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1. 发明公开

KR1020120052187A 염기-반응성 성분을 포함하는 조성물 및 포토리소그래피 공정 审中-实审
标题翻译：包含基础反应成分的组合物和光刻胶的方法
公开(公告)号：KR1020120052187A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：KR1020110119155
申请日：2011-11-15
申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 , 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨
发明人： 왕데얀 , 류콩 , 리밍키 , 오준석 , 슈쳉-바이 , 강도리스에이치. , 커민스클라크에이치. , 오버마티아스에스.
IPC分类号： G03F7/26 , G03F7/004 , G03F7/00 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/2041 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , G03F7/00 , G03F7/0045 , G03F7/26
摘要： PURPOSE: A composition containing basic reactive components and a photo-lithography process are provided to reduce resist materials leached into leachate in contact with a resist layer during an immersion lithography process. CONSTITUTION: A photoresist composition is applied on a substrate. The photoresist composition includes one or more resins, photo-active components, and one or more materials which are different from the resins. The materials include one or more basic reactive groups and one or more polar groups which are different from the basic reactive groups. The photoresist layer on the substrate is immersion-exposed to active radioactive ray for the photoresist composition. The exposed photoresist layer is developed based on an aqueous alkali developer such that the basic reactive groups provide one or more polar groups.
摘要翻译：目的：提供含有碱性反应性组分和光刻工艺的组合物，用于在浸没光刻过程中减少浸入渗滤液中的抗蚀剂材料，以与抗蚀剂层接触。构成：将光致抗蚀剂组合物施加在基材上。光致抗蚀剂组合物包括一种或多种不同于树脂的树脂，光活性组分和一种或多种不同的材料。这些材料包括一种或多种碱性反应性基团和一种或多种与碱性反应性基团不同的极性基团。将基板上的光致抗蚀剂层浸入曝光用于光致抗蚀剂组合物的活性放射线。曝光的光致抗蚀剂层基于碱性显影剂水溶液显影，使得碱性反应性基团提供一个或多个极性基团。

2. 发明授权

KR101650326B1 포토레지스트 조성물, 코팅된 기판, 및 전자 디바이스의 형성 방법 有权
标题翻译：光电复合涂层基板及形成电子器件的方法
公开(公告)号：KR101650326B1
公开(公告)日：2016-08-23
申请号：KR1020140090092
申请日：2014-07-16
申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 , 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨
发明人： 오버마티아스에스. , 자인비풀 , 에띠엔느존비.
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/09 , G03F7/30 , G03F7/36 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0392 , G03F7/039 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , G03F7/09 , G03F7/30 , G03F7/36
摘要： 포토레지스트조성물은다음의구조를갖는복수의반복단위를포함한다:상기에서, R및 R는각각독립적으로수소, 비치환된또는치환된 C직쇄형또는분지형의알킬, 비치환된또는치환된 C시클로알킬, 비치환된또는치환된 C아릴, 또는비치환된또는치환된 C헤테로아릴이고; R및 R는임의로서로공유결합으로연결되어를포함하는고리를형성하고; 각각의 Ar, Ar및 Ar는독립적으로비치환된또는치환된 C아릴렌, 또는비치환된또는치환된 C헤테로아릴렌이다. 상기중합체외에, 포토레지스트조성물은광산발생제, 광염기발생제, 광개시제및 이들의조합으로부터선택되는광활성성분을포함한다.

4. 发明授权

KR101809567B1 모노머, 포토레지스트 조성물 및 포토리소그래피 패턴의 형성 방법 有权
公开(公告)号：KR101809567B1
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：KR1020120000213
申请日：2012-01-02
申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 , 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨
发明人： 오버마티아스에스. , 배영철 , 류이 , 이승현 , 박종근
IPC分类号： C07D317/14 , C07D317/08 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0397 , C07D307/93 , C07D317/24 , C08F24/00 , C08F220/28 , G03F7/0382 , G06F7/38 , Y10S430/111
摘要： 아세탈부분을함유하는 (메트)아크릴레이트모노머, 상기모노머로부터형성된단위를함유하는폴리머및 이폴리머를함유하는포토레지스트조성물이제공된다. 상기모노머, 폴리머및 포토레지스트조성물은포토리소그래피패턴을형성하는데유용하다. 포토레지스트조성물로코팅된기판, 포토리소그래피패턴형성방법및 전자디바이스가또한제공된다. 이들조성물, 방법및 코팅기판은반도체디바이스의제조에특히적용가능하다.

5. 发明公开

KR1020150009484A 포토레지스트 조성물, 코팅된 기판, 및 전자 디바이스의 형성 방법 有权
标题翻译：光电组合物，涂覆基板和形成电子器件的方法
公开(公告)号：KR1020150009484A
公开(公告)日：2015-01-26
申请号：KR1020140090092
申请日：2014-07-16
申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 , 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨
发明人： 오버마티아스에스. , 자인비풀 , 에띠엔느존비.
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/09 , G03F7/30 , G03F7/36 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0392 , G03F7/039 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , G03F7/09 , G03F7/30 , G03F7/36 , H01L21/0274 , Y10S430/1055
摘要： 포토레지스트 조성물은 다음의 구조를 갖는 복수의 반복 단위를 포함한다:

상기에서, R
1 및 R
2 는 각각 독립적으로 수소, 비치환된 또는 치환된 C
1-18 직쇄형 또는 분지형의 알킬, 비치환된 또는 치환된 C
3-18 시클로알킬, 비치환된 또는 치환된 C
6-18 아릴, 또는 비치환된 또는 치환된 C
3-18 헤테로아릴이고; R
1 및 R
2 는 임의로 서로 공유결합으로 연결되어 를 포함하는 고리를 형성하고; 각각의 Ar
1 , Ar
2 및 Ar
3 는 독립적으로 비치환된 또는 치환된 C
6
-18 아릴렌, 또는 비치환된 또는 치환된 C
3
-18 헤테로아릴렌이다. 상기 중합체 외에, 포토레지스트 조성물은 광산 발생제, 광염기 발생제, 광개시제 및 이들의 조합으로부터 선택되는 광활성 성분을 포함한다.
摘要翻译：光致抗蚀剂组合物包括具有多个具有以下结构的重复单元的聚合物：其中R1和R2独立地为氢，未取代或取代的C1-18直链或支链烷基，未取代或取代的C3-18环烷基，未取代或取代的C6-18芳基，或未取代或取代的C3-18杂芳基; 并且R 1和R 2彼此共价连接以形成包括-R 1 -C-R 2 - 的环， Ar1，Ar2和Ar3各自独立地为未取代的或取代的C6-18亚芳基，或未取代或取代的C3-18亚杂芳基。除了聚合物之外，光致抗蚀剂组合物包括选自光酸产生剂，光碱产生剂，光引发剂及其组合的光活性组分。

6. 发明公开

KR1020120078673A 모노머, 포토레지스트 조성물 및 포토리소그래피 패턴의 형성 방법 审中-实审
标题翻译：单体，光电组合物和形成光刻图案的方法
公开(公告)号：KR1020120078673A
公开(公告)日：2012-07-10
申请号：KR1020120000213
申请日：2012-01-02
申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 , 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨
发明人： 오버마티아스에스. , 배영철 , 류이 , 이승현 , 박종근
IPC分类号： C07D317/14 , C07D317/08 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0397 , C07D307/93 , C07D317/24 , C08F24/00 , C08F220/28 , G03F7/0382 , G06F7/38 , Y10S430/111 , C07D317/14 , G03F7/0045
摘要： PURPOSE: A polymer containing (meth)acrylate monomers and a photoresist composition containing the same are provided to form a photolithography pattern and to manufacture a semi-conductor device. CONSTITUTION: A monomer is denoted by chemical formula I. A polymer contains a unit formed from the monomer and a second unit with a lactone part. The second unit is formed from acid-unstable alkyl or alkyl oxy (meth)acrylate. A photoresist composition contains the polymers and photoacid generator. The polymer has ether, ester, polar group, or acid unstable part. A coating substrate contains a substrate and the photoresist composition.
摘要翻译：目的：提供含有（甲基）丙烯酸酯单体和含有它们的光致抗蚀剂组合物的聚合物以形成光刻图案并制造半导体器件。构成：单体由化学式I表示。聚合物含有由单体形成的单元和具有内酯部分的第二单元。第二单元由酸不稳定的烷基或烷氧基（甲基）丙烯酸酯形成。光致抗蚀剂组合物含有聚合物和光致酸产生剂。聚合物具有醚，酯，极性基团或酸不稳定部分。涂布基板包含基板和光致抗蚀剂组合物。

7. 发明授权

KR101618179B1 방향족 폴리아세탈 및 이를 포함하는 제품 有权
标题翻译：芳香聚合物和包含它们的文章
公开(公告)号：KR101618179B1
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：KR1020140090030
申请日：2014-07-16
申请人： 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨
发明人： 오버마티아스에스. , 로머듀안알. , 에띠엔느존비. , 토마스풀리코틸제이.
IPC分类号： C08G2/10 , C08G2/18 , C08G2/24
CPC分类号： C08G65/40 , C08G61/12 , C08G65/38 , C08G65/485 , C08G2261/1422 , C08G2261/1424 , C08G2261/148 , C08G2261/312 , C08G2261/314 , C08G2261/3142 , C08G2261/344 , C08G2261/411 , C08G2650/12
摘要： 본발명은하기구조를나타내는반복단위를포함하는중합체에관한것이다:또는상기식에서 R, R, Ar, Ar, 및 Ar는명세서에정의된바와같다. 중합체는스즈키중축합에의해제조할수 있다. 중합체골격중의아세탈및/또는케탈작용기는산에서골격-분해성을만든다. 중합체는리소그래피포토레지스트를포함하는응용에유용하다.

8. 发明公开

KR1020150009479A 비스(아릴)아세탈 화합물 有权
标题翻译： BIS（ARYL）乙醇化合物
公开(公告)号：KR1020150009479A
公开(公告)日：2015-01-26
申请号：KR1020140089923
申请日：2014-07-16
申请人： 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨
发明人： 오버마티아스에스. , 로머듀안알. , 에띠엔느존비. , 토마스풀리코틸제이.
IPC分类号： C07C43/313 , C07F5/04
CPC分类号： C07F5/025 , C07C43/307 , C07F5/027 , C07F5/04 , C07F5/05 , C07C43/313 , C07D249/08
摘要： 하기 화학식을 가지는 비스(아릴)아세탈이 개시된다:

상기 식에서,
Y
1 및
Y
2 는 각각 독립적으로 클로로, 브로모, 요오도, 메실레이트, 토실레이트, 트리플레이트, 또는 B
x 이되, 단 Y
1 및
Y
2 가 둘 다 클로로, 브로모, 및 요오도로부터 선택되지는 않으며;
B
x 는 각 경우 독립적으로 붕소 원자를 통해 Ar
1 또는
Ar
2 에 결합된 붕소-함유 작용 그룹이고;
Ar
1 및
Ar
2 는 각각 독립적으로 비치환되거나 치환된 C
6-18 아릴렌, 또는 비치환되거나 치환된 C
3-18 헤테로아릴렌이되, 단 Ar
1 및
Ar
2 는 -Ar
1 -OCO-Ar
2 -를 포함하는 환 구조를 형성하도록 서로 공유 결합되지 않으며,
R
1 및
R
2 는 각각 독립적으로 수소, 비치환되거나 치환된 C
1-18 선형 또는 분지형 알킬, 비치환되거나 치환된 C
3-20 사이클로알킬, 비치환되거나 치환된 C
6-18 아릴, 또는 비치환되거나 치환된 C
3-20 헤테로아릴이다.
상기 비스(아릴)아세탈은 스즈키 중축합을 통해 올리고아세탈 및 폴리아세탈을 합성하기 위한 모노머로서 유용하다.
摘要翻译：本发明涉及可用于合成聚缩醛的双（芳基）乙缩醛。本发明的目的是提供用于合成低聚缩醛和聚缩醛的材料和方法。为此，提供了在存在和不存在游离羟基和其它官能团的情况下形成低聚缩醛和聚缩醛的方法，所述官能团不适于缩聚条件以形成低聚缩醛和聚缩醛。

9. 发明授权

KR101631844B1 비스(아릴)아세탈 화합물 有权
标题翻译：双相化合物
公开(公告)号：KR101631844B1
公开(公告)日：2016-06-20
申请号：KR1020140089923
申请日：2014-07-16
申请人： 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨
发明人： 오버마티아스에스. , 로머듀안알. , 에띠엔느존비. , 토마스풀리코틸제이.
IPC分类号： C07C43/313 , C07F5/04
CPC分类号： C07F5/025 , C07C43/307 , C07F5/027 , C07F5/04 , C07F5/05
摘要： 하기화학식을가지는비스(아릴)아세탈이개시된다:상기식에서, Y및Y는각각독립적으로클로로, 브로모, 요오도, 메실레이트, 토실레이트, 트리플레이트, 또는 B이되, 단 Y및Y가둘 다클로로, 브로모, 및요오도로부터선택되지는않으며; B는각 경우독립적으로붕소원자를통해 Ar또는Ar에결합된붕소-함유작용그룹이고; Ar및Ar는각각독립적으로비치환되거나치환된 C아릴렌, 또는비치환되거나치환된 C헤테로아릴렌이되, 단 Ar및Ar는 -Ar-O-C-O-Ar-를포함하는환 구조를형성하도록서로공유결합되지않으며, R및R는각각독립적으로수소, 비치환되거나치환된 C선형또는분지형알킬, 비치환되거나치환된 C사이클로알킬, 비치환되거나치환된 C아릴, 또는비치환되거나치환된 C헤테로아릴이다. 상기비스(아릴)아세탈은스즈키중축합을통해올리고아세탈및 폴리아세탈을합성하기위한모노머로서유용하다.

10. 发明公开

KR1020150009482A 방향족 폴리아세탈 및 이를 포함하는 제품 有权
标题翻译：芳香聚合物和包含它们的文章
公开(公告)号：KR1020150009482A
公开(公告)日：2015-01-26
申请号：KR1020140090030
申请日：2014-07-16
申请人： 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨
发明人： 오버마티아스에스. , 로머듀안알. , 에띠엔느존비. , 토마스풀리코틸제이.
IPC分类号： C08G2/10 , C08G2/18 , C08G2/24
CPC分类号： C08G65/40 , C08G61/12 , C08G65/38 , C08G65/485 , C08G2261/1422 , C08G2261/1424 , C08G2261/148 , C08G2261/312 , C08G2261/314 , C08G2261/3142 , C08G2261/344 , C08G2261/411 , C08G2650/12 , C08G2/10 , C08G2/18 , C08G2/24
摘要： 본 발명은 하기 구조를 나타내는 반복 단위를 포함하는 중합체에 관한 것이다:
또는
상기 식에서 R
1 , R
2 , Ar
1 , Ar
2 , 및 Ar
3 는 명세서에 정의된 바와 같다. 중합체는 스즈키 중축합에 의해 제조할 수 있다. 중합체 골격 중의 아세탈 및/또는 케탈 작용기는 산에서 골격-분해성을 만든다. 중합체는 리소그래피 포토레지스트를 포함하는 응용에 유용하다.
摘要翻译：本发明涉及包含具有下述结构的重复单元的聚合物。在该式中，R 1，R 2，Ar 1，Ar 2和Ar 3如本说明书中所定义。聚合物可以通过Suzuki缩聚制备。聚合物骨架中的缩醛和/或缩酮官能团使得骨架在酸中可裂解。该聚合物可用于包括平版光刻胶的应用。

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