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1. 发明授权

KR101504850B1 마이크로파 도입 기구, 마이크로파 플라즈마원 및 마이크로파 플라즈마 처리 장치 有权
标题翻译：微波介绍机理，微波等离子体源和微波等离子体处理装置
公开(公告)号：KR101504850B1
公开(公告)日：2015-03-20
申请号：KR1020137007756
申请日：2011-08-25
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 이케다다로 , 오사다유키 , 가사이시게루 , 미야시타히로유키
IPC分类号： H05H1/46 , C23C16/511 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J23/005 , C23C16/45565 , C23C16/511 , H01J37/3222 , H01J37/32256 , H05H1/46 , H05H2001/463
摘要： 마이크로파 도입 기구(41)는 마이크로파를 챔버 내에 방사하는 평면 안테나(81)를 갖는 안테나부(80)와, 임피던스 정합시키기 위한 튜너(60)와, 안테나부(80)의 열을 방열하기 위한 방열 기구(90)를 구비하고, 튜너(60)는 통 형상을 이루는 외측 도체(52)와 내측 도체(53)를 갖고 마이크로파 전송로의 일부로 되는 본체(51)와, 외측 도체(52)와 내측 도체(53) 사이에 이동 가능하게 마련된 슬러그(61a, 61b)와, 슬러그를 이동시키는 슬러그 구동부(70)를 갖고, 방열 기구(90)는 입열단이 안테나부(80)에 위치하고, 안테나부(80)의 열을 입열단으로부터 방열단으로 전송하는 히트 파이프(91)와, 방열단에 마련된 방열부(92)를 갖는다.

2. 发明公开

KR1020140117630A 마이크로파 방사 기구, 마이크로파 플라즈마원 및 표면파 플라즈마 처리 장치 有权
标题翻译：微波排放机理，微波等离子体源和表面波等离子体处理装置
公开(公告)号：KR1020140117630A
公开(公告)日：2014-10-07
申请号：KR1020147023798
申请日：2012-12-14
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 이케다다로 , 미야시타히로유키 , 오사다유키 , 후지노유타카 , 고마츠도모히토
IPC分类号： H05H1/46 , H05H1/24 , H01L21/205
CPC分类号： H01J37/32266 , H01J37/32192 , H01J37/32201 , H01J37/3222 , H01J37/32229 , H05H1/46 , H05H2001/4615 , H05H2001/4622 , H05H2001/463 , H01J37/3244
摘要： 마이크로파 방사 기구(43)는, 마이크로파를 전송하는 전송로(44)와, 마이크로파 전송로(44)를 통해 전송되어 온 마이크로파를 챔버(1) 내에 방사하는 안테나부(45)를 갖고, 안테나부(45)는, 마이크로파를 방사하는 슬롯(131)이 형성된 안테나(81)와, 안테나(81)로부터 방사된 마이크로파를 투과시키고, 그 표면에 표면파가 형성되는 유전체 부재(110b)를 갖고, 또한, 적어도 슬롯(131) 내벽 및 유전체 부재(110b)의 표면 및 내부를 포함하는, 표면 전류 및 변위 전류가 흐르는 폐회로(C)를 갖고, 폐회로(C)의 길이가, 마이크로파의 파장을 λ
0 으로 한 경우에, nλ
0 ±δ(n은 양의 정수, δ는 미세 조정 성분(0을 포함한다)이다)가 되도록 한다.
摘要翻译：微波发射机构包括：传输微波的传输路径; 以及天线部分，其将通过传输路径传输的微波发射到室中。天线部分包括具有微波发射的狭缝的天线，从天线发射的微波穿过的电介质构件和表面电流和位移电流的闭合电路。表面波形成在电介质构件的表面中。闭路至少具有：槽的内壁; 以及电介质构件的表面和内部。当微波的波长为λ0时，闭路电路的长度为nλ0±δ，其中n为正整数，δ为包括0的微调组件。

3. 发明公开

KR1020120104429A 전자파 급전 기구 및 마이크로파 도입 기구 有权
标题翻译：电磁辐射供电机制与微波介绍机理
公开(公告)号：KR1020120104429A
公开(公告)日：2012-09-20
申请号：KR1020127020891
申请日：2011-01-14
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 이케다다로 , 오사다유키 , 가사이시게루
IPC分类号： H05H1/46 , C23C16/511 , H01L21/3065 , H01P5/08
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/32211 , H01J37/3222 , H01J37/32229 , H01J37/32293 , H01J37/32311 , H01Q15/0006 , H05H2001/4622 , H05H2001/463
摘要： 동축구조의 도파로(44)의 측부에 마련되고, 급전선으로서의 동축선로(56)가 접속되는 마이크로파 전력 도입 포트(55)와, 동축선로(56)에 접속되고, 도파로(44)의 내부에 전자파 전력을 방사하는 급전 안테나(90)를 구비한다. 급전 안테나(90)는 동축선로(56)에 접속된 제 1 극(92)과, 도파로(44)의 내측 도체(53)에 접촉하는 제 2 극(93)을 갖는 안테나 본체(91)와, 상기 안테나 본체(91)의 양측으로부터 연장하고 링형상으로 형성된 반사부(94)를 갖는다.

4. 发明授权

KR100719639B1 플라즈마 처리 장치 有权
标题翻译：等离子处理设备
公开(公告)号：KR100719639B1
公开(公告)日：2007-05-17
申请号：KR1020057005900
申请日：2003-10-06
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 가사이시게루 , 오사다유키 , 오기노다카시
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/205 , H01L21/02
CPC分类号： H01J37/3222 , H01J37/32192
摘要： 본 발명의 플라즈마 처리장치는, 피처리기판을 수용하는 챔버와, 상기 챔버내에 처리 가스를 공급하는 가스 공급 장치와, 상기 챔버내에 플라즈마 생성용의 마이크로파를 도입하는 마이크로파 도입 장치를 구비한다. 상기 마이크로파 도입 장치는, 복수의 소정 출력의 마이크로파를 출력하는 마이크로파 발진기와, 상기 마이크로파 발진기로부터 출력되는 복수의 마이크로파가 각각 전송되는 복수의 안테나를 갖는 안테나부를 갖고 있다.
摘要翻译：本发明的等离子体处理装置具有收纳被处理基板的腔室，向腔室内供给处理气体的气体供给装置以及向腔室内导入用于等离子体生成的微波的微波导入装置。该微波导入装置包括：输出多个规定的输出微波的微波振荡器;以及具有分别发送从微波振荡器输出的多个微波的多个天线的天线部。

5. 发明授权

KR102111206B1 플라즈마 프로브 장치 및 플라즈마 처리 장치 有权
公开(公告)号：KR102111206B1
公开(公告)日：2020-05-14
申请号：KR1020180105155
申请日：2018-09-04
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 이케다다로 , 고마츠도모히토 , 오사다유키 , 미야시타히로유키 , 사이토스스무 , 후루키가즈히로 , 사토미키오 , 가마타에이키
IPC分类号： H01J37/32

6. 发明授权

KR101813619B1 튜너, 마이크로파 플라즈마원 및 임피던스 정합 방법 有权
标题翻译：调谐器，微波等离子体源和阻抗匹配方法
公开(公告)号：KR101813619B1
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：KR1020160030971
申请日：2016-03-15
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 오사다유키 , 미야시타히로유키
IPC分类号： H01J37/32 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32311 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32256 , H01J37/32972
摘要： 마이크로파에의해챔버내에플라즈마를생성하여플라즈마처리를행하는플라즈마처리장치에있어서임피던스정합을행할시 플라즈마의실화또는불안정동작을억제한다. 튜너(43)는, 급전된마이크로파를평면슬롯안테나(101)로전송하는동축구조의마이크로파전송로(51)와, 마이크로파전송로(51)를따라이동가능한유전체로이루어지는슬러그(61a, 61b)와, 슬러그(61a, 61b)를마이크로파전송로(51)를따라이동시키는슬러그구동부(70)와, 슬러그(61a, 61b)의위치가, 반사계수가작은정합포지션이되도록, 이들의위치를제어하여임피던스정합하고, 또한플라즈마의상태에기초하여, 슬러그(61a, 61b)의정합포지션에이르는이동경로인정합궤도를제어하는제어부(80)를구비한다.
摘要翻译：在等离子体处理装置，用于执行等离子体处理通过微波来生成在腔室的等离子体进行阻抗匹配时，它抑制了等离子体的失火或不稳定的操作。调谐器43，一个功率馈送微波的同轴结构的微波传送用于传送平面缝隙天线101是51，沿着微波传输制成的可动的蛞蝓（51）的电介质（61A，61B）和，使得蛞蝓的位置（61A，61B），用于炉渣驱动70沿着51移动，一个微波传输，矿渣（61A，61B），反射系数小配合位置，以控制其位置阻抗匹配，并且还包括，矿渣（61A，61B），控制用于控制所述匹配轨道的移动路径到等离子体的状态的基础上的和协议位置单元80。

7. 发明授权

KR101751200B1 마이크로파 방사 안테나, 마이크로파 플라즈마원 및 플라즈마 처리 장치 有权
标题翻译：微波辐射天线，微波等离子体源和等离子体处理装置
公开(公告)号：KR101751200B1
公开(公告)日：2017-06-26
申请号：KR1020170054842
申请日：2017-04-28
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 이케다타로오 , 고마츠도모히토 , 가사이시게루 , 미야시타히로유키 , 오사다유키 , 다니하라아키라 , 후지노유타카
IPC分类号： H05H1/34 , H05H1/46 , H01L21/31
CPC分类号： H01J37/3222 , H01J37/32201
摘要： 마이크로파의파워손실이나이상방전을억제하면서균일한플라즈마를형성할수 있는마이크로파방사안테나, 마이크로파플라즈마원및 플라즈마처리장치를제공한다. 마이크로파전송로를따라전송된마이크로파를챔버내에방사하고, 표면파플라즈마를생성하기위한마이크로파방사안테나(45)로서, 도전체로이루어지는안테나본체(121)와, 안테나본체(121)에각각형성된처리가스도입구(124), 가스확산공간(123) 및복수의가스토출구멍(125)과, 안테나본체(121)에가스확산공간(123) 및가스토출구멍(125)과는분리된상태에서, 마이크로파전송로에대응해서복수형성된슬롯(122)과, 안테나본체(121)의마이크로파방사면측에슬롯형성영역을포함하도록환형상으로설치된환형상유전체부재(126)를갖는다.
摘要翻译：它提供了一个微波功率损耗和微波炉辐射天线，同时抑制异常放电，可以形成均匀的等离子体，微波等离子体源和等离子体处理装置。辐射沿腔室中的微波传输传输的微波，和一个微波辐射天线45用于产生表面波等离子体，分别形成在由导体制成，天线主体121，入口的天线主体121的工艺气体 124，气体扩散空间123和被分离，以及多个气体喷出孔125和气体扩散空间中的天线主体121，123和气体排出口125，一个微波传输它具有安装成环形形状，以包括槽形成所述多个狭槽形成122和天线单元121对应于的微波辐射表面侧区域的环形介电元件（126）。

8. 发明授权

KR101393949B1 표면파 플라즈마 발생용 안테나 및 표면파 플라즈마 처리 장치 有权
标题翻译：表面波等离子体生成天线和表面波等离子体处理装置
公开(公告)号：KR101393949B1
公开(公告)日：2014-05-12
申请号：KR1020120021712
申请日：2012-03-02
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 이케다다로 , 가사이시게루 , 오사다유키
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC分类号： H01J37/3222 , C23C16/274
摘要： 균일한 표면파 플라즈마를 형성하는 것이 가능한 표면파 플라즈마 발생용 안테나 및 표면파 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 마이크로파 출력부로부터, 외측 도체와 내측 도체로 이루어지는 동축형상의 도파로를 통해 전송된 마이크로파를 챔버내에 방사하여, 챔버내에 표면파 플라즈마를 발생시키기 위한 표면파 플라즈마 발생용 안테나로서, 평면형상을 이루고 복수의 슬롯이 원주형상으로 형성되며, 또한, 원주 방향에 인접하는 슬롯과 슬롯의 이음매 부분에 있어서, 이들 슬롯이 직경 방향으로 중첩되어 있고, 그 이음매 부분이 슬롯으로 둘러싸인 상태로 되어 있다.

9. 发明公开

KR1020130088797A 마이크로파 방사 기구 및 표면파 플라즈마 처리 장치 无效
标题翻译：微波发射装置和表面波等离子体处理装置
公开(公告)号：KR1020130088797A
公开(公告)日：2013-08-08
申请号：KR1020130010277
申请日：2013-01-30
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 이케다다로 , 오사다유키
IPC分类号： H05H1/30
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32027 , H01J37/32192 , H01J37/32293 , H01L21/3065 , H05H2001/4615
摘要： PURPOSE: A microwave radiating device and a surface wave plasma processing apparatus are provided to ensure a desirable diameter of surface wave plasma even in the case of low input power of microwaves or high pressure. CONSTITUTION: A transmission line (44) includes an outer conductor shaped like a cylinder and a coaxial inner conductor inside the outer conductor and transmits microwaves. An antenna (45) radiates microwaves, which are transmitted through the transmission line, into a chamber through a slot. A dielectric member (110b) forms surface waves on the surface by allowing the microwaves radiated by the antenna to penetrate the dielectric member. A DC voltage applying member (112) applies a positive DC voltage to a plasma generating area in which surface wave plasma is produced by surface waves. The DC voltage applying member applies a positive DC voltage to the plasma generating area in order to widen surface wave plasma. [Reference numerals] (113) Filter; (68) Slug removing unit
摘要翻译：目的：提供微波辐射装置和表面波等离子体处理装置，以便即使在微波输入功率或高压力的情况下也能确保表面波等离子体的期望直径。构成：传输线（44）包括形状像圆筒的外导体和外导体内的同轴内导体，并且传输微波。天线（45）将通过传输线传输的微波辐射通过狭槽进入腔室。电介质构件（110b）通过允许由天线辐射的微波穿透电介质构件而在表面上形成表面波。直流电压施加构件（112）向表面波等离子体产生的等离子体产生区域施加正的直流电压。 DC电压施加部件向等离子体产生区域施加正的直流电压，以便加宽表面波等离子体。（113）过滤器; （68）取出单元

10. 发明授权

KR100935489B1 마그네트론의 제어 방법, 마그네트론의 수명 판정 방법, 마이크로파 발생 장치, 마그네트론의 수명 판정 장치, 처리 장치, 및 컴퓨터 판독가능한 기억 매체 失效
标题翻译： MAGNETRON控制方法，MAGNETRON服务寿命判断方法，微波发生装置，MAGNETRON服务寿命判断装置，处理装置和计算机可读存储介质
公开(公告)号：KR100935489B1
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：KR1020087005649
申请日：2006-08-30
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 가사이시게루 , 오사다유키
IPC分类号： H01J23/34 , H05B6/68 , H01L21/3065
CPC分类号： H05B6/666 , H01J37/32192 , H01J37/32201 , H05B6/806 , H05B2206/043
摘要： 마이크로파 발생 장치는 필라멘트(78)를 포함하는 음극(80)과, 음극(80)에 대향하여 배치되고 공동 공진기(84)를 포함하는 양극(82)을 대향 배치함과 동시에, 자계를 부여한 상태에서 발진시키는 것에 의해서 마이크로파를 발생시키는 마그네트론(74)과, 필라멘트(78)에 가변으로 전력을 공급하는 필라멘트 전원(98)과, 필라멘트의 전류계측기(100)와, 필라멘트에 인가되는 전압을 구하는 전압계측부(102)를 구비하고 있다. 전류계측부(100)와 전압계측부(102)에서 구해진 전류와 전압에 의거하여, 저항값 산출부(104)에 있어서 필라멘트의 저항값을 구한다. 온도 산출부(106)에 있어서, 저항값 산출부(104)에서 구한 저항값과 필라멘트의 미리 구해진 저항-온도 의존 특성에 의거하여, 필라멘트의 온도를 구한다. 필라멘트의 온도가 소정의 온도범위내를 유지하도록 필라멘트 전원(98)을 전원 제어부(110)에 의해 제어한다.

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