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1. 发明公开

KR1020150002556A 기판 처리 장치, 태양 전지의 제조 방법 및 기판의 제조 방법 无效
标题翻译：基板加工装置，制造太阳能电池的方法及制造基板的方法
公开(公告)号：KR1020150002556A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：KR1020140158573
申请日：2014-11-14
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 니시타니에이스케 , 쿠니이야스오 , 토요다카즈유키 , 미야히로노부
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/04 , H01L31/0749
CPC分类号： H01L31/0322 , H01L31/18 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要： CIS계 태양 전지의 광 흡수층 형성을 위한 셀레늄화 또는 유화 처리를 수행하는 기판 처리 장치에 있어서, 석영제의 챔버와 비교하여, 가공이 용이한 노체를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것에 있다. 또한, 석영제의 챔버와 비교하여, 취급이 용이한 챔버를 제공하는 것에 있다.
금속 재료로 형성되고, 그 내부에서 구리-인듐, 구리-갈륨 및 구리-인듐-갈륨 중의 어느 하나로 이루어지는 적층막이 형성된 복수의 기판의 기판 처리를 하는 반응관; 상기 반응관의 주위에 설치되고, 상기 반응관 및 상기 반응관 내의 상기 기판을 가열하는 가열부; 상기 반응관 내에 셀레늄 원소 함유 가스 또는 유황 원소 함유 가스를 공급하는 가스 공급계; 및 상기 반응관 내를 배기하는 배기계;를 포함하고, 상기 반응관 내의 표면은, 상기 금속 재료보다도 상기 셀레늄 원소 함유 가스에 대한 부식 내성 또는 상기 유황 원소 함유 가스에 대한 부식 내성이 높은 재료에 의해 코팅 처리되어 있는 기판 처리 장치가 제공된다.
摘要翻译：本发明涉及进行硒处理或乳化处理以形成CIS组太阳能电池的光吸收层的基板处理装置。本发明的目的是提供一种基板处理装置，其包括与石英腔相比容易加工的炉体，并且提供与石英腔相比容易处理的室。提供了基板处理装置，其包括：反应管，其由金属材料形成，并且在内侧形成由铜铟，铜镓和铜铟镓中的一种形成的叠层，并进行多个基板的基板处理; 加热单元，安装在反应管周围，加热反应管和反应管内的基板; 气体供给单元，其将含有含有气体或含硫元素的气体的硒元素供给到反应管的内侧; 以及在反应管内排出的排气系统。与金属材料相比，反应管内部的表面涂覆有含有含有气体或含硫元素的气体的硒元素具有高侵蚀腐蚀性的材料。

2. 发明公开

KR1020140085584A 기판 처리 장치 및 그것을 이용한 기판 처리 방법 无效
标题翻译：基板处理装置和基板处理方法
公开(公告)号：KR1020140085584A
公开(公告)日：2014-07-07
申请号：KR1020147014504
申请日：2012-12-26
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 요시다히데나리 , 쿠니이야스오 , 니시타니에이스케 , 히라노미츠히로 , 타니야마토모시
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/22 , H01L21/324 , H01L21/205 , H01L31/04 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0322 , H01L21/67109 , H01L21/67126 , H01L21/67754 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要： 본 발명은 기판의 가열 효율을 높여서 기판의 승온 시간의 단축화를 도모한다.
통 형상의 반응관(100)과 씰 캡(110)으로 기밀하게 구성되는 처리실(30); 반응관(100)의 주위에 설치된 히터인 노체 가열부(200); 처리실(30) 내에 배치되고 또한 복수의 유리 기판(20)이 수용된 카세트(410); 반응관(100)의 내부가 폐색된 일방의 측부에 설치된 전동 팬(500); 및 처리실(30) 내에서 카세트(410) 상에 세워서 배치되는 복수의 유리 기판(20) 중 최외부의 위치에 배치되는 유리 기판(20)의 표면을 덮고, 또한 전동 팬(500)의 날개부(510)를 향하는 기류(Q)가 반응관(100)의 내주면(100a)을 따라 흐르도록 제어하는 원통 형상의 정류 판(430);을 구비한 기판 처리 장치가 제공된다.

3. 发明公开

KR1020010082109A 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 有权
标题翻译：基板加工装置和方法
公开(公告)号：KR1020010082109A
公开(公告)日：2001-08-29
申请号：KR1020010006455
申请日：2001-02-09
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 이케다가즈히토 , 니시타니에이스케 , 사쿠마하루노부 , 나카고미가즈히로
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/67748 , C23C16/45521 , C23C16/4585 , C23C16/54 , H01L21/67751 , H01L21/68735
摘要： PURPOSE: To provide an apparatus and method for processing a substance such as semiconductor wafer, which can prevent deposition of a reaction by-product on a substrate transportation outlet and prevent partial contamination. CONSTITUTION: A shower plate 70, a substrate processing position, a discharge port 67, and a semiconductor wafer transportation outlet 66 are provided in this order. The discharge port 67 is provided in a chamber upper wall 61, and the wafer transportation outlet 66 is provided in a chamber lower wall 62. An inner wall 64 of the lower 62 is provided more inside of a chamber 2 than an inner wall 53 of the upper wall 61, and an upper surface of the chamber lower wall 62 is projected inwardly from the inner wall of the chamber upper wall 61 to form a step 65. Thus, a space between the inner wall 64 of the lower wall 62 and a side wall outer surface 56 of a substrate transporting mechanism 3 is made narrow, thereby preventing wraparound of a processing gas into a chamber lower space 69 lower than the step 65 during processing of a semiconductor wafer 10.
摘要翻译：目的：提供一种处理诸如半导体晶片的物质的装置和方法，其可以防止反应副产物沉积在基板输送出口上并防止部分污染。构成：按顺序设置喷淋板70，基板处理位置，排出口67，半导体晶片搬送出口66。排出口67设置在室上壁61中，并且晶片传送出口66设置在室下壁62中。下部62的内壁64设置在室2的内侧，而不是内壁53的内壁53 上壁61和室下壁62的上表面从室上壁61的内壁向内突出以形成台阶65.因此，下壁62的内壁64和使基板输送机构3的侧壁外表面56变窄，从而防止在半导体晶片10的处理期间将处理气体卷绕到低于步骤65的室下部空间69内。

4. 发明公开

KR1020120115096A 기판 처리 장치 및 반송 장치 有权
标题翻译：基板加工装置和运输装置
公开(公告)号：KR1020120115096A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：KR1020120026070
申请日：2012-03-14
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 니시타니에이스케 , 쿠니이야스오 , 토요다카즈유키 , 요시다히데나리 , 이시사카미츠노리
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0749 , H01L31/04 , H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67109 , H01L21/6719 , H01L21/67754 , H01L31/0322 , H01L31/03923 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要： PURPOSE: A substrate processing apparatus and a substrate transfer apparatus are provided to prevent the friction of a substrate and a holder by eliminating gas flow of fast speed in a narrow space between substrates. CONSTITUTION: A process chamber(30) accepts a plurality of substrates. A lamination film consisting of Cu-Ga or Cu-In-Ga is formed on the plurality of substrates. A reaction tube(100) constitutes the process chamber. The base material of the reaction tube is metal material. A gas feeding tube(300) introduces selenium element containing gas or sulfur element containing gas. A heating part is installed in order to surround the reaction tube. An exhaust tube(310) exhausts air inside the process chamber. A fan is formed on the surface of the plurality of substrates.
摘要翻译：目的：提供基板处理装置和基板输送装置，以通过消除基板之间的狭窄空间中的快速气流来防止基板和保持件的摩擦。构成：处理室（30）接受多个基板。在多个基板上形成由Cu-Ga或Cu-In-Ga构成的层叠膜。反应管（100）构成处理室。反应管的基材是金属材料。气体供给管（300）引入含有含有气体或含硫元素的气体的硒元素。安装加热部件以包围反应管。排气管（310）排出处理室内的空气。在多个基板的表面上形成风扇。

5. 发明公开

KR1020120115094A 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치에 이용되는 반응관의 표면으로의 코팅막의 형성 방법 有权
标题翻译：基板加工装置以及用于基板加工装置的反应管表面上形成涂膜的方法
公开(公告)号：KR1020120115094A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：KR1020120024241
申请日：2012-03-09
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 , 도카로 가부시키가이샤
发明人： 니시타니에이스케 , 쿠니이야스오 , 토요다카즈유키 , 히야마코사쿠 , 나카스지토모히로 , 하마구치타츠야 , 미야지마키요시
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/04 , H01L31/0749
CPC分类号： H01L21/67109 , H01L21/67754 , H01L31/18 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要： PURPOSE: A substrate processing apparatus and a method for forming a coating film at the surface of a reaction tube are provided to form a chamber body which easily can be processed in comparison with a quartz chamber. CONSTITUTION: A process chamber(30) accepts a plurality of substrates. A lamination film consisting of Cu-Ga or Cu-In-Ga is formed on the plurality of substrates. A reaction tube(100) constitutes the process chamber. The base material of the reaction tube is metal material. A gas feeding tube(300) introduces selenium element containing gas or sulfur element containing gas. A heating part is installed in order to surround the reaction tube. An exhaust tube(310) exhausts air inside the process chamber.
摘要翻译：目的：提供在反应管的表面形成涂膜的基板处理装置和方法，以形成与石英室相比容易加工的室主体。构成：处理室（30）接受多个基板。在多个基板上形成由Cu-Ga或Cu-In-Ga构成的层叠膜。反应管（100）构成处理室。反应管的基材是金属材料。气体供给管（300）引入含有含有气体或含硫元素的气体的硒元素。安装加热部件以包围反应管。排气管（310）排出处理室内的空气。

6. 发明授权

KR100927930B1 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 有权
标题翻译： 기판처리장치및기판처리방법
公开(公告)号：KR100927930B1
公开(公告)日：2009-11-19
申请号：KR1020010006455
申请日：2001-02-09
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 이케다가즈히토 , 니시타니에이스케 , 사쿠마하루노부 , 나카고미가즈히로
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/67748 , C23C16/45521 , C23C16/4585 , C23C16/54 , H01L21/67751 , H01L21/68735
摘要： A substrate processing apparatus includes a chamber, a gas introducing portion, a gas discharge port, a substrate transfer gate, and a substrate moving member which moves the substrate between a substrate processing position where the substrate is processed in the chamber and a substrate transferring in-out position in the chamber where the substrate transferred into the chamber from the substrate transfer gate is located and where the substrate is located when the substrate is transferred out from the chamber through the substrate transfer gate. The gas introducing portion, the substrate processing position, the gas discharge port and the substrate transfer gate are disposed in this order. A gas restraining member which restrains processing gas for processing the substrate from flowing toward the substrate transfer gate is provided between the gas discharge port and the substrate transfer gate.
摘要翻译：一种基板处理装置，包括腔室，气体导入部，气体排出口，基板搬送门以及基板移动部件，所述基板移动部件使所述基板在所述腔室内进行所述基板的处理的基板处理位置与向所述基板移动的基板之间移动在从衬底传输门传输到腔室中的衬底所在的腔室中的位置以及当衬底通过衬底传输门从腔室传输出时位于衬底的位置。气体导入部，基板处理位置，气体排出口和基板传送门依次配置。在气体排出口与基板传送门之间设置抑制处理基板的处理气体向基板传送门流动的气体抑制构件。

7. 发明公开

KR1020010090517A 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 有权
标题翻译：用于处理基板的装置和方法
公开(公告)号：KR1020010090517A
公开(公告)日：2001-10-18
申请号：KR1020010015052
申请日：2001-03-23
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 나카시마세이요 , 니시와키미치코 , 아부라타니유키노리 , 오카다사토시 , 니시타니에이스케 , 나카고미가즈히로 , 이케다가즈히토 , 시메노가즈히로 , 오타가쿠지 , 가사나미가츠히사
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/68721 , C23C16/4584 , C23C16/46 , H01J2237/2005 , H01J2237/32 , H01L21/67109 , H01L21/68742 , H01L21/68785 , H01L21/68792
摘要： PURPOSE: To mechanically receive a wafer, and at the same time to rotate a suscepter. CONSTITUTION: This device is equipped with a suscepter 40 that retains a wafer 1 in a treatment chamber 11, a rotary drum 35 that rotates the suscepter 40, and a heating unit 27 that is supported by a support shaft 26 that does not rotate in the rotary drum 35 and heats the wafer 1 from the lower part of the suscepter 40. In this case, the rotary drum 35 and heating unit 27 are elevated in the treatment chamber 11, and a wafer-elevating device 50 for elevating the wafer 1 to the suscepter 40 is provided in the treatment chamber 11, thus floating the wafer from the suscepter, and inserting the tweezers 2 of a mechanical-type wafer-transferring device.
摘要翻译：目的：机械接收晶片，并同时旋转一个可疑器。构成：该装置配备有将晶片1保持在处理室11中的可变元件40，使可变元件40旋转的旋转鼓35和由支撑轴26支撑的加热单元27，该支撑轴26不在旋转滚筒35并且从夹持器40的下部加热晶片1.在这种情况下，旋转滚筒35和加热单元27在处理室11中升高，并且晶片升高装置50用于将晶片1升高到在处理室11中设置可疑体40，从而将晶片从容器中漂浮，并插入机械式晶片转移装置的镊子2。

8. 发明公开

KR1020160035970A 기판 처리 장치, 가스 도입 샤프트 및 가스 공급 플레이트 无效
标题翻译：基板加工设备，气体引导轴和气体供应板
公开(公告)号：KR1020160035970A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：KR1020150111545
申请日：2015-08-07
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 니시타니에이스케 , 토요다카즈유키
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/683 , H01L21/67
CPC分类号： C23C16/45561 , C23C16/4412 , C23C16/45551 , C23C16/45574
摘要： 본발명은복수의처리영역을기판이순서대로통과하는프로세스처리를수행하는경우에그 프로세스처리에따라각 처리영역의크기변경을용이하게또한간편하게수행할수 있다. 기판이재치되는기판재치대; 상기기판재치대와대향하는처리공간천판부를포함하고, 상기처리공간천판부와상기기판재치대의사이가복수의가스공급영역으로구획되고, 상기복수의가스공급영역과개별로연통하는가스분배관이설치되어이루어지는가스공급플레이트; 및다른종류의가스가흐르는복수의가스도입관을포함하여구성되는것과함께, 상기가스공급플레이트가장착되고, 상기가스공급플레이트의장착시에상기복수의가스도입관각각에대응하여다른평면상에다른지름으로형성되는복수의원환형상의가스배출공간을개재하여상기복수의가스도입관각각이상기가스공급플레이트에서의상기가스분배관과연통하도록구성된가스도입샤프트;를구비하는기판처리장치가제공된다.
摘要翻译：本发明能够根据处理处理容易地或方便地提供多个处理区域的尺寸变化，其中基板顺序地通过处理区域的处理处理。提供了一种基板处理装置，其包括放置基板的基板支撑单元，气体供给板和气体导入轴。气体供给板包括：面对基板支撑单元的处理空间顶板单元，其中处理空间顶板单元和基板支撑单元之间的间隙被分隔成多个气体供应区域; 以及连接到所述多个气体供给区域中的每一个的气体分配管。气体引入轴包括多个气体导入管，其中不同类型的气体流动安装有气体供应板，并且将由不同直径形成并设置在不同的环形的多个排气空间平面，分别对应于多个导入管，使得当安装气体供应板时，每个气体导入管可与气体供应板中的气体分配管连通。

9. 发明授权

KR101379748B1 기판 처리 장치 및 반송 장치 有权
标题翻译：基板加工装置和运输装置
公开(公告)号：KR101379748B1
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：KR1020120026070
申请日：2012-03-14
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 니시타니에이스케 , 쿠니이야스오 , 토요다카즈유키 , 요시다히데나리 , 이시사카미츠노리
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0749 , H01L31/04 , H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67109 , H01L21/6719 , H01L21/67754 , H01L31/0322 , H01L31/03923 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要： CIS계 태양 전지의 광 흡수층 형성을 위한 셀레늄화 또는 유화 처리를 수행하는 기판 처리 장치에 있어서, 기판의 대형화에 대응 가능한 기판 처리 장치를 제공한다. 구리-인듐 구리-갈륨 또는 구리-인듐-갈륨 중 어느 하나로부터 이루어지는 적층막이 형성된 복수의 기판을 수납하는 처리실; 상기 처리실을 구성하도록 형성되는 반응관; 상기 처리실에 셀레늄 원소 함유 가스 또는 유황 원소 함유 가스를 도입하는 가스 공급관; 상기 처리실 내의 분위기를 배기하는 배기관; 상기 반응관을 둘러싸도록 설치된 가열부; 상기 복수의 기판의 표면에 있어서, 상기 복수의 기판의 단변 방향으로 상기 처리실 내의 분위기를 강제 대류 시키는 팬; 및 상기 복수의 기판의 장변 방향으로 연재하고, 상기 복수의 기판을 사이에 두도록 설치된 한 쌍의 이너월;을 구비하는 기판 처리 장치이다.

10. 发明公开

KR1020120115091A 기판 처리 장치, 태양 전지의 제조 방법 및 기판의 제조 방법 无效
标题翻译：基板加工装置，制造太阳能电池的方法及其制造方法
公开(公告)号：KR1020120115091A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：KR1020120022171
申请日：2012-03-05
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 니시타니에이스케 , 쿠니이야스오 , 토요다카즈유키 , 미야히로노부
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/04 , H01L31/0749
CPC分类号： H01L31/0322 , H01L31/18 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要： PURPOSE: A substrate processing apparatus and a method for manufacturing a solar battery and a substrate are provided to form a chamber body which easily can be processed in comparison with a quartz chamber. CONSTITUTION: A process chamber(30) accepts a plurality of substrates. A lamination film consisting of Cu-Ga or Cu-In-Ga is formed on the plurality of substrates. A reaction tube(100) constitutes the process chamber. The base material of the reaction tube is metal material. A gas feeding tube(300) introduces sulfur element containing gas. A heating part is installed in order to surround the reaction tube. An exhaust tube(310) exhausts air inside the process chamber.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造太阳能电池和基板的基板处理装置和方法，以形成与石英室相比容易处理的室主体。构成：处理室（30）接受多个基板。在多个基板上形成由Cu-Ga或Cu-In-Ga构成的层叠膜。反应管（100）构成处理室。反应管的基材是金属材料。供气管（300）引入含硫元素气体。安装加热部件以包围反应管。排气管（310）排出处理室内的空气。

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