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51. 发明公开

KR1020150061844A 발광소자 및 조명장치 审中-实审
标题翻译：发光装置和照明装置
公开(公告)号：KR1020150061844A
公开(公告)日：2015-06-05
申请号：KR1020130146075
申请日：2013-11-28
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 최정현
IPC分类号： H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/36
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/10 , H01L33/382 , H01L33/44
摘要： 실시예는발광소자, 발광소자의제조방법, 발광소자패키지및 조명장치에관한것이다. 실시예에따른발광소자는제1 도전형반도체층(112), 제2 도전형반도체층(116) 및그 사이에배치된활성층(114)을포함하는발광구조물(110)과, 상기발광구조물(110)의측면에배치된패시베이션층(120)과, 상기발광구조물(110)의저면과측면에배치된반사층(140)과, 상기반사층(140) 저면에배치된지지기판(150) 및상기제1 도전형반도체층(112) 상에전극(160);을포함하며, 상기패시베이션층(120)은상기제2 도전형반도체층(116)의바닥면과접하지않을수 있다.
摘要翻译：本发明的实施例涉及发光器件，其制造方法，发光器件封装和照明装置。根据本发明的实施例的发光器件包括发光结构（110），其包括第一导电半导体层（112），第二导电半导体层（116）和有源层（114）第一和第二导电半导体层，布置在发光结构（110）侧的钝化层（120），布置在发光结构（110）的侧面和底部的反射层（140）），设置在反射层（140）的底部的支撑基板（150）和形成在第一导电半导体层（112）上的电极（160）。钝化层（120）不与第二导电半导体层（116）的底部接触。

52. 发明公开

KR1020150055390A 반도체 발광소자 无效
标题翻译：半导体发光器件
公开(公告)号：KR1020150055390A
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：KR1020130137688
申请日：2013-11-13
申请人： 주식회사 세미콘라이트
发明人： 전수근
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/46 , H01L33/38
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/36 , H01L33/387 , H01L33/46
摘要： 본개시는제1 도전성을가지는제1 반도체층, 제1 도전성과다른제2 도전성을가지는제2 반도체층및 제1 반도체층과제2 반도체층사이에개재되며전자와정공의재결합을통해빛을생성하는활성층을가지는복수의반도체층; 제2 반도체층위에복수의섬(plurality of island)을가지는오믹전극; 활성층으로부터의빛을복수의반도체층측으로반사하며, 제1 반도체층을노출하는복수의제1 개구와, 복수의섬에각각대응하여오믹전극을노출하는복수의제2 개구를구비하는반사층; 반사층위에서복수의제1 개구로이어져제1 반도체층과전기적으로연결된제1 연결전극; 반사층위에서복수의제2 개구로이어져오믹전극과전기적으로연결된제2 연결전극; 제1 연결전극과전기적으로연결되어제1 반도체층에전자와정공중의하나를공급하는제1 전극; 그리고제2 연결전극과전기적으로연결되어제2 반도체층에전자와정공중의나머지하나를공급하는제2 전극;을포함하는것을특징으로하는반도체발광소자에관한것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种半导体发光元件，其包括：多个半导体层，包括具有第一导电类型的第一半导体层，具有不同于第一导电类型的第二导电类型的第二半导体层，以及有源层插入在第一半导体层和第二半导体层之间，并且通过电子和电子空穴的复合产生光; 在所述第二半导体层上具有多个岛的欧姆电极; 反射层，其将来自有源层的光朝向半导体层反射，并且配备有暴露第一半导体层的多个第一开口和分别暴露欧姆电极的多个第二开口; 电连接到第一半导体层的第一连接电极，连接到反射层上的第一开口; 电连接到所述欧姆电极的第二连接电极，连接到所述反射层上的所述第二开口; 将电子或电子空穴供给到与第一连接电极电连接的第一半导体层的第一电极; 以及第二电极，其将剩余的电子和电子空穴供给到与第二连接电极电连接的第二半导体层。

53. 发明公开

KR1020150054444A 반도체 발광소자 有权
标题翻译：半导体发光器件
公开(公告)号：KR1020150054444A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：KR1020130136889
申请日：2013-11-12
申请人： 주식회사 세미콘라이트
发明人： 전수근
IPC分类号： H01L33/46 , H01L33/36 , H01L33/10
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/10 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/62 , H01L33/36
摘要： 본개시는제1 도전형을가지는제1 반도체층, 제1 도전형과다른제2 도전형을가지는제2 반도체층, 제1 반도체층과제2 반도체층의사이에위치하며전자와정공의결합에의해빛을생성하는활성층을포함하는복수의반도체층; 그리고제2 반도체층, 활성층및 제1 반도체층의일부가메사식각되어노출되는제1 반도체층위에형성되는제1 전극;으로서, 제1 반도체층과접촉하는접촉층, 메사식각되어노출된활성층과대면하여빛을반사하도록접촉층위에형성된반사층및 반사층위에형성된터짐방지층을구비하는제1 전극;을포함하며, 반사층은터짐방지층보다높은반사율과, 500A 이상의두께를가지며, 터짐방지층은반사층의열팽창계수보다작은열팽창계수를가져서전원인가시반사층의터짐을방지하는것을특징으로하는반도체발광소자에관한것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种半导体发光元件，其包括：多个半导体层，包括具有第一导电类型的第一半导体层，具有不同于第一导电类型的第二导电类型的第二半导体层，以及有源层位于第一半导体层和第二半导体层之间，并且通过电子和电子空穴的组合产生光; 以及配置有与第一半导体层接触的接触层的第一电极，形成在接触层上的反射层，以通过面向暴露于台面蚀刻的有源层反射光;反射层，形成在反射层上; 作为形成在第一半导体层上的第一电极，其中第二半导体层，有源层和第一半导体层的一部分被台蚀刻和暴露。反射层具有比突发防止层更高的反射率，500以上的厚度，防止反射层在施加电力时爆裂，因为防爆层的热膨胀系数比热膨胀系数小反射层。

54. 发明公开

KR1020150034902A 발광 다이오드 审中-实审
标题翻译：发光二极管
公开(公告)号：KR1020150034902A
公开(公告)日：2015-04-06
申请号：KR1020130114735
申请日：2013-09-26
申请人： 서울바이오시스 주식회사
发明人： 채종현 , 이정훈 , 서대웅
IPC分类号： H01L33/46 , H01L33/02
CPC分类号： H01L33/58 , H01L33/20 , H01L2924/12041
摘要： 본발명은 140도이상의광지향각을갖는발광다이오드가개시된다. 개시된발광다이오드는기판과, 기판의일면상에형성된반도체층및 기판의타면상에형성된반투과부를포함한다. 본발명은반투과부를채택함으로써, 기판의두께를얇게유지함과동시에기판의상부면으로부터방출되는광을반사시켜 140도이상의광지향각을구현할수 있는장점을갖는다.
摘要翻译：本发明公开了一种具有140度以上的光瞄准角的发光二极管。所公开的发光二极管包括基板; 形成在所述基板的一个表面上的半导体层; 以及形成在所述基板的另一表面上的半穿透部。在本发明中选择半穿透部分，发光二极管具有保持基板厚度低的优点，并且通过反射从基板的上表面排出的光来形成140度以上的光瞄准角度。

55. 发明公开

KR1020150004139A 정전방전에 강한 발광 다이오드 칩 및 그것을 갖는 발광 다이오드 패키지 审中-实审
标题翻译： LED芯片坚固耐用，并具有相同的LED封装
公开(公告)号：KR1020150004139A
公开(公告)日：2015-01-12
申请号：KR1020130077234
申请日：2013-07-02
申请人： 서울바이오시스 주식회사
发明人： 서덕일 , 김경완 , 윤여진 , 우상원
IPC分类号： H01L33/46 , H01L33/36 , H01L33/62
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： 정전방전에 강한 발광 다이오드 칩 및 그것을 갖는 발광 다이오드 패키지가 개시된다. 이 발광 다이오드 칩은, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 발광 다이오드부; 상기 기판 상에 위치하며, 상기 발광 다이오드부에 역병렬 연결된 역병렬 다이오드부; 상기 역병력 다이오드부의 적어도 일부를 덮는 반사기를 포함한다. 발광 다이오드 칩 내에 발광 다이오드부와 함께 역병렬 다이오드부를 배치함으로써, 정전 방전에 강한 발광 다이오드 칩을 제공할 수 있으며, 또한 반사기를 배치함으로써 발광 다이오드 칩의 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
摘要翻译：本发明涉及耐静电放电的LED芯片及其具有该静电放电的LED封装。 LED二极管包括：基板; 位于基板上的LED单元; 反向平行LED单元，其反向平行连接到LED并且位于基板上; 以及覆盖反并联LED单元的至少一部分的反射器。本发明通过设置反射器来提高LED芯片的照明效率，并且通过将LED单元和反并联LED单元设置在LED芯片内来提供耐静电放电的LED芯片。

56. 发明授权

KR101457206B1 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법 有权
标题翻译：一种具有多个发光单元的发光器件及其制造方法
公开(公告)号：KR101457206B1
公开(公告)日：2014-10-31
申请号：KR1020130104878
申请日：2013-09-02
申请人： 서울바이오시스 주식회사
发明人： 서원철
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/62 , H01L33/46
摘要： 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 소자가 개시된다, 이 발광 소자는, 기판 상에 위치하며, 각각 제1 도전형 상부 반도체층, 제2 도전형 하부 반도체층, 및 상기 제1 도전형 상부 반도체층과 제2 도전형 하부 반도체층 사이에 활성층을 포함하는 제1 및 제2 발광셀들; 제1 및 제2 발광셀들 아래에 각각 위치하는 보호 금속층들; 제1 발광셀의 제1 도전형 상부 반도체층 상면과 상기 제1 발광셀과 이웃하는 제2 발광셀 아래의 보호 금속층을 전기적으로 연결하는 배선; 및 제1 및 제2 발광셀들 아래의 보호금속층들을 전기적으로 절연시키는 절연층을 포함한다.
摘要翻译：公开了一种具有多个发光单元的发光器件，所述发光器件包括第一导电上半导体层，第二导电下半导体层以及第一导电上半导体层，第一和第二发光单元，包括在所述第二导电型下半导体层之间的有源层; 分别位于第一发光单元和第二发光单元下方的保护金属层; 将第一发光单元的第一导电型上半导体层的上表面和第一发光单元下方的保护金属层与相邻的第二发光单元电连接的布线; 以及使第一发光单元和第二发光单元下方的保护金属层电绝缘的绝缘层。

57. 发明公开

KR1020140090786A 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지 审中-实审
标题翻译：光发射装置和包括其的发光装置
公开(公告)号：KR1020140090786A
公开(公告)日：2014-07-18
申请号：KR1020130002823
申请日：2013-01-10
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 정성이 , 최미경
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/46
CPC分类号： H01L33/10 , H01L33/20
摘要： The embodiment of the present invention provides a light emitting device which comprises: a first conductive semiconductor layer, an active layer which is arranged on the first conductive semiconductor layer; a second conductive semiconductor layer which is arranged on the active layer and includes a plurality of holes; a first electrode and a second electrode which are arranged on the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer, respectively; and reflection layers which are arranged in the holes.
摘要翻译：本发明的实施例提供了一种发光器件，其包括：第一导电半导体层，布置在第一导电半导体层上的有源层; 第二导电半导体层，其布置在所述有源层上并且包括多个孔; 分别布置在第一导电半导体层和第二导电半导体层上的第一电极和第二电极; 以及布置在孔中的反射层。

58. 发明授权

KR101419867B1 반도체 발광소자 有权
公开(公告)号：KR101419867B1
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：KR1020120098423
申请日：2012-09-05
申请人： 주식회사 세미콘라이트
发明人： 전수근
IPC分类号： H01L33/10 , H01L33/46
摘要： 본 개시는 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층; 복수의 반도체층에 전자와 정공 중의 하나를 공급하는 제1 전극; 복수의 반도체층에 전자와 정공 중의 나머지 하나를 공급하는 제2 전극; 그리고, 활성층으로부터의 빛을 반사하도록 복수의 반도체층에 결합되는 비도전성 분포 브래그 리플렉터; 그리고, 비도전성 분포 브래그 리플렉터를 기준으로 복수의 반도체층의 반대 측에서 분포 브래그 리플렉터에 결합되며, 분포 브래그 리플렉터의 유효 굴절률보다 낮은 굴절률을 가지는 제1 투광성 막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.

59. 发明公开

KR1020140083347A 반도체 소자 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140083347A
公开(公告)日：2014-07-04
申请号：KR1020120152987
申请日：2012-12-26
申请人： (주)버티클
发明人： 오세종 , 유명철 , 박무근
IPC分类号： H01L33/44 , H01L33/46
CPC分类号： H01L33/44 , H01L33/10 , H01L2933/0025
摘要： The present invention includes a metal layer which is formed on one side of a semiconductor device layer; and an edge barrier (EB) which is located between the metal layer and one side of the semiconductor device layer and is formed near a grid line which is a basis when the semiconductor device layer is divided into an individual semiconductor device. The edge barrier includes a horizontal element in one side direction of the semiconductor device layer and one or more vertical elements which vertically protrude from the horizontal element.
摘要翻译：本发明包括形成在半导体器件层一侧的金属层; 以及位于所述金属层和所述半导体器件层的一侧之间并且作为所述半导体器件层被分割为单个半导体器件的基础的栅格线附近形成的边缘势垒（EB）。边缘屏障包括在半导体器件层的一个侧面方向上的水平元件和从水平元件垂直突出的一个或多个垂直元件。

60. 发明公开

KR1020140081638A 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법 审中-实审
标题翻译：发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140081638A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：KR1020130029136
申请日：2013-03-19
申请人： 서울바이오시스 주식회사
发明人： 이섬근 , 김종규 , 윤여진
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/62 , H01L33/46
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/10 , H01L33/145 , H01L33/20 , H01L33/42
摘要： Disclosed are a light emitting diode and a manufacturing method thereof. The light emitting diode includes a first light emitting cell and a second light emitting cell which are separately located on the substrate, a first transparent electrode layer which is located on the first light emitting cell and is electrically connected to the first light emitting cell, a current blocking layer which is located between the first light emitting cell and the first transparent electrode layer and separates a part of the first transparent electrode layer from the first light emitting cell, a wire which electrically connects the first light emitting cell to the second light emitting cell, and an insulation layer which separates the wire from the side of the first light emitting cell. Wherein, the current blocking layer is connected to the insulation layer.
摘要翻译：公开了一种发光二极管及其制造方法。发光二极管包括分别位于基板上的第一发光单元和第二发光单元，位于第一发光单元上并电连接到第一发光单元的第一透明电极层，电流阻挡层，其位于第一发光单元和第一透明电极层之间，并且将第一透明电极层的一部分与第一发光单元分离;电线，其将第一发光单元电连接到第二发光单元电池，以及将导线与第一发光单元侧分离的绝缘层。其中，电流阻挡层连接到绝缘层。

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