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1. 发明公开

KR1020160025464A 다중 패턴의 형성 방법 审中-实审
标题翻译：多模式形成方法
公开(公告)号：KR1020160025464A
公开(公告)日：2016-03-08
申请号：KR1020150118103
申请日：2015-08-21
申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 , 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨 , 롬엔드하스전자재료코리아유한회사
发明人： 홍창영 , 슈쳉-바이 , 김정우 , 류콩 , 야마다신타로 , 조에스텐로리앤 , 이충봉 , 허스태드필립디. , 테일러제임스씨.
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/00 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/322 , G03F7/325 , G03F7/405 , H01L21/0273 , H01L21/0337
摘要： 다중패턴의형성방법이제공된다. 이방법은 (a) 패턴화될하나이상의층을포함하는반도체기판을제공하는단계; (b) 산불안정성그룹을포함하는매트릭스폴리머; 광산발생제; 및용매를포함하는조성물로부터형성된포토레지스트층을패턴화될하나이상의층 위에형성하는단계; (c) 포토레지스트층을활성화조사선에패턴식으로노광하는단계; (d) 노광된포토레지스트층을베이킹하는단계; (e) 베이킹된포토레지스트층을제1 현상제와접촉하여제1 레지스트패턴을형성하는단계; (f) 제1 레지스트패턴의측벽영역의용해도를제1 현상제와상이한제2 현상제에대해용해성에서불용성으로변경하기위한수단을포함하는코팅조성물로제1 레지스트패턴을처리하는단계; 및 (g) 처리된제1 레지스트패턴을제2 현상제와접촉하여제1 레지스트패턴의일부를제거함으로써용해도-변경된측벽영역을남겨다중-패턴을형성하는단계를포함한다. 상기방법은미세리소그래피패턴의형성을위한반도체제조산업에서특정응용성을가진다.
摘要翻译：提供了形成多个图案的方法。用于形成多个图案的方法包括以下步骤：（a）提供包括一个或多个待图案化层的半导体衬底; （b）在要图案化的一个或多个层上形成光致抗蚀剂层，光致抗蚀剂层由包含含酸不稳定基团的基质聚合物的组合物形成; 光酸发生剂; 和溶剂; （c）以图案化方式将光致抗蚀剂层暴露于光化辐射; （d）烘烤曝光的光致抗蚀剂层; （e）通过使经烘烤的光致抗蚀剂层与第一显影剂接触来形成第一抗蚀剂图案; （f）通过使用涂料组合物处理第一抗蚀剂图案，所述涂料组合物包括用于相对于不同于第一显影剂的第二显影剂将第一抗蚀剂图案的侧壁区域的溶解度从溶解度改变为不溶性的装置; 并且（g）通过使经处理的第一抗蚀剂图案与第二显影剂接触以除去溶解度改变的侧壁区域，从而形成多个图案，从而去除第一抗蚀剂图案的一部分。用于形成多个图案的方法在用于形成精细光刻图案的半导体制造工业中具有特定的适用性。

3. 发明公开

KR1020170104136A 다중 패턴의 형성 방법 审中-实审
标题翻译：形成多图案的方法
公开(公告)号：KR1020170104136A
公开(公告)日：2017-09-14
申请号：KR1020170112648
申请日：2017-09-04
申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 , 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨 , 롬엔드하스전자재료코리아유한회사
发明人： 홍창영 , 슈쳉-바이 , 김정우 , 류콩 , 야마다신타로 , 조에스텐로리앤 , 이충봉 , 허스태드필립디. , 테일러제임스씨.
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/00 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/322 , G03F7/325 , G03F7/405 , H01L21/0273 , H01L21/0337 , G03F7/0025 , G03F7/20
摘要： 다중패턴의형성방법이제공된다. 이방법은 (a) 패턴화될하나이상의층을포함하는반도체기판을제공하는단계; (b) 산불안정성그룹을포함하는매트릭스폴리머; 광산발생제; 및용매를포함하는조성물로부터형성된포토레지스트층을패턴화될하나이상의층 위에형성하는단계; (c) 포토레지스트층을활성화조사선에패턴식으로노광하는단계; (d) 노광된포토레지스트층을베이킹하는단계; (e) 베이킹된포토레지스트층을제1 현상제와접촉하여제1 레지스트패턴을형성하는단계; (f) 제1 레지스트패턴의측벽영역의용해도를제1 현상제와상이한제2 현상제에대해용해성에서불용성으로변경하기위한수단을포함하는코팅조성물로제1 레지스트패턴을처리하는단계; 및 (g) 처리된제1 레지스트패턴을제2 현상제와접촉하여제1 레지스트패턴의일부를제거함으로써용해도-변경된측벽영역을남겨다중-패턴을형성하는단계를포함한다. 상기방법은미세리소그래피패턴의형성을위한반도체제조산업에서특정응용성을가진다.
摘要翻译：提供了形成多个图案的方法。该方法包括以下步骤：（a）提供包括至少一个待图案化的层的半导体衬底; （b）包含酸稳定基团的基质聚合物; 光酸发生器; 在至少一个待图案化的层上形成由包含溶剂的组合物形成的光致抗蚀剂层; （c）用激活辐射图案化光致抗蚀剂层; （d）烘烤曝光的光致抗蚀剂层; （e）使烘烤的光致抗蚀剂层与第一显影剂接触以形成第一抗蚀剂图案; （f）对于不同于第一显影剂的第二显影剂，将第一抗蚀剂图案的侧壁区域的可溶性从可溶性改变为不可溶的装置; 及（g）通过除去第一抗蚀剂图案修饰的侧壁和离开该区域的多并形成图案的一部分处理过的第一抗蚀图案和第二显影剂溶解度接触。该方法在半导体制造工业中特别适用于形成微光刻图案。

4. 发明公开

KR1020160119011A 갭-충전 방법 审中-实审
标题翻译： - GAP填充方法
公开(公告)号：KR1020160119011A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：KR1020160125437
申请日：2016-09-29
申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 , 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨 , 롬엔드하스전자재료코리아유한회사
发明人： 심재환 , 박진홍 , 림재봉 , 조정규 , 슈쳉-바이 , 박종근 , 리밍키 , 허스태드필립디.
IPC分类号： H01L21/762 , C08L25/06 , C08L33/14 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76224 , H01L21/31058 , C08L25/06 , C08L33/14 , C08L2203/20 , H01L21/76877
摘要： 갭-충전방법은 (a) 기판의표면에다수의충전될갭을포함하는릴리프이미지를갖는반도체기판을제공하고; (b) 릴리프이미지위에갭-충전조성물을적용하고(여기에서갭-충전조성물은비-가교된가교결합성폴리머, 산촉매, 가교제및 용매를포함하고, 가교결합성폴리머는다음일반화학식 (I)의제 1 유닛:여기에서, R은수소, 불소, C-C알킬및 C-C플루오로알킬로부터선택되고; Ar은가교결합성그룹이없는임의로치환된아릴그룹이고; 및다음일반화학식 (II)의제 2 유닛을포함하고:여기에서, R는수소, 불소, C-C알킬및 C-C플루오로알킬로부터선택되고; R는임의로치환된 C내지 C직쇄, 분지쇄또는사이클릭알킬, 및임의로치환된 C내지 C아릴로, 임의로헤테로원자를포함하고, 여기에서적어도하나의수소원자는독립적으로하이드록실, 카복실, 티올, 아민, 에폭시, 알콕시, 아미드및 비닐그룹으로부터선택되는작용기로치환된다); 및 (c) 폴리머의가교를야기하는온도에서갭-충전조성물을가열하는것을포함한다. 이방법은높은종횡비갭의충전을위한반도체장치의제조에특히적용가능하다.
摘要翻译：间隙填充方法包括：（a）在衬底的表面上提供具有浮雕图像的半导体衬底，所述浮雕图像包括要填充的多个间隙; （b）在所述浮雕图像上施加间隙填充组合物，其中所述间隙填充组合物包含非交联的可交联聚合物，酸催化剂，交联剂和溶剂，其中所述可交联聚合物包含以下通用物质的第一单元式（I）：其中：R 1选自氢，氟，C 1 -C 3烷基和C 1 -C 3氟代烷基; 并且Ar1是不含可交联基团的任选取代的芳基; 和下列通式（II）的第二单元：其中：R 3选自氢，氟，C 1 -C 3烷基和C 1 -C 3氟代烷基; 并且R 4选自任选取代的C 1至C 12直链，支链或环状烷基，以及任选含有杂原子的任选取代的C 6至C 15芳基，其中至少一个氢原子被独立地选自羟基，羧基，硫醇，胺，环氧，烷氧基，酰胺和乙烯基; 和（c）在一定温度下加热间隙填充组合物以使聚合物交联。该方法在用于填充高纵横比间隙的半导体器件的制造中具有特别的适用性。

5. 发明公开

KR1020150075046A 갭-충전 방법 审中-实审
标题翻译： GAP填充方法
公开(公告)号：KR1020150075046A
公开(公告)日：2015-07-02
申请号：KR1020140187562
申请日：2014-12-23
申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 , 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨 , 롬엔드하스전자재료코리아유한회사
发明人： 심재환 , 박진홍 , 림재봉 , 조정규 , 슈쳉-바이 , 박종근 , 리밍키 , 허스태드필립디.
IPC分类号： H01L21/762 , C08L25/06 , C08L33/14 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76224 , H01L21/31058 , C08L25/06 , C08L33/14 , C08L2203/20 , H01L21/76877
摘要： 갭-충전방법은 (a) 기판의표면에다수의충전될갭을포함하는릴리프이미지를갖는반도체기판을제공하고; (b) 릴리프이미지위에갭-충전조성물을적용하고(여기에서갭-충전조성물은비-가교된가교결합성폴리머, 산촉매, 가교제및 용매를포함하고, 가교결합성폴리머는다음일반화학식 (I)의제 1 유닛:여기에서, R은수소, 불소, C-C알킬및 C-C플루오로알킬로부터선택되고; Ar은가교결합성그룹이없는임의로치환된아릴그룹이고; 및다음일반화학식 (II)의제 2 유닛을포함하고:여기에서, R는수소, 불소, C-C알킬및 C-C플루오로알킬로부터선택되고; R는임의로치환된 C내지 C직쇄, 분지쇄또는사이클릭알킬, 및임의로치환된 C내지 C아릴로, 임의로헤테로원자를포함하고, 여기에서적어도하나의수소원자는독립적으로하이드록실, 카복실, 티올, 아민, 에폭시, 알콕시, 아미드및 비닐그룹으로부터선택되는작용기로치환된다); 및 (c) 폴리머의가교를야기하는온도에서갭-충전조성물을가열하는것을포함한다. 이방법은높은종횡비갭의충전을위한반도체장치의제조에특히적용가능하다.
摘要翻译：本发明涉及间隙填充方法，更具体地说，涉及一种应用于制造半导体器件的间隙填充方法。本发明用于填充用于分离装置的沟槽的间隙。根据本发明的间隙填充方法包括以下步骤：（a）为半导体衬底提供包括要填充在衬底表面上的多个间隙的浮雕图像; （b）在浮雕图像上施加间隙填充组合物; 和（c）在使聚合物交联的温度下加热间隙填充组合物。特别地，根据本发明的间隙填充方法适用于以高纵横比填充间隙的半导体器件的制造方法。本发明的目的是提供一种可用于填充间隙的改进方法。

6. 发明公开

KR1020170084001A 코폴리머 제제, 그 제조방법 및 그를 포함하는 물품 审中-实审
公开(公告)号：KR1020170084001A
公开(公告)日：2017-07-19
申请号：KR1020170088378
申请日：2017-07-12
申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 , 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨
发明人： 허스태드필립디. , 트레포나스3세피터 , 박종근
IPC分类号： C08F220/10 , H01L21/027 , C08F299/00
CPC分类号： C09D133/08 , C08L2203/20 , C08L2312/00 , C09D153/00 , G03F7/0002 , H01L21/0271 , H01L21/31138 , C08F220/10 , C08F299/00 , H01L21/0274
摘要： 본발명에서는제1 아크릴레이트유닛과제2 유닛을포함하는랜덤코폴리머를포함하는매트조성물을반도체기판표면에배치하고(여기서코폴리머는폴리스티렌또는폴리에폭사이드를포함하지않는다); 랜덤코폴리머를가교결합하고; 브러쉬백필(backfill) 조성물과매트조성물이서로교대하도록기판에브러쉬백필조성물을배치하고; 자가조립을겪는블록코폴리머를브러쉬백필조성물과매트조성물상에배치하고; 블록코폴리머를에칭하여반도체기판에서균일하게이격된(spaced) 채널을생성하는방법을기술하였다.

7. 发明公开

KR1020150056077A 갭-충전 방법 审中-实审
标题翻译： GAP填充方法
公开(公告)号：KR1020150056077A
公开(公告)日：2015-05-22
申请号：KR1020140159136
申请日：2014-11-14
申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 , 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨
发明人： 박종근 , 슈쳉-바이 , 허스태드필립디. , 리밍키
IPC分类号： H01L21/76 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/76224
摘要： 본발명은갭-충전방법을제공한다. 본발명은: (a) 기판의표면에충전될다수의갭을포함하는릴리프이미지를갖는반도체기판을제공하고; (b) 자기-가교결합성폴리머와용매를포함하는갭-충전조성물을릴리프이미지에적용하고(여기서, 자기-가교결합성폴리머는중합된주쇄와주쇄에펜던트된가교결합성그룹을포함하는제1 단위를포함한다); (c) 폴리머가자기-가교결합할수 있는온도에서갭-충전조성물을가열하는것을포함한다. 본방법은반도체디바이스의제조에서종횡비가높은갭의충전에특히유용하다.
摘要翻译：在本发明中提供了间隙填充方法。本发明的间隙填充方法包括以下步骤：（a）提供包括浮雕图像的半导体衬底，所述浮雕图像包括填充衬底表面的多个间隙; （b）在浮雕图像中涂布含有自交联性聚合物和溶剂的间隙填充组合物（这里，自交联性聚合物包括包含主链的聚合主链和交联性基团的第一单元）。 ; 和（c）在聚合物可以自交联的温度下加热间隙填充组合物。本发明的方法特别适用于在半导体器件的制造中填充具有高纵横比的间隙。

8. 发明授权

KR102155018B1 코폴리머 제제, 그 제조방법 및 그를 포함하는 물품 有权
公开(公告)号：KR102155018B1
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：KR1020170061568
申请日：2017-05-18
申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 , 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨
发明人： 허스태드필립디. , 트레포나스3세피터 , 박종근
IPC分类号： C08F220/10 , H01L21/027 , C08F299/00

9. 发明授权

KR101740276B1 블럭 코폴리머 특성을 제어하는 방법 및 이로부터 제조된 제품 有权
标题翻译：控制嵌段共聚物性质的方法和由其制备的产物
公开(公告)号：KR101740276B1
公开(公告)日：2017-05-26
申请号：KR1020140193255
申请日：2014-12-30
申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 , 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨
发明人： 챙시-웨이 , 박종근 , 크레이머존더블유. , 보겔에린비. , 허스태드필립디. , 트레포나스3세피터
IPC分类号： C08J7/04 , C08L83/10 , C08L33/00 , C08G77/16 , C08G77/442 , C08F299/06 , C08G77/42 , C09D183/10
CPC分类号： C09D183/10 , C08G77/16 , C08G77/442 , Y10T428/31663
摘要： 본명세서에는이것이배치되는기판에대해반응하는반응성잔기(moiety)를포함하는브러쉬폴리머; 및서로공유결합하는제1 블럭과제2 블럭을포함하는블럭코폴리머 (이때, 상기제1 블럭은제1 폴리머를포함하고제2 블럭은제2 폴리머를포함하며; 상기제1 폴리머는폴리실록산을 10 원자% 이하로포함하고; 상기제2 폴리머는폴리실록산을 15 원자% 이상포함한다)를포함하며; 상기브러쉬폴리머는상기제1 폴리머및 상기제2 폴리머와화학적으로상이하고; 상기제1 폴리머는상기제2 폴리머와화학적으로상이하며; 상기블럭코폴리머가상기브러쉬폴리머위에배치되는조성물이개시되어있다.
摘要翻译：包含反应性部分的刷状聚合物，所述反应性部分与其所在的基材反应; 和嵌段共聚物（在这种情况下，包括：第一任务块2组的块共价连接至彼此第一块包括第一聚合物和所述第二块包括第二聚合物;所述第一聚合物是聚硅氧烷10 本文以原子百分比掺入;其中所述第一和第二聚合物包括原子％的聚硅氧烷至少15）。其中刷毛聚合物在化学上不同于第一聚合物和第二聚合物; 其中第一聚合物在化学上不同于第二聚合物; 其中嵌段共聚物设置在刷子聚合物上。

10. 发明公开

KR1020170034879A 블록 코폴리머의 어닐링 방법 및 그로부터 제조된 물품 审中-实审
标题翻译：对嵌段共聚物和由其制成的制品进行退火的方法
公开(公告)号：KR1020170034879A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：KR1020170036341
申请日：2017-03-22
申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 , 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨
发明人： 챙시-웨이 , 박종근 , 트레포나스3세피터 , 크레이머존더블유. , 보겔에린비. , 허스태드필립디.
IPC分类号： C08G77/442 , C08G85/00 , C08F299/08 , C08F297/00 , C08J3/00 , B05D3/02 , B29C71/02
CPC分类号： C08G77/442 , B29C59/14 , B29C71/0009 , B29C71/02 , B29C2059/023 , B29C2071/022 , B81C1/00 , G03F7/0002
摘要： 방향족고리상에적어도하나의알킬치환을갖는비닐방향족모노머로부터유도된제1 블록; 및실록산모노머로부터유도된제2 블록;을포함하며, 여기서, 상기제1 블록과제2 블록사이의상호작용을측정한카이파라미터가 200℃의온도에서 0.03 내지 0.18인, 블록코폴리머가개시된다. 비닐방향족모노머를중합하여제1 블록을형성하는단계; 및상기제1 블록상에제2 블록을중합하여블록코폴리머를형성하는단계;를포함하며, 여기서, 상기제2 블록은실록산모노머를중합하는것에의해유도되며; 상기블록코폴리머는 200℃의온도에서 0.03 내지 0.18의카이파라미터를갖고; 상기카이파라미터는코폴리머의상기제1 블록과제2 블록사이의상호작용을측정한것인, 방법이개시된다.
摘要翻译：衍生自在芳环上具有至少一个烷基取代基的乙烯基芳族单体的第一嵌段; 和衍生自硅氧烷单体的第二嵌段，其中在200℃的温度下测量第一嵌段任务2嵌段之间的相互作用的Kai参数为0.03至0.18。结合乙烯基芳族单体形成第一嵌段; 并且通过组合第一嵌段上的第二嵌段形成嵌段共聚物，其中第二嵌段通过聚合硅氧烷单体得到; 嵌段共聚物在200℃的温度下具有0.03至0.18的K ai参数; 其中，Kai参数测量第一块任务和共聚物的两个嵌段之间的相互作用。

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