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1. 发明授权

KR101777660B1 플래시 스토리지 디바이스 및 그 동작 제어 방법 有权
标题翻译：闪存设备及其操作控制方法
公开(公告)号：KR101777660B1
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：KR1020160139157
申请日：2016-10-25
申请人： 주식회사 티에스피글로벌
发明人： 조완호
IPC分类号： G06F1/30 , G06F1/28 , G06F1/16
CPC分类号： G06F1/165 , G06F1/28 , G06F1/305
摘要： 본발명은플래시스토리지디바이스및 그동작제어방법에관한발명으로서, 플래시스토리지디바이스또는이를탑재한모바일단말기가외부전원에연결될경우, 플래시스토리지디바이스가전원타입을감지및 구분하고, 그감지및 구분정보에따라내부동작을수행하여디바이스의데이터의신뢰성및 성능을개선할 수있다.
摘要翻译：闪存设备及其操作控制方法技术领域本发明涉及一种闪存设备及其操作控制方法，当闪存设备或配备有该闪存设备的移动终端连接至外部电源时，闪存设备检测并区分电源类型，因此，通过执行内部操作可以提高设备数据的可靠性和性能。

2. 发明授权

KR101824117B1 인덱스 마커를 포함하는 볼 그리드 어레이 패키지 및 이의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101824117B1
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：KR1020170090444
申请日：2017-07-17
申请人： 주식회사 티에스피글로벌
发明人： 장현순 , 강상석 , 권기덕 , 성천준 , 유도선 , 이진석
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/544 , H01L23/28 , H01L23/00
CPC分类号： H01L23/49816 , H01L23/28 , H01L23/544 , H01L24/27 , H01L24/28
摘要： 본발명에따른볼 그리드어레이(Ball Grid Array; BGA) 패키지는, 기판; 상기기판의일 표면에부착된복수개의솔더볼(solder ball); 및상기복수개의솔더볼의기준방향을표시하도록상기기판의상기일 표면에형성된인덱스마커(index marker)를포함한다. 이때, 상기인덱스마커는상기기판의상기일 표면에서상기복수개의솔더볼이부착되지않는공백영역에형성된다. 본발명에따른 BGA 패키지는, 종래의인덱스마커에더하여기준솔더볼의위치를나타내는별도의인덱스마커를추가함으로써, 기준솔더볼의위치를용이하게확인가능하도록하고, 특히, 패키지상부면의인덱스마커가지워진경우에도추가된인덱스마커를이용하여육안으로기준솔더볼의위치를용이하게확인할수 있는이점을갖는다.

3. 发明授权

KR101883917B1 집적회로 칩 코팅 장치 및 방법 有权
公开(公告)号：KR101883917B1
公开(公告)日：2018-08-09
申请号：KR1020180005828
申请日：2018-01-17
申请人： 주식회사 티에스피글로벌
发明人： 장현순 , 강상석 , 권기덕
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/6715 , H01L21/56 , H01L21/67126 , H01L21/67207
摘要： 집적회로(Integrated Circuit; IC) 칩코팅장치는, IC 칩의장착을위한하나이상의장착부가구비된지그(jig); 상기지그와대향하는프레임; 및상기프레임에구비되어, 상기지그에장착된상기 IC 칩에코팅용잉크를분사하기위한분사노즐을포함할수 있다. 또한상기 IC 칩코팅장치는, 하나이상의상기지그를탑재하며상기분사노즐에대하여이동가능하게구성된컨베이어벨트를더 포함하여, 컨베이어벨트를이용하여 IC 칩을분사노즐에대하여이동시키면서코팅용잉크를분사할수 있다. 상기 IC 칩코팅장치에의하면, 다량의 IC 칩을장착가능한지그및 컨베이어벨트를이용하여공정을수행함으로써공정속도와양산성을개선할수 있고, IC 칩을인쇄회로기판(Printed Circuit Board; PCB)에장착하는표면실장기술(Surface Mount Technology; SMT) 공정에서발생하는고온조건에도견딜수 있는도료를이용하여코팅막의온도특성이우수하며, 다층코팅(multi-layer coating)막의형성을통하여코팅후 진행되는재마킹(re-marking)의선명도를향상시킬수 있는이점이있다.

4. 发明授权

KR101777715B1 메모리칩, 메모리 장치 및 이 장치를 구비하는 메모리 시스템 有权
公开(公告)号：KR101777715B1
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：KR1020170007942
申请日：2017-01-17
申请人： 주식회사 티에스피글로벌
发明人： 강상석 , 최창주 , 이선영 , 이진석
IPC分类号： G11C5/14 , G11C5/04 , G11C11/4074 , G11C16/30 , G06F13/16
摘要： 본출원은메모리셀어레이및 주변회로에독립적으로전원전압이공급되는메모리칩, 메모리장치및 이장치를구비하는메모리시스템에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른메모리장치는, 메모리셀의배열로이루어진메모리셀어레이, 및상기메모리셀어레이주변에위치하고상기메모리셀어레이와전기적으로독립된전원라인이형성되는주변회로로구성된적어도하나의메모리칩; 및상기메모리셀어레이와상기주변회로에전원전압을공급하는전원전압공급부를포함하되, 상기전원전압공급부는상기메모리셀어레이와상기주변회로에각각독립적으로전원전압을공급하는것을구성상의특징으로한다.

5. 发明授权

KR101892438B1 복제 방지 기능을 갖는 낸드 플래시 메모리, 이를 포함하는 플래시 스토리지 시스템 및 낸드 플래시 메모리의 데이터 접근 방법 有权
公开(公告)号：KR101892438B1
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：KR1020170090443
申请日：2017-07-17
申请人： 주식회사 티에스피글로벌
发明人： 조완호 , 임종환 , 강상석
IPC分类号： G06F12/14 , G11C16/22 , G06F21/79
CPC分类号： G06F12/1466 , G06F21/79 , G11C16/22
摘要： 본발명은복제방지기능을갖는낸드플래시메모리, 이를포함하는플래시스토리지시스템및 낸드플래시메모리의데이터접근방법에관한것이다. 본발명에따른낸드플래시메모리는, 데이터저장영역인메인셀 영역; 및레지스터영역을포함하며, 상기레지스터영역에, 상기낸드플래시메모리에대한입출력제한기능을구현하기위한동작제한키가쓰여진것을특징으로한다. 이에의하여, 낸드플래시메모리의레지스터영역에기능제한을위한키 값및 제한회수를저장하여제한된범위내에서만낸드플래시메모리에대한읽기, 쓰기또는그 외다른데이터입출력이수행되도록할 수있으며, 낸드플래시메모리의레지스터영역에저장되는키 값을메인셀 영역영역에도동일하게저장하여, 낸드플래시메모리의셀로부터이미지를직접복제하더라도레지스터와이미지의키 값이상이하여사용이불가능하도록함으로써불법복제를방지할수 있고, 낸드플래시메모리가포함된제품의초기화시 처음에는키 값의유무를판단하기위한부분이미지만을로드하고, 키값이존재하는경우해당키 값이사용자에의해입력될때까지나머지이미지의로드를제한함으로써키 값을모르는상태에서의불법복제를방지할수 있다.

6. 发明授权

KR101654487B1 반도체 메모리 장치 有权
标题翻译：半导体存储器件
公开(公告)号：KR101654487B1
公开(公告)日：2016-09-09
申请号：KR1020150189823
申请日：2015-12-30
申请人： 주식회사 티에스피글로벌
发明人： 강상석 , 최창주 , 이선영 , 이진석
IPC分类号： G11C11/4074 , G11C5/06 , G11C5/14
摘要： 본출원은외부에서생성한전원전압을메모리칩의백바이어스전압으로사용하는반도체메모리장치에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른반도체메모리장치는, 내부에복수의메모리칩을포함하는메모리부; 및상기복수의메모리칩이동작하는데필요한시그널및 전원전압을생성하고, 생성된전원전압을승압또는감압하여상기복수의메모리칩에백바이어스전압으로공급하는메모리컨트롤러부를포함할수 있다. 또한, 본발명의다른실시예에따른반도체메모리장치는, 내부에복수의메모리칩및 외부에서생성된전원전압을승압또는강압하고, 승압또는강압된전원전압을상기복수의메모리칩에백바이어스전압으로공급하는전원전압제어부을포함하는메모리부; 및상기복수의메모리칩이동작하는데필요한시그널및 전원전압을생성하여상기메모리부에공급하는메모리컨트롤러부를포함할수 있다.
摘要翻译：本发明涉及使用在外部产生的电源电压作为存储芯片的背置偏置电压的半导体存储器件。根据本发明的实施例的半导体存储器件可以包括：内部包括多个存储器芯片的存储器部分; 以及用于产生操作多个存储器芯片所必需的信号和电源电压的存储器控制器部分，以及提高或降低所产生的电力电压以将其作为背偏压提供给多个存储器芯片。根据本发明的另一实施例的半导体存储器件可以包括：包括多个存储器芯片的存储器部分和用于升高或降低在外部产生的电源电压的电源电压控制部分，并且提供升高或降低的功率多个存储器芯片的电压作为背偏置电压; 以及用于产生操作多个存储器芯片所必需的信号和电源电压并将其提供给存储器部分的存储器控制器部分。

7. 发明授权

KR101654510B1 반도체 칩 패키지 마킹 방법 有权
标题翻译：标记半导体芯片封装的方法
公开(公告)号：KR101654510B1
公开(公告)日：2016-09-05
申请号：KR1020160055874
申请日：2016-05-06
申请人： 주식회사 티에스피글로벌
发明人： 강상석 , 최창주 , 이진석 , 권기덕
IPC分类号： H01L23/544 , H01L21/78 , H01L21/67 , H01L21/02 , H01L21/268
CPC分类号： H01L23/544 , H01L21/02041 , H01L21/268 , H01L21/67282 , H01L21/78 , H01L2223/54406
摘要： 본발명의목적은반도체칩 패키지마킹의공정을단순화함으로써, 마킹의생산성을높이고, 비용을절감하며, 마킹의품질을높일수 있는반도체칩 패키지마킹방법을제공하는것이다. 상기과제를해결하기위해서, 본발명의일 실시예에따른반도체칩 패키지마킹방법은, 접착제가부착된합성수지필름에잉크또는레이저빔을이용하여마킹하는단계, 상기마킹된합성수지필름을상기반도체칩 패키지의윗면또는아랫면의넓이에맞게절단하는단계, 상기마킹된합성수지필름의접착력을높이기위해상기반도체칩 패키지의윗면또는아랫면을세정하는단계, 및상기절단된합성수지필름을상기반도체칩 패키지의윗면또는아랫면에부착하는단계를포함할수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种简化半导体芯片封装标记工艺的半导体芯片封装标记方法，从而提高标记的生产率，降低成本，提高标记质量。根据本发明实施例的半导体芯片封装标记方法包括：通过使用激光束来标记粘合剂合成树脂膜的步骤; 切割与半导体芯片封装的下表面的后表面匹配的标记合成树脂膜的步骤; 清洁半导体芯片封装的上表面或下表面以提高标记的合成树脂膜的粘附的步骤; 以及将切割的合成树脂膜附着到半导体芯片封装的上表面或下表面的步骤。

8. 发明授权

KR101983746B1 모듈 검사 장치 有权
公开(公告)号：KR101983746B1
公开(公告)日：2019-05-30
申请号：KR1020170172767
申请日：2017-12-15
申请人： 주식회사 티에스피글로벌
发明人： 류성윤 , 김인배 , 공정찬 , 강병민
IPC分类号： G01R31/3185 , G01R31/317

9. 发明授权

KR101948152B1 메모리 모듈의 검사 장치 및 방법 有权
公开(公告)号：KR101948152B1
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：KR1020180092185
申请日：2018-08-08
申请人： 주식회사 티에스피글로벌
发明人： 류성윤 , 김현숙 , 공정찬 , 강병민
IPC分类号： G06F11/273 , G01R31/28 , G01R1/04

10. 发明公开

KR1020170092454A 메모리칩, 메모리 장치 및 이 장치를 구비하는 메모리 시스템 有权
标题翻译：存储器芯片，存储器设备和具有该设备的存储器系统
公开(公告)号：KR1020170092454A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：KR1020170007942
申请日：2017-01-17
申请人： 주식회사 티에스피글로벌
发明人： 강상석 , 최창주 , 이선영 , 이진석
IPC分类号： G11C5/14 , G11C5/04 , G11C11/4074 , G11C16/30 , G06F13/16
CPC分类号： G11C5/14 , G06F13/1668 , G11C5/04 , G11C5/147 , G11C11/4074 , G11C16/30
摘要： 본출원은메모리셀어레이및 주변회로에독립적으로전원전압이공급되는메모리칩, 메모리장치및 이장치를구비하는메모리시스템에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른메모리장치는, 메모리셀의배열로이루어진메모리셀어레이, 및상기메모리셀어레이주변에위치하고상기메모리셀어레이와전기적으로독립된전원라인이형성되는주변회로로구성된적어도하나의메모리칩; 및상기메모리셀어레이와상기주변회로에전원전압을공급하는전원전압공급부를포함하되, 상기전원전압공급부는상기메모리셀어레이와상기주변회로에각각독립적으로전원전압을공급하는것을구성상의특징으로한다.
摘要翻译：本申请涉及一种具有存储单元阵列及外围电路的独立的电源电压的供给到存储器芯片，存储器装置和滑移值，该值是存储器系统。根据本发明的一个实施例中存储装置包括存储器单元阵列包括存储器单元的阵列，以及至少一个位于由外围电路的存储单元阵列，其是独立于电源线的电和形成在存储单元阵列的左右存储器芯片; 并且包括：用于向所述外围电路和存储器单元阵列提供电源电压的电源电压供给，并且，所述电源电压提供部供给电源电压时，各自独立地在外围电路和存储器单元阵列，其特征在于由配置。

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