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    • 6. 发明公开
    • 다중 패턴의 형성 방법
    • 多模式形成方法
    • KR1020160025464A
    • 2016-03-08
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    • 홍창영슈쳉-바이김정우류콩야마다신타로조에스텐로리앤이충봉허스태드필립디.테일러제임스씨.
    • H01L21/027G03F7/00G03F7/20
    • G03F7/40G03F7/0397G03F7/2041G03F7/322G03F7/325G03F7/405H01L21/0273H01L21/0337
    • 다중패턴의형성방법이제공된다. 이방법은 (a) 패턴화될하나이상의층을포함하는반도체기판을제공하는단계; (b) 산불안정성그룹을포함하는매트릭스폴리머; 광산발생제; 및용매를포함하는조성물로부터형성된포토레지스트층을패턴화될하나이상의층 위에형성하는단계; (c) 포토레지스트층을활성화조사선에패턴식으로노광하는단계; (d) 노광된포토레지스트층을베이킹하는단계; (e) 베이킹된포토레지스트층을제1 현상제와접촉하여제1 레지스트패턴을형성하는단계; (f) 제1 레지스트패턴의측벽영역의용해도를제1 현상제와상이한제2 현상제에대해용해성에서불용성으로변경하기위한수단을포함하는코팅조성물로제1 레지스트패턴을처리하는단계; 및 (g) 처리된제1 레지스트패턴을제2 현상제와접촉하여제1 레지스트패턴의일부를제거함으로써용해도-변경된측벽영역을남겨다중-패턴을형성하는단계를포함한다. 상기방법은미세리소그래피패턴의형성을위한반도체제조산업에서특정응용성을가진다.
    • 提供了形成多个图案的方法。 用于形成多个图案的方法包括以下步骤:(a)提供包括一个或多个待图案化层的半导体衬底; (b)在要图案化的一个或多个层上形成光致抗蚀剂层,光致抗蚀剂层由包含含酸不稳定基团的基质聚合物的组合物形成; 光酸发生剂; 和溶剂; (c)以图案化方式将光致抗蚀剂层暴露于光化辐射; (d)烘烤曝光的光致抗蚀剂层; (e)通过使经烘烤的光致抗蚀剂层与第一显影剂接触来形成第一抗蚀剂图案; (f)通过使用涂料组合物处理第一抗蚀剂图案,所述涂料组合物包括用于相对于不同于第一显影剂的第二显影剂将第一抗蚀剂图案的侧壁区域的溶解度从溶解度改变为不溶性的装置; 并且(g)通过使经处理的第一抗蚀剂图案与第二显影剂接触以除去溶解度改变的侧壁区域,从而形成多个图案,从而去除第一抗蚀剂图案的一部分。 用于形成多个图案的方法在用于形成精细光刻图案的半导体制造工业中具有特定的适用性。