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1. 发明公开

KR1020160111377A 수지 조성물 审中-实审
标题翻译：树脂组合物
公开(公告)号：KR1020160111377A
公开(公告)日：2016-09-26
申请号：KR1020167018190
申请日：2015-01-21
申请人： 덴카 주식회사
发明人： 호시노다카코 , 히샤유키 , 고토요시츠구
IPC分类号： C08L63/00 , C08G59/22 , C08G59/32 , C08K5/06 , C08K5/5415 , C09D163/00 , C09J163/00 , C08K5/1515 , H01L51/10 , H01L51/52 , C08G59/02
CPC分类号： C08L63/00 , C08G59/063 , C08G59/226 , C08G59/4085 , C08G59/687 , C08K5/1515 , C09D163/00 , C09J163/00 , C09J2203/326 , H01L51/0035 , H01L51/107 , H01L51/5246 , H01L51/5253 , H01L51/56 , C08G59/025 , C08G59/3209 , C08K5/06 , C08K5/5415
摘要： 유기 EL 소자의열화를억제할수 있는수지조성물을제공한다. (A) 지환식에폭시화합물, (B) 비스페놀 A형에폭시수지, (C) 비스페놀 F형에폭시수지, (D) 광양이온중합개시제를함유하는수지조성물. 또, (B) 비스페놀 A형에폭시수지와 (C) 비스페놀 F형에폭시수지는 (A) 지환식에폭시화합물을가지지않는화합물이며, 수분량이 1000ppm 이하이다. 또는 (H) 충전제를더 함유하고, 수분량이 50ppm 이상이어도된다.
摘要翻译：提供能够抑制有机EL元件劣化的树脂组合物。树脂组合物包括：（A）脂环族环氧化合物; （B）双酚A环氧树脂; （C）双酚F环氧树脂; 和（D）光阳离子聚合引发剂。双酚A型环氧树脂（B）和双酚F型环氧树脂（C）是不具有脂环式环氧化合物（A）的化合物，该树脂组合物的水分含量为1000ppm以下。或者，树脂组合物还可以包含填料（H），并且可以具有50ppm以上的水分含量。

2. 发明公开

KR1020160103589A 유기전자소자용 보호막 및 그 증착 방법 审中-实审
标题翻译：有机电子器件的钝化膜及其沉积方法
公开(公告)号：KR1020160103589A
公开(公告)日：2016-09-02
申请号：KR1020150025851
申请日：2015-02-24
申请人： 에이피시스템 주식회사
发明人： 이재승 , 서문선 , 구찬회 , 정태훈
IPC分类号： H01L51/52 , H01L21/02 , H01L51/10 , H01L51/44 , H01L51/56
CPC分类号： Y02E10/549 , H01L51/5237 , H01L21/02126 , H01L21/02274 , H01L51/107 , H01L51/448 , H01L51/56 , H01L2251/56
摘要： 본발명은유기전자소자용보호막및 그증착방법에관한것으로서, 보다상세하게는수분또는산소등을효과적으로차단할수 있는유기전자소자용보호막및 그증착방법에관한것이다. 본발명의일실시예에따른유기전자소자용보호막은유기전자소자상에형성되는보호막으로서, SiOC(x1 > 0, y1 > 0)의조성층을갖는베리어막; 및 SiOC(x2 > 0, y2 > 0)의조성층을갖는버퍼막을포함하고, 상기베리어막과상기버퍼막이교번적층될수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于有机电子器件的钝化膜及其沉积方法，更具体地说，涉及能够有效阻断水分或氧气的有机电子器件用钝化膜及其沉积方法。形成在有机电子器件上的钝化膜包括具有SiO_x1C_y1（x1> 0，y1> 0）的组成层的阻挡膜; 以及具有SiO_x2C_y2（x2> 0，y2> 0）的组成层的缓冲膜，其中阻挡膜和缓冲膜可以交替堆叠。

3. 发明公开

KR1020160096048A 봉지 필름 有权
标题翻译：封装膜
公开(公告)号：KR1020160096048A
公开(公告)日：2016-08-12
申请号：KR1020160014505
申请日：2016-02-04
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 유현지 , 김현석 , 문정옥 , 양세우
IPC分类号： C09J7/02 , C09J123/20 , C09J11/06 , B32B7/12 , H01L51/52 , H01L51/00
CPC分类号： H01L51/5253 , B32B7/12 , B32B15/08 , B32B15/085 , B32B15/20 , B32B27/36 , B32B37/12 , B32B37/1207 , B32B2307/302 , B32B2307/724 , B32B2457/206 , C08F255/10 , C09J4/06 , C09J7/381 , C09J123/22 , C09J133/08 , C09J151/04 , C09J2201/36 , C09J2201/606 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2423/00 , H01L23/28 , H01L23/3135 , H01L51/004 , H01L51/107 , H01L51/448 , H01L51/5237 , H01L51/5259 , H01L51/56 , C08F2220/1883
摘要： 본출원은봉지필름, 이를포함하는유기전자장치및 상기유기전자장치의제조방법에관한것으로서, 외부로부터유기전자장치로유입되는수분또는산소를효과적으로차단할수 있는구조의형성이가능하고, 고온고습조건에서의내열유지력이우수한봉지필름을제공한다.
摘要翻译：本发明涉及一种封装膜，包括该膜的有机电子器件以及该有机电子器件的制造方法。更具体地，提供了一种形成能够有效地阻挡从外部引入有机电子器件中的水分或氧气的结构的封装膜。此外，在高温高湿的条件下，封装膜显示优异的耐热性保持力。

4. 发明公开

KR1020160096047A 점착제 조성물 审中-实审
标题翻译：压敏粘合剂组合物
公开(公告)号：KR1020160096047A
公开(公告)日：2016-08-12
申请号：KR1020160014500
申请日：2016-02-04
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 유현지 , 김현석 , 문정옥 , 양세우
IPC分类号： C09J123/20 , C09J11/06 , C09J11/08 , B32B15/08 , B32B7/12
CPC分类号： H01L51/5253 , B32B7/12 , B32B15/08 , B32B15/085 , B32B15/20 , B32B27/36 , B32B37/12 , B32B37/1207 , B32B2307/302 , B32B2307/724 , B32B2457/206 , C08F255/10 , C09J4/06 , C09J7/381 , C09J123/22 , C09J133/08 , C09J151/04 , C09J2201/36 , C09J2201/606 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2423/00 , H01L23/28 , H01L23/3135 , H01L51/004 , H01L51/107 , H01L51/448 , H01L51/5237 , H01L51/5259 , H01L51/56 , C08F2220/1883
摘要： 본출원은점착제조성물, 이를포함하는봉지필름, 이를포함하는유기전자장치및 상기유기전자장치의제조방법에관한것으로서, 외부로부터유기전자장치로유입되는수분또는산소를효과적으로차단할수 있는구조의형성이가능하고, 패널제조공정중의공정성이우수하며동시에고온고습조건에서의내열유지력이우수한점착제조성물을제공한다.
摘要翻译：本发明涉及粘合剂组合物，包含该组合物的包封膜，包含该组合物的有机电子器件以及该有机电子器件的制造方法。更具体地，提供一种粘合剂组合物，其可以具有能够有效地防止氧气或水分从外部渗透到有机电子装置中的结构。此外，粘合剂组合物在面板制造过程中也显示出优异的加工性，并且在涉及高温和高湿度的条件下具有优异的耐热保持性。

5. 发明授权

KR101454200B1 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：有机薄膜晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR101454200B1
公开(公告)日：2014-10-28
申请号：KR1020080023970
申请日：2008-03-14
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 장선필 , 신중한 , 윤민호 , 신성식 , 노정훈
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L51/0545 , H01L51/107
摘要： 본 발명은 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 유기 박막 트랜지스터는 게이트 전극, 게이트 전극 상에 형성되는 절연막, 절연막 상에 형성되는 유기 반도체층, 유기 반도체층 상에 형성되며, 유기 반도체층을 노출시키는 전극 패턴부를 포함하는 보호막 및 전극 패턴부에 형성되며, 유기 반도체층에 접속되는 소스 및 드레인 전극을 포함한다.

6. 发明公开

KR1020140116024A 인캡슐레이션 방법 및 관련 장치 审中-实审
标题翻译：封装过程和相关设备
公开(公告)号：KR1020140116024A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：KR1020140033068
申请日：2014-03-21
申请人： 꼼미사리아 아 레네르지 아토미끄 에뜨 옥스 에너지스 앨터네이티브즈
发明人： 맹드롱토니 , 트록니콜라스
IPC分类号： H01L51/52
CPC分类号： H01L21/56 , H01L27/3276 , H01L27/3288 , H01L29/66742 , H01L29/786 , H01L31/0203 , H01L31/18 , H01L51/0001 , H01L51/107 , H01L51/448 , H01L51/5203 , H01L51/5237 , H01L51/5253 , H01L51/56 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： The present invention relates to a method for encapsulating an electrical part (2). The electrical part (2) is connected to an electrical contact point track composed of a metal layer (101). The method of the present invention includes the steps of: directly depositing a titanium nitride layer (102) on at least a portion of the electrical contact point track (101); and depositing an aluminum oxide layer (4) by atomic layer deposition so as to make an encapsulation layer (4) directly cover the titanium nitride layer (102). According to the method of the present invention, an electrical contact point is provided through the encapsulation layer (4). In addition, the present invention relates to an electrical device obtained by using the method of the present invention.
摘要翻译：本发明涉及一种封装电气部件（2）的方法。电气部分（2）连接到由金属层（101）组成的电接触点轨道。本发明的方法包括以下步骤：在电触点轨道（101）的至少一部分上直接沉积氮化钛层（102）。以及通过原子层沉积沉积氧化铝层（4），以使封装层（4）直接覆盖氮化钛层（102）。根据本发明的方法，通过封装层（4）提供电接触点。此外，本发明涉及使用本发明的方法获得的电子装置。

7. 发明公开

KR1020120131120A 유기 ＴＦＴ 어레이 기판 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：有机TFT阵列基板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020120131120A
公开(公告)日：2012-12-04
申请号：KR1020120055575
申请日：2012-05-24
申请人： 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드
发明人： 장쉬에후이
IPC分类号： H01L51/05 , H01L51/40
CPC分类号： H01L51/0541 , H01L27/283 , H01L51/0018 , H01L51/102 , H01L51/107
摘要： PURPOSE: An organic TFT array substrate and a manufacturing method thereof are provided to simplify a manufacturing process of the organic thin film transistor array substrate by forming a pixel electrode, a source electrode, a drain electrode, and a data line in the same patterning process. CONSTITUTION: A first patterning process is performed to form a first pixel electrode, a source electrode, a drain electrode, and a data line. A second patterning process is performed to form an organic semiconductor island and a gate insulation island. A third patterning process is performed to form a data pad region. A fourth patterning process is performed to form a second pixel electrode, a gate electrode, and a gate line. [Reference numerals] (AA) Successively depositing a transparent conductive layer and a source-drain metal layer and performing a first patterning process to form a first pixel electrode, a source electrode, a drain electrode, and a data line; (BB) Performing a second patterning process to form an organic semiconductor island and a gate insulation island; (CC) Depositing a passivation layer and performing a third patterning process to form a data pad region; (DD) Successively depositing a second transparent conductive layer and a gate metal layer and performing a fourth patterning process to form a second pixel electrode, a gate electrode, and a gate line
摘要翻译：目的：提供一种有机TFT阵列基板及其制造方法，以通过在相同的图案化工艺中形成像素电极，源电极，漏电极和数据线来简化有机薄膜晶体管阵列基板的制造工艺。构成：执行第一图案化处理以形成第一像素电极，源电极，漏电极和数据线。执行第二图案化处理以形成有机半导体岛和栅绝缘岛。执行第三图案化处理以形成数据区域。执行第四图案化处理以形成第二像素电极，栅极电极和栅极线。（附图标记）（AA）连续地沉积透明导电层和源极 - 漏极金属层，并执行第一图案化工艺以形成第一像素电极，源电极，漏电极和数据线; （BB）执行第二图案化工艺以形成有机半导体岛和栅绝缘岛; （CC）沉积钝化层并执行第三图案化工艺以形成数据焊盘区域; （DD）连续沉积第二透明导电层和栅极金属层，并执行第四图案化工艺以形成第二像素电极，栅电极和栅极线

8. 发明公开

KR1020120022920A 유기 ＥＬ 표시장치 및 그 제조방법 无效
标题翻译：有机EL显示装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020120022920A
公开(公告)日：2012-03-12
申请号：KR1020117026865
申请日：2010-03-26
申请人： 샤프 가부시키가이샤
发明人： 히라세다께시 , 고바야시유끼
IPC分类号： H01L51/50 , H05B33/04 , H05B33/10
CPC分类号： H01L51/5246 , H01L51/5253 , H01L2251/558 , H05B33/04 , H01L51/107
摘要： 유기 EL 표시장치(1)는, 소자기판(30)과, 소자기판(30)에 대향하여 배치된 봉지기판(20)과, 소자기판(30) 상에 배치됨과 동시에, 소자기판(30)과 봉지기판(20) 사이에 배치된 유기 EL 소자(4)와, 소자기판(30)과 봉지기판(20) 사이에 배치되고, 유기 EL 소자(4)를 봉지하도록 소자기판(30)과 봉기기판(20)을 맞붙이는 밀봉재(5)와, 봉지기판(20) 상에 형성됨과 동시에, 소자기판(30)과 봉지기판(20) 사이에 배치되고, 유기 EL 소자(4)의 표면을 피복하는 봉지수지(14)를 구비한다. 그리고, 유기 EL 표시장치(1)의 면방향(X)에 있어서, 밀봉재(5)와 봉지수지(14)가 이격되어 배치된다.

9. 发明公开

KR1020110112327A 전계 효과 트랜지스터, 그 제조 방법 및 바이오센서 失效
标题翻译：场效应晶体管，其制造方法和生物传感器
公开(公告)号：KR1020110112327A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：KR1020117015931
申请日：2009-12-25
申请人： 미쓰미덴기가부시기가이샤 , 아크레이 가부시키가이샤
发明人： 수바교,아구스 , 나카무라,모토노리 , 야마바야시,토모아키 , 타카하시,오사무 , 키쿠치,히로아키 , 콘도,카츠노리
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： G01N27/4146 , B82Y10/00 , H01L29/0665 , H01L51/0048 , H01L51/0516 , H01L51/0545 , H01L51/0558 , H01L51/107 , H01L29/772
摘要： 본 발명은 뛰어난 전기 전도 특성을 안정적으로 나타내는 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터, 그 제조 방법, 및 상기 전계 효과 트랜지스터를 가지는 바이오센서에 관한 것이다. 먼저, LOCOS법에 의해 실리콘 기판의 컨택 영역에 산화 실리콘막을 형성한다. 이어서, 실리콘 기판의 채널 영역에 컨택 영역의 산화 실리콘막보다 얇은 절연막을 형성한다. 이어서, 실리콘 기판상에 채널이 되는 탄소 나노튜브를 배치한 후, 탄소 나노튜브를 보호막으로 피복한다. 마지막으로, 소스 전극 및 드레인 전극을 각각 형성하여 소스 전극 및 드레인 전극을 각각 탄소 나노튜브에 전기적으로 접속시킨다. 이와 같이 하여 제조된 전계 효과 트랜지스터는 채널이 되는 탄소 나노튜브가 오염되어 있지 않으므로, 뛰어난 전기 전도 특성을 안정적으로 나타낸다.

10. 发明公开

KR1020110007096A 반도체 장치 및 표시 장치 无效
标题翻译：半导体器件和显示器
公开(公告)号：KR1020110007096A
公开(公告)日：2011-01-21
申请号：KR1020107019743
申请日：2009-01-08
申请人： 소니 주식회사
发明人： 요네야노부히데
IPC分类号： H01L51/05 , H01L29/786
CPC分类号： H01L51/10 , H01L51/0545 , H01L51/107 , H01L51/0541
摘要： 유기 반도체층을 보호막으로 충분히 보호하면서도, 보호막 계면에서의 벗겨짐을 방지하는 것이 가능하고, 이에 의해 특성이 양호하고, 또한 기계적 신뢰성의 향상에 의한 수율의 향상이 도모된 반도체 장치를 제공한다. 기판(3)상에 패턴 형성된 유기 반도체층(13)과, 유기 반도체층(13)의 측벽을 포함하는 노출면을 덮는 상태로 기판(3)상에 패턴 형성된 보호막(15)을 구비한 반도체 장치(1a)이다. 기판(3)상에는, 개구(11a)를 구비한 절연성의 격벽(11)이 마련되고, 유기 반도체층(13)은, 격벽(11)에 의해 분리된 상태로 격벽(11)의 개구(11a) 하부에 패턴 형성되어 있다. 또한 보호막(15)은, 격벽(11)의 개구(11a) 내부를 매입한 상태로 마련된다.

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