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热词
    • 1. 发明公开
    • 저알파선 방출 메탄설폰산 주석용액의 제조방법 및 메탄설폰산 주석용액
    • 低硫酸钠甲磺酸盐和低硫酸钠甲磺酸盐的制备方法
    • KR1020130059914A
    • 2013-06-07
    • KR1020110126150
    • 2011-11-29
    • 김동현김동훈주식회사 엠에스씨
    • 김동현김동훈
    • C25B3/12C07F7/22
    • C25B3/12C07F7/22C25B9/166C25B15/08
    • PURPOSE: A manufacturing method of base alpha ray emitting methanesulphonic acid tin solution and the methanesulphonic acid tin solution are provided to obtain a coating thin film with little particles emitting alpha rays and to preserve the solution for a long time as a change with the passage of time is slow. CONSTITUTION: A manufacturing method of base alpha ray emitting methanesulphonic acid tin solution comprises the following steps: a step(S10) of preparing an electrolytic cell in which a pair of product chambers in both sides of an anode and a cathode chamber are connected; a step(S20) of respectively preparing anode electrolyte and a cathode electrolyte respectively inserted into the prepared electrolytic cell; a step(S30) of inserting the prepared electrolytes respectively into the electrolytic cell and installing an anode formed of tin in an anode chamber and an cathode formed of titanium in which platinum is coated in the cathode chamber; and a step(S40) of electrolyzing the installed cathode and anode by applying power. [Reference numerals] (S10) First step for preparing an electrolytic cell; (S20) Second step for preparing an anode electrolyte and a cathode electrolyte; (S30) Third step for installing an anode and a cathode; (S40) Fourth step for electrolyzing the installed cathode and anode by applying power
    • 目的:提供碱性α射线甲基磺酸锡溶液和甲磺酸锡溶液的制备方法,以获得具有少量发射α-射线的颗粒的涂层薄膜,并且长时间保持溶液随着通过而变化 时间很慢 制备方法:制备碱α射线甲烷磺酸锡溶液的方法包括以下步骤:制备其中连接阳极和阴极室两侧的一对产物室的电解池的步骤(S10); 分别制备分别插入制备的电解槽中的阳极电解质和阴极电解质的步骤(S20) 将制备的电解质分别插入电解槽中并将由锡构成的阳极安装在阳极室中的步骤(S30)和由阴极形成的铂形成的阴极; 以及通过施加电力来电解所安装的阴极和阳极的步骤(S40)。 (附图标记)(S10)制备电解槽的第一步骤; (S20)制备阳极电解质和阴极电解质的第二步骤; (S30)安装阳极和阴极的第三步骤; (S40)通过施加电力来电解所安装的阴极和阳极的第四步骤
    • 2. 发明授权
    • 전자파 차폐용 탄성 재료
    • KR101054257B1
    • 2011-08-08
    • KR1020080056248
    • 2008-06-16
    • 주식회사 엠에스씨김동현
    • 김동현김동훈
    • H05K9/00C08J9/22C08J9/224C08J7/06
    • 본 발명은 독립기포를 갖는 다공체를 두께 방향으로 타공하여 관통구를 형성하고, 상기 탄성 다공체의 외부의 셀막을 제거 처리하여, 탄성 다공체의 중앙부가 독립기포를 갖는 다공체이며, 상기 독립기포를 갖는 다공체의 주위를 둘러싸고 있는 외부가 연속 기포를 갖는 다공체로 구성된 탄성 다공체를 형성한 후, 무전해 도금 방법으로 상기 관통구의 면 및 상기 연속 기포를 갖는 다공체면에 전기 전도성을 부여하여 형성되어지는 전자파 차폐용 탄성 재료를 제공하여, 전자 기기에서 발생하는 전자파나, 정전기로 인해 발생되는 전자파 장애의 방지에 사용되며, 다공체 합성 수지의 종류에 구애됨이 없이 시트의 저항값 조절이 용이하고, 균일한 도전성을 얻을 수 있으며, 광대역 주파수의 전자파를 효과적으로 차폐시킬 수 있는 전자파 차폐용 탄성재료에 관한 것이다.
      전자파 차폐, 탄성, 무전해 도금, 전기 도금
    • 3. 发明公开
    • 주석-은 합금 도금액의 생성방법 및 그 도금액
    • 生产SN-AG合金镀层溶液的方法及其镀层溶液
    • KR1020130065393A
    • 2013-06-19
    • KR1020110132232
    • 2011-12-09
    • 주식회사 엠에스씨주식회사 에이피씨티김동현방태조
    • 김동현방태조오정훈손진호김홍기김정대육영란
    • C25D3/56C25D3/60C25D3/64
    • C25D3/56C25D3/60C25D3/64C25D21/12
    • PURPOSE: An Sn-Ag alloy plating solution forming method and an Sn-Ag alloy plating solution are provided to manufacture the Sn-Ag alloy plating solution after removing impurities from methanesulphonic acid, thereby improving current efficiency and maintaining an excellent plating thin film. CONSTITUTION: An Sn-Ag alloy plating solution forming method comprises: a step of removing impurities from isolated chloride compounds and sulfur compounds existed in methanesulphonic acid; a step of respectively producing methanesulphonic acid Sn and methanesulphonic acid Ag by electrolyzing Sn and Au to the methanesulphonic acid in which the impurities are removed; a step of producing mixed solution by inserting the methanesulphonic acid, the methanesulphonic acid Sn, the methanesulphonic acid Ag, and an additive; and a step of filtering the mixed solution. [Reference numerals] (AA) Generate refined methanesulphonic acid; (BB) Generate methanesulphonic acid Sn; (CC) Generate methanesulphonic acid Ag; (DD) Generate a mixture solution; (EE) Filter the mixture solution
    • 目的:提供Sn-Ag合金电镀液形成方法和Sn-Ag合金电镀液,从而从甲磺酸除去杂质后,制造Sn-Ag合金电镀液,提高电流效率,保持优异的电镀薄膜。 构成:Sn-Ag合金电镀液形成方法包括:从分离的氯化物中除去杂质的步骤和存在于甲磺酸中的硫化合物; 通过将Sn和Au电解为除去杂质的甲磺酸分别生产甲磺酸Sn和甲磺酸Ag的步骤; 通过插入甲磺酸,甲磺酸Sn,甲磺酸Ag和添加剂来生产混合溶液的步骤; 以及过滤混合溶液的步骤。 (AA)生成精制甲磺酸; (BB)生成甲磺酸Sn; (CC)产生甲磺酸Ag; (DD)生成混合溶液; (EE)过滤混合液
    • 4. 发明公开
    • 반도체 가공용 와이어 쏘오의 제조방법 및 그에 의한 와이어 쏘오
    • 用于制造半导体和电线的线的制造方法
    • KR1020130033609A
    • 2013-04-04
    • KR1020110097362
    • 2011-09-27
    • 주식회사 엠에스씨김동현김동훈
    • 김동훈김동현
    • C25D3/30B28D5/04B23D61/18C25D5/48
    • B23D61/185C23C24/04C23C28/322C25D3/30C25D5/12C25D5/505
    • PURPOSE: A method for manufacturing a wire saw for processing a semiconductor and the wire saw manufactured by the same are provided to reduce the failure as the diamond cut particles with excellent adhesions are rarely dropped by being firmly joined to a plated layer. CONSTITUTION: A method for manufacturing a wire saw for processing a semiconductor comprises; a step(S10) for preparing wires of a diameter of 0.15-0.25mm; a step(S20) for forming a thin plated layer of 2-5μm in the wires; and a step(S30) for attaching diamond particles to the tin plated wires by spraying the diamond particles. [Reference numerals] (AA) Electroplating tin alloy(second step); (BB) Melting and dipping tin alloy(second step); (CC) Product completed; (S10) Wire preparing step(first step); (S30) Attaching diamond particles(third step);
    • 目的:提供一种用于制造用于加工半导体的线锯的方法和由其制造的线锯,以通过牢固地接合到镀层上而极少地粘附的金刚石切割颗粒很少掉落来减少故障。 构成:用于制造用于处理半导体的线锯的方法包括: 制造直径为0.15〜0.25mm的线的步骤(S10) 用于在线中形成2-5μm的薄镀层的步骤(S20) 以及通过喷射金刚石颗粒将金刚石颗粒附着到镀锡线上的步骤(S30)。 (附图标记)(AA)电镀锡合金(第二工序); (BB)熔融和浸渍锡合金(第二步); (CC)产品完成; (S10)线制备步骤(第一步); (S30)安装金刚石颗粒(第三步);
    • 7. 发明授权
    • 내충격성을 갖는 전자파 차폐용 박형 가스켓 및 그 제조방법
    • KR101063315B1
    • 2011-09-07
    • KR1020080080608
    • 2008-08-18
    • 주식회사 엠에스씨김동현
    • 김동현김동훈
    • F16J15/12F16J15/06
    • 본 발명은 전자파 차폐용 박형 가스켓의 제조방법에 있어서: 폴리머 다공체(10)와 필름(20)을 합체하여 합체물을 형성하는 전처리 단계(S10)(S20); 상기 합체물 상에 두께 방향으로 통공(50)을 형성하는 타공단계(S30); 상기 통공(50)이 형성된 합체물 상에 탈지에칭, 표면조정, 프레디핑, 촉매화, 활성화 공정을 거친 후, 무전해 도금법에 의해 황산니켈 0.05∼0.15mol/L, 구연산 0.05∼0.25mol/L, 차아인산나트륨 0.05∼2.5mol/L, 소량의 안정제를 함유하는 용액을 사용하여 30∼60℃에서 0.5∼5분간 무전해 니켈 도금을 수행하는 제1차 니켈도금공정과, 황산구리 0.03∼0.07mol/L, 착화제 0.03∼0.21mol/L, 포름알데하이드 0.03∼0.07mol/L, 가성소다 0.1∼0.4mol/L 소량의 안정제를 함유하는 용액을 사용하여 35∼60℃에서 2∼30분간 무전해 구리 도금을 수행하는 동도금공정과, 상기 제1차 니켈도금공정과 동일한 조성물 및 공정조건으로 전기 니켈 도금을 실시하는 제2차 니켈도금공정과, 상기 제1차 니켈도금공정과 동일한 조성물 및 공정조건으로 무전해 니켈 도금을 실시하는 제3차 니켈도금공정 순으로 도금을 실시하는 도금단계(S40); 및 상기 도금된 합체물에 폴리머 코팅후 탈수와 건조를 행하는 후처리 단계(S50);를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
      이에 따라 본 발명은, 전자파 차폐효율은 물론 압축복원율과 내충격성이 우수하고 치수 균일성이 양호하면서 용도에 맞추어 절단하여 사용이 가능하여 비용이 절감되는 효과가 있다.
      가스켓, 전자파, 필름, 니켈층, 구리층
    • 8. 发明公开
    • 내충격성을 갖는 전자파 차폐용 박형 가스켓 및 그 제조방법
    • 电磁干扰(EMI)屏蔽薄膜,具有抗冲击性和制造方法
    • KR1020100021932A
    • 2010-02-26
    • KR1020080080608
    • 2008-08-18
    • 주식회사 엠에스씨김동현
    • 김동현김동훈
    • F16J15/12F16J15/06
    • F16J15/12F16J15/064H05K9/0015Y10S277/92
    • PURPOSE: A thin gasket for shielding electromagnetic interference with impact resistance and a manufacturing method thereof are provided to improve electromagnetic wave shield efficiency, compression recovery rate, and shock resistance. CONSTITUTION: A polymer porous material and a film are bonded using thermoplastic polymer, where the average pore diameter of the polymer porous material is 0.5mm or less and the closed cell content in the polymer pore is 80% or greater(S10). A through hole of thickness direction is formed on the resultant structure(S30). Nickel, copper, and nickel are sequentially plated through electroless plating(S40). Polymer is coated on the plating and dehydration and drying are carried out(S50).
    • 目的:提供一种用于屏蔽抗冲击电磁干扰的薄垫片及其制造方法,以提高电磁波屏蔽效率,压缩恢复率和抗冲击性。 构成:使用聚合物多孔体的平均孔径为0.5mm以下,聚合物孔隙中的闭孔含量为80%以上的热塑性聚合物,结合聚合物多孔质体和薄膜(S10)。 在所得结构上形成厚度方向的贯通孔(S30)。 镍,铜和镍通过无电镀顺序电镀(S40)。 将聚合物涂覆在电镀上,进行脱水和干燥(S50)。
    • 10. 发明公开
    • 전자파 실드용 도전섬유의 무전해 동도금액
    • 用于EMI屏蔽材料的电镀铜溶液及其制造方法
    • KR1020090017745A
    • 2009-02-19
    • KR1020070082123
    • 2007-08-16
    • 김동현주식회사 엠에스씨
    • 김동현김동훈
    • C23C18/38
    • An electroless copper plating solution for EMI shielding material is provided to improve stability of the plating solution by adding fluoride compound, benzo compound and cyanide compound to assisted stabilizer. An electroless copper plating solution for EMI shielding material uses: ethylene diamine tetracetic acid(EDTA) or sodium salt of the ethylene diamine tetracetic acid or amine salt of the ethylene diamine tetracetic acid, ethylenediamine pentaacetate(EDPA), sodium salt of the ethylenediamine pentaacetate, amine salt of the ethylenediamine pentaacetate, ethylene diamine tetra propanol(EDTP) or sodium salt of the ethylene diamine tetra propanol or amine salt of the ethylene diamine tetra propanol as a complexing agent; a first class alcohol or a second alcohol and 2,2- dipyridyl as stabilizer.
    • 提供EMI屏蔽材料的化学镀铜溶液,通过向辅助稳定剂中加入氟化物,苯并化合物和氰化物化合物来提高电镀液的稳定性。 用于EMI屏蔽材料的化学镀铜溶液使用:乙二胺四乙酸(EDTA)或乙二胺四乙酸的钠盐或乙二胺四乙酸的胺盐,乙二胺五乙酸酯(EDPA),乙二胺五乙酸钠的钠盐, 乙二胺四乙酸乙酯的胺盐,乙二胺四丙醇(EDTP)或乙二胺四丙醇的钠盐或乙二胺四丙醇的胺盐作为络合剂; 一级醇或第二醇和2,2-二吡啶基作为稳定剂。