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61. 发明公开

KR1020090126813A 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조방법 有权
标题翻译：氧化物半导体薄膜晶体管的制造方法
公开(公告)号：KR1020090126813A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：KR1020080053128
申请日：2008-06-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정지심 , 박영수 , 이상윤 , 김창정 , 김태상 , 권장연 , 손경석
IPC分类号： G02F1/136 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/66969 , H01L29/66742 , H01L21/324
摘要： PURPOSE: A manufacturing method of an oxide semiconductor TFT(Thin Film Transistor) which an oxide semiconductor is used for a channel is provided to improve the characteristic of a device by using an oxide semiconductor as a channel material. CONSTITUTION: A gate insulation film(110) is formed on a substrate in order to cover the gate after the gate is formed on the substrate. A channel layer(116) consisting of the transparent oxide semiconductor is formed on the gate insulating layer. Source and drain electrodes are respectively formed on both sides of the channel layer. A protective film(120) is formed in order to cover source, drain electrode, and the channel layer. The substrate in which the protective film is formed is heat-treated at a temperature of 100 degrees.
摘要翻译：目的：提供氧化物半导体用于沟道的氧化物半导体TFT（薄膜晶体管）的制造方法，以通过使用氧化物半导体作为沟道材料来提高器件的特性。构成：在衬底上形成栅极之后，在衬底上形成栅极绝缘膜（110）以覆盖栅极。由栅极绝缘层形成由透明氧化物半导体构成的沟道层（116）。源极和漏极分别形成在沟道层的两侧。为了覆盖源极，漏电极和沟道层，形成保护膜（120）。形成有保护膜的基板在100度的温度下进行热处理。

62. 发明公开

KR1020090095315A 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 소스 및 드레인 전극용에칭액 및 이를 이용한 산화물 반도체 박막 트랜지스터의제조방법 无效
标题翻译：用于氧化物半导体薄膜晶体管的源极和漏极电极的蚀刻解决方案，以及使用该氧化物半导体薄膜晶体管的氧化物半导体薄膜晶体管的制造方法
公开(公告)号：KR1020090095315A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：KR1020080020585
申请日：2008-03-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박경배 , 김태상 , 이상윤 , 류명관 , 권장연 , 유병욱 , 손경석 , 정지심
IPC分类号： C09K13/04 , H01L21/306 , H01L29/786
CPC分类号： C09K13/04 , C23F1/16 , H01L21/306 , H01L29/41733 , H01L29/7869
摘要： An etchant for the source of an oxide semiconductor thin film transistor and a drain electrode, and a method for preparing an oxide semiconductor thin film transistor by using the etchant are provided to prevent the back etching of an oxide semiconductor and the dissolution of an oxide semiconductor and to improve etching rate. An etchant for the source of an oxide semiconductor thin film transistor and a drain electrode comprises hydrogen peroxide, ammonium hydroxide, and water. A manufacturing method of an oxide semiconductor thin film transistor comprises the steps of forming a gate on a substrate(110), and forming a gate insulating layer(114) on the substrate so as to cover the gate; forming a channel layer(116) comprising an oxide semiconductor on the gate insulating layer; and forming a metal layer for the formation of a source and a drain electrode at on both surfaces of the channel layer, and pattering it by using the etchant to form a source and drain electrodes(118a,118b).
摘要翻译：提供了用于氧化物半导体薄膜晶体管和漏极的源的蚀刻剂，以及通过使用蚀刻剂制备氧化物半导体薄膜晶体管的方法，以防止氧化物半导体的反向蚀刻和氧化物半导体的溶解并提高蚀刻速率。用于氧化物半导体薄膜晶体管和漏电极源的蚀刻剂包括过氧化氢，氢氧化铵和水。氧化物半导体薄膜晶体管的制造方法包括以下步骤：在衬底（110）上形成栅极，并在衬底上形成栅极绝缘层（114）以覆盖栅极; 在所述栅极绝缘层上形成包含氧化物半导体的沟道层（116）; 以及在沟道层的两个表面上形成用于形成源极和漏极的金属层，并且通过使用蚀刻剂来形成源极和漏极以形成源极和漏极（118a，118b）。

63. 发明公开

KR1020090079696A 선형 안테나를 구비한 플라즈마 처리 장치 无效
标题翻译：具有线性天线的等离子体处理装置
公开(公告)号：KR1020090079696A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：KR1020080005854
申请日：2008-01-18
申请人： 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
发明人： 박경배 , 김홍범 , 염근영 , 이형철 , 이상윤 , 류명관 , 김태상 , 권장연 , 손경석 , 정지심
IPC分类号： H05H1/26 , H01L21/205
CPC分类号： H01J37/3211 , H01J37/32183 , H01J37/32431 , H01J37/32715 , H01Q1/366 , H05H1/46 , H05H2001/2412 , H05H2001/4667 , H05H2001/4682
摘要： A plasma processing apparatus having linear antennas is provided to improve density uniformity of plasma by changing a thickness of a dielectric for surrounding the linear antenna. A plasma processing apparatus having linear antennas includes a reaction chamber(110), a substrate supporting plate(120), linear antennas(132), an RF power source(138), and a dielectric(142). The substrate supporting plate is installed in a lower side of the inside of the reaction chamber in order to support a substrate to be processed. The linear antennas are used for inducing electric field to generate electric field. The linear antennas are installed in parallel to each other at an upper side of the inside of the reaction chamber. The RF power source is connected to the linear antennas in order to supply RF power to the linear antennas. The dielectric is formed to surround each of the linear antennas. The thickness of the dielectric is gradually reduced from a RF power input terminal of each linear antenna to a grounding terminal(132b).
摘要翻译：提供具有线性天线的等离子体处理装置，通过改变用于包围线状天线的电介质的厚度来改善等离子体的密度均匀性。具有线性天线的等离子体处理装置包括反应室（110），基板支撑板（120），线性天线（132），RF电源（138）和电介质（142）。基板支撑板安装在反应室内侧的下侧，以便支撑待处理的基板。线性天线用于感应电场以产生电场。线性天线在反应室内部的上侧彼此平行地安装。 RF电源连接到线性天线，以便向线性天线提供RF功率。电介质形成为围绕每个线性天线。电介质的厚度从每个线性天线的RF功率输入端逐渐减小到接地端子（132b）。

64. 发明公开

KR1020090057690A 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조방법 有权
标题翻译：氧化物半导体薄膜晶体管的制造方法
公开(公告)号：KR1020090057690A
公开(公告)日：2009-06-08
申请号：KR1020070124383
申请日：2007-12-03
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 손경석 , 이상윤 , 류명관 , 김태상 , 권장연 , 박경배 , 정지심
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/66969 , H01L21/265
摘要： A method for manufacturing an oxide semiconductor thin film transistor is provided to improve stability and reliability of the semiconductor thin film transistor by using an oxide semiconductor made of a channel material. A gate insulating layer(114) is formed on a substrate with a gate(112). A channel layer(116) made of the oxide semiconductor is formed on a gate insulating layer. A source electrode(118a) and a drain electrode(118b) are formed in both sides of the channel layer. The plasma process is performed to supply the oxygen to the channel layer. The protection layer covering the source and drain electrodes, and the channel layer is formed. After forming the protection layer, the thermal process is performed.
摘要翻译：提供一种用于制造氧化物半导体薄膜晶体管的方法，以通过使用由沟道材料制成的氧化物半导体来改善半导体薄膜晶体管的稳定性和可靠性。在具有栅极（112）的基板上形成栅极绝缘层（114）。在栅极绝缘层上形成由氧化物半导体构成的沟道层（116）。源极电极（118a）和漏电极（118b）形成在沟道层的两侧。执行等离子体处理以将氧气供应至沟道层。形成覆盖源电极和漏电极的保护层以及沟道层。形成保护层后，进行热处理。

65. 发明公开

KR1020040046624A 공기조화기 失效
标题翻译：冷气机
公开(公告)号：KR1020040046624A
公开(公告)日：2004-06-05
申请号：KR1020020074605
申请日：2002-11-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 손경석
IPC分类号： F24F1/00
摘要： PURPOSE: An air conditioner is provided to easily mount plural circuit boards to a narrow space and easily mount or separate an additional circuit board. CONSTITUTION: An air conditioner has an electric component box(30). The electric component box has a circuit board-housing part(40) one side of which is opened. The circuit board-housing part includes a first circuit board(41) installed to the innermost part of the circuit board-housing part and a second circuit board(42) installed in the circuit board-housing part. The second circuit board is spaced apart from the first circuit board and is connected to the first circuit board through electric connection.
摘要翻译：目的：提供一种空调，以便将多个电路板容易地安装到狭窄的空间，并容易地安装或分离附加的电路板。构成：空调具有电气部件箱（30）。电气部件箱具有一侧打开的电路板壳体部（40）。电路板外壳部分包括安装在电路板壳体部分的最内部的第一电路板（41）和安装在电路板外壳部分中的第二电路板（42）。第二电路板与第一电路板间隔开并且通过电连接连接到第一电路板。

66. 发明授权

KR101975929B1 질산화물 채널층을 구비한 트랜지스터 및 그 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101975929B1
公开(公告)日：2019-05-09
申请号：KR1020120071373
申请日：2012-06-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박준석 , 김선재 , 김태상 , 김현석 , 류명관 , 서석준 , 선종백 , 손경석 , 이상윤
IPC分类号： H01L29/786

67. 发明授权

KR101813169B1 능동형 표시 장치의 스위칭 소자 및 그 구동 방법 有权
标题翻译：有源显示装置的开关元件及其驱动方法
公开(公告)号：KR101813169B1
公开(公告)日：2017-12-28
申请号：KR1020170032461
申请日：2017-03-15
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 손경석 , 정지심 , 권장연 , 이광희
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/133 , G09G3/36
摘要： 전기적신뢰성이향상된능동형표시장치의스위칭소자및 그구동방법이개시된다. 개시된능동형표시장치의스위칭소자는직렬연결된다수의박막트랜지스터를포함한다. 따라서, 하나의스위칭소자내에서다수의박막트랜지스터가동시에온(ON)이되는시간이외에는, 하나의스위칭소자내의각각의박막트랜지스터에비동시적으로양의전압을인가함으로써스위칭소자의신뢰성을향상시킬수 있다.
摘要翻译：公开了一种具有改善的电可靠性的有源矩阵显示装置的开关元件及其驱动方法。有源显示装置的开关装置包括串联连接的多个薄膜晶体管。因此，它可以，开关装置的可靠性由开关元件内将正电压施加到异步给每个在所述一方的开关元件的薄膜晶体管的提高比的时间的晶体管被同时导通（ON）薄膜的一些其他。

68. 发明公开

KR1020150060034A 이중 게이트 전극을 가진 박막 트랜지스터 审中-实审
标题翻译：具有双门电极的薄膜晶体管
公开(公告)号：KR1020150060034A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：KR1020130143938
申请日：2013-11-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 손경석 , 김선재 , 김억수 , 김현석 , 류명관
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/78648 , H01L29/42384 , H01L29/78696
摘要： 이중게이트전극을가진박막트랜지스터가개시된다. 개시된박막트랜지스터는, 기판상의제1 게이트전극과, 상기제1 게이트를덮는제1 게이트절연층과, 상기제1 게이트절연층상의징크나이트라이드채널과, 상기채널의양단과각각연결된소스전극및 드레인전극과, 상기제1 게이트절연층상에서상기채널을덮는제2 게이트절연층과, 상기제2 게이트절연층상의제2 게이트전극을포함한다.
摘要翻译：公开了一种包括双栅电极的薄膜晶体管。所公开的薄膜晶体管包括形成在基板上的第一栅极电极，覆盖第一栅极的第一栅极绝缘层，形成在第一栅极绝缘层上的氮化锌沟道，源电极和漏电极，分别连接到沟道的两端，覆盖第一栅极绝缘层上的沟道的第二栅极绝缘层和形成在第二栅极绝缘层上的第二栅电极。

69. 发明授权

KR101510212B1 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조방법 有权
标题翻译：氧化物半导体薄膜晶体管的制造方法
公开(公告)号：KR101510212B1
公开(公告)日：2015-04-10
申请号：KR1020080053128
申请日：2008-06-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정지심 , 박영수 , 이상윤 , 김창정 , 김태상 , 권장연 , 손경석
IPC分类号： G02F1/136 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/66969
摘要： 투명한산화물반도체를채널물질로사용하는산화물반도체박막트랜지스터의제조방법이개시된다. 개시되는산화물반도체박막트랜지스터의제조방법은, 채널층상에보호막을형성한다음, 100℃이상의온도에서 1시간이상열처리공정을수행하는단계를포함한다.

70. 发明公开

KR1020150017040A 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자 审中-实审
标题翻译：高电子迁移率晶体管，其制造方法和包括晶体管的电子器件
公开(公告)号：KR1020150017040A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：KR1020130092662
申请日：2013-08-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 손경석 , 김선재 , 김태상
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/1251 , G02F1/13624 , G02F1/136286 , H01L27/1225 , H01L27/1237 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L29/4908 , H01L29/78609 , H01L29/7869 , H01L29/4232 , H01L29/76825 , H01L29/7802
摘要： 트랜지스터, 이러한 트랜지스터의 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자가 개시된다. 개시된 트랜지스터는 직렬 연결된 제1 전계효과 트랜지스터와 제2 전계효과 트랜지스터를 포함하며, 상기 제1 전계효과 트랜지스터의 제1 게이트 절연막과 상기 제2 전계효과 트랜지스터의 제2 게이트 절연막은 누설 전류(leakage current) 또는 게이트 전계(electric field) 특성이 서로 다르게 형성된다.
摘要翻译：公开了一种晶体管及其制造方法以及包括该晶体管的电子设备。公开的晶体管包括串联连接的第一场效应晶体管和第二场效应晶体管。第一场效应晶体管的第一栅极绝缘层的漏电流或电场特性与第二场效应晶体管的第二栅极绝缘层的漏电流或电场特性不同。

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