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51. 发明公开

KR1020170132912A 선형 검사 시스템 审中-实审
公开(公告)号：KR1020170132912A
公开(公告)日：2017-12-04
申请号：KR1020177034162
申请日：2015-06-03
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 슈레진저,아사프 , 총,성데
IPC分类号： G01N21/95 , G01N21/64 , G01R31/26 , H02S50/10 , H02S50/15
CPC分类号： G01N21/9501 , G01N21/64 , G01N21/6489 , G01N21/95 , G01N2201/0612 , G01R31/2601 , G01R31/44 , H02S50/00 , H02S50/10 , H02S50/15
摘要： 본개시내용의실시예들은일반적으로, 포괄적인, 확장가능한기판검사시스템들에관한것이다. 검사시스템들은, 두께, 비저항, 소우마크(saw mark)들, 기하형상, 스테인(stain)들, 칩(chip)들, 마이크로크랙(micro crack)들, 결정프랙션(crystal fraction), 및포토루미네선스(photoluminescence)를포함하는, 기판의하나또는그 초과의특성들을검사, 검출, 또는측정하도록적응된다수의계측유닛들을포함한다. 검사시스템들은, 기판을태양전지로프로세싱하기전에, 기판들상의결함들을식별하고, 기판으로생산되는태양전지의태양전지효율성을추정하기위해활용될수 있다. 기판들은트랙또는컨베이어상에서계측유닛들사이의검사시스템을통해이송된다음, 검사데이터에기반하여소팅될수 있다.

52. 发明公开

KR1020170107020A 근적외선을 발광하는 반도체 단층 카본 나노 튜브 审中-实审
标题翻译：半导体单壁碳纳米管发射近红外线
公开(公告)号：KR1020170107020A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：KR1020177023208
申请日：2016-01-21
申请人： 내셔날 인스티튜트 오브 어드밴스드 인더스트리얼 사이언스 앤드 테크놀로지
发明人： 이즈미,요코 , 오카자키,토시야 , 사카키타,하지메 , 김,재호
IPC分类号： C01B32/168 , A61K49/00 , G01N33/58 , G01N21/64 , G01N21/359 , G01N33/543 , B82Y40/00
CPC分类号： C09K11/65 , B01J19/123 , B01J2219/0879 , B01J2219/1203 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/168 , C01B2202/02 , C09K11/025 , Y10S977/748 , Y10S977/751 , Y10S977/847 , Y10S977/95 , A61K49/0095 , C01B2202/20 , G01N21/359 , G01N21/6486 , G01N21/6489 , G01N33/54346 , G01N33/582 , G01N2021/6491
摘要： 발광에너지가약 300meV 저에너지화한반도체단층카본나노튜브및 그제조방법을제공하는것을과제로하며, 대기중에서반도체단층카본나노튜브에직접자외광을조사하는방법을채용하는것에의해, 대기중에오존을발생시켜반도체단층카본나노튜브에그램량의산소원자를도입시켜, 발광에너지가약 300meV 저에너지화한반도체단층카본나노튜브를얻는다.
摘要翻译：光能还原300meV和零低能量程式化是提供一种半导体单壁碳纳米管和通过采用照射直接紫外光到在大气中的半导体单壁碳纳米管的方法中，在大气中产生臭氧制造和，的方法通过在半导体单壁碳纳米管中引入的节目的氧原子，该量，发光能量还原以获得低能量屏幕300meV的半导体单壁碳纳米管。

53. 发明公开

KR1020170018080A 선형 검사 시스템 有权
标题翻译：线性检测系统
公开(公告)号：KR1020170018080A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：KR1020177002452
申请日：2015-06-03
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 슈레진저,아사프 , 총,성데
IPC分类号： G01N21/95 , G01N21/64 , G01R31/26 , H02S50/10 , H02S50/15
CPC分类号： G01N21/9501 , G01N21/64 , G01N21/6489 , G01N21/95 , G01N2201/0612 , G01R31/2601 , G01R31/44 , H02S50/00 , H02S50/10 , H02S50/15
摘要： 본개시내용의실시예들은일반적으로, 포괄적인, 확장가능한기판검사시스템들에관한것이다. 검사시스템들은, 두께, 비저항, 소우마크(saw mark)들, 기하형상, 스테인(stain)들, 칩(chip)들, 마이크로크랙(micro crack)들, 결정프랙션(crystal fraction), 및포토루미네선스(photoluminescence)를포함하는, 기판의하나또는그 초과의특성들을검사, 검출, 또는측정하도록적응된다수의계측유닛들을포함한다. 검사시스템들은, 기판을태양전지로프로세싱하기전에, 기판들상의결함들을식별하고, 기판으로생산되는태양전지의태양전지효율성을추정하기위해활용될수 있다. 기판들은트랙또는컨베이어상에서계측유닛들사이의검사시스템을통해이송된다음, 검사데이터에기반하여소팅될수 있다.
摘要翻译：本公开的实施例一般涉及综合的，可扩展的基板检查系统。检查系统包括适于检查，检测或测量衬底的一个或多个特性的多个测量单元，包括厚度，电阻率，锯痕，几何形状，污渍，芯片，微裂纹，晶体分数和光致发光。在将衬底加工成太阳能电池之前，可以使用检查系统来识别衬底上的缺陷并估计由衬底制造的太阳能电池的太阳能电池效率。基板可以通过轨道或传送带上的计量单元之间的检查系统传送，然后根据检查数据进行分类。

54. 发明公开

KR1020160101135A 광기전 전지의 품질을 모니터링하기 위한 방법 및 시스템 审中-实审
标题翻译：用于监测光伏电池质量的方法和系统
公开(公告)号：KR1020160101135A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：KR1020167019598
申请日：2014-12-19
申请人： 꼼미사리아 아 레네르지 아토미끄 에뜨 옥스 에너지스 앨터네이티브즈
发明人： 노아귈라,오리올 , 파브레,윌프리드 , 오잔,파비엔 , 리베이론,피에르-쟝
IPC分类号： H02S50/10 , G01N21/95
CPC分类号： H02S50/15 , G01N21/6489 , G01N21/95 , G01N21/9501 , G01N2201/12 , G06T5/50 , G06T2207/10004 , H01L22/12 , H02S50/10 , Y02E10/50
摘要： 광기전전지의품질을모니터링하기위한방법및 시스템이기재되며, 상기방법은각각의전지에대해: 모니터링대상전지가지정여기레벨에서여기되는여기단계, 여기후 모니터링대상전지의적어도하나의발광이미지를획득하는단계, 및획득된이미지를처리하는단계를포함한다. 본발명은, 각각의전지에대해, 전지에대해조절된여기레벨을결정하기위한예비단계가제공되며, 서로다른셀의각각의조절된여기레벨은, 서로다른전지에의해발산되는신호의발광강도가특정기준발광강도와동일하도록설정된다.
摘要翻译：描述了用于监测光伏电池质量的方法和系统，所述方法包括：对于每个电池：激励步骤，在该激励步骤期间，待监测的电池在预定激励水平下受到激发; 在激发后获取要监测的细胞的至少一个发光图像的步骤; 以及处理所获取的图像的步骤。本发明的特征在于，对于每个电池，提供了用于确定调整到电池的激发电平的预备步骤，适应要监测的不同电池的各自调整的激发电平使得发射的信号的发光强度由不同的细胞在给定的参考发光强度相等。

55. 发明公开

KR1020150099767A 분광 측정 장치 및 분광 측정 방법 无效
标题翻译：光谱测量装置和光谱测量方法
公开(公告)号：KR1020150099767A
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：KR1020157017813
申请日：2013-09-17
申请人： 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤
发明人： 에우라시게루 , 스즈키겐고 , 이케무라겐이치로 , 이구치가즈야
IPC分类号： G01N21/64 , G01J3/02 , G01J3/44
CPC分类号： G01N21/31 , G01J3/0254 , G01J3/0291 , G01J3/42 , G01J3/4406 , G01N21/645 , G01N21/6489 , G01N2021/6469 , G01N2021/6482 , G01N2021/6491 , G01N2201/062 , G01N2201/065 , G01N2201/12
摘要： 측정 대상이 되는 시료에 여기광을 조사하여, 피측정광을 검출하는 분광 측정 장치로서, 여기광을 발생시키는 광원과, 여기광이 입사되는 입사 개구부와, 피측정광을 출사하는 출사 개구부를 가지는 적분기와, 적분기 내에 배치되어, 시료를 수용하는 수용부와, 시료에 여기광을 입사시키는 입사 광학계와, 출사 개구부로부터 출사된 피측정광을 검출하는 광검출기와, 광검출기로 검출된 검출치에 기초하여 시료의 광흡수율을 산출하는 해석 수단을 구비하고, 시료로의 입사 위치에 있어서의 여기광의 조사 면적은, 시료의 피조사 면적보다도 크게 되고, 해석 수단은 산출되는 광흡수율에 대해서, 여기광의 조사 면적 및 시료의 피조사 면적에 관한 면적비 보정을 행한다.

56. 发明公开

KR1020150090149A 분광 측정 장치, 분광 측정 방법 및 시료 용기 审中-实审
标题翻译：光谱测量装置，光谱测量方法和样品容器
公开(公告)号：KR1020150090149A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：KR1020157016500
申请日：2013-09-17
申请人： 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤
发明人： 스즈키겐고 , 이구치가즈야 , 에우라시게루 , 이케무라겐이치로
IPC分类号： G01N21/64 , G01J3/443 , G01J3/44
CPC分类号： G01N21/645 , G01J3/021 , G01J3/0254 , G01J3/0291 , G01J3/4406 , G01N21/01 , G01N21/6489 , G01N2021/6469 , G01N2021/6482 , G01N2021/6484 , G01N2201/065
摘要： 측정대상이되는시료에여기광을조사하고, 피측정광을검출하는분광측정장치로서, 여기광을발생시키는광원과, 여기광이입사되는입사개구부와, 피측정광을출사하는출사개구부를가지는적분기와, 적분기내에배치되어, 시료를수용하는수용부와, 시료에여기광을입사시키는입사광학계와, 출사개구부로부터출사된피측정광을검출하는광검출기와, 광검출기로검출된검출치에기초하여시료의양자수율을산출하는해석수단을구비하고, 여기광은시료를내포하도록당해시료에조사된다.

57. 发明公开

KR1020150043346A 다결정 반도체 물질의 결정 구조를 분석하는 방법 审中-实审
标题翻译：分析多晶半导体晶体结构的方法
公开(公告)号：KR1020150043346A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：KR1020157004500
申请日：2013-07-30
申请人： 엘렉트리씨트 드 프랑스
发明人： 롬베즈로랑 , 길레모레스장프랑소와 , 들라마르아모리
IPC分类号： G01N21/62 , G01N21/63 , G01N21/66 , G01N21/71 , G01N21/21 , G01N21/17
CPC分类号： G01N21/95 , G01N21/6445 , G01N21/6489 , G01N21/9501 , G01N2021/646 , G01N2201/06113 , G01N2201/12 , G01N21/63 , G01N21/21 , G01N21/66 , G01N21/71 , G01N2021/218 , G01N2201/0484 , G01N2201/102
摘要： 다결정반도체물질의결정구조를분석하는방법이설명된다. 일실시예에따라, 분석방법은물질이발광신호를방출하도록상기물질을여기시키는단계, 상기물질의프리셋공간구역내 메쉬의각 점에서, 상기물질의대역갭의폭 이상의폭의주파수대역에서가변편광각도에서발광신호를검출하는단계, 상기물질의프리셋공간구역내 상기메쉬의각 점에서, 상기메쉬의상기점에대해검출된신호로부터, 상기편광각도의함수로사인파의합성으로모델링된상기발광신호의변조의데이터특성을추정하는단계, 및상기프리셋공간구역내 상기메쉬의모든점에걸쳐특성데이터를나타내는단계를포함한다.

58. 发明公开

KR1020150009576A 전계발광 검사 및/또는 광발광 검사 방법과 장치 审中-实审
标题翻译：电致发光检测和/或光电检测的方法和装置
公开(公告)号：KR1020150009576A
公开(公告)日：2015-01-26
申请号：KR1020147034487
申请日：2013-04-30
申请人： 이스라 비숀 아게
发明人： 아그부가,오칸
IPC分类号： G01N21/95 , G01N21/66
CPC分类号： G06T7/0004 , G01N21/6489 , G01N21/66 , G01N21/9501 , H01L27/14603
摘要： 발광가능 물체(2)의 전계발광 검사 및/또는 광발광 검사 방법과 장치에 관한 발명으로서, 발광가능 물체(2)는 전자기 복사선(8)을 방출하도록 전압 인가 및/또는 광 조사에 의해서 여기되고, 전자기 복사선(8)은 광학 기록 장치(9)에 의해 등록되며 영상(20, 21, 22)으로서 출력된다. 이 영상(20, 21, 22)을 평가하여 물체(2)의 가능 결함을 결정한다. 또한 기록 장치(9)에 의한 전자기 복사선(8)의 등록은 상이한 스펙트럼 범위의 적어도 두 개의 영상(21, 22)에서 수행된다.

59. 发明公开

KR1020140044376A 포토루미네선스 이미징을 이용한 발광 반도체 소자의 검사 방법 및 장치 审中-实审
标题翻译：使用光致成像检测发光半导体器件的方法和装置
公开(公告)号：KR1020140044376A
公开(公告)日：2014-04-14
申请号：KR1020147001975
申请日：2012-06-18
申请人： 케이엘에이-텐코 코포레이션
发明人： 보이켄스스티븐 , 마리보에트톰
IPC分类号： H01L21/66 , H01L33/00
CPC分类号： G01R31/2635 , G01N21/6489 , G01R31/2656 , H01L33/0095
摘要： 발광 반도체 소자들을 검사하는 방법 및 장치가 개시된다. 상기 반도체 소자는 광원으로 조명되며, 상기 적어도 발광 반도체의 영역이 빛의 한 파장대(waveband)로 조명된다. 상기 빛의 파장대(λ
A + λ
B )는 검사될 상기 발광 반도체에서 전자-정공 쌍들을 발생시킬 수 있다. 대물 렌즈를 통해 상기 발광 반도체에 의해 방출된 빛의 적어도 일부(λ
C )가 검출된다. 상기 방출된 빛은 상기 방출된 빛의 파장들에 감응하는 카메라의 센서로 캡처되며, 상기 방출된 빛의 상기 파장은 상기 파장대의 폭을 초과한다. 상기 센서로 캡처된 상기 방출된 빛의 데이터는 상기 발광 반도체의 검사 결과들을 계산하기 위한 컴퓨터 시스템에 전송된다.

60. 发明公开

KR1020130024954A 간접 밴드갭 반도체 구조 검사 방법 및 시스템 有权
标题翻译：用于检测间接带状半导体结构的方法和系统
公开(公告)号：KR1020130024954A
公开(公告)日：2013-03-08
申请号：KR1020137001369
申请日：2006-10-11
申请人： 비티 이미징 피티와이 리미티드
发明人： 토르스텐트룹케 , 로버트앤드류바도스
IPC分类号： H02S50/10 , G01N21/64
CPC分类号： G01N21/6489 , F21Y2115/10 , G01N21/6456 , G01N21/8851 , G01N2021/8887 , H01L22/14
摘要： 본 발명은 간접 밴드갭 반도체 구조(140)를 검사하는 방법들(600) 및 시스템들(100)을 개시한다. 광원(110)은 간접 밴드갭 반도체 구조(140)에 광루미네센스를 유도하기에 적합한 광을 생성한다(612). 단파장 통과 필터부(114)는 특정 방사 최고값보다 큰 상기 생성된 광의 장파장 광을 감소시킨다. 시준기(112)는 빛을 시준한다(616). 간접 밴드갭 반도체 구조(140)의 넓은 영역은 상기 시준된 단파장 통과 필터링된 광에 의해 실질적으로 균일하면서도 동시에 조명된다(618). 영상 획득 소자(130)은 상기 간접 밴드갭 반도체 구조의 넓은 영역에 걸쳐 입사하는 상기 실질적 균일하면서 동시성을 갖는 조명에 의해 동시에 유도되는 광루미네센스의 영상들을 획득한다(620).광루미네센스 영상들은 영상 처리되어, 상기 넓은 영역에 유도되는 광루미네센스의 공간 변화들을 사용하여 간접 밴드갭 반도체 구조의 특정 전기적 특성들을 공간적으로 분석하여 수치화한다.
摘要翻译：描述了用于检查间接带隙半导体结构（140）的方法（600）和系统（100）。光源（110）产生适于在间接带隙半导体结构（140）中诱导光致发光的光（612）。短路滤波器单元（114）将产生的光的长波长光减少到特定发射峰以上。准直器（112）准直（616）光。间接带隙半导体结构（140）的大面积基本均匀地并且被同步地照射（618）并且被准直的短路滤波的光。图像捕获装置（130）捕获（620）由间接带隙半导体结构的大面积上基本均匀的同时照射入射引起的光致发光图像。对光致发光图像进行成像处理（622），以使用在大面积中诱导的光致发光的空间变化来量化间接带隙半导体结构（140）的空间分辨的特定电子特性。

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