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61. 发明公开

KR1020150070402A 청색 LED 위에 투명 입자들을 함유한 인광체 층 有权
标题翻译：含蓝色透明颗粒的磷光体层
公开(公告)号：KR1020150070402A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：KR1020157013479
申请日：2013-09-17
申请人： 엔티에이치 디그리 테크놀로지스 월드와이드 인코포레이티드
发明人： 레이,윌리엄제이. , 레트케,레우벤 , 로웬탈,마크디. , 레이,알렌산더
IPC分类号： H01L33/50 , F21K99/00 , C09K11/02
CPC分类号： F21K9/64 , C09K11/025 , C09K11/08 , H01L33/501 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L33/508 , H01L33/54 , H01L33/58 , H01L2933/0083 , H01L2933/0091 , Y02B20/181
摘要： LED 다이들이잉크에부유현탁되고, 1차광 예컨대청색광을방출하는발광표면을갖는발광층을형성하도록제1 지지기판상에인쇄된다. 투명결합제, 인광체분말, 및투명한유리비드들의혼합물이잉크로서형성되고발광표면위에인쇄된다. 혼합물은경화될때 파장변환층을형성한다. 비드들은바람직하게는비드들의상부들이변환층을통해완전히돌출하도록크기가정해진다. 1차광의일부는사실상감쇠또는후방산란이없이비드들을통과하고, 1차광의일부는인광체에의해 2차광으로변환된다. 2차광과비드들을통과하는 1차광의조합은백색광을형성할수 있다. 전체적인컬러는비드들의중량백분율을제어함으로써고도로제어가능하다.

62. 发明公开

KR1020150058603A 발광다이오드 제조방법 및 이를 통해 제조된 발광다이오드 无效
标题翻译：用于制造发光装置的方法和由其制造的发光装置
公开(公告)号：KR1020150058603A
公开(公告)日：2015-05-29
申请号：KR1020130139954
申请日：2013-11-18
申请人： 한국광기술원
发明人： 정탁 , 박형조 , 김자연 , 오화섭 , 주진우 , 이승재 , 정태훈 , 김윤석 , 이상헌 , 백종협 , 정성훈
IPC分类号： H01L33/22
CPC分类号： H01L33/22 , H01L2933/0083
摘要： 본발명은발광다이오드제조방법및 이를통해제조된발광다이오드에관한것으로서, 사파이어기판상에제2형반도체층, 활성층, 제1형반도체층을순차적으로형성시키는단계, 상기제1형반도체층상에제1형전극을형성하고, 상기제1형전극상에지지기판을형성하는단계, 상기사파이어기판을제거하고, 상기노출된제2형반도체층상에제1 요철구조를형성하는단계및 상기제1 요철구조상에제2 요철구조를형성하고, 상기제2 요철구조상에제2형전극을형성하는단계를포함하는제조방법을제공함으로써, 반도체층의상부면에규칙적인요철부와불규칙한요철부를통해전위(dislocation) 감소로인한내부양자효율의증가및 광추출효율이개선된다는효과가얻어진다. 또한, 간단한공정으로표면에요철부를생성하여양산성이우수한다이오드제조방법및 상기제조방법을채택하여간단한공정으로양산성이우수한발광다이오드를제공한다는효과가얻어진다.
摘要翻译：本发明涉及通过该方法制造的发光二极管和发光二极管的制造方法。该方法包括在蓝宝石衬底上依次形成第二类型半导体层，激活层和第一类型半导体层的步骤; 在所述第一型半导体层上形成第一型电极，在所述第一型电极上形成支撑基板的工序; 去除蓝宝石衬底并在暴露的第二类型半导体层上形成第一不均匀结构的步骤; 以及在所述第一凹凸结构上形成第二凹凸结构的步骤，以及在所述第二凹凸结构上形成第二类型电极。因此，通过规则的不均匀部分和半导体层的上表面上的不规则的凹凸部分降低位错，提高了光提取的效率，并提高了内量子效率。此外，提供了一种以简单的工艺在表面上产生不均匀部分的生产率优异的制造方法，以及通过选择制造方法具有优异的生产率的发光二极管。

63. 发明公开

KR1020150037215A 넓은 지향각을 갖는 발광 소자 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：具有宽光束角度的发光装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150037215A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：KR1020130116630
申请日：2013-09-30
申请人： 서울바이오시스 주식회사
发明人： 장종민 , 이준섭 , 서대웅 , 노원영 , 강민우 , 채종현 , 김현아 , 배선민
IPC分类号： H01L33/44 , H01L33/20
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/0095 , H01L33/14 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2933/0083
摘要： 넓은지향각을갖는발광소자및 그제조방법이제공된다. 상기발광소자는, 발광구조체, 상기발광구조체상에위치하는투명기판, 및상기발광구조체및 상기투명기판의측면을덮는반사방지층을포함하며, 상기투명기판의상면의적어도일부는노출된다. 이에따라, 발광각도에관계없이균일한광량을방출하며지향각이넓은발광소자가제공된다.
摘要翻译：提供一种具有宽光束角的发光器件及其制造方法。发光装置包括：发光结构，位于发光结构上的透明基板，以及覆盖发光结构和透明基板一侧的防反射层。透明基板的上侧的至少一部分露出。因此，无论发光角度如何，发射均匀的光。发光装置的光束角度很宽。

64. 发明公开

KR1020150012538A 발광 소자 제조 방법 审中-实审
标题翻译：制造发光装置的方法
公开(公告)号：KR1020150012538A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：KR1020130088170
申请日：2013-07-25
申请人： 서울바이오시스 주식회사
发明人： 김창연 , 최주원
IPC分类号： H01L33/12 , H01L33/20 , H01L33/22
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/0095 , H01L2933/0083
摘要： Disclosed is a method of manufacturing a light emitting device. According to the manufacturing method, the present invention includes forming a sacrificial layer on a growth substrate; forming a mask pattern on the sacrificial layer; forming a micro cavity in the sacrificial layer by partly removing the sacrificial layer; forming light emitting structures which cover at least part of the mask pattern on the sacrificial layer and are separated from each other and forming a cavity in the sacrificial layer; bonding a sub mount on the light emitting substructure; and separating the growth substrate from the light emitting structures by using a chemical lift off or a stress lift off. The growth substrate is integrally separated from the light emitting structures. Therefore, provided is a method of manufacturing a light emitting device with improved process characteristic and productivity.
摘要翻译：公开了一种制造发光器件的方法。根据该制造方法，本发明包括在生长基板上形成牺牲层; 在牺牲层上形成掩模图案; 通过部分去除牺牲层在牺牲层中形成微腔; 形成发光结构，其覆盖所述牺牲层上的所述掩模图案的至少一部分并且彼此分离并在所述牺牲层中形成空腔; 将发光子结构上的子座接合; 以及通过使用化学剥离或应力剥离将生长衬底与发光结构分离。生长衬底与发光结构整体分离。因此，提供了一种制造具有改进的工艺特性和生产率的发光器件的方法。

65. 发明授权

KR101451547B1 기능 전사체, 기능층의 전사 방법, 곤포물 및 기능 전사 필름 롤 有权
标题翻译：功能转移体，转移功能层的方法，包装制品和功能转印膜卷
公开(公告)号：KR101451547B1
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：KR1020137033830
申请日：2013-06-10
申请人： 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤
发明人： 고이케준 , 야마구치후지토
IPC分类号： B29C59/02 , B29C33/42
CPC分类号： B32B3/30 , B32B27/08 , B32B27/16 , B32B27/38 , B32B27/42 , B32B37/025 , B32B37/18 , B32B38/10 , B32B2307/536 , B32B2307/538 , B32B2457/00 , B32B2457/18 , B32B2457/206 , B32B2551/00 , G03F7/0002 , H01L2933/0083 , Y10T428/1352 , Y10T428/24355
摘要： 기능 전사체(14)는, 나노구조의 요철 구조(11)를 갖는 캐리어(10)와, 요철 구조(11) 상에 형성된 기능층(12)을 구비한다. 요철 구조(11)의 표면에 기능층(12)을 미리 형성하고, 기능층(12)을 피처리체(20)의 일 주면 상에 직접 접촉시키고, 그 후 캐리어(10)를 기능층(12)으로부터 제거하고 피처리체(20)에 기능층(12)을 전사한다. 요철 구조(11)의 평균 피치는 1 nm 이상 1500 nm 이하이고, 기능층(12)은 수지를 포함하며, 또한, 기능층(12)의 노출되는 면측의 표면 거칠기(Ra)와, 요철 구조(11)의 볼록부 정상부 위치와 상기 기능층의 노출되는 표면의 거리(lor)와의 비율(Ra/lor)이 1.2 이하이다. 또한 기능층(12)은 오목부(11a)의 내부에 배치되고, 그 노출면이 온도 20℃에서 또한 차광하에서 비액체 상태이다. 피처리체(20) 상에 고정밀도로 기능을 부여하는 것이 가능하다.

66. 发明公开

KR1020140021035A 기능 전사체, 기능층의 전사 방법, 곤포물 및 기능 전사 필름 롤 有权
标题翻译：功能转印体，功能层转印方法，包装材料和功能转印膜卷
公开(公告)号：KR1020140021035A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：KR1020137033830
申请日：2013-06-10
申请人： 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤
发明人： 고이케준 , 야마구치후지토
IPC分类号： B29C59/02 , B29C33/42
CPC分类号： B32B3/30 , B32B27/08 , B32B27/16 , B32B27/38 , B32B27/42 , B32B37/025 , B32B37/18 , B32B38/10 , B32B2307/536 , B32B2307/538 , B32B2457/00 , B32B2457/18 , B32B2457/206 , B32B2551/00 , G03F7/0002 , H01L2933/0083 , Y10T428/1352 , Y10T428/24355
摘要： 기능 전사체(14)는, 나노구조의 요철 구조(11)를 갖는 캐리어(10)와, 요철 구조(11) 상에 형성된 기능층(12)을 구비한다. 요철 구조(11)의 표면에 기능층(12)을 미리 형성하고, 기능층(12)을 피처리체(20)의 일 주면 상에 직접 접촉시키고, 그 후 캐리어(10)를 기능층(12)으로부터 제거하고 피처리체(20)에 기능층(12)을 전사한다. 요철 구조(11)의 평균 피치는 1 nm 이상 1500 nm 이하이고, 기능층(12)은 수지를 포함하며, 또한, 기능층(12)의 노출되는 면측의 표면 거칠기(Ra)와, 요철 구조(11)의 볼록부 정상부 위치와 상기 기능층의 노출되는 표면의 거리(lor)와의 비율(Ra/lor)이 1.2 이하이다. 또한 기능층(12)은 오목부(11a)의 내부에 배치되고, 그 노출면이 온도 20℃에서 또한 차광하에서 비액체 상태이다. 피처리체(20) 상에 고정밀도로 기능을 부여하는 것이 가능하다.
摘要翻译：功能传递构件14包括具有纳米结构的凸凹结构11的载体10和形成在凸凹结构11上的功能层12。预先的凹凸结构11的表面上形成功能层12，并在工件20的一个表面上的功能层12直接接触，然后将功能层12，载体10 并且功能层12被转移到待处理的物体20。和一个凹凸结构，并且平均间距小于1500纳米1nm以上的11，功能层（12）包括树脂，也即是在12露出的表面侧的功能层表面粗糙度（Ra），不平坦结构（功能层（11）的凸部相对于功能层表面的表面（1or）的露出面（Ra）为1.2以下。此外，功能层12设置在凹部11a的内部，并且其暴露表面在20摄氏度的温度下和在遮光下处于非液体状态。可以将高精度功能赋予待处理的物体20。

67. 发明授权

KR101354516B1 장치의 제조 방법 有权
标题翻译：制造元件的方法
公开(公告)号：KR101354516B1
公开(公告)日：2014-01-23
申请号：KR1020137029628
申请日：2013-02-18
申请人： 가부시키가이샤 알박 , 마루분 가부시키가이샤 , 도시바 기카이 가부시키가이샤
发明人： 카미무라,류이치로 , 오사다,야마토 , 카시마,유키오 , 니시하라,히로미 , 타시로,타카하루 , 오오카와,타카후미
IPC分类号： H01L33/22
CPC分类号： H01L33/22 , G03F7/0002 , H01L21/32139 , H01L33/007 , H01L33/10 , H01L33/20 , H01L2933/0083
摘要： 요철 구조를 갖는 장치를 형성하는 방법은, 미세 요철 구조(AS)가 형성되는 n-형 반도체층(13) 상에 유기 레지스트막을 형성하는 단계; 상기 유기 레지스트막 상에 실리콘을 함유하는 레지스트막을 형성하는 단계; 상기 실리콘을 함유하는 레지스트막을 나노임프린트에 의해 패터닝하는 단계; 실리콘 산화물막(30c)을 형성하도록 상기 실리콘을 함유하는 레지스트막을 산소를 함유하는 플라즈마로 산화시키는 단계; 상기 실리콘 산화물막(30c)을 식각 마스크로 이용하여 상기 유기 레지스트막(20)을 건식 식각하는 단계; 상기 실리콘 산화물막(30c) 및 상기 유기 레지스트막(20a)을 식각 마스크들로 이용하여 상기 n-형 반도체층(13)을 건식 식각하는 단계; 및 상기 실리콘 산화물막(30c) 및 상기 유기 레지스트막(20a)을 제거하는 단계를 포함한다.

68. 发明公开

KR1020140001353A 발광소자 审中-实审
标题翻译：发光装置
公开(公告)号：KR1020140001353A
公开(公告)日：2014-01-07
申请号：KR1020120068602
申请日：2012-06-26
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 이선호
IPC分类号： H01L33/22
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/145 , H01L33/32 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L2933/0083
摘要： A light emitting device according to an embodiment of the present invention includes: a first conductive semiconductor layer formed an uneven pattern on a surface that is exposed to the outside; a second conductive semiconductor layer; and an activating layer between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer, wherein the first conductive semiconductor layer has a pattern forming layer containing an AI and the uneven pattern is formed at least a portion of the first conductive semiconductor layer by etching selectively.
摘要翻译：根据本发明实施例的发光器件包括：在暴露于外部的表面上形成不均匀图案的第一导电半导体层; 第二导电半导体层; 以及在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间的激活层，其中所述第一导电半导体层具有包含Al的图案形成层，并且所述凹凸图案通过选择性蚀刻形成在所述第一导电半导体层的至少一部分。

69. 发明公开

KR1020130071087A 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법 审中-实审
标题翻译：氮化物半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020130071087A
公开(公告)日：2013-06-28
申请号：KR1020110138409
申请日：2011-12-20
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 최병균
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/22
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/12 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L2933/0016 , H01L2933/0083
摘要： PURPOSE: Nitride semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof are provided to improve optical extraction efficiency by forming a plurality of scattering patterns using a laser within a substrate growing active layer and semiconductor layers. CONSTITUTION: An active layer(114) is formed on a first conductive semiconductor layer(113). A second conductive semiconductor layer(115) is formed on the active layer. A transparent metallic layer(116) is formed on the second conductive semiconductor layer. First electrodes are formed on the transparent metallic layer. Second electrodes are formed on the first conductive semiconductor layer in which the active layer is removed.
摘要翻译：目的：提供氮化物半导体发光器件及其制造方法，以通过在衬底生长有源层和半导体层内形成使用激光的多个散射图案来提高光学提取效率。构成：在第一导电半导体层（113）上形成有源层（114）。在有源层上形成第二导电半导体层（115）。在第二导电半导体层上形成透明金属层（116）。第一电极形成在透明金属层上。第二电极形成在去除有源层的第一导电半导体层上。

70. 发明公开

KR1020130055015A 미세 패턴 형성용 적층체 및 미세 패턴 형성용 적층체의 제조 방법 有权
标题翻译：用于精细图案形成的层压板和用于制造精细图案形成的层压板的方法
公开(公告)号：KR1020130055015A
公开(公告)日：2013-05-27
申请号：KR1020137009345
申请日：2012-06-18
申请人： 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤
发明人： 고이케쥰 , 야마구치후지토 , 마에다마사토시 , 아리히사신지
IPC分类号： H01L21/027 , B29C33/42 , B29C33/38 , B29C33/56
CPC分类号： H01L33/58 , B29C33/3842 , B29C33/40 , B29C33/424 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , H01L21/469 , H01L33/005 , H01L33/20 , H01L2924/0002 , H01L2933/0083 , H01L21/0273 , B29C33/565 , H01L2924/00
摘要： 고애스펙트비의 미세 패턴을 피처리체에 형성하기 위해, 잔막이 얇은 또는 잔막이 없는 미세 패턴을 용이하게 형성할 수 있는 미세 패턴 형성용 적층체 및 미세 패턴 형성용 적층체의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 미세 패턴 형성용 적층체(1)는, 피처리체(200)에 제1 마스크층(103)을 개재하여 미세 패턴(220)을 형성하기 위해 이용되는 미세 패턴 형성용 적층체(1)로서, 표면에 요철 구조(101a)를 갖는 몰드(101)와, 요철 구조(101a) 상에 마련된 제2 마스크층(102)을 구비하고, 제2 마스크층(102)은, 거리(lcc) 및 요철 구조(101a)의 높이(h)가 하기 식 (1)을 만족시키며, 또한 거리(lcv)와 높이(h)가 하기 식 (2)를 만족시키는 것을 특징으로 한다.
식 (1)
0 식 (2)
0≤lcv≤0.05h
摘要翻译：为了提供高，即精细图案没有膜玻璃膜是薄的，或玻璃可以容易地形成的精细图案形成材料及其制造精细图案形成的层叠体，以形成所述物体的纵横比的精细图案的方法层压到被处理的目的。本发明的微细图案形成用层叠体1是用于通过被处理体200上的第一掩模层103形成微细图案220的微细图案形成用层叠体1，并且设置在凹凸结构101a上的第二掩模层102和第二掩模层102具有距离lcc和第二掩模层102.模具101在其表面上具有凹凸结构101a，凹凸结构101a的高度h满足下式（1），距离lcv和高度h满足下式（2）。

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