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1. 发明授权

KR100927930B1 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 有权
标题翻译： 기판처리장치및기판처리방법
公开(公告)号：KR100927930B1
公开(公告)日：2009-11-19
申请号：KR1020010006455
申请日：2001-02-09
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 이케다가즈히토 , 니시타니에이스케 , 사쿠마하루노부 , 나카고미가즈히로
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/67748 , C23C16/45521 , C23C16/4585 , C23C16/54 , H01L21/67751 , H01L21/68735
摘要： A substrate processing apparatus includes a chamber, a gas introducing portion, a gas discharge port, a substrate transfer gate, and a substrate moving member which moves the substrate between a substrate processing position where the substrate is processed in the chamber and a substrate transferring in-out position in the chamber where the substrate transferred into the chamber from the substrate transfer gate is located and where the substrate is located when the substrate is transferred out from the chamber through the substrate transfer gate. The gas introducing portion, the substrate processing position, the gas discharge port and the substrate transfer gate are disposed in this order. A gas restraining member which restrains processing gas for processing the substrate from flowing toward the substrate transfer gate is provided between the gas discharge port and the substrate transfer gate.
摘要翻译：一种基板处理装置，包括腔室，气体导入部，气体排出口，基板搬送门以及基板移动部件，所述基板移动部件使所述基板在所述腔室内进行所述基板的处理的基板处理位置与向所述基板移动的基板之间移动在从衬底传输门传输到腔室中的衬底所在的腔室中的位置以及当衬底通过衬底传输门从腔室传输出时位于衬底的位置。气体导入部，基板处理位置，气体排出口和基板传送门依次配置。在气体排出口与基板传送门之间设置抑制处理基板的处理气体向基板传送门流动的气体抑制构件。

2. 发明公开

KR1020010090517A 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 有权
标题翻译：用于处理基板的装置和方法
公开(公告)号：KR1020010090517A
公开(公告)日：2001-10-18
申请号：KR1020010015052
申请日：2001-03-23
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 나카시마세이요 , 니시와키미치코 , 아부라타니유키노리 , 오카다사토시 , 니시타니에이스케 , 나카고미가즈히로 , 이케다가즈히토 , 시메노가즈히로 , 오타가쿠지 , 가사나미가츠히사
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/68721 , C23C16/4584 , C23C16/46 , H01J2237/2005 , H01J2237/32 , H01L21/67109 , H01L21/68742 , H01L21/68785 , H01L21/68792
摘要： PURPOSE: To mechanically receive a wafer, and at the same time to rotate a suscepter. CONSTITUTION: This device is equipped with a suscepter 40 that retains a wafer 1 in a treatment chamber 11, a rotary drum 35 that rotates the suscepter 40, and a heating unit 27 that is supported by a support shaft 26 that does not rotate in the rotary drum 35 and heats the wafer 1 from the lower part of the suscepter 40. In this case, the rotary drum 35 and heating unit 27 are elevated in the treatment chamber 11, and a wafer-elevating device 50 for elevating the wafer 1 to the suscepter 40 is provided in the treatment chamber 11, thus floating the wafer from the suscepter, and inserting the tweezers 2 of a mechanical-type wafer-transferring device.
摘要翻译：目的：机械接收晶片，并同时旋转一个可疑器。构成：该装置配备有将晶片1保持在处理室11中的可变元件40，使可变元件40旋转的旋转鼓35和由支撑轴26支撑的加热单元27，该支撑轴26不在旋转滚筒35并且从夹持器40的下部加热晶片1.在这种情况下，旋转滚筒35和加热单元27在处理室11中升高，并且晶片升高装置50用于将晶片1升高到在处理室11中设置可疑体40，从而将晶片从容器中漂浮，并插入机械式晶片转移装置的镊子2。

3. 发明授权

KR100491680B1 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 有权
标题翻译：基板加工装置及基板处理方法
公开(公告)号：KR100491680B1
公开(公告)日：2005-05-27
申请号：KR1020010015052
申请日：2001-03-23
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 나카시마세이요 , 니시와키미치코 , 아부라타니유키노리 , 오카다사토시 , 니시타니에이스케 , 나카고미가즈히로 , 이케다가즈히토 , 시메노가즈히로 , 오타가쿠지 , 가사나미가츠히사
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/68721 , C23C16/4584 , C23C16/46 , H01J2237/2005 , H01J2237/32 , H01L21/67109 , H01L21/68742 , H01L21/68785 , H01L21/68792
摘要： 본 발명은 웨이퍼를 기계적으로 수수하면서 서셉터를 회전 가능하게 하는 것을 목적으로 한다.
처리실(11) 내에서 웨이퍼(1)를 유지하는 서셉터(40)와, 서셉터(40)를 회전시키는 회전 드럼(35)과, 회전 드럼(35) 내에서 회전하지 않는 지지축(26)에 지지되어 서셉터(40)의 아래로부터 웨이퍼(1)를 가열하는 가열 유닛(27)을 구비하고 있으며, 회전 드럼(35)과 가열 유닛(27)이 처리실(11)을 승강하도록 구성되어 있으며, 처리실(11) 내에는 웨이퍼(1)를 서셉터(40)에 대해 승강시키는 웨이퍼 승강 장치(50)가 설치되어 있다.
웨이퍼가 서셉터로부터 떠 있으므로, 기계식 웨이퍼 이재 장치의 트위저(2)를 삽입할 수 있다.

4. 发明公开

KR1020010082109A 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 有权
标题翻译：基板加工装置和方法
公开(公告)号：KR1020010082109A
公开(公告)日：2001-08-29
申请号：KR1020010006455
申请日：2001-02-09
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 이케다가즈히토 , 니시타니에이스케 , 사쿠마하루노부 , 나카고미가즈히로
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/67748 , C23C16/45521 , C23C16/4585 , C23C16/54 , H01L21/67751 , H01L21/68735
摘要： PURPOSE: To provide an apparatus and method for processing a substance such as semiconductor wafer, which can prevent deposition of a reaction by-product on a substrate transportation outlet and prevent partial contamination. CONSTITUTION: A shower plate 70, a substrate processing position, a discharge port 67, and a semiconductor wafer transportation outlet 66 are provided in this order. The discharge port 67 is provided in a chamber upper wall 61, and the wafer transportation outlet 66 is provided in a chamber lower wall 62. An inner wall 64 of the lower 62 is provided more inside of a chamber 2 than an inner wall 53 of the upper wall 61, and an upper surface of the chamber lower wall 62 is projected inwardly from the inner wall of the chamber upper wall 61 to form a step 65. Thus, a space between the inner wall 64 of the lower wall 62 and a side wall outer surface 56 of a substrate transporting mechanism 3 is made narrow, thereby preventing wraparound of a processing gas into a chamber lower space 69 lower than the step 65 during processing of a semiconductor wafer 10.
摘要翻译：目的：提供一种处理诸如半导体晶片的物质的装置和方法，其可以防止反应副产物沉积在基板输送出口上并防止部分污染。构成：按顺序设置喷淋板70，基板处理位置，排出口67，半导体晶片搬送出口66。排出口67设置在室上壁61中，并且晶片传送出口66设置在室下壁62中。下部62的内壁64设置在室2的内侧，而不是内壁53的内壁53 上壁61和室下壁62的上表面从室上壁61的内壁向内突出以形成台阶65.因此，下壁62的内壁64和使基板输送机构3的侧壁外表面56变窄，从而防止在半导体晶片10的处理期间将处理气体卷绕到低于步骤65的室下部空间69内。

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