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51. 发明公开

KR1020160110742A 패턴화된 금속산화물 나노입자 구조체의 제조방법 및 이에 의해 제조된 패턴화된 금속산화물 나노입자 구조체 有权
标题翻译：金属氧化物纳米颗粒图和金属氧化物纳米颗粒的制造方法
公开(公告)号：KR1020160110742A
公开(公告)日：2016-09-22
申请号：KR1020150033954
申请日：2015-03-11
申请人： (재)한국나노기술원
发明人： 정상현 , 박형호 , 김창환 , 임웅선 , 강호관 , 최재혁 , 박원규 , 성호근 , 신현범 , 박경호 , 이재진
IPC分类号： B82B3/00 , B82B1/00 , H01L21/027 , H01L21/02
CPC分类号： B82B3/0019 , B82B1/001 , B82B3/0014 , H01L21/02601 , H01L21/0274
摘要： 본발명은금속산화물나노입자구조체에관한것으로서, 기판상에금속레지스트를코팅하여, 금속레지스트층을형성하는제1단계와, 상기금속레지스트층을패턴화하여, 상기기판의일부영역을노출시키고, 일정주기(c), 폭(a) 및높이(b)를갖는금속레지스트패턴을형성하는제2단계및 상기금속레지스트패턴에에너지를가하여, 상기금속레지스트에포함된유기물의분해및 금속분자간 응집에따른상기금속레지스트패턴의주기(c), 폭(a) 및높이에대응하여일정주기(e),(f), 크기(d)를갖는패턴화된금속산화물나노입자구조체를형성하는제3단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는패턴화된금속산화물나노입자구조체의제조방법및 이에의해제조된패턴화된금속산화물나노입자구조체를기술적요지로한다. 이에의해본 발명은, 기판상에금속레지스트를코팅하여패턴을형성하고, 에너지를가하여금속레지스트에포함된유기물의분해및 금속분자간 응집에따라소정의주기및 크기를갖는패턴화된금속산화물나노입자구조체를형성하여, 간단한방법으로나노입자의위치와크기및 배열주기의제어가용이하여미세패턴의제작이용이한이점이있다.
摘要翻译：本发明涉及金属氧化物纳米颗粒结构，本发明的技术要点在于制造图案化的金属氧化物纳米颗粒结构的方法和由其制造的图案化的金属氧化物纳米颗粒结构，其中该方法包括：第一在基板上涂覆金属抗蚀剂以形成金属抗蚀剂层的步骤; 用于图案化金属抗蚀剂层的第二步骤，暴露基底的区域并形成在该区域上具有特定间隔（c），宽度（a）和高度（b）的金属抗蚀剂图案; 以及第三步骤，用于激励金属抗蚀剂图案以形成具有间隔（e），（f）和尺寸（d）的金属氧化物纳米颗粒结构，所述区间（c），宽度（a）和高度金属抗蚀剂图案由于有机物的降解和金属抗蚀剂中所含的金属分子的聚集而引起。因此，通过在基板上涂覆金属抗蚀剂以形成图案并激发图案，以形成由于有机物的降解和包含在金属抗蚀剂中的金属分子的聚集而具有一定间隔和尺寸的图案化金属氧化物纳米颗粒结构，本发明提供了制造微图案的有利方法，其中可以容易地控制纳米颗粒的位置，尺寸和排列间隔。

52. 发明授权

KR101656206B1 파장변환소자 및 이의 제조방법 有权
标题翻译：波长转换装置及其制造方法
公开(公告)号：KR101656206B1
公开(公告)日：2016-09-09
申请号：KR1020140152376
申请日：2014-11-04
申请人： (재)한국나노기술원
发明人： 김종민 , 송근만 , 신현범 , 강호관
IPC分类号： H01S5/50 , H01S5/14
摘要： 본발명은파장변환소자및 이의제조방법에관한것으로, 본발명에따르면 Ga, N를포함하는 4종류의원소를포함하여이루어진질화물반도체로서, 제1방향으로분극(polarization)이형성된제1종질화물반도체블럭(block); 및 Ga, N를포함하는 4종류의원소를포함하여이루어진질화물반도체로서, 상기제1종질화물반도체블럭에접하며, 상기제1종질화물반도체블럭에형성된분극과반대방향인제2방향으로분극이형성된제2종질화물반도체블럭;를포함하고, 상기제1종질화물반도체블럭의측면에상기제2종질화물반도체블럭이접하여분극교차구조를이루며, 일측에서상기제1종질화물반도체블럭으로입사되어상기제1종질화물반도체블럭및 상기제2종질화물반도체블럭을투과하는입사광으로부터 2차조화파(second harmony generation)를발생시키는것을특징으로하기때문에광의진행방향에대한수직방향으로분극이교차로변하는구조(분극교차구조)를 InAlGaN을기반으로하는질화물반도체를통해구현해냄으로써준위상정합(Quasi Phase Matching)을실현해낼 수있게되었으며, 보다넓은파장영역대에서 2차조화파발생을통한 UV 레이저를제조할수 있는기술이개시된다.

53. 发明授权

KR101564702B1 전압과 전류 밀도를 제어할 수 있는 전기 도금 장치 및 그 전기 도금 방법 有权
标题翻译：用于控制电压和电流密度的电镀机以及电镀方法
公开(公告)号：KR101564702B1
公开(公告)日：2015-10-30
申请号：KR1020130161597
申请日：2013-12-23
申请人： (재)한국나노기술원
发明人： 황선용 , 신현범 , 강호관 , 고철기
IPC分类号： C25D21/00 , C25D21/12 , C25D17/00
摘要： 본발명은전기도금장치및 그방법에관한것으로서, 기판을수용하는도금조와, 상기기판의피도금면에대향되어위치하며, 도금금속이연결되는양극과, 상기양극과상기기판과의사이에소정의전기장이형성되도록상기기판과연결되는음극을포함하여구성된전기도금장치에있어서, 기판에전압을인가하는전원공급부와, 상기전원공급부에직렬연결된가변저항부와, 상기가변저항부및 상기기판에병렬연결된바이패스부와, 상기전원공급부, 가변저항부및 바이패스부와연결되어상기기판에인가되는전압및 전류밀도를제어하는제어부를포함하여이루어진것을특징으로하는전압과전류밀도를제어할수 있는전기도금장치및 그전기도금방법을기술적요지로한다. 이에의해전기도금공정을진행함에있어, 최적도금공정이가능한전압과전류밀도를동시에제어할수 있어고품질의도금공정의수행이가능한이점이있다.

54. 发明授权

KR101486206B1 투명전도성 산화물을 이용한 화합물반도체 태양광 전지의 제조방법 및 이에 의해 제조된 화합물반도체 태양광 전지 有权
标题翻译：使用透明导电氧化物和化合物半导体溶胶电池的复合半导体溶胶电池的制造方法
公开(公告)号：KR101486206B1
公开(公告)日：2015-01-27
申请号：KR1020140029590
申请日：2014-03-13
申请人： (재)한국나노기술원
发明人： 이동근 , 강호관 , 신현범 , 정상현 , 황선용 , 김강호
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , H01L31/18 , H01L31/04
摘要： 본 발명은 화합물반도체 태양광 전지에 관한 것으로서, 기판 상에 광전변환셀이 형성되고, 상기 광전변환셀 상부에 윈도우층이 형성되며, 상기 윈도우층 상부에 캡층 및 그리드전극이 형성된 화합물반도체 태양광 전지의 제조방법에 있어서, 상기 윈도우층 상에 제1감광막을 마스크로 하여 습식 식각하여 캡층을 형성하는 단계와, 상기 윈도우층 상에 n-금속층 패터닝을 위한 제2감광막을 형성하고, 상기 캡층 상에 n-금속층을 형성하는 단계와, 상기 윈도우층 및 상기 n-금속층 상에 투명전도성 산화물로 이루어진 보호층을 형성하는 단계와, 상기 보호층 상층에 시드금속층을 증착하는 단계와, 상기 시드금속층 상에 그리드전극 패터닝을 위한 제3감광막을 형성하고, 상기 캡층 상의 시드금속층 상에 그리드전극을 형성하고, 윈도우층 및 보호층으로 이루 어진 영역 상의 시드금속층을 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 투명전도성 산화물을 이용한 화합물반도체 태양광 전지의 제조방법 및 이에 의해 제조된 화합물반도체 태양광 전지를 그 기술적 요지로 한다. 이에 의해 갈바닉 효과를 억제하여 고품질의 화합물반도체 태양광 전지를 제공할 수 있으며, 투명전도성 산화물 박막을 윈도우층과 캡층의 보호층으로 사용함으로써, 윈도우층과 캡층의 손상으로 인한 화합물반도체 태양광 전지의 효율 저하를 방지하였으며, 캡층 형성 후 그리드전극 형성을 위한 시드금속층의 습식 식각 시에도 보호층으로 인해 윈도우층 및 캡층의 손상을 방지하여 화합물반도체 태양광 전지의 효율을 향상시키는 이점이 있다.
摘要翻译：化合物半导体太阳能电池本发明涉及化合物半导体太阳能电池。一种化合物半导体太阳能电池的制造方法，其包括形成在基板上的光电转换单元，形成在所述光电转换单元的上部的窗口层，形成在所述窗口层的上部的盖层，以及栅电极包括以下步骤：将第一感光膜作为掩模湿蚀刻在窗口层上以形成盖层; 在窗口层上形成用于n金属层图案化的第二感光膜，并在盖层上形成n金属层; 在所述窗口层和所述n金属层上形成包含透明导电氧化物的保护层; 在保护层的上层上沉积种子金属层; 以及在所述种子金属层上形成用于栅电极图案化的第三感光膜，在所述覆盖层的种子金属层上形成栅格电极，以及在包括所述窗口层和所述保护层的区域中除去所述种子金属层。该方法能够：通过抑制电流效应提供高质量的化合物半导体太阳能电池; 通过使用透明导电氧化物膜作为窗口层和盖层的保护层，防止由于窗口层和盖层的损坏导致的化合物半导体太阳能电池的效率降低; 并且通过在形成盖层之后，当种子金属层被湿蚀刻以形成栅电极时，通过防止保护层对窗口层和盖层的损坏来提高复合半导体太阳能电池的效率。

55. 发明授权

KR101477038B1 정렬된 금속산화물 나노구조체에 금속나노입자가 결합된 하이브리드 나노구조체의 제조방법 및 그에 의한 하이브리드 나노구조체 有权
标题翻译：金属纳米颗粒与对称金属氧化物纳米结构和混合纳米结构的混合纳米结构的制备方法
公开(公告)号：KR101477038B1
公开(公告)日：2014-12-29
申请号：KR1020130159283
申请日：2013-12-19
申请人： (재)한국나노기술원
发明人： 박형호 , 허은진 , 김신근 , 신현범 , 성호근 , 박경호 , 강호관 , 김희중
IPC分类号： B82B3/00 , B82B1/00
CPC分类号： B82B3/0095 , B82Y40/00
摘要： The present invention relates to hybrid nanostructures in which metal nanoparticles are combined on metal oxide nanostructures and, more specifically, to a manufacturing method for hybrid nanostructures in which metal nanoparticles are combined on aligned metal oxide nanostructures comprising: a first step of forming a metal-organic precursor layer on a substrate or a thin film; a second step of forming a metal oxide seed layer by an imprinting and hardening process by locating a stamp for imprinting on the metal-organic precursor layer; a third step of forming a metal oxide seed pattern layer by exposing a part of the substrate or thin film by removing a residual layer of the metal oxide seed layer; a fourth step of removing a solvent by performing heat treatment on the metal oxide seed pattern layer; a fifth step of forming aligned metal oxide nanostructures on the metal oxide seed pattern layer in which the solvent is removed by using a hydrothermal synthesis method; and a sixth step of forming hybrid nanostructures by combining metal nanoparticles on the aligned metal oxide nanostructures by using photodecomposition reaction, and to hybrid nanostructures manufactured thereby. The present invention is economical since hybrid nanostructures with metal nanoparticles on metal oxide nanostructures are easily manufactured by using a simple process requiring low production costs such as an imprinting process, a hydrothermal synthesis method, photodecomposition reaction and the like.
摘要翻译：本发明涉及其中金属纳米颗粒结合在金属氧化物纳米结构上的混合纳米结构，更具体地说，涉及将金属纳米颗粒结合在对准的金属氧化物纳米结构上的混合纳米结构的制造方法，其包括：第一步骤，有机前体层在基材或薄膜上; 通过定位用于印刷在金属 - 有机前体层上的印模的印刷和硬化工艺来形成金属氧化物种子层的第二步骤; 通过去除所述金属氧化物种子层的残留层而暴露所述基板或薄膜的一部分来形成金属氧化物种子图案层的第三步骤; 通过对所述金属氧化物种子图案层进行热处理来除去溶剂的第四步骤; 在通过水热合成法除去溶剂的金属氧化物种子图案层上形成排列的金属氧化物纳米结构的第五步骤; 以及通过使用光分解反应在排列的金属氧化物纳米结构上结合金属纳米颗粒以及由其制造的混合纳米结构来形成混合纳米结构的第六步骤。本发明是经济的，因为使用金属纳米颗粒在金属氧化物纳米结构上的杂化纳米结构很容易通过使用需要低生产成本的简单工艺（诸如压印法，水热合成法，光分解反应等）来制造。

56. 发明公开

KR1020140085968A 나노패턴을 가지는 금속 필름의 제조방법 有权
标题翻译：金属膜与纳米图案的制造方法
公开(公告)号：KR1020140085968A
公开(公告)日：2014-07-08
申请号：KR1020120155896
申请日：2012-12-28
申请人： (재)한국나노기술원
发明人： 김창환 , 황선용 , 정상현 , 신현범 , 강호관 , 고철기
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0273 , B82B1/001 , B82Y40/00
摘要： The present invention relates to a method of manufacturing a metal film with nanopatterns. The method of manufacturing a metal film with nanopatterns comprises: a first step of forming a sacrificial layer on the upper surface of a substrate; a second step of forming a seed layer for plating on the upper surface of the sacrificial layer; a third step of forming a metal film on the seed layer through electroplating; a fourth step of forming a photosensitive resin layer on the upper surface of the metal film and then forming a nanopattern made of the photosensitive resin layer on the upper surface of the metal film through exposure patterning and developing processes; and a fifth step of removing the sacrificial layer to separate the metal film with the nanopattern formed thereon from the substrate. According to the present invention, fine nanopatterns of equal to or less than 100 nm are uniformly formed while the present invention reduces process costs and time by simplifying processes, and the metal film with the nanopattern is simply manufactured.
摘要翻译：本发明涉及一种利用纳米图案制造金属膜的方法。利用纳米图案制造金属膜的方法包括：在基板的上表面上形成牺牲层的第一步骤; 在牺牲层的上表面上形成用于电镀的种子层的第二步骤; 通过电镀在种子层上形成金属膜的第三步骤; 在金属膜的上表面上形成感光性树脂层，然后通过曝光图案化和显影工艺在金属膜的上表面上形成由感光性树脂层制成的纳米图案的第四步骤; 以及除去牺牲层以从金属膜与其上形成的纳米图案分离的第五步骤。根据本发明，均匀地形成等于或小于100nm的细微纳米图案，而本发明通过简化工艺降低了工艺成本和时间，并且简单地制造了具有纳米图案的金属膜。

57. 发明授权

KR101357087B1 임프린트 리소그래피를 이용한 3차원 나노구조체 제조방법 및 이에 의해 제조된 3차원 나노구조체 有权
标题翻译：由此通过压印光刻和三维纳米结构制造三维纳米结构的方法
公开(公告)号：KR101357087B1
公开(公告)日：2014-02-04
申请号：KR1020110135977
申请日：2011-12-16
申请人： (재)한국나노기술원
发明人： 박형호 , 이병오 , 신현범 , 강호관 , 고철기
IPC分类号： B29C59/02 , B29C71/04
摘要： 본 발명은 임프린트 리소그래피를 이용한 3차원 나노구조체 제조방법 및 이에 의해 제조된 3차원 나노구조체에 관한 것으로, 본 발명의 3차원 나노구조체 제조방법은 기판 또는 박막의 상부에 임프린트 레진 층 또는 감광성 금속-유기물 전구체 층을 형성하는 단계와, 상기 임프린트 레진 층 또는 상기 감광성 금속-유기물 전구체 층을 제1 패턴이 형성된 제1 임프린트용 스탬프(Imprint Stamp)로 가압하고, 가열 또는 빛 조사 방법 중 어느 하나 또는 이들이 혼용된 방법으로 1차 레진 패턴 층 또는 1차 금속 산화박막 패턴 층을 형성하는 단계와, 상기 1차 레진 패턴 층 또는 1차 금속 산화박막 패턴 층을 상기 제1 임프린트용 스탬프와 다른 제2 패턴을 가진 이종의 제2 임프린트용 스탬프로 가압하고, 가열 또는 빛 조사 방법 중 어느 하나 또는 이들이 혼용된 방법으로 2차 레진 패턴 층 또는 2차 금속 산화박막 패턴 층을 형성하는 단계를 포함하여, 이종의 선폭 및 패턴형태를 가진 레진 패턴 층 또는 금속 산화박막 패턴 층을 형성함으로써, 복수의 임프린트 스탬프를 사용하여 다양한 형태의 3차원 패턴형성이 가능하여 저가 및 대면적으로 나노점, 나노튜브, 나노원뿔 등과 같은 다양한 3차원 나노구조체 제조를 용이하게 할 수 있는 효과가 있다.

58. 发明公开

KR1020130052175A 임프린트 리소그래피와 리프트 오프 공정을 이용한 굴절률이 조절된 다층 나노 구조체 제조방법 有权
标题翻译：使用凸版印刷和提升过程调整多层纳米结构的折射率指标的方法
公开(公告)号：KR1020130052175A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：KR1020110117471
申请日：2011-11-11
申请人： (재)한국나노기술원
发明人： 박형호 , 윤홍민 , 임웅선 , 신현범 , 성호근 , 강호관 , 고철기
IPC分类号： B82B3/00 , B82B1/00 , B29C33/38
CPC分类号： G03F7/0002 , B29C33/3807 , B82B3/0038 , B82Y40/00
摘要： PURPOSE: A manufacturing method of a multilayer nanostructure is provided to suppress photo reflection due to difference of refractivity between semiconductor material and air and to minimize damages by etching. CONSTITUTION: A manufacturing method of a multilayer nanostructure comprises a step of forming a polymer layer on the upper part of a substrate; a step of forming a photosensitive metal-organic material precursor layer and an imprint resin layer with Si or metal oxide nanoparticle in the upper part thereof. The imprint resin layer pressurizes the photosensitive metal-organic material layer by a stamp and forms a resin pattern layer or metal oxide thin film pattern layer by heating or light irradiation. An undercut is formed to expose the substrate, by etching one or more of the resin pattern layer, oxide thin film pattern layer, or polymer layer thereof. One or more layers of the resin pattern layer, oxide thin film pattern layer, or polymer layer thereof is formed on one or more upper part of the substrate. A nanostructure(100) is obtained by lifting off one or more of the metal, metal oxide, fluoride, nitride, or sulfide film, by solvent.
摘要翻译：目的：提供一种多层纳米结构的制造方法，以抑制由于半导体材料与空气之间的折射率差异引起的光反射，并且通过蚀刻使损伤最小化。构成：多层纳米结构体的制造方法包括在基板的上部形成聚合物层的工序; 在其上部形成感光金属 - 有机材料前体层和用Si或金属氧化物纳米颗粒的压印树脂层的步骤。压印树脂层通过印模对感光性金属有机材料层进行加压，通过加热或光照射形成树脂图案层或金属氧化物薄膜图案层。通过蚀刻树脂图案层，氧化物薄膜图案层或其聚合物层中的一个或多个，形成底切以暴露基底。树脂图案层，氧化物薄膜图案层或其聚合物层的一层或多层形成在基板的一个或多个上部上。通过溶剂提取一种或多种金属，金属氧化物，氟化物，氮化物或硫化物膜来获得纳米结构（100）。

59. 发明授权

KR101143477B1 유기 태양전지 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：有机太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：KR101143477B1
公开(公告)日：2012-05-22
申请号：KR1020110008711
申请日：2011-01-28
申请人： (재)한국나노기술원
发明人： 정상현 , 강호관 , 이재진 , 신현범
IPC分类号： H01L51/42
CPC分类号： Y02E10/549 , H01L51/42
摘要： PURPOSE: An organic solar cell and a manufacturing method thereof are provided to improve solar cell efficiency by increasing an interfacial area of an electron donor layer and an electron accepting layer by adding a regular pattern to PN junction. CONSTITUTION: An anode(120) is formed on a transparent substrate(110). A regular pattern(123) is formed on an upper side of the anode. An electron accepting layer(130) is formed on the anode. A regular pattern(133) is formed on an upper side of the electron accepting layer. An electron donor layer(140) is formed on the electron accepting layer. A cathode(150) is formed on the electron donor layer.
摘要翻译：目的：提供一种有机太阳能电池及其制造方法，通过向PN结添加规则图案，通过增加电子供体层和电子接受层的界面面积来提高太阳能电池的效率。构成：阳极（120）形成在透明基板（110）上。在阳极的上侧形成规则图案（123）。在阳极上形成电子接受层（130）。在电子接受层的上侧形成规则图案（133）。在电子接受层上形成电子给体层（140）。在电子给体层上形成阴极（150）。

60. 发明授权

KR102199166B1 후면 전극 태양전지의 제조방법 및 이에 의해 제조된 후면 전극 태양전지 그리고 그 후면 전극 태양전지를 이용한 후면 전극 태양전지 모듈 有权
公开(公告)号：KR102199166B1
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：KR1020180161483
申请日：2018-12-14
申请人： (재)한국나노기술원
发明人： 강호관 , 신현범 , 정상현 , 김창주
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/05 , H01L31/0328 , H01L31/0216
摘要： 본발명은태양전지에관한것으로서, 에피성장용기판상부에반도체층을형성하는제1단계와, 상기반도체층에메사에칭을진행하여상기반도체층을복수개의단위반도체층셀로분리하는제2단계와, 각단위반도체층셀의상부에제1전극, 메사영역에제2전극을형성하고, 상기반도체층의측면을절연하기위한절연층을형성하는제3단계와, 상기제1전극및 제2전극, 상기절연층이형성된단위반도체층셀 전면(total surface)에유연기판을형성하는제4단계와, 상기유연기판에상기제1전극및 제2전극에대응하는영역에상하로관통하는전극연결부를형성하는제5단계와, 상기전극연결부에전도성재료를충진시키는제6단계와, 상기에피성장용기판을상기반도체층으로부터박리시키고, 공정용임시기판을상기유연기판에부착시키는제7단계와, 상기단위반도체층셀의캡 에칭(cap etching) 및 ARC(anti-reflection coating) 공정을수행한후 각단위반도체층셀을분리하고, 상기공정용임시기판을분리하는제8단계를포함하는것을특징으로하는후면전극태양전지의제조방법및 이에의해제조된후면전극태양전지그리고이를이용한후면전극태양전지모듈을기술적요지로한다. 이에의해태양전지의후면에제1전극및 제2전극이동시에위치하는후면전극태양전지를제공하며, 와이어본딩공정등이전혀필요치않아공정을단순화시키고, 전극간 연결부위가안정적으로이루어지도록하여생산성및 내구성을향상시키는이점이있다.

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