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61. 发明公开

KR1020160082498A 유기 포토다이오드들을 가지는 이미지 센서들 및 그 형성 방법 审中-实审
标题翻译：具有有机光刻胶的图像传感器及其形成方法
公开(公告)号：KR1020160082498A
公开(公告)日：2016-07-08
申请号：KR1020160078139
申请日：2016-06-22
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 리앙친웨이 , 린싱리엔 , 차이청위안 , 차이치아슝
IPC分类号： H01L27/30 , H01L27/146 , H01L51/00
CPC分类号： H01L27/307 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14665 , H01L51/107 , H01L27/14625 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L51/0034
摘要： 유기포토다이오드들을가지는이미지센서를형성하는실시예들이제공된다. 트렌치들이유기포토다이오드들내에형성되어 P-N 접합부계면면적을증가시키고, 그러한면적증가는포토다이오드들의양자효율(QE)을개선한다. 유기 P-타입재료가액체형태로도포되어트렌치들을충진한다. 다른일 함수값들및 두께를가지는 P-타입재료들의혼합을이용하여포토다이오드들에대한희망하는일 함수값을충족시킬수 있을것이다.
摘要翻译：提供了用于形成具有有机光电二极管的图像传感器的实施例。在有机光电二极管中形成沟槽以增加P-N结部分的界面面积。因此，由于面积的增加，光电二极管的量子效率（QE）得到改善。通过喷射液体型的有机P型材料填充沟槽。可以通过使用具有不同功函数值和厚度的P型材料的混合物来满足光电二极管所需的功函数值。

62. 发明公开

KR1020150060781A 유기 반도체 제제 审中-实审
标题翻译：有机半导体制备
公开(公告)号：KR1020150060781A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：KR1020157009884
申请日：2013-09-05
申请人： 메르크 파텐트 게엠베하 , 프로메러스, 엘엘씨
发明人： 비르쵸비에츠피오트르 , 미스키에비츠파벨 , 탄리웨이 , 빈타데라쉬미 , 브룩스폴크레이그 , 로즈래리에프 , 버군휴에이
IPC分类号： H01L51/00 , H01L51/05
CPC分类号： H01L51/0094 , C08G2261/3424 , C08G2261/92 , C08K5/548 , C08L2203/20 , C09D145/00 , H01L51/0003 , H01L51/0032 , H01L51/0052 , H01L51/0058 , H01L51/0074 , H01L51/052 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/0558 , H01L51/107 , Y02E10/549
摘要： 본발명에따른실시형태들은일반적으로유기전자디바이스들의유기반도체층들에서의사용을위한제제에관한것이고, 보다구체적으로유기전계효과트랜지스터들에서, 그러한제제들로부터제조된유기반도체층들에관한것이고, 그러한유기반도체층들을포함하는유기전자디바이스들및 유기전계효과트랜지스터들에관한것이다.
摘要翻译：根据本发明的实施例一般涉及用于有机电子器件的有机半导体层中的配方，并且更具体地涉及由有机场效应晶体管中的这种配方制成的有机半导体层，包括这种有机半导体层的有机电子器件和有机场效应晶体管。

63. 发明公开

KR1020150059170A 보호막 형성용의 수지 조성물, 보호막, 패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법 및 전자 디바이스 审中-实审
标题翻译：用于保护膜形成的树脂组合物，保护膜，形成图案的方法，制造电子设备的方法和电子设备
公开(公告)号：KR1020150059170A
公开(公告)日：2015-05-29
申请号：KR1020157009932
申请日：2013-10-16
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
发明人： 이와이유 , 나카무라아츠시 , 카모치요시타카 , 요시다마사후미
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/32 , H01L21/02 , G03F7/42 , G03F7/075 , G03F7/004 , G03F7/00
CPC分类号： H01L51/0093 , C09D101/00 , C09D105/00 , G03F7/027 , G03F7/0388 , G03F7/0392 , G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/325 , H01L21/02118 , H01L21/3065 , H01L51/004 , H01L51/107 , H01L51/448 , H01L51/5253 , H01L51/56
摘要： 기판상 또는기판상에형성된막 상에박리되지않고, 도포불균일이없고, 막두께가균일한보호막을형성할수 있고, 그것에의해유기용제를포함하는현상액에의한패턴형성에있어서미세하며또한균일한패턴을형성할수 있는보호막형성용의수지조성물, 보호막및 패턴형성방법을제공한다. 또한, 형성한레지스트및 보호막패턴을마스크로해서유기반도체막에소망의패턴을형성할수 있고, 그후 마스크로서사용한레지스트및 보호막패턴을하지의유기반도체막에데미지를주는일 없이제거하는것이가능한패턴형성방법을제공한다. 또한, 상기패턴형성방법을포함하는전자디바이스의제조방법에의해제조되는전자디바이스를제공한다. 패턴형성에있어서의현상에사용되는유기용제를포함하는현상액으로부터기판또는기판상에형성된막을보호하는보호막의형성에사용되어히드록시기를갖는주쇄구조가상위하는 2종이상의수지와물을함유하는수지조성물.

64. 发明公开

KR1020150043803A 박막 트랜지스터 기판, 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管基板，显示器件和制造显示器件的方法
公开(公告)号：KR1020150043803A
公开(公告)日：2015-04-23
申请号：KR1020130122664
申请日：2013-10-15
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김재식
IPC分类号： G02F1/136 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/3276 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/7869 , H01L51/0017 , H01L51/0021 , H01L51/0545 , H01L51/107 , H01L27/1248 , H01L27/1225 , H01L27/3248 , H01L27/3258 , H01L27/3262
摘要： 박막트랜지스터기판은게이트전극, 게이트절연층, 액티브패턴, 식각저지막패턴, 소스전극, 드레인전극및, 무기배리어막및 평탄화층을포함한다. 게이트전극은베이스기판상에배치된다. 게이트절연층은베이스기판상에배치되어게이트전극을커버한다. 액티브패턴은게이트절연층상에배치되어게이트전극과중첩된다. 식각저지막패턴은액티브패턴상에배치되어액티브패턴을부분적으로노출시킨다. 소스전극및 드레인전극은노출된액티브패턴의일부와접촉하며게이트전극의양 단부와부분적으로중첩된다. 무기배리어막은소스전극, 드레인전극및 식각저지막패턴상에배치되어액티브패턴과접촉한다. 평탄화층은배리어막상에배치된다. 무기배리어막에의해전극들사이의중첩면적이감소되고액티브패턴이보호될수 있다.
摘要翻译：薄膜晶体管基板包括栅电极，栅极绝缘层，有源图案，蚀刻停止层图案，源电极，漏电极，无机阻挡层和平坦化层。栅极布置在基底上。栅极绝缘层位于基底基板上以覆盖栅电极。有源图案放置在栅极绝缘层上，与栅电极重叠。蚀刻停止层图案布置在活动图案上，其部分地暴露活性图案。源电极和漏电极部分地与露出的有源图案的一部分接触，并与栅电极的两端重叠。无机阻挡层设置在源电极，漏电极和蚀刻停止层图案上，接触有源图案。平坦化层布置在阻挡层上。因此，通过无机阻挡层减少电极之间的重叠区域，并且可以保护活性图案。

65. 发明公开

KR1020150041058A 다이우레탄 (메트)아크릴레이트-실란 조성물 및 이를 포함하는 물품 审中-实审
标题翻译：丙二醇（甲基）丙烯酸酯 - 硅烷组合物和包含其的制品
公开(公告)号：KR1020150041058A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：KR1020157005801
申请日：2013-03-01
申请人： 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니
发明人： 클룬토마스피 , 나흐티갈알란케이 , 스파뇰라조셉씨 , 로에리그마크에이 , 슈노브리치제니퍼케이 , 졸리가이디 , 라이언스크리스토퍼에스
IPC分类号： C08J7/04 , C08J5/18 , B32B27/08
CPC分类号： C09D143/04 , B05D1/60 , B05D3/067 , B05D3/068 , B05D3/101 , B32B27/308 , B32B2250/04 , B32B2307/7242 , B32B2307/7244 , C07F7/1868 , C08F130/08 , C08J7/045 , C08J2333/12 , C08K3/34 , C09D133/14 , C09D135/02 , C09J133/14 , C23C14/08 , C23C14/34 , C23C16/40 , C23C16/44 , H01L51/004 , H01L51/107 , H01L51/448 , H01L51/5253 , Y10T428/1064 , Y10T428/31507 , Y10T428/31551 , Y10T428/31609 , Y10T428/31663 , B32B27/08 , C08J5/18
摘要： 다이우레탄 (메트)아크릴레이트-실란전구체화합물은, 1차또는 2차아미노실란과환형카르보네이트를반응시켜하이드록실알킬렌-카르바모일알킬렌-알콕시실란 ("하이드록실카르바모일실란"으로지칭됨)을수득하고, 이를, 니트에서또는용매중에서, 그리고선택적으로촉매, 예를들어, 주석화합물을사용하여, 아이소시아네이트작용기를갖는 (메트)아크릴화된재료와반응시킴으로써제조된다. 기재, 기재의주 표면상의베이스 (공)중합체층, 베이스 (공)중합체층 상의산화물층, 산화물층 상의보호 (공)중합체층을포함하며, 보호 (공)중합체층은적어도하나의다이우레탄 (메트)아크릴레이트-실란전구체화합물의반응생성물을포함하는, 물품이또한기재된다. 기재는 (공)중합체필름또는전자소자, 예를들어, 유기발광소자, 전기영동발광소자, 액정디스플레이, 박막트랜지스터, 또는이들의조합일수 있다. 다이우레탄 (메트)아크릴레이트-실란의제조방법, 및복합필름및 전자소자에서의그의용도가기재된다.
摘要翻译：聚氨酯（多） - （甲基）丙烯酸酯（多） - 硅烷组合物，以及包含至少一种聚氨酯（多） - （甲基）丙烯酸酯（多） - 硅烷前体化合物的（共）聚合物反应产物的制品。本公开还涉及包括基材，基材主表面上的基底（共））聚合物层，基底（共）聚合物层上的氧化物层的制品; 和氧化物层上的保护（共）聚合物层，所述保护（共）聚合物层包括至少一种聚氨酯（多）（甲基）丙烯酸酯（多） - 硅烷前体化合物的反应产物。基底可以是（共）聚合物膜或诸如有机发光器件，电泳发光器件，液晶显示器，薄膜晶体管或其组合的电子器件。还描述了制备聚氨酯（多） - （甲基）丙烯酸酯（多） - 硅烷前体化合物的方法及其在复合多层阻挡膜中的应用。还描述了在选自固态照明装置，显示装置及其组合的制品中使用这种阻挡膜的方法

66. 发明授权

KR101505772B1 유기전자장치의 제조방법 有权
标题翻译：制备有机电子器件的方法
公开(公告)号：KR101505772B1
公开(公告)日：2015-03-26
申请号：KR1020140014338
申请日：2014-02-07
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 조윤경 , 장석기 , 심정섭 , 유현지 , 이승민
IPC分类号： H01L51/56 , H01L51/52 , C09J7/00
CPC分类号： H01L51/5246 , C09J5/06 , C09J7/00 , C09J133/062 , C09J133/08 , C09J163/00 , C09J2201/606 , C09J2423/00 , C09J2463/00 , H01L51/0024 , H01L51/107 , H01L51/448 , H01L51/5259 , H01L51/56
摘要： 본 발명은 점접착제 필름을 이용한 유기전자장치 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 예시적인 유기전자장치의 제조방법은 예를 들어, 수분 차단성 및 접착성이 우수한 봉지층을 포함하는 유기전자장치를 제조하는 방법을 제공할 수 있다. 또한 상기 제조방법은 예를 들어 유기전자소자의 전면에 봉지층을 형성하더라도 유기전자장치의 휨 현상을 최소화할 수 있으며, 유기전자소자에 손상을 주지 않고, 짧은 공정 시간 동안 유기전자장치를 제조할 수 있게 한다.

67. 发明公开

KR1020140093213A 캡슐화 장벽 스택 审中-实审
标题翻译：包封栏架
公开(公告)号：KR1020140093213A
公开(公告)日：2014-07-25
申请号：KR1020147009719
申请日：2012-10-24
申请人： 테라-배리어 필름스 피티이 리미티드 , 에이전시 포 사이언스, 테크놀로지 앤드 리서치
发明人： 라마다스,센틸쿠마르 , 샨무가벨,사라바난
IPC分类号： B32B7/04 , B32B9/00 , H05B33/04
CPC分类号： H01L23/29 , B82Y30/00 , C23C28/00 , C23C28/42 , H01L21/56 , H01L51/107 , H01L51/448 , H01L51/5253 , H01L51/5256 , H01L2251/5369 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은 수분 및/또는 산소 민감성 제품을 캡슐화할 수 있으며, 다중층 필름을 포함하고, 여기에서 다중층 필름은 수분 및/또는 산소에 대해 저 투과성을 나타내는 하나 이상의 장벽 층(들), 및 적어도 하나의 장벽 층 표면과 접촉하도록 배열됨으로써 장벽 층에 존재하는 결함을 피복하는 하나 이상의 밀봉 층(들)을 포함하며, 여기에서 하나 이상의 밀봉 층(들)은 복수의 캡슐화 나노입자를 포함하고 나노입자는 수분 및/또는 산소와 상호작용하여 장벽 층에 존재하는 결함을 통한 수분 및/또는 산소의 투과를 지연시킬 수 있다는 점에서 반응성인, 캡슐화 장벽 스택을 개시한다. 입자의 캡슐화는 반응성 나노입자의 표면에서 중합성 화합물(중합성 기를 지닌 단량체성 또는 중합체성 화합물)을 중합하거나 가교성 화합물을 가교시켜 얻을 수 있다.

68. 发明授权

KR101415484B1 유기 ＴＦＴ 어레이 기판 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：有机TFT阵列基板及其制造方法
公开(公告)号：KR101415484B1
公开(公告)日：2014-07-04
申请号：KR1020120055575
申请日：2012-05-24
申请人： 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드
发明人： 장쉬에후이
IPC分类号： H01L51/05 , H01L51/40
CPC分类号： H01L51/0541 , H01L27/283 , H01L51/0018 , H01L51/102 , H01L51/107
摘要： 본 발명의 실시예에 따르면, 유기 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법이 제공된다. 이 방법은 제1 패턴화 공정에서 제1 픽셀 전극, 소스 전극, 드레인 전극 및 데이터 라인을 형성하는 단계; 제2 패턴화 공정에서 유기 반도체 아일랜드 및 게이트 절연 아일랜드를 형성하는 단계; 제3 패턴화 공정에서 데이터 패드 영역을 형성하는 단계; 및 제4 패턴화 공정에서 제2 픽셀 전극, 게이트 전극 및 게이트 라인을 형성하는 단계를 포함한다.

69. 发明公开

KR1020140083019A 유기 전자 부품용 캡슐 审中-实审
标题翻译：有机电子元件的封装
公开(公告)号：KR1020140083019A
公开(公告)日：2014-07-03
申请号：KR1020147012539
申请日：2012-10-11
申请人： 오스람 오엘이디 게엠베하
发明人： 바이슬리차드 , 피스처도린 , 랑에르빈 , 포프미카엘 , 슈렌커틸만 , 트룸머-자일러에베린
IPC分类号： H01L51/52 , H01L51/56
CPC分类号： H01L51/56 , H01L51/107 , H01L51/448 , H01L51/524 , H01L51/5246 , H01L51/5253 , H01L51/5259 , H01L51/5268 , H01L51/529 , H01L51/5237
摘要： 본 발명은 유기 전자 부품용 캡슐에 관한 것이며, 상기 캡슐은 다음 층들을 포함하는 층 시퀀스를 갖는다: 적어도 하나의 박막 캡슐(5); 상기 적어도 하나의 박막 캡슐(5) 상에 배치되며 적어도 하나의 게터 재료를 포함하는 적어도 하나의 제 1 접착제 층(3); 및 상기 제 1 접착제 층(3) 상에 배치된 커버 층(4). 본 발명은 또한 상기 캡슐을 구비한 유기 전자 부품, 및 상기 유기 전자 부품의 제조 방법에 관한 것이다.

70. 发明授权

KR101342892B1 전계 효과 트랜지스터, 그 제조 방법 및 바이오센서 失效
标题翻译：场效应晶体管，其制造方法和生物传感器
公开(公告)号：KR101342892B1
公开(公告)日：2013-12-17
申请号：KR1020117015931
申请日：2009-12-25
申请人： 미쓰미덴기가부시기가이샤 , 아크레이 가부시키가이샤
发明人： 수바교,아구스 , 나카무라,모토노리 , 야마바야시,토모아키 , 타카하시,오사무 , 키쿠치,히로아키 , 콘도,카츠노리
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： G01N27/4146 , B82Y10/00 , H01L29/0665 , H01L51/0048 , H01L51/0516 , H01L51/0545 , H01L51/0558 , H01L51/107
摘要： 본발명은뛰어난전기전도특성을안정적으로나타내는탄소나노튜브전계효과트랜지스터, 그제조방법, 및상기전계효과트랜지스터를가지는바이오센서에관한것이다. 먼저, LOCOS법에의해실리콘기판의컨택영역에산화실리콘막을형성한다. 이어서, 실리콘기판의채널영역에컨택영역의산화실리콘막보다얇은절연막을형성한다. 이어서, 실리콘기판상에채널이되는탄소나노튜브를배치한후, 탄소나노튜브를보호막으로피복한다. 마지막으로, 소스전극및 드레인전극을각각형성하여소스전극및 드레인전극을각각탄소나노튜브에전기적으로접속시킨다. 이와같이하여제조된전계효과트랜지스터는채널이되는탄소나노튜브가오염되어있지않으므로, 뛰어난전기전도특성을안정적으로나타낸다.

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