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1. 发明授权

KR101960265B1 발광형 태양 집광 장치용 다중접합 태양전지의 제조방법 및 그 다중접합 태양전지를 이용한 발광형 태양 집광 장치 有权
公开(公告)号：KR101960265B1
公开(公告)日：2019-03-20
申请号：KR1020170184089
申请日：2017-12-29
申请人： (재)한국나노기술원
发明人： 정상현 , 강호관 , 김창주 , 신현범 , 김영조 , 김강호 , 김현성 , 박형호 , 최재혁 , 신찬수
IPC分类号： H01L31/0725 , H01L31/0224 , H01L33/06 , H01L33/50

2. 发明授权

KR101681753B1 메타-열경화 임프린팅과 포토리소그래피 공정에 의한 금속 산화물 복합 구조체 제조방법 有权
标题翻译： - 使用元热压印和光刻法制备金属氧化物复合结构的方法
公开(公告)号：KR101681753B1
公开(公告)日：2016-12-02
申请号：KR1020150001430
申请日：2015-01-06
申请人： (재)한국나노기술원
发明人： 박형호 , 김서연 , 허은진 , 신현범 , 성호근 , 강호관 , 박경호 , 박원규
IPC分类号： G03F7/00 , G03F7/004
摘要： 본발명은금속산화물복합구조체의제조방법에관한것으로서, 기판또는박막의상부에감광성금속-유기물전구체층을형성하는단계와, 상기감광성금속-유기물전구체층을제1패턴이형성된임프린트용스탬프로가압하되, 상기감광성금속-유기물전구체층이완전경화되는온도보다낮고임계경화되는온도보다높은온도로열경화를수행하는메타-열경화임프린팅단계와, 상기임프린트용스탬프를상기감광성금속-유기물전구체층으로부터제거하는단계와, 상기패턴된감광성금속-유기물전구체층상단에제2패턴이형성된포토마스크를위치시킨후, 완전경화도즈이상으로자외선또는열을조사하여금속산화박막패턴층을형성하는완전경화포토리소그래피단계와, 상기경화가완료된금속산화박막패턴층을현상(Developing)하여, 상기제1패턴과제2패턴이복합적으로구현된금속산화물복합구조체를형성하는단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는메타-열경화임프린팅과포토리소그래피공정에의한금속산화물복합구조체제조방법을기술적요지로한다. 이에의해이종(異種)의패턴이복합적으로구현된금속산화물구조체의제공이용이하며, 완전경화가되지않을정도의온도에서임프린팅공정이진행되고, 그후 포토리소그래피공정에의해완전경화를수행하여, 식각공정이생략된중간경화공정을추가함으로써, 식각공정의횟수를줄일수 있어공정의단순화및 비용을절감시키는이점이있다.
摘要翻译：金属氧化物复合结构及其制备方法技术领域本发明涉及金属氧化物复合结构体及其制备方法，更具体地说，涉及通过间热固化压印和光刻工艺制备金属氧化物复合结构体的方法和由其制备的金属氧化物复合结构体。根据本发明，该方法包括：在晶片或薄膜的顶部形成光敏金属 - 有机材料前体层的步骤; 一种间热固化压印步骤，其中在低于将使光敏金属 - 有机材料前体层完全固化并高于将使其敏化固化的温度的温度下进行热固化，以及具有第一图案的压印印模用于向感光金属 - 有机材料前体层施加压力; 从感光金属 - 有机材料前体层去除印记印模的步骤; 完全固化光刻步骤，其中将具有第二图案的光掩模放置在上述图案化的感光金属 - 有机材料前体层上，然后以足够高的剂量进行UV辐射或加热以诱导完全固化，以产生金属氧化物薄膜图案层; 将上述固化的金属氧化物薄膜图案层显影以产生具有第一和第二图案的金属氧化物复合结构的步骤。根据本发明，可以容易地制备具有两种不同图案的金属氧化物结构，并且通过在不引起完全固化的温度下进行压印加工，随后进行完全固化，可以简化和减少工艺和成本通过光刻工艺，并且通过执行除了蚀刻工艺之外的中间固化工艺以减少蚀刻工艺的数量。

3. 发明授权

KR101598845B1 습식 식각을 통한 복합패턴이 형성된 ＧａＮ계 발광 다이오드의 제조방법 및 이에 의한 복합패턴이 형성된 ＧａＮ계 발광 다이오드 有权
标题翻译：使用湿蚀刻和GAN发光的复合图案的发光方法与GAN发光的制造方法
公开(公告)号：KR101598845B1
公开(公告)日：2016-03-03
申请号：KR1020140178692
申请日：2014-12-11
申请人： (재)한국나노기술원
发明人： 김창환 , 박형호 , 신현범
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/306 , H01L21/027
CPC分类号： H01L33/00 , H01L21/027 , H01L21/306 , Y10S148/056
摘要： 본발명은습식식각을통한복합패턴의제조방법및 이를이용한발광다이오드에관한것으로, 발광다이오드의제조방법에있어서, 기판상에 p형전극을형성하는단계와, 상기 p형전극상에 p형 GaN계반도체층을형성하는단계와, 상기 p형 GaN계반도체층상에전자와정공을발생시켜빛을방출하는 GaN계활성층을형성하는단계와, 상기 GaN계활성층상층에 n형 GaN계반도체층을형성하는단계와, 상기 n형 GaN계반도체층상에 1차패턴의형상에대응되어, 상기 n형 GaN계반도체층의일부영역을노출시키는포토레지스트패턴을형성하는단계와, 상기노출된 n형 GaN계반도체층상에버퍼층을형성하고, 상기포토레지스트패턴을제거하여버퍼층으로이루어진마스크패턴층을형성하는단계와, 상기마스크패턴층을마스크로하여습식식각을진행하여상기 1차패턴의모양에대응하여 2차패턴이복합된복합패턴을상기 n형 GaN계반도체층에형성하는단계및 상기복합패턴이형성된 n형 GaN계반도체층상의일부영역에 n형전극을형성하는단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는습식식각을통한복합패턴이형성된 GaN계발광다이오드의제조방법및 이에의해제조된 GaN계발광다이오드를기술적요지로한다. 이에의해일반적인사진식각공정과습식식각공정으로두 가지이상의복합된복합패턴을제조함으로써, 하나의패턴또는표면거칠기로이루어지는광추출구조에비해우수한광추출구조를매우단순한공정으로제조할수 있어, 발광다이오드분야에널리용이하게적용할수 있는이점이있다.
摘要翻译：本发明涉及通过湿式蚀刻的复合图案的制造方法和使用其的发光二极管。发光二极管的制造方法包括以下步骤：在基板上形成p型电极; 形成p型GaN基半导体层; 形成GaN基活化层; 形成n型GaN基半导体层; 形成光致抗蚀剂图案; 形成掩模图案层; 在n型GaN基半导体层上形成复合图案; 并形成n型电极。

4. 发明授权

KR101419526B1 반도체 발광 다이오드 소자의 표면 요철 형성 방법 및 이에 의해 제조된 반도체 발광 다이오드 소자 有权
标题翻译：因此，发光二极管和发光二极管的表面纹理的制造方法
公开(公告)号：KR101419526B1
公开(公告)日：2014-07-14
申请号：KR1020120147236
申请日：2012-12-17
申请人： (재)한국나노기술원
发明人： 박형호 , 이근우 , 신현범 , 성호근 , 강호관 , 신찬수 , 고철기
IPC分类号： H01L33/22
摘要： 본 발명은 표면 요철을 형성하여 광 추출 효율을 증대시키는 반도체 발광 다이오드 소자의 표면 요철 형성 방법에 관한 것으로서, 표면 요철을 형성하여 광 추출 효율을 증대시키는 반도체 발광 다이오드 소자의 표면 요철 형성 방법에 있어서, 반도체 박막 상층에 레지스트층을 형성하여 임프린팅 공정과 건식 식각 공정 및 습식 식각 공정을 거쳐 반도체 박막의 표면 텍스처링을 거치는 제조 방법에 의해 반도체 박막 표면 요철을 형성하거나, 반도체 박막 상층에 레지스트층을 형성하여 KrF 스텝퍼/스캐너 또는 i-line 스텝퍼/i-line 스캐너에 의해 패터닝 후 건식 식각 공정 및 습식 식각 공정을 거쳐 반도체 박막의 표면 텍스처링을 거치는 제조 방법에 의해 반도체 박막 표면에 요철을 형성하는 것을 기술적 요지로 한다.
이에 의해 표면 요철 형성의 재현성이 우수하며, 반도체 박막 표면이 더욱 깊게 에칭되면서 대면적으로 균일한 거칠기를 가지게 되므로, 반도체 박막의 표면적의 극대화를 가져오게 되어 발광 다이오드 소자의 광 추출 효율을 개선시키는 이점이 있다.

5. 发明授权

KR101419525B1 스텝형 3차원 블락킹 패턴을 이용한 반도체 발광 다이오드 소자의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 반도체 발광 다이오드 소자 有权
标题翻译：因此，使用步骤3-D阻挡图案和发光二极管的发光二极管的制造方法
公开(公告)号：KR101419525B1
公开(公告)日：2014-07-14
申请号：KR1020120153425
申请日：2012-12-26
申请人： (재)한국나노기술원
发明人： 정상현 , 김창환 , 신현범 , 강호관 , 이재진 , 고철기
IPC分类号： H01L33/22 , H01L33/20
摘要： 본 발명은 반도체 발광 다이오드 소자에 있어서, 반도체 발광 다이오드 소자의 제조 방법에 있어서, 기판 상층에 제1레지스트층을 형성하는 제1단계와, 상기 제1레지스트층을 패터닝하여 제1블락킹(blocking) 마스크를 형성하는 제2단계와, 상기 제1블락킹 마스크 상층 및 상기 기판 상층에 제1블락킹 패턴층을 증착하는 제3단계와, 상기 제1블락킹 마스크를 제거하여 기판 상층에 "┰" 형태의 3차원 제1블락킹 패턴을 형성하는 제4단계와, 상기 제1블락킹 패턴 형성 후 제2레지스트층을 형성하는 제5단계와, 상기 제2레지스트층을 패터닝하여 제2블락킹 마스크를 형성하는 제6단계와, 상기 제2블락킹 마스크 상층 및 상기 기판 상층에 제2블락킹 패턴층을 증착하는 제7단계와, 상기 제2블락킹 마스크를 제거하여, 기판 상층에 상기 제1블락킹 패턴 사이의 영역에 � �텝형으로 형성되며, 상기 제1블락킹 패턴 사이의 영역을 완전히 덮는 상부 영역을 가지는 "┰" 형태의 3차원 제2블락킹 패턴을 형성하는 제8단계와, 상기 제2블락킹 패턴 형성 후, 반도체층을 증착하는 제9단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 스텝형 3차원 블락킹 패턴을 이용한 반도체 발광 다이오드 소자의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 반도체 발광 다이오드 소자를 기술적 요지로 한다. 이에 의해 기판 상에 스텝형 3차원 블락킹 패턴을 형성하여 반도체층 형성시 발생하는 결함을 줄여서 발광 다이오드 소자의 효율을 개선시키는 이점이 있다.

6. 发明公开

KR1020140083535A 3차원 블락킹 패턴을 이용한 반도체 발광 다이오드 소자의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 반도체 발광 다이오드 소자 有权
标题翻译：使用三维阻挡图案和发光二极管的发光二极管的制造方法
公开(公告)号：KR1020140083535A
公开(公告)日：2014-07-04
申请号：KR1020120153420
申请日：2012-12-26
申请人： (재)한국나노기술원
发明人： 정상현 , 김창환 , 신현범 , 강호관 , 이재진 , 고철기
IPC分类号： H01L33/22 , H01L33/20
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/32
摘要： A technological subject matter of the present invention is to provide a method of fabricating a semiconductor light emitting diode device using a 3-D blocking pattern and a semiconductor light emitting diode device fabricated by the same. The method of fabricating the semiconductor light emitting diode device includes a first step of forming a resist layer on a top of a substrate; a second step of forming a 3-D blocking mask by patterning the resist layer; a third step of depositing a blocking pattern layer on the 3-D blocking mask; a fourth step of forming a 3-D blocking pattern in a ″T″ shape on a top of the substrate by removing the 3-D blocking mask; and a fifth step of depositing a semiconductor layer after the 3-D blocking pattern is formed. Thus, the present invention has an advantage of improving efficiency of the light emitting diode device by reducing defects occurring when forming the semiconductor layer by forming the 3-D blocking pattern on the top of the substrate.
摘要翻译：本发明的技术主题是提供一种制造使用3-D阻挡图案的半导体发光二极管器件和由其制造的半导体发光二极管器件的方法。制造半导体发光二极管器件的方法包括在衬底的顶部上形成抗蚀剂层的第一步骤; 通过图案化抗蚀剂层形成3-D阻挡掩模的第二步骤; 在3-D阻挡掩模上沉积阻挡图案层的第三步骤; 通过去除3-D阻挡掩模在衬底的顶部上形成“T”形的3-D阻挡图案的第四步骤; 以及在形成3-D阻挡图案之后沉积半导体层的第五步骤。因此，本发明具有通过在衬底的顶部形成3-D阻挡图案来减少形成半导体层时发生的缺陷而提高发光二极管器件效率的优点。

7. 发明公开

KR1020140078179A 반도체 발광 다이오드 소자의 표면 요철 형성 방법 및 이에 의해 제조된 반도체 발광 다이오드 소자 有权
标题翻译：发光二极管和发光二极管的表面纹理的制造方法
公开(公告)号：KR1020140078179A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：KR1020120147236
申请日：2012-12-17
申请人： (재)한국나노기술원
发明人： 박형호 , 이근우 , 신현범 , 성호근 , 강호관 , 신찬수 , 고철기
IPC分类号： H01L33/22
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/32 , H01L2933/0083
摘要： The present invention relates to a method for forming surface unevenness of a semiconductor light emitting diode, capable of improving light extraction efficiency by forming surface unevenness. The method for forming surface unevenness of a semiconductor light emitting diode according to the present invention includes the steps of: forming a resist layer on an upper layer of a semiconductor thin film; performing an imprinting process; performing a dry etching process and a wet etching process; and performing surface texturing of the semiconductor thin film, or includes the steps of: forming a resist layer on an upper layer of a semiconductor thin film; patterning the resist layer by a KrF stepper/scanner or an i-line stepper/i-line scanner; performing a dry etching process and a wet etching process; and performing surface texturing of the semiconductor thin film. According to the present invention, the method can remarkably reproduce to form the surface unevenness, and the surface of the semiconductor thin film is deeply etched to have uniform roughness in the large area. Therefore, the semiconductor thin film can have the maximized surface area, thereby improving optical extraction efficiency of a light emitting diode.
摘要翻译：本发明涉及一种能够通过形成表面凹凸来提高光提取效率的半导体发光二极管的表面凹凸形成方法。根据本发明的形成半导体发光二极管的表面不均匀的方法包括以下步骤：在半导体薄膜的上层上形成抗蚀剂层; 执行印记过程; 进行干蚀刻处理和湿蚀刻处理; 并且执行半导体薄膜的表面纹理化，或者包括以下步骤：在半导体薄膜的上层上形成抗蚀剂层; 通过KrF步进/扫描仪或i线步进/ i线扫描仪对抗蚀剂层进行图案化; 进行干蚀刻处理和湿蚀刻处理; 并执行半导体薄膜的表面纹理化。根据本发明，该方法可以显着地再现以形成表面凹凸，并且半导体薄膜的表面被深刻蚀刻以在大面积上具有均匀的粗糙度。因此，半导体薄膜可以具有最大化的表面积，从而提高发光二极管的光学提取效率。

8. 发明授权

KR101357065B1 임프린트 리소그래피와 리프트 오프 공정을 이용한 굴절률이 조절된 다층 나노 구조체 제조방법 有权
标题翻译：使用压印光刻和剥离工艺调整多层纳米结构的折射率的方法
公开(公告)号：KR101357065B1
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：KR1020110117471
申请日：2011-11-11
申请人： (재)한국나노기술원
发明人： 박형호 , 윤홍민 , 임웅선 , 신현범 , 성호근 , 강호관 , 고철기
IPC分类号： B82B3/00 , B82B1/00 , B29C33/38
摘要： 본 발명은 기판 또는 박막 상에 형성된 고분자 층의 상부에 임프린트 리소그래피로 레진 패턴 층 또는 금속 산화박막 패턴 층을 형성하고, 박막의 식각 선택비에 따른 식각으로 고분자 층에 언더컷(Undercut)을 형성하며, 리프트 오프(Lift-Off) 공정으로 다층 나노 구조체를 제조하는 임프린트 리소그래피와 리프트 오프 공정을 이용한 굴절률이 조절된 다층 나노 구조체 제조방법에 관한 것으로, 기판의 상부에 고분자 층을 형성하는 단계, 고분자 층 상부에 Si(Silicon) 또는 금속산화물(Metal Oxide) 나노입자(Nanoparticle)가 포함된 임프린트 레진 층 또는 감광성 금속-유기물 전구체 층을 형성하는 단계, Si 또는 금속산화물 나노입자가 포함된 임프린트 레진 층 또는 감광성 금속-유기물 전구체 층을 패턴이 형성된 임프린트용 스탬프(Imprint Stamp)로 가압하고, 가열 또는 빛 조사 방법 중 하나 또는 혼용 방법으로 Si 또는 금속산화물 나노입자가 포함된 레진 패턴 층 또는 금속 산화박막 패턴 층을 형성하는 단계, 임프린트용 스탬프를 제거하고, Si 또는 금속산화물 나노입자가 포함된 레진 패턴 층, 금속 산화박막 패턴 층 또는 고분자 층 중 어느 하나 이상을 식각하여, 기판 또는 박막이 노출되도록 언더컷(Undercut)을 형성하는 단계, Si 또는 금속산화물 나노입자가 포함된 레진 패턴 층, 금속 산화박막 패턴 층, 기판 또는 박막 중 어느 하나 이상의 상부에 금속, 금속 산화물, 불화물, 질화물 또는 황화물 막 중 어느 하나 이상의 막을 형성하는 단계 및 금속, 금속 산화물, 불화물, 질화물 또는 황화물 막 패턴 중 어느 하나 이상을 용매를 이용해 리프트 오프(Lift-Off)하여 나노 구조체를 취득하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

9. 发明授权

KR101220421B1 임프린트 기법을 이용한 그래핀 패턴 형성 방법 有权
标题翻译：使用印记形成石墨烯图案的方法
公开(公告)号：KR101220421B1
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：KR1020100056267
申请日：2010-06-15
申请人： (재)한국나노기술원
发明人： 박형호 , 유승환 , 강호관 , 이종근 , 고철기 , 정상현 , 신현범 , 송호영 , 장민철
IPC分类号： B82B3/00 , C01B31/04 , B29C33/38
摘要： 본 발명은 패터닝된 그래핀을 원하는 위치에 전사할 수 있고, 그래파이트화 촉매의 식각에 따른 오염 문제가 없는 그래핀 패턴 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 그래핀 패턴 형성 방법의 일 구성은 마스터 기판 상에 패턴이 형성되어 있는 임프린트 스탬프를 준비하는 단계; 상기 임프린트 스탬프 상에 그래파이트화 촉매를 포함하는 금속막을 형성하는 단계; 상기 금속막이 형성된 임프린트 스탬프 상에 그래핀을 형성하는 단계; 및 상기 임프린트 스탬프 상에 형성된 그래핀을 임프린트 방법을 이용하여 소자 제작용 기판 상에 전사하여 그래핀 패턴을 형성하는 단계;를 포함한다.

10. 发明公开

KR1020120054152A 나노 임프린트용 나노패턴 스탬프 제조 방법 无效
标题翻译：纳米压印的纳米图案的制作方法
公开(公告)号：KR1020120054152A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：KR1020100115396
申请日：2010-11-19
申请人： (재)한국나노기술원
发明人： 박형호 , 강호관 , 이종근 , 고철기 , 정상현 , 신현범
IPC分类号： G03F7/20 , B29C33/38
CPC分类号： G03F7/0002 , G03F7/0032 , G03F7/2039 , G03F7/2059 , G03F7/36
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing for a nano-pattern stamp for nano-imprint lithography is provided to reduce the destruction possibility of the stamp and to obtain the various shapes and sizes of the stamp by varying the shape and the line width of patterns. CONSTITUTION: Metal-organic precursor compositions are coated on a substrate for a stamp(S1). Either electronic beam or X-ray is locally irradiated to the compositions to form a metal oxide thin film pattern through a developing agent washing process(S2). The compositions include metallic elements and organic ligand bonded to the metallic elements. The organic ligand is decomposed by either the electronic beam or the X-ray. The metal oxide thin film pattern is the form of linear, circular, ellipse, square, pentagon, hexagon, polygon, or lamellar. At least one of the shape, the line width, and the height of the pattern is changed by heating or microwave, x-ray, gamma-ray, or ultraviolet ray irradiating(S3).
摘要翻译：目的：提供用于纳米压印光刻的纳米图案印模的制造方法，以减少印模的破坏可能性，并通过改变图案的形状和线宽来获得印模的各种形状和尺寸。构成：将金属 - 有机前体组合物涂覆在用于印模的基材上（S1）。电子束或X射线通过显影剂洗涤方法局部照射到组合物上以形成金属氧化物薄膜图案（S2）。组合物包括与金属元素结合的金属元素和有机配体。有机配体被电子束或X射线分解。金属氧化物薄膜图案是线形，圆形，椭圆形，方形，五边形，六边形，多边形或层状的形式。通过加热或微波，x射线，γ射线或紫外线照射来改变图案的形状，线宽和高度中的至少一个（S3）。

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