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1. 发明授权

KR101468221B1 프로세스 챔버에서 프로세스 제외 및 프로세스 실행의영역들을 규정하는 장치 有权
标题翻译：用于确定过程室过程排除和过程性能的设备
公开(公告)号：KR101468221B1
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：KR1020080010888
申请日：2008-02-01
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 베일리3세앤드류디 , 첸잭 , 김윤상 , 섹스턴그레고리에스
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/683 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/32568 , H01L21/68721
摘要： 위치관계는프로세스챔버에서성립된다. 상부전극이웨이퍼를지지하는제 1 표면으로구성되며, 전극은제 2 표면을가진다. 선형드라이브가상기드라이브와상기상부전극사이에연결된링키지및 베이스상에탑재된다. 링키지조정은상기표면들사이에바람직한배향을규정한다. 상기드라이브및 링키지는어셈블리가서로에대해서움직이는상기표면들을가진상기상부전극을움직이는동안바람직한배향을유지한다. 상기전극들사이에규정된환형에칭영역은웨이퍼의최상부및 저부를따라서연장되는웨이퍼에지제외영역의에칭을가능하게한다. 제거가능에칭규정링들은에칭될웨이퍼의최상부및 저부의각각을따라서고유한구간 (length) 들을규정하도록구성된다. 표면들의위치관계들은제외영역의이들고유한구간들에대한에칭을제한하는것을가능하게한다.

2. 发明授权

KR101426105B1 베벨 식각 처리 동안 로우-Ｋ 손상 방지 有权
标题翻译：在水蚀加工中的低K损伤避免
公开(公告)号：KR101426105B1
公开(公告)日：2014-08-05
申请号：KR1020097006003
申请日：2007-08-21
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 김윤상 , 베일리3세앤드류 , 첸잭
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/02041 , H01L21/02087 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/67069 , H01L21/6833
摘要： 기판의 베벨 에지를 식각하는 방법이 제공된다. 패터닝된 포토레지스트 마스크가 식각층 상부에 형성된다. 베벨 에지는, CO
2 , CO, C
x H
y , H
2 , NH
3 , C
x H
y F
z 또는 이들의 조합물 중 적어도 하나를 포함하는 세정 가스를 제공하는 단계, 세정 가스로부터 세정 플라즈마를 형성하는 단계 및 베벨 에지를 세정 플라즈마에 노출시키는 단계를 포함하여 세정된다. 피쳐들은 패터닝된 포토레지스트 마스크를 통해 식각층에 식각되고 패터닝된 포토레지스트 마스크가 제거된다.
베벨 에지, 세정 플라즈마, 세정 가스, 포토레지스트 마스크

3. 发明公开

KR1020090064443A 기판의 포지셔닝을 위한 오프셋 정정 기술 有权
标题翻译：用于定位基板的偏移校正技术
公开(公告)号：KR1020090064443A
公开(公告)日：2009-06-18
申请号：KR1020097007282
申请日：2007-09-14
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 첸잭 , 베일리앤드류디3세 , 무링벤 , 카인스티븐제이
IPC分类号： H01L21/68 , H01L21/66 , H01L21/3065
CPC分类号： G05B19/41875 , G05B2219/37398 , G05B2219/45031 , G05B2219/50057 , Y02P90/22
摘要： A method for calculating a process center for a chuck in a processing chamber is provided. The method includes generating pre-processing and post-processing measurement data points, which is perform by measuring thickness of a film substrate at a set of orientations and a set of distances from a geometric center of the substrate. The method also includes comparing the pre-processing and post-processing measurement data points to calculate a set of etch depth numbers. The method further includes generating etch profiles for the set of orientations. The method yet also includes extrapolating a set of radiuses, which is associated with a first etch depth, from the etch profiles. The method yet further includes generating an off-centered plot, which is a graphical representation of the set of radiuses versus the set of orientations. The method more over includes calculating the process center by applying a curve-fitting equation to the off-centered plot.
摘要翻译：提供了一种用于计算处理室中的卡盘的处理中心的方法。该方法包括产生预处理和后处理测量数据点，其通过以一组取向和距离基板的几何中心的一组距离来测量薄膜基板的厚度来执行。该方法还包括比较预处理和后处理测量数据点以计算一组蚀刻深度数。该方法还包括为该组取向生成蚀刻轮廓。该方法还包括从蚀刻轮廓推断与第一蚀刻深度相关联的一组半径。该方法还包括生成偏心图，其是该组半径与该组取向的图形表示。更多的方法包括通过对偏心图应用曲线拟合方程来计算过程中心。

4. 发明授权

KR101472149B1 웨이퍼 엣지 처리 방법 및 장치 有权
标题翻译： WAFER边缘加工的方法和装置
公开(公告)号：KR101472149B1
公开(公告)日：2014-12-12
申请号：KR1020097013200
申请日：2007-12-14
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 김윤상 , 첸잭 , 팡퉁 , 베일리앤드류3세
IPC分类号： H01L21/3065 , C23F1/02
CPC分类号： H01J37/32706 , H01J37/32532 , H01J37/32623 , H01L21/02087 , H01L21/0209 , H01L21/67069
摘要： 플라즈마베벨에칭동안에기판에대한아크관련손상을개선하기위한방법들및 장치. 플라즈마실드는기판위에배치되어, 2 개의고리형접지플레이트들사이에생성되는플라즈마가기판상의노광된금속배선에접촉하는것을방지한다. 부가적으로혹은대안으로, 베벨에칭동안에아크관련손상을경감하기위해플라즈마생성동안에탄소를함유하지않는플루오르화프로세스소스가스가사용될수도있고/있거나 RF 바이어스전력이점차로상승될수도있다. 또한, 부가적으로혹은대안으로, 베벨에칭동안에아크관련손상을경감하기위해헬륨및/또는수소가프로세스소스가스에첨가될수도있다.

5. 发明公开

KR1020090057426A 기판을 포지셔닝 및 검사하기 위한 오프셋 정정 방법 및 장치 有权
标题翻译：偏移校正方法和布置定位和检查基板
公开(公告)号：KR1020090057426A
公开(公告)日：2009-06-05
申请号：KR1020097007283
申请日：2007-09-14
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 첸잭 , 베일리앤드류디3세 , 무링벤 , 카인스티븐제이
IPC分类号： G03B15/00 , B08B7/00 , B41B17/00
CPC分类号： H01L21/681 , H01L21/67259 , H01L21/67288
摘要： A bevel inspection module for capturing images of a substrate is provided. The module includes a rotational motor, which is attached to a substrate chuck and is configured to rotate the substrate chuck thereby allowing the substrate to revolve. The module further includes a camera and an optic enclosure, which is attached to the camera and is configured to rotate, enabling light to be directed toward the substrate. The camera is mounted from a camera mount, which is configured to enable the camera to rotate on a 180 degree plane allowing the camera to capture images of at least one of a top view, a bottom view, and a side view of the substrate. The module yet also includes a backlight arrangement, which is configured to provide illumination to the substrate, thereby enabling the camera to capture the images, which shows contrast between the substrate and a background.
摘要翻译：提供了一种用于捕获基板的图像的斜面检查模块。模块包括旋转马达，其连接到基板卡盘并且构造成旋转基板卡盘，从而允许基板旋转。该模块还包括照相机和光学外壳，其附接到相机并且被配置为旋转，使得光能够被引向基板。照相机从照相机安装座安装，照相机安装件被配置为使照相机能够在180度平面上旋转，允许照相机拍摄基板的俯视图，底视图和侧视图中的至少一个的图像。该模块还包括背光布置，其被配置为向基板提供照明，从而使得相机能够捕获显示基板和背景之间的对比度的图像。

6. 发明授权

KR101643293B1 일련의 웨이퍼 이동을 통하여 획득된 보상 값을 이용한 웨이퍼의 동적 정렬 有权
标题翻译：使用通过一系列波浪运动获得的补偿值的波形的动态对齐
公开(公告)号：KR101643293B1
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：KR1020107025002
申请日：2009-04-24
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 웡스코트 , 린제프리 , 베일리앤드류디3세 , 첸잭 , 무링벤자민더블유 , 후앙청호
IPC分类号： H01L21/68
CPC分类号： H01L21/68
摘要： 제어된일련의웨이퍼이동을이용하여반도체제조장비에서웨이퍼배치재현성(wafer placement repeatability)를최적화하는방법및 시스템이제공된다. 일실시형태에서, 예비스테이션교정이수행되어, 반도체제조시에이용되는진공이송모듈의패싯에인터페이싱된각각의스테이션에대한로봇위치를교시한다. 이방법은또한상기시스템을교정하여, 웨이퍼가위치될스테이션, 각각의패싯에서의센서위치, 및로봇아암의확장및 수축동작을수행하는것에기인한오프셋을고려한보상파라미터를획득한다. 상기로봇이 2개의아암을포함하는다른실시형태에서, 상기방법은상기시스템을교정하여, 한쪽아암또는다른쪽 아암을이용함으로부터유래된차를보상한다. 제조하는동안, 보상파라미터를이용하여상이한스테이션에웨이퍼가배치된다.

7. 发明公开

KR1020150040247A 베벨 에처용 튜닝가능한 상부 플라즈마―배제―존 링 审中-实审
标题翻译：用于水蚀蚀刻器的TUNABLE UPPER等离子体环形环
公开(公告)号：KR1020150040247A
公开(公告)日：2015-04-14
申请号：KR1020140134616
申请日：2014-10-06
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 첸잭 , 라이론아담 , 섹스톤그레고리
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/302 , H05H1/46 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02087 , H01J37/32091 , H01J37/32385 , H01J37/32642 , H01L21/67069 , Y10T29/49817
摘要： 플라즈마로반도체기판의베벨에지 (bevel edge) 를세정을하는베벨에처 (bevel etcher) 가본 명세서에서개시되며, 이에처는원통형상단부분을갖는하부지지부를포함하는하부전극어셈블리를포함한다. 상부유전체컨포넌트가하부전극어셈블리위에배치되며하부지지부의원통형상단부분을대향하는원통형하단부분을갖는다. 튜닝가능한 (tunable) 상부플라즈마배제존 (plasma exclusion zone: PEZ) 링이상부유전체컴포넌트의하단부분을둘러싸며, 튜닝가능한상부 PEZ 링의하부표면부는상부유전체컴포넌트의하단부분으로부터외측으로연장된상향으로테이퍼진 (upwardly tapered) 외측부분을포함하며, 상부 PEZ 링의상기하부표면부와상기하부지지부상에지지된기판의상부표면간의조절가능한갭의수직높이는, 플라즈마에의해서세정될상기기판의베벨에지의크기가각기방사상 (radially) 내측또는방사상외측으로조절될수 있도록, 증가또는감소된다. 적어도하나의무선주파수 (RF) 전력소스가베벨에지프로세스동안에프로세스가스를플라즈마로에너자이징하도록구성된다.
摘要翻译：用于用等离子体清洁半导体衬底的斜边缘的斜面蚀刻器包括具有具有圆柱形顶部的下支撑件的下电极组件。上电介质部件设置在下电极组件的上方，并且具有与下支架的顶部相对的圆柱形底部。可调谐上等离子体隔离区（PEZ）环围绕电介质部件的底部，其中可调谐上PEZ环的下表面包括从上介电部件的底部向外延伸的向上锥形的外部，其中垂直可以增加或减少上PEZ环的下表面和支撑在下支撑件上的基底的上表面之间的可调节间隙的高度，使得等离子体待清洁的基板的斜边的程度可以分别径向向内或径向向外调节。至少一个射频（RF）电源适于在斜边清洁过程期间将处理气体激发到等离子体中。

8. 发明公开

KR1020150010669A 인―시츄 웨이퍼 에지 및 후측면 플라즈마 세정용 시스템 및 방법들 审中-实审
标题翻译：用于现场波形边缘和背面等离子体清洁的系统和方法
公开(公告)号：KR1020150010669A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：KR1020140092125
申请日：2014-07-21
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 김기찬 , 첸잭 , 김윤상 , 델핀케네스조지
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02057 , H01J37/32091 , H01J37/32385 , H01J37/32403 , H01L21/02087 , H01L21/0209 , H01L21/67028
摘要： A lower electrode plate receives radiofrequency power.A first upper plate is positioned parallel to and spaced apart from the lower electrode plate.A grounded second upper plate is positioned next to the first upper plate.A dielectric support provides support of a work piece within a region between the lower electrode plate and the first upper plate.A purge gas is supplied at a central location of the first upper plate. A process gas is supplied to a periphery of the first upper plate.The dielectric support positions the work piece proximate and parallel to the first upper plate, such that the purge gas flows over a top surface of the work piece so as to prevent the process gas from flowing over the top surface of the work piece, and so as to cause the process gas to flow around a peripheral edge of the work piece and below the work piece.
摘要翻译：下电极板接收射频电源。第一上板与下电极板平行并间隔开定位。接地的第二上板位于第一上板的旁边。电介质支撑件提供对工件的支撑区域。在第一上板的中心位置处供应净化气体。工艺气体被供应到第一上板的周边。电介质支撑件使工件靠近并平行于第一上板定位，使得净化气体在工件的顶表面上流动，以防止工艺气体在工件的上表面流动，并且使处理气体围绕工件的周缘流动并在工件下方流动。

9. 发明授权

KR101433980B1 기판의 포지셔닝을 위한 오프셋 정정 기술 有权
标题翻译：用于定位基板的偏移校正技术
公开(公告)号：KR101433980B1
公开(公告)日：2014-08-25
申请号：KR1020097007282
申请日：2007-09-14
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 첸잭 , 베일리앤드류디3세 , 무링벤 , 카인스티븐제이
IPC分类号： H01L21/68 , H01L21/66 , H01L21/3065
CPC分类号： G05B19/41875 , G05B2219/37398 , G05B2219/45031 , G05B2219/50057 , Y02P90/22
摘要： 처리 챔버에서 척에 대한 처리 중심을 계산하는 방법이 제공된다. 이 방법은, 기판의 일 세트의 배향 및 기하학적 중심으로부터의 일 세트의 거리에서 필름의 두께를 측정함으로써 수행되는 전처리 및 후처리 측정값의 데이터 포인트를 생성하는 단계를 포함한다. 또한, 이 방법은, 전처리 측정값의 데이터 포인트와 후처리 측정값의 데이터 포인트를 비교하여, 에칭 깊이 수치를 계산하는 단계를 포함한다. 이 방법은, 일 세트의 배향에 대한 에칭 프로파일을 생성하는 단계를 더 포함한다. 또한, 이 방법은, 에칭 프로파일로부터, 제 1 에칭 깊이와 연관된 일 세트의 반경을 외삽하는 단계를 포함한다. 이 방법은, 일 세트의 반경 대 일 세트의 배향의 도식적 표현인 오프-센터 플롯을 생성하는 단계를 더 포함한다. 이 방법은, 오프-센터 플롯에 곡선 피팅 방정식을 적용함으로써 처리 중심을 계산하는 단계를 더 포함한다.
기판, 플라즈마 처리, 기판 위치 정정, 에칭, 처리 중심

10. 发明公开

KR1020090046949A 베벨 식각 처리 동안 로우-Ｋ 손상 방지 有权
标题翻译：在水蚀加工中的低K损伤避免
公开(公告)号：KR1020090046949A
公开(公告)日：2009-05-11
申请号：KR1020097006003
申请日：2007-08-21
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 김윤상 , 베일리3세앤드류 , 첸잭
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/02041 , H01L21/02087 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/67069 , H01L21/6833
摘要： An apparatus for etching a bevel edge of a substrate includes a bevel etch chamber and a controller including non-transitory computer readable media. The computer readable media includes computer readable code for providing a cleaning gas comprising at least one of a CO2 or CO, computer readable code for forming a cleaning plasma from the cleaning gas, and computer readable code for cleaning the bevel edge with the cleaning plasma, including computer readable code for placing the gas distribution plate at a close distance from a top surface of the substrate such that the cleaning plasma is not formed between the gas distribution plate and the substrate during the bevel edge cleaning, the bevel edge exposed to the cleaning plasma including at least an edge portion of a top surface at an edge of the substrate.

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