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61. 发明公开

KR1020170127940A 반도체 장치 审中-实审
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020170127940A
公开(公告)日：2017-11-22
申请号：KR1020160058856
申请日：2016-05-13
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김재일
IPC分类号： G11C11/406 , G11C11/408 , G11C29/24 , G11C29/00 , G11C29/12 , G11C29/18
CPC分类号： G11C29/76 , G11C11/406 , G11C11/40615 , G11C11/4076 , G11C11/4085 , G11C11/4091 , G11C29/783
摘要： 본발명은반도체장치에관한것으로, 리프레쉬동작시오동작을방지할수 있도록하는기술이다. 이러한본 발명은리프레쉬신호를카운팅하여복수의리프레쉬어드레스를출력하는리프레쉬카운터, 리프레쉬동작시복수의리프레쉬어드레스중 어느하나의특정리프레쉬어드레스의로직레벨에따른체크신호를생성하고, 리던던시체크펄스신호에대응하여체크신호를출력하는체크신호생성부, 체크신호와리던던시체크펄스신호및 복수의리프레쉬어드레스에대응하여리던던시셀의사용유무에대한정보를저장하고, 리던던시셀의사용유무에따라워드라인제어신호를출력하는리던던시체크부및 워드라인제어신호에대응하여셀 어레이의워드라인과리던던시워드라인을선택적으로인에이블시키기위한로오어드레스를제어하는리프레쉬제어부를포함한다.
摘要翻译：半导体装置和用于防止刷新操作期间的故障的技术技术领域本发明涉及半导体装置和用于防止刷新操作期间的故障的技术。本发明对应于任何检查信号的生成按照特定的刷新地址的逻辑电平，刷新计数器在多个刷新地址的冗余校验脉冲信号，用于通过计数刷新信号输出多个刷新地址的刷新操作取决于存在或不存在的冗余单元存储信息的字线控制信号，以及用于使用所述冗余单元响应于所述检测信号产生器，用于输出检查信号和检查信号和一个冗余校验脉冲信号和所述多个刷新地址的存在或不存在它对应于输出部分和所述冗余校验字线控制信号，并包括用于控制寻址五个用于选择性地启用所述字线与所述单元阵列的冗余字线的刷新控制器。

62. 发明公开

KR1020170118484A 리프레쉬 제어 장치 审中-实审
标题翻译：刷新控制装置
公开(公告)号：KR1020170118484A
公开(公告)日：2017-10-25
申请号：KR1020160046342
申请日：2016-04-15
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 강민수 , 박소민
IPC分类号： G11C11/406 , G11C11/4063 , G11C11/4096 , G11C11/4076
CPC分类号： G11C11/406 , G11C7/02 , G11C11/40615 , G11C29/783
摘要： 본발명은리프레쉬제어장치에관한것으로, 리프레쉬전류를줄일수 있도록하는기술이다. 이러한본 발명은셀 특성정보에대응하는퓨즈데이터를저장하는퓨즈어레이, 부트업 동작시퓨즈어레이로부터인가되는퓨즈데이터를각각의단위셀에저장하고, 리프레쉬어드레스에대응하여단위셀에저장된위크셀 정보를적어도두 개이상의데이터로출력하는리프레쉬제어부, 리프레쉬제어부로부터인가되는적어도두 개이상의데이터를비교하여비교신호를출력하는비교기, 비교신호와리프레쉬제어신호를조합하여카운팅신호를출력하는조합부, 및카운팅신호를카운팅하여리프레쉬동작을제어하기위한리프레쉬어드레스를리프레쉬제어부에출력하는리프레쉬카운터를포함한다.
摘要翻译：刷新控制装置技术领域本发明涉及刷新控制装置，是用于降低刷新电流的技术。通过存储来自所述熔丝阵列提供的熔丝数据，在启动操作熔丝阵列以存储对应于所述小区属性信息到每个单元电池的熔丝数据，对应于刷新地址，本发明吸液芯的小区信息被存储在单元电池一个组合单元，用于在至少两个将数据输出到比较器，所述比较信号和所述刷新控制信号，并输出一个比较信号，以刷新控制器的组合，比较至少两个或来自刷新控制器，其输出的计数信号提供更多的数据，并以及刷新计数器，对计数信号进行计数并将用于控制刷新操作的刷新地址输出到刷新控制部分。

63. 发明授权

KR101789399B1 메모리의 타겟 복원을 위한 장치들 및 방법들 有权
公开(公告)号：KR101789399B1
公开(公告)日：2017-10-23
申请号：KR1020157023825
申请日：2014-01-17
申请人： 마이크론 테크놀로지, 인크.
发明人： 존스,윌리엄에프. , 라이트,제프리피.
IPC分类号： G11C8/10 , G11C11/4063 , G11C11/406 , G11C11/408 , G11C17/16 , G11C17/18 , G11C29/00 , G11C8/04 , G11C8/06
CPC分类号： G11C8/10 , G11C11/406 , G11C11/40611 , G11C11/40622 , G11C11/4087 , G11C17/16 , G11C17/18 , G11C29/783 , G11C2211/4068
摘要： 타겟로우복원들을위한장치들및 방법들이본 출원에개시된다. 예시적인장치에서, 프리디코더는타겟로우어드레스를수신하고타겟로우어드레스와연관된메모리의타겟로우가메모리의주요로우인지또는리던던트로우인지를결정한다. 프리디코더는주요로우가타겟로우이면메모리의주요로우에물리적으로인접한메모리의하나이상의로우들이복원되게하거나메모리의리던던트로우가메모리의타겟로우이면메모리의리던던트로우에물리적으로인접한메모리의하나이상의로우들이복원되게하도록더 구성된다.

64. 发明公开

KR1020170109163A 메모리 장치 审中-实审
标题翻译：存储设备
公开(公告)号：KR1020170109163A
公开(公告)日：2017-09-28
申请号：KR1020160032759
申请日：2016-03-18
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 현상아 , 황정태
IPC分类号： G11C11/406 , G11C11/408 , G11C8/12
CPC分类号： G11C11/40618 , G11C8/18 , G11C11/406 , G11C11/40626 , G11C11/4074 , G11C11/4076 , G11C11/4087 , G11C29/02 , G11C29/783 , G11C2211/4061
摘要： 메모리장치는다수의메모리뱅크; 어드밴스드모드와파일드모드를설정하는설정회로; 및상기어드밴스드모드의비설정시리프레시커맨드가인가되면상기다수의메모리뱅크가상기파일드모드에따라결정되는그룹으로나뉘어서로다른타이밍에 1회리프레시되도록제어하고, 상기어드밴스드모드의설정시상기리프레시커맨드가인가되면상기다수의메모리뱅크가상기파일드모드및 추가설정정보에따라결정되는그룹으로나뉘어서로다른타이밍에상기추가설정정보에따라결정되는리프레시횟수 - 상기리프레시횟수는 2회이상임 - 만큼리프레시되도록제어하는리프레시제어부를포함할수 있다.
摘要翻译：存储装置包括多个存储体; 一个用于设置高级模式和文件模式的设置电路; 和先进的模式时，多个存储体被控制施加刷新命令时未设置，使得一旦在由该组不同的定时到多臂机的刷新根据文件DE模式，和先进的模式的设置，刷新命令确定 2倍或更多存在的时gainga所述多个存储器组的在文件模式和脱多臂基于附加信息设定的次数的刷新根据额外的配置信息提供给其他所确定的组定时刷新由所述刷新频率以及用于控制刷新操作的刷新控制单元。

65. 发明公开

KR1020170054182A 반도체 장치 审中-实审
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020170054182A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：KR1020150157004
申请日：2015-11-09
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 박민수
IPC分类号： G11C29/42 , G11C8/06 , G11C8/12 , G06F11/10
CPC分类号： G06F11/1044 , G11C11/406 , G11C11/4082 , G11C11/4085 , G11C29/1201 , G11C29/12015 , G11C29/20 , G11C29/44 , G11C29/50016 , G11C29/52 , G11C29/76 , G11C29/783 , G11C29/789 , G11C2029/0409 , G11C2029/0411 , G11C2211/4062 , H03M13/6566
摘要： 본발명은반도체장치에관한것으로, 에러정정코드(Error Correction Code) 회로를포함하는반도체장치에관한기술이다. 이러한본 발명은데이터가저장되는메모리영역과, 패리티데이터가저장되는에러정정코드영역을포함하는뱅크, 데이터와패리티데이터에대응하여패일셀의에러를정정하고, 패일데이터발생시활성화되는플래그신호와뱅크에서액티브되는어드레스를출력하는에러정정코드연산부, 에러정정코드연산부로부터인가되는어드레스를저장하고, 플래그신호에대응하여패일어드레스를출력하는어드레스래치부및 플래그신호와패일어드레스에대응하여패일데이터를구제하기위한동작을수행하는패일방지회로를포함한다.
摘要翻译：本发明涉及一种半导体器件，并且涉及一种包括纠错码电路的半导体器件。本发明校正与包括用于存储数据的存储区域，用于存储奇偶校验数据的错误校正码区域以及数据和奇偶校验数据的存储体对应的单元的错误，并且输出标志信号，地址锁存部分，用于存储从错误校正码运算部分提供的地址，并输出对应于标志信号的格子服装;以及地址锁存部分，用于锁存标志数据以及用于执行减轻碰撞的操作的防碰撞电路。

66. 发明公开

KR1020170036884A 리페어 회로, 이를 이용한 반도체 장치 및 반도체 시스템 审中-实审
标题翻译：修复电路，半导体装置及使用其的半导体系统
公开(公告)号：KR1020170036884A
公开(公告)日：2017-04-03
申请号：KR1020150132597
申请日：2015-09-18
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 백영현
IPC分类号： G11C29/44 , G11C29/02
CPC分类号： G11C29/44 , G11C29/78 , G11C29/783 , G11C29/789 , G11C29/812
摘要： 본기술은복수의래치셋을포함하는래치어레이; 복수의퓨즈셋을포함하고, 상기복수의퓨즈셋 별로리페어어드레스데이터및 상기복수의래치셋 중에서상기리페어어드레스데이터가저장될래치셋의위치를정의하는래치어드레스데이터를기록하기위한퓨즈어레이; 카운팅신호에따라상기복수의퓨즈셋 중에서어느하나의퓨즈셋에기록된데이터가출력되도록하는제 1 디코더; 및상기복수의래치셋 중에서상기래치어드레스데이터에해당하는래치셋에상기리페어어드레스데이터가저장되도록하는제 2 디코더를포함할수 있다.
摘要翻译：该技术包括包含多个锁存器组的锁存器阵列; 多个熔丝套，并且修复地址数据，和熔丝阵列用于写入限定锁闩的位置的锁存的地址数据被设定的数据存储在多个锁存由所述多个三个熔丝的设置的所述修复地址; 第一解码器，用于根据计数信号输出记录在多个熔丝组之一中的数据; 以及第二解码器，用于将修复地址数据存储在与多个锁存器组中的锁存器地址数据对应的锁存器组中。

67. 发明公开

KR1020160138690A 메모리 장치 审中-实审
标题翻译：内存设备
公开(公告)号：KR1020160138690A
公开(公告)日：2016-12-06
申请号：KR1020150072853
申请日：2015-05-26
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 정철문
IPC分类号： G11C11/406 , G11C11/4063 , G11C11/403
CPC分类号： G11C11/40618 , G11C8/12 , G11C11/40611 , G11C11/408 , G11C11/4085 , G11C11/4087 , G11C29/76 , G11C29/783
摘要： 메모리장치는다수의워드라인을포함하는다수의뱅크; 타겟리프레시구간이외의구간에서대응하는뱅크의액티브된워드라인의어드레스의소정의비트를반전하여타겟어드레스로래치하고, 상기타겟리프레시구간의올-뱅크리프레시구간 - 상기올-뱅크리프레시구간은상기다수의뱅크모두가리프레시되는구간임 - 마다 1회씩연산어드레스를상기타겟어드레스로래치하는다수의래치부; 및상기타겟어드레스에연산값을가산하거나감산하여상기연산어드레스를생성하는어드레스연산부를포함하고, 상기타겟리프레시구간에서타겟어드레스를이용하여선택되는워드라인을리프레시할수 있다.
摘要翻译：存储器件包括适于包括多个字线的多个存储体，多个锁存单元，每个锁存单元适于通过反转相应存储体的激活字线的地址的预定位来产生第一地址，并将第一在目标刷新部分以外的部分中将目标地址作为目标地址，并将操作地址作为目标地址一次锁存在目标刷新部分的全部存储体刷新部分中，其中所有多个存储体全部刷新，银行刷新部分。所有多个存储体在全部存储体刷新部分中刷新，以及地址操作单元，适用于通过向或从目标地址增加或减去操作值来产生操作地址。可以在目标刷新部分中刷新使用目标地址选择的多个字线中的字线。

68. 发明公开

KR1020160107979A 메모리 장치 审中-实审
标题翻译：内存设备
公开(公告)号：KR1020160107979A
公开(公告)日：2016-09-19
申请号：KR1020150031658
申请日：2015-03-06
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 권기창
IPC分类号： G11C29/24 , G11C29/44 , G11C8/08 , G11C8/14 , G11C29/02 , G11C8/06 , G11C29/18 , G11C29/12
CPC分类号： G11C29/808 , G11C29/783 , G11C29/24 , G11C8/06 , G11C8/08 , G11C8/14 , G11C29/027 , G11C29/44 , G11C2029/1202
摘要： 메모리장치는다수의워드라인및 제1 내지제K(K는자연수)리던던시워드라인을포함하는제1셀블록; 다수의워드라인및 제K+1 내지제N(N은 K보다큰 자연수)리던던시워드라인을포함하는제2셀블록; 및상기제1 내지제N리던던시워드라인이상기제1 또는제2셀블록의워드라인을대체하도록제어하되, 제1구간에서상기제1 및제2셀블록의워드라인을함께리프레시하고, 제2구간에서상기제1 내지제N리던던시워드라인을차례로리프레시하는제어부를포함할수 있다.
摘要翻译：存储器件包括：第一单元块，其包括多个字线和第一至第九冗余字线，其中K是自然数; 第二单元块，其包括多个字线和（K + 1）个第N个冗余字线，其中N是大于K的自然数; 以及控制单元，其控制第一至第N冗余字线以替换第一或第二单元块的字线，在第一部分中将第一和第二单元块的字线刷新，并将第一至第二单元块的第一至第 N ^个冗余字线在第二部分中按顺序排列。因此，存储装置可以提高冗余字线的利用效率。

69. 发明公开

KR1020160099967A 메모리 내부의 자체 에러 검출을 통한 선택적 리프레시를 이용한 메모리 제어 방법, 장치 및 시스템 有权
标题翻译：存储器和系统，以及使用通过内部错误检测的选择性刷新的存储器控制方法
公开(公告)号：KR1020160099967A
公开(公告)日：2016-08-23
申请号：KR1020150022349
申请日：2015-02-13
申请人： 포항공과대학교 산학협력단
发明人： 유승주 , 이태민
IPC分类号： G11C29/42 , G11C29/02 , G11C29/00 , G11C29/14 , G11C29/20
CPC分类号： G11C29/42 , G11C29/02 , G11C29/14 , G11C29/20 , G11C29/783 , G11C29/886
摘要： 본발명은메모리장치를개시하고있다. 상기장치는복수의메모리셀이복수의행(row)과복수의열(column)로구성된메모리셀 어레이, 메모리칩 내부에배치된, 에러검출회로및 상기복수의메모리셀을제어하는메모리컨트롤러를포함하되, 상기메모리컨트롤러는상기에러검출회로를통해실제에러가검출된경우에만, 에러정정동작을수행하도록제어한다.
摘要翻译：公开了一种存储装置。该方法包括存储单元阵列，其中存储单元以行和列布置，布置在存储芯片中的错误检测电路以及控制存储单元的存储器控制器。只有当错误检测电路检测到实际误差时，存储器控制器才控制纠错操作的性能。

70. 发明公开

KR1020150067787A 반도체 장치의 리프레쉬 제어 회로 및 리프레쉬 방법 审中-实审
标题翻译：半导体器件的刷新控制电路和使用其的刷新方法
公开(公告)号：KR1020150067787A
公开(公告)日：2015-06-19
申请号：KR1020130152122
申请日：2013-12-09
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 오상묵 , 윤태식
IPC分类号： G11C11/406 , G11C11/401
CPC分类号： G11C11/406 , G11C8/04 , G11C8/18 , G11C11/4072 , G11C11/4087 , G11C29/04 , G11C29/783 , G11C2029/4402 , G11C2211/4065
摘要： 본기술은리프레쉬어드레스와리페어정보를비교하여리던던트인에이블신호를활성화시키며, 리페어초기화신호의활성화에응답하여반도체장치를상기리페어정보의초기화상태와동일한동작상태로전환시키도록구성된리페어어드레스처리부; 리던던트카운트인에이블신호의활성화에응답하여리던던트어드레스에해당하는신호비트까지확장된상기리프레쉬어드레스를카운트하도록구성된리프레쉬카운터; 및리프레쉬명령에대하여정해진구간내에추가적인리프레쉬동작을수행하기위한추가리프레쉬모드가설정되면, 상기리페어초기화신호및 상기리던던트카운트인에이블신호를활성화시키도록구성된리프레쉬제어부를포함할수 있다.
摘要翻译：本技术可以包括：修复地址处理单元，被配置为将刷新地址与修复信息进行比较，以激活冗余使能信号，并且将半导体装置的状态转换为与修复信息的初始化状态相同的操作状态，以响应于激活修复初始化信号; 刷新计数器，被配置为响应于激活冗余计数使能信号，将扩展到对应于冗余地址的信号位的刷新地址进行计数; 以及刷新控制单元，被配置为如果在针对刷新命令定义的间隔内设置用于执行附加刷新操作的附加刷新模式，则激活修复初始化信号和冗余计数使能信号。

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