基本信息:
- 专利标题： 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자
- 专利标题（英）：High electron mobility transistor, method of manufacturing the same and electronic device including transistor
- 专利标题（中）：高电子迁移率晶体管，其制造方法和包括晶体管的电子器件
- 申请号：KR1020130092662 申请日：2013-08-05
- 公开(公告)号：KR1020150017040A 公开(公告)日：2015-02-16
- 发明人： 손경석 , 김선재 , 김태상
- 申请人： 삼성전자주식회사
- 申请人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 专利权人： 삼성전자주식회사
- 当前专利权人： 삼성전자주식회사
- 当前专利权人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 代理人： 리앤목특허법인
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L21/336
摘要：
트랜지스터, 이러한 트랜지스터의 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자가 개시된다. 개시된 트랜지스터는 직렬 연결된 제1 전계효과 트랜지스터와 제2 전계효과 트랜지스터를 포함하며, 상기 제1 전계효과 트랜지스터의 제1 게이트 절연막과 상기 제2 전계효과 트랜지스터의 제2 게이트 절연막은 누설 전류(leakage current) 또는 게이트 전계(electric field) 특성이 서로 다르게 형성된다.
摘要（中）：
公开了一种晶体管及其制造方法以及包括该晶体管的电子设备。 公开的晶体管包括串联连接的第一场效应晶体管和第二场效应晶体管。 第一场效应晶体管的第一栅极绝缘层的漏电流或电场特性与第二场效应晶体管的第二栅极绝缘层的漏电流或电场特性不同。
摘要（英）：
An electronic device including a transistor, a manufacturing method of such a transistor and the transistor is disclosed. Disclosed transistor comprises a series-connected first field effect transistor and a second field effect transistor, a second gate insulating film of the first field-effect first gate insulating film and the second field effect transistor the transistor is leakage current (leakage current) or a gate field (electric field) characteristics are formed different from each other.
公开/授权文献:
- KR102100927B1 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자 公开/授权日：2020-05-15
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |