体器件中找到了特别的适用性，以提供高分辨率图案。

9. 发明公开

KR1020160119011A 갭-충전 방법 审中-实审
标题翻译： - GAP填充方法
公开(公告)号：KR1020160119011A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：KR1020160125437
申请日：2016-09-29
申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 , 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨 , 롬엔드하스전자재료코리아유한회사
发明人： 심재환 , 박진홍 , 림재봉 , 조정규 , 슈쳉-바이 , 박종근 , 리밍키 , 허스태드필립디.
IPC分类号： H01L21/762 , C08L25/06 , C08L33/14 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76224 , H01L21/31058 , C08L25/06 , C08L33/14 , C08L2203/20 , H01L21/76877
摘要： 갭-충전방법은 (a) 기판의표면에다수의충전될갭을포함하는릴리프이미지를갖는반도체기판을제공하고; (b) 릴리프이미지위에갭-충전조성물을적용하고(여기에서갭-충전조성물은비-가교된가교결합성폴리머, 산촉매, 가교제및 용매를포함하고, 가교결합성폴리머는다음일반화학식 (I)의제 1 유닛:여기에서, R은수소, 불소, C-C알킬및 C-C플루오로알킬로부터선택되고; Ar은가교결합성그룹이없는임의로치환된아릴그룹이고; 및다음일반화학식 (II)의제 2 유닛을포함하고:여기에서, R는수소, 불소, C-C알킬및 C-C플루오로알킬로부터선택되고; R는임의로치환된 C내지 C직쇄, 분지쇄또는사이클릭알킬, 및임의로치환된 C내지 C아릴로, 임의로헤테로원자를포함하고, 여기에서적어도하나의수소원자는독립적으로하이드록실, 카복실, 티올, 아민, 에폭시, 알콕시, 아미드및 비닐그룹으로부터선택되는작용기로치환된다); 및 (c) 폴리머의가교를야기하는온도에서갭-충전조성물을가열하는것을포함한다. 이방법은높은종횡비갭의충전을위한반도체장치의제조에특히적용가능하다.
摘要翻译：间隙填充方法包括：（a）在衬底的表面上提供具有浮雕图像的半导体衬底，所述浮雕图像包括要填充的多个间隙; （b）在所述浮雕图像上施加间隙填充组合物，其中所述间隙填充组合物包含非交联的可交联聚合物，酸催化剂，交联剂和溶剂，其中所述可交联聚合物包含以下通用物质的第一单元式（I）：其中：R 1选自氢，氟，C 1 -C 3烷基和C 1 -C 3氟代烷基; 并且Ar1是不含可交联基团的任选取代的芳基; 和下列通式（II）的第二单元：其中：R 3选自氢，氟，C 1 -C 3烷基和C 1 -C 3氟代烷基; 并且R 4选自任选取代的C 1至C 12直链，支链或环状烷基，以及任选含有杂原子的任选取代的C 6至C 15芳基，其中至少一个氢原子被独立地选自羟基，羧基，硫醇，胺，环氧，烷氧基，酰胺和乙烯基; 和（c）在一定温度下加热间隙填充组合物以使聚合物交联。该方法在用于填充高纵横比间隙的半导体器件的制造中具有特别的适用性。

10. 发明公开

KR1020150079456A 블록 코폴리머의 어닐링 방법 및 그로부터 제조된 물품 审中-实审
标题翻译：方法回收嵌段共聚物及其制备方法
公开(公告)号：KR1020150079456A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：KR1020140192458
申请日：2014-12-29
申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 , 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨
发明人： 챙시-웨이 , 박종근 , 트레포나스3세피터 , 크레이머존더블유. , 보겔에린비. , 허스태드필립디.
IPC分类号： C08G77/442 , C08G85/00 , C08F299/08 , C08F297/00 , C08J3/00
CPC分类号： C08G77/442 , B29C59/14 , B29C71/0009 , B29C71/02 , B29C2059/023 , B29C2071/022 , B81C1/00 , G03F7/0002
摘要： 방향족고리상에적어도하나의알킬치환을갖는비닐방향족모노머로부터유도된제1 블록; 및실록산모노머로부터유도된제2 블록;을포함하며, 여기서, 상기제1 블록과제2 블록사이의상호작용을측정한카이파라미터가 200℃의온도에서 0.03 내지 0.18인, 블록코폴리머가개시된다. 비닐방향족모노머를중합하여제1 블록을형성하는단계; 및상기제1 블록상에제2 블록을중합하여블록코폴리머를형성하는단계;를포함하며, 여기서, 상기제2 블록은실록산모노머를중합하는것에의해유도되며; 상기블록코폴리머는 200℃의온도에서 0.03 내지 0.18의카이파라미터를갖고; 상기카이파라미터는코폴리머의상기제1 블록과제2 블록사이의상호작용을측정한것인, 방법이개시된다.
摘要翻译：公开了一种嵌段共聚物，其包含衍生自在芳环上具有至少一个烷基取代基的乙烯基芳族单体的第一嵌段; 和衍生自硅氧烷单体的第二嵌段，其中在200℃的温度下测量第一嵌段和第二嵌段之间的相互作用的参数参数为0.03-0.18。公开了一种包括聚合乙烯基芳族单体以形成第一嵌段的方法; 并且将第二嵌段聚合到第一嵌段上以形成嵌段共聚物，其中第二嵌段是通过聚合硅氧烷单体得到的，嵌段共聚物在200℃的温度下的chi参数为0.03至0.18，其中chi参数是共聚物的第一嵌段和第二嵌段之间相互作用的量度。

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