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1. 发明公开

KR1020130071477A 마이크로파 도입 기구, 마이크로파 플라즈마원 및 마이크로파 플라즈마 처리 장치 有权
标题翻译：微波介绍机理，微波等离子体源和微波等离子体处理装置
公开(公告)号：KR1020130071477A
公开(公告)日：2013-06-28
申请号：KR1020137007756
申请日：2011-08-25
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 이케다다로 , 오사다유키 , 가사이시게루 , 미야시타히로유키
IPC分类号： H05H1/46 , C23C16/511 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J23/005 , C23C16/45565 , C23C16/511 , H01J37/3222 , H01J37/32256 , H05H1/46 , H05H2001/463
摘要： 마이크로파 도입 기구(41)는 마이크로파를 챔버 내에 방사하는 평면 안테나(81)를 갖는 안테나부(80)와, 임피던스 정합시키기 위한 튜너(60)와, 안테나부(80)의 열을 방열하기 위한 방열 기구(90)를 구비하고, 튜너(60)는 통 형상을 이루는 외측 도체(52)와 내측 도체(53)를 갖고 마이크로파 전송로의 일부로 되는 본체(51)와, 외측 도체(52)와 내측 도체(53) 사이에 이동 가능하게 마련된 슬러그(61a, 61b)와, 슬러그를 이동시키는 슬러그 구동부(70)를 갖고, 방열 기구(90)는 입열단이 안테나부(80)에 위치하고, 안테나부(80)의 열을 입열단으로부터 방열단으로 전송하는 히트 파이프(91)와, 방열단에 마련된 방열부(92)를 갖는다.

2. 发明公开

KR1020110022740A 어닐 장치 无效
标题翻译：退火装置
公开(公告)号：KR1020110022740A
公开(公告)日：2011-03-07
申请号：KR1020117003539
申请日：2007-08-31
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 가사이시게루 , 미야시타히로유키 , 요네다마사타케 , 스즈키도모히로 , 다나카스미 , 노무라마사미치 , 시미즈미와
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/26
CPC分类号： H01L21/67115 , H01L21/67109 , H01L31/1864 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 열의 영향에 의한 발광량의 저하에 기인하는 광에너지 효율이 낮다고 하는 문제가 발생하지 않고 안정된 성능을 유지할 수 있는 어닐 장치를 제공 한다.
웨이퍼(W)가 수용되는 처리실(1)과, 웨이퍼(W)의 면에 면하도록 마련되어, 웨이퍼(W)에 대하여 광을 조사하는 복수의 LED(33)를 가지는 가열원(17a, 17b)과, 가열원(17a, 17b)에 대응해서 마련되어, 발광 소자(33)로부터의 광을 투과하는 광투과 부재(18a, 18b)와, 광투과 부재(18a, 18b)의 처리실(1)과 반대측을 지지하고, 가열원(17a, 17b)에 직접 접촉하도록 마련된 고열전도성 재료로 이루어지는 냉각 부재(4a, 4b)와, 냉각 부재(4a, 4b)를 냉각 매체로 냉각하는 냉각 기구를 가진다.

3. 发明公开

KR1020090045314A 어닐 장치 有权
标题翻译：退火装置
公开(公告)号：KR1020090045314A
公开(公告)日：2009-05-07
申请号：KR1020097004654
申请日：2007-08-31
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 가사이시게루 , 미야시타히로유키 , 요네다마사타케 , 스즈키도모히로 , 다나카스미 , 노무라마사미치 , 시미즈미와
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/26
CPC分类号： H01L21/67115 , H01L21/67109 , H01L31/1864 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： Provided is an annealing apparatus, which is free from a problem of reduced light energy efficiency resulted by the reduction of light emission amount due to a heat generation and capable of maintaining stable performance. The apparatus includes: a processing chamber 1 for accommodating a wafer W; heating sources 17a and 17b including LEDs 33 and facing the surface of the wafer W to irradiate light on the wafer W; light-transmitting members 18a and 18b arranged in alignment with the heating sources 17a and 17b to transmit the light emitted from the LEDs 33; cooling members 4a and 4b supporting the light-transmitting members 18a and 18b at opposite side to the processing chamber 1 to make direct contact with the heating sources 17a and 17b and made of a material of high thermal conductivity; and a cooling mechanism for cooling the cooling members 4a and 4b with a coolant.

4. 发明授权

KR100839678B1 열 처리 방법 및 열 처리 장치 失效
标题翻译：板式处理装置
公开(公告)号：KR100839678B1
公开(公告)日：2008-06-19
申请号：KR1020037010721
申请日：2002-02-18
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 가사이시게루 , 미야시타히로유키
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67248 , H01L21/67115
摘要： 본 발명은 진공 흡인 가능한 처리 용기 내에 설치된 탑재대에 피처리체를 탑재하는 탑재 공정과, 상기 피처리체를 소정의 온도까지 온도를 높이는 승온 공정을 구비한 열 처리 방법에 관한 것이다. 상기 승온 공정의 적어도 일부에서, 상기 피처리체는 상기 피처리체의 중앙부의 온도가 높고 주연부의 온도가 낮은 온도 분포가 유지된 상태로 승온되도록 이루어져 있다.

5. 发明授权

KR102111206B1 플라즈마 프로브 장치 및 플라즈마 처리 장치 有权
公开(公告)号：KR102111206B1
公开(公告)日：2020-05-14
申请号：KR1020180105155
申请日：2018-09-04
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 이케다다로 , 고마츠도모히토 , 오사다유키 , 미야시타히로유키 , 사이토스스무 , 후루키가즈히로 , 사토미키오 , 가마타에이키
IPC分类号： H01J37/32

6. 发明授权

KR101813619B1 튜너, 마이크로파 플라즈마원 및 임피던스 정합 방법 有权
标题翻译：调谐器，微波等离子体源和阻抗匹配方法
公开(公告)号：KR101813619B1
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：KR1020160030971
申请日：2016-03-15
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 오사다유키 , 미야시타히로유키
IPC分类号： H01J37/32 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32311 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32256 , H01J37/32972
摘要： 마이크로파에의해챔버내에플라즈마를생성하여플라즈마처리를행하는플라즈마처리장치에있어서임피던스정합을행할시 플라즈마의실화또는불안정동작을억제한다. 튜너(43)는, 급전된마이크로파를평면슬롯안테나(101)로전송하는동축구조의마이크로파전송로(51)와, 마이크로파전송로(51)를따라이동가능한유전체로이루어지는슬러그(61a, 61b)와, 슬러그(61a, 61b)를마이크로파전송로(51)를따라이동시키는슬러그구동부(70)와, 슬러그(61a, 61b)의위치가, 반사계수가작은정합포지션이되도록, 이들의위치를제어하여임피던스정합하고, 또한플라즈마의상태에기초하여, 슬러그(61a, 61b)의정합포지션에이르는이동경로인정합궤도를제어하는제어부(80)를구비한다.
摘要翻译：在等离子体处理装置，用于执行等离子体处理通过微波来生成在腔室的等离子体进行阻抗匹配时，它抑制了等离子体的失火或不稳定的操作。调谐器43，一个功率馈送微波的同轴结构的微波传送用于传送平面缝隙天线101是51，沿着微波传输制成的可动的蛞蝓（51）的电介质（61A，61B）和，使得蛞蝓的位置（61A，61B），用于炉渣驱动70沿着51移动，一个微波传输，矿渣（61A，61B），反射系数小配合位置，以控制其位置阻抗匹配，并且还包括，矿渣（61A，61B），控制用于控制所述匹配轨道的移动路径到等离子体的状态的基础上的和协议位置单元80。

7. 发明授权

KR101751200B1 마이크로파 방사 안테나, 마이크로파 플라즈마원 및 플라즈마 처리 장치 有权
标题翻译：微波辐射天线，微波等离子体源和等离子体处理装置
公开(公告)号：KR101751200B1
公开(公告)日：2017-06-26
申请号：KR1020170054842
申请日：2017-04-28
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 이케다타로오 , 고마츠도모히토 , 가사이시게루 , 미야시타히로유키 , 오사다유키 , 다니하라아키라 , 후지노유타카
IPC分类号： H05H1/34 , H05H1/46 , H01L21/31
CPC分类号： H01J37/3222 , H01J37/32201
摘要： 마이크로파의파워손실이나이상방전을억제하면서균일한플라즈마를형성할수 있는마이크로파방사안테나, 마이크로파플라즈마원및 플라즈마처리장치를제공한다. 마이크로파전송로를따라전송된마이크로파를챔버내에방사하고, 표면파플라즈마를생성하기위한마이크로파방사안테나(45)로서, 도전체로이루어지는안테나본체(121)와, 안테나본체(121)에각각형성된처리가스도입구(124), 가스확산공간(123) 및복수의가스토출구멍(125)과, 안테나본체(121)에가스확산공간(123) 및가스토출구멍(125)과는분리된상태에서, 마이크로파전송로에대응해서복수형성된슬롯(122)과, 안테나본체(121)의마이크로파방사면측에슬롯형성영역을포함하도록환형상으로설치된환형상유전체부재(126)를갖는다.
摘要翻译：它提供了一个微波功率损耗和微波炉辐射天线，同时抑制异常放电，可以形成均匀的等离子体，微波等离子体源和等离子体处理装置。辐射沿腔室中的微波传输传输的微波，和一个微波辐射天线45用于产生表面波等离子体，分别形成在由导体制成，天线主体121，入口的天线主体121的工艺气体 124，气体扩散空间123和被分离，以及多个气体喷出孔125和气体扩散空间中的天线主体121，123和气体排出口125，一个微波传输它具有安装成环形形状，以包括槽形成所述多个狭槽形成122和天线单元121对应于的微波辐射表面侧区域的环形介电元件（126）。

8. 发明公开

KR1020170051400A 마이크로파 방사 안테나, 마이크로파 플라즈마원 및 플라즈마 처리 장치 有权
公开(公告)号：KR1020170051400A
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：KR1020170054842
申请日：2017-04-28
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 이케다타로오 , 고마츠도모히토 , 가사이시게루 , 미야시타히로유키 , 오사다유키 , 다니하라아키라 , 후지노유타카
IPC分类号： H05H1/34 , H05H1/46 , H01L21/31
CPC分类号： H01J37/3222 , H01J37/32201
摘要： 마이크로파의파워손실이나이상방전을억제하면서균일한플라즈마를형성할수 있는마이크로파방사안테나, 마이크로파플라즈마원및 플라즈마처리장치를제공한다. 마이크로파전송로를따라전송된마이크로파를챔버내에방사하고, 표면파플라즈마를생성하기위한마이크로파방사안테나(45)로서, 도전체로이루어지는안테나본체(121)와, 안테나본체(121)에각각형성된처리가스도입구(124), 가스확산공간(123) 및복수의가스토출구멍(125)과, 안테나본체(121)에가스확산공간(123) 및가스토출구멍(125)과는분리된상태에서, 마이크로파전송로에대응해서복수형성된슬롯(122)과, 안테나본체(121)의마이크로파방사면측에슬롯형성영역을포함하도록환형상으로설치된환형상유전체부재(126)를갖는다.

9. 发明授权

KR101711713B1 마이크로파 방사 기구, 마이크로파 플라즈마원 및 표면파 플라즈마 처리 장치 有权
标题翻译：微波辐射机理微波等离子体源和表面波等离子体处理装置
公开(公告)号：KR101711713B1
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：KR1020147023798
申请日：2012-12-14
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 이케다다로 , 미야시타히로유키 , 오사다유키 , 후지노유타카 , 고마츠도모히토
IPC分类号： H05H1/46 , H05H1/24 , H01L21/205
CPC分类号： H01J37/32266 , H01J37/32192 , H01J37/32201 , H01J37/3222 , H01J37/32229 , H05H1/46 , H05H2001/4615 , H05H2001/4622 , H05H2001/463
摘要： 마이크로파방사기구(43)는, 마이크로파를전송하는전송로(44)와, 마이크로파전송로(44)를통해전송되어온 마이크로파를챔버(1) 내에방사하는안테나부(45)를갖고, 안테나부(45)는, 마이크로파를방사하는슬롯(131)이형성된안테나(81)와, 안테나(81)로부터방사된마이크로파를투과시키고, 그표면에표면파가형성되는유전체부재(110b)를갖고, 또한, 적어도슬롯(131) 내벽및 유전체부재(110b)의표면및 내부를포함하는, 표면전류및 변위전류가흐르는폐회로(C)를갖고, 폐회로(C)의길이가, 마이크로파의파장을λ으로한 경우에, nλ±δ(n은양의정수, δ는미세조정성분(0을포함한다)이다)가되도록한다.
摘要翻译：微波发射机构包括：传输微波的传输路径; 以及天线部分，其将通过传输路径传输的微波发射到室中。天线部分包括具有微波发射的狭缝的天线，从天线发出的微波穿过的电介质构件和表面电流和位移电流的闭合电路。表面波形成在电介质构件的表面中。闭路至少具有：槽的内壁; 以及电介质构件的表面和内部。当微波的波长为λ0时，闭路电路的长度为nλ0±δ，其中n为正整数，δ为包括0的微调组件。

10. 发明公开

KR1019980024294A 자동제어방법및그장치 失效
标题翻译：自动控制方法和装置
公开(公告)号：KR1019980024294A
公开(公告)日：1998-07-06
申请号：KR1019970045587
申请日：1997-09-03
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 가사이시게루 , 미야시타히로유키
IPC分类号： G05D23/19
摘要： 제어대상(2)의 제어량이 소정의 목표치로 되도록 최적 레귤레이타(4)에 의해 제어를 행하는 자동제어장치에 있어서, 이득을 설정하는 이득설정부(48)와, 상기 목표치와 상기 제어대상의 제어량을 비교하는 비교부(52)와, 이 비교부에서 얻어진 차분이 상기 목표치의 소정범위내에 들어감에 따라서 상기 이득설정부의 이득에 소정의 시간내에서 0∼1까지 증가하는 중량부가를 행하여 조작량을 출력하는 중량제어부(52)를 구비하고, 이 조작량을 상기 최적 레귤레이타에 가하도록 구성한다. 이에 따라, 한정된 범위 내에서만 이득을 차제에 크게 하는 제어를 행하여, 고속으로 또한 고정밀도의 제어를 가능하게 한다.

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