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1. 发明公开

KR1020160101311A 마이크로-나노 계층 구조의 형성방법 审中-实审
标题翻译：微纳米分层结构的制造方法
公开(公告)号：KR1020160101311A
公开(公告)日：2016-08-25
申请号：KR1020150023559
申请日：2015-02-16
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 이봉국 , 유한영 , 김약연 , 백인복 , 윤용선 , 이병준 , 장원익
IPC分类号： B81C1/00 , B82B3/00
CPC分类号： B81C1/00079 , B81C1/0046 , B81C1/00714 , B81C2201/015 , B82B3/0019 , B82B3/0095
摘要： 본발명의실시예에따른마이크로-나노계층구조형성방법은몰드-기반리소그래피를이용하여마이크로구조체를형성하는단계; 및대기압플라즈마에칭을이용하여상기마이크로구조체표면에나노구조체를형성하는단계를포함할수 있다.
摘要翻译：根据本发明的一个实施方案，形成微纳米级结构的方法包括：使用基于模具的光刻形成微结构的步骤; 以及使用大气压等离子体蚀刻法在微结构体的表面上形成纳米结构的工序。本发明的目的是提供一种形成微纳米级结构的方法，使得微纳米层次结构具有大的面积。

2. 发明公开

KR1020160093900A 상호 연결된 다이아몬드 나노플레이크들을 포함하는 센싱 전극 및 이의 제조 방법 有权
标题翻译：包含互连金刚石纳米镜的感应电极及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160093900A
公开(公告)日：2016-08-09
申请号：KR1020150014798
申请日：2015-01-30
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 이욱성 , 고영진 , 조정민 , 백영준 , 박종극 , 이학주
IPC分类号： G01N27/30 , B82B3/00 , B82B1/00
CPC分类号： G01N27/30 , B82B1/001 , B82B3/0019
摘要： 센싱전극은, 기판및 필라멘트(filament)가위치하는반응챔버에, 수소및 탄화소수를포함하는원료기체를주입하는단계; 상기기판을 850도내지 930도의온도로가열하는단계; 상기필라멘트를가열하여상기원료기체를활성화하는단계; 및활성화된상기원료기체로부터, 가열된상기기판상에전극층을형성하는단계에의해제조될수 있다. 상기전극층은, 그래핀(graphene) 층및 상기그래핀층에삽입되며상호연결된(inter-connected) 다이아몬드나노플레이크(diamond nanoflake)들로이루어진다. 다이아몬드나노플레이크들의상호연결에의해전도성이향상되어, 센싱전극의전기화학적성능이향상될수 있다.
摘要翻译：可以制造感测电极，其包括：将包括氢和烃的源气体注入到基板和灯丝所在的反应室中的步骤; 在850-930摄氏度的温度下加热衬底的步骤; 通过加热灯丝来激活源气体的步骤; 以及在被加热的基板上形成电极层的步骤。电极层由石墨烯层和插入到石墨烯层中的相互连接的金刚石纳米片形成。通过金刚石纳米片之间的互连改善了电导率，并且能够提高感测电极的电化学性能。

3. 发明公开

KR1020160087160A ＧａＮ 기반 다공성 피라미드 광전극 및 그 제조방법 有权
标题翻译：基于多孔PYRAMID光电的GAN和方法
公开(公告)号：KR1020160087160A
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：KR1020150005959
申请日：2015-01-13
申请人： 울산과학기술원
发明人： 백정민 , 박준모
IPC分类号： B82B3/00 , C25B11/02 , C25B11/04
CPC分类号： B82B3/0019 , C25B11/02 , C25B11/04
摘要： 본발명에따른 GaN 기반다공성피라미드광전극제조방법은 (a) 기판상에 GaN를전기화학식각으로다공성나노구조체를형성하는단계; (b) 상기다공성나노구조체에 SiO마이크로스피어, 혹은 Photolithography 공정을통해상기피라미드구조로마이크로패터닝을수행하는단계; (c) 상기 `(b)`단계에서패터닝된피라미드구조대로건식식각공정을통해상기다공성나노구조체를식각하는단계; (d) 상기 `(c)`단계에서식각공정을통해형성된다공성피라미드구조에나노입자(202)가포함된용액을도포하는단계; 및 (e) 상기나노입자(202)가상기다공성피라미드구조내부로들어가고정될수 있도록, 상기다공성피라미드구조를건조하는단계;를포함하여, 반사율과내부화학물질수소효율을향상시키는효과가있다.
摘要翻译：根据本发明，GaN基多孔金字塔光电极的制备方法包括以下步骤：（a）对基底上的GaN进行电化学蚀刻以形成多孔纳米结构; （b）通过SiO_2微球或光刻工艺，在多孔纳米结构上进行金字塔结构的微图案化; （c）通过干蚀刻工艺，根据（b）中图案化的金字塔结构蚀刻多孔纳米结构; （d）通过（c）中的蚀刻工艺形成的多孔金字塔结构用含有纳米颗粒（202）的溶液涂覆; 和（e）干燥多孔金字塔结构，使得纳米颗粒（202）可渗透并固定在多孔金字塔结构内。因此，本发明具有提高内部化学材料的反射率和氢效率的效果。

4. 发明公开

KR1020140052242A 비대칭 라인 나노 패턴 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：不对称线NANOPATTERNS及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140052242A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：KR1020120118056
申请日：2012-10-23
申请人： 포항공과대학교 산학협력단
发明人： 김진곤 , 한성현 , 김성남 , 배두식 , 곽종헌
IPC分类号： C08L53/00 , C08J3/00 , B82B3/00 , H01L21/027
CPC分类号： C08L53/005 , B82B3/0014 , B82B3/0019 , C08J3/005 , H01L21/0273
摘要： The present invention relates to an asymmetric line nanopattern and a manufacturing method thereof. In particular, the asymmetric line nanopattern can be applied to next generation lithography by using an asymmetric lamellar microdomain formed by a block copolymer blend. To form the nanopattern, the present invention provides the method which forms an asymmetric lamellar pattern using a mixture of two or more copolymers. At least one block of a block copolymer forms a secondary bonding with at least another block of another block copolymer.
摘要翻译：本发明涉及非对称线状纳米图案及其制造方法。特别地，通过使用由嵌段共聚物共混物形成的不对称层状微区，可以将不对称线状纳米图案应用于下一代平版印刷。为了形成纳米图案，本发明提供了使用两种或更多种共聚物的混合物形成不对称层状图案的方法。嵌段共聚物的至少一个嵌段与至少另一个嵌段共聚物的嵌段形成二次键合。

5. 发明公开

KR1020140023629A 포토리소그래피와 도금을 이용한 나노패턴이 형성된 필름 제조방법 无效
标题翻译：使用光刻和镀层的纳米图案薄膜的制造方法
公开(公告)号：KR1020140023629A
公开(公告)日：2014-02-27
申请号：KR1020120089727
申请日：2012-08-16
申请人： (재)한국나노기술원
发明人： 황선용 , 강세민 , 신현범 , 강호관 , 고철기
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/26 , H01J9/20 , C08J5/18
CPC分类号： H01L21/0274 , B82B1/001 , B82B3/0019 , C08J5/18 , G03F7/265 , H01J9/205
摘要： The present invention relates to a fabrication method of a nanopatterned film using photolithography and plating. According to the present invention, a fabrication method, in a method for fabricating a sheet or a film having nanopatterns, includes a first step of spraying photoresist on a substrate, a second step of forming a photoresist pattern where a residual layer of predetermined thickness remains by performing an exposure and development process on the photoresist, a third step of performing a seed layer deposition and a plating process on the photoresist pattern, and a forth step of fabricating the sheet or the film having nanopatterns by removing the photoresist pattern using a solvent. Therefore, the sheet or the film having nanopatterns can be obtained by using a simple process.
摘要翻译：本发明涉及使用光刻和电镀的纳米图案化薄膜的制造方法。根据本发明，在制造具有纳米图案的片材或膜的方法中的制造方法包括在基片上喷涂光致抗蚀剂的第一步骤，形成光刻胶图案的第二步骤，其中剩余的预定厚度的层保留通过对光致抗蚀剂进行曝光和显影处理，在光致抗蚀剂图案上进行种子层沉积和电镀处理的第三步骤，以及使用溶剂除去光刻胶图案来制造具有纳米图案的片材或膜的第四步骤。因此，可以通过使用简单的方法获得具有纳米图案的片材或膜。

6. 发明授权

KR101573652B1 산화아연 나노시트 구조물 제조방법 및 이에 의해 제조된 산화아연 나노시트 구조물을 포함하는 전자장치와 터치센서장치 有权
标题翻译：氧化锌纳米结构的制造方法以及具有氧化锌纳米结构的电子装置和触摸传感器装置
公开(公告)号：KR101573652B1
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：KR1020150028121
申请日：2015-02-27
申请人： 성균관대학교산학협력단
发明人： 김상우 , 이근영 , 이주혁
IPC分类号： B82B3/00 , B82B1/00 , H02N11/00 , G01L1/20
CPC分类号： G06F3/0416 , G06F3/047 , G06F2203/04103 , H01L41/113 , H01L41/18 , H01L41/187 , H01L41/31 , Y10S977/755 , Y10S977/811 , B82B3/0009 , B82B1/001 , B82B3/0014 , B82B3/0019 , G01L1/20 , H02N11/00
摘要： 산화아연나노시트구조물의제조방법이개시된다. 산화아연나노시트구조물은기판상에산화아연시드를형성한후 아연전구체및 도핑원소함유화합물이용해된산화아연성장용액내에서산화아연시드로부터산화아연을성장시킴으로써제조될수 있다.
摘要翻译：公开了一种氧化锌纳米片结构的制造方法。氧化锌纳米片结构可以通过在形成氧化锌种子之后在锌基前体和含掺杂元素的化合物溶解的氧化锌生长溶液中生长氧化锌来制造。

7. 发明公开

KR1020140106970A 나노리소그래피용 마이크로팁 어레이, 이의 제조방법 및 이를 이용한 나노리소그래피 방법 有权
标题翻译：用于纳米光刻的微阵列，其制造方法和使用其的纳米方法
公开(公告)号：KR1020140106970A
公开(公告)日：2014-09-04
申请号：KR1020130021369
申请日：2013-02-27
申请人： 한국과학기술원
发明人： 정기훈 , 이영섭 , 김재준 , 강민희
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： H01L21/0274 , B82B1/001 , B82B3/0019 , G03F7/2004 , G03F7/2012
摘要： The present invention relates to a nanoplasmonic microtip array for nanolithography, a method of manufacturing the same, and a nanolithography method using the same. More particularly, the present invention relates to a microtip array for nanolithography which can fabricate a nanostructure of diffraction limit or less by manufacturing an large-scaled elastomer or polymer microtip array and forming a metal nanostructure on the surface of the array, a method of manufacturing the same, and a nanolithography method using the same. In a microtip array for nanolithography, the micro tip array provides a micro tip array for nanolithography which has a surface where metal nanostructures are formed.
摘要翻译：本发明涉及用于纳米光刻的纳米等离子体微尖头阵列，其制造方法和使用其的纳米光刻方法。更具体地说，本发明涉及一种用于纳米光刻的微尖头阵列，其可以通过制造大规模弹性体或聚合物微尖头阵列并在阵列的表面上形成金属纳米结构来制造衍射极限以下的纳米结构，制造方法和使用其的纳米光刻方法。在用于纳米光刻的微尖头阵列中，微尖阵列提供用于纳米光刻的微尖阵列，其具有形成金属纳米结构的表面。

8. 发明公开

KR1020130143417A 나노전사 프린팅방법 및 이를 이용한 나노패턴의 제조방법 审中-实审
标题翻译：使用其制造纳米图案的纳米转印印刷方法和方法
公开(公告)号：KR1020130143417A
公开(公告)日：2013-12-31
申请号：KR1020120066966
申请日：2012-06-21
申请人： 엘지디스플레이 주식회사 , 한국과학기술원
发明人： 박종현 , 김태헌 , 봉성율 , 정연식 , 정재원 , 김경호 , 박운익
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0273 , B82B1/001 , B82B3/0014 , B82B3/0019
摘要： A nano transfer printing method according to an embodiment of the present invention includes the steps of: coating an elastic mold including a surface pattern with a block copolymer; forming a polymer thin film with a self-assembly pattern by annealing the block copolymer to induce self-assembly; printing the polymer thin film with the self-assembly pattern on the substrate; and removing the polymer thin film except the self-assembly pattern and forming an oxidation pattern by oxidizing the self-assembly pattern.
摘要翻译：根据本发明实施例的纳米转印印刷方法包括以下步骤：用嵌段共聚物涂布包括表面图案的弹性模具; 通过退火嵌段共聚物以自组装形成具有自组装图案的聚合物薄膜; 在衬底上印刷具有自组装图案的聚合物薄膜; 除去自组装图案以外的聚合物薄膜，通过氧化自组装图案形成氧化图案。

9. 发明授权

KR101289200B1 다양한 크기의 나노스피어를 이용한 2차원 광결정 구조체 및 이의 제조방법２Ｄ有权
标题翻译：使用多尺寸纳米晶的光子晶体结构及其制造方法
公开(公告)号：KR101289200B1
公开(公告)日：2013-07-26
申请号：KR1020120007402
申请日：2012-01-25
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 안진호 , 고기영 , 이길복
IPC分类号： G02B5/20 , G02B5/08 , H01L21/027 , B82B3/00
CPC分类号： G02B5/201 , B82B3/0009 , B82B3/0014 , B82B3/0019 , B82B3/0061 , G02B5/0841 , G02B5/203 , H01L21/0273
摘要： PURPOSE: A 2D photonic crystal structure using multi-sized nanospheres and a manufacturing method thereof are provided to expand morphological variety of a photonic crystal structure. CONSTITUTION: A photonic crystal layer (200) is formed on a substrate (100). A first nanosphere self-assembled monolayer array (300) is formed on the photonic crystal layer. The first nanosphere self-assembled monomer array is etched so that sizes of the first nonospheres are adjusted, and a plurality of nanospheres (300a) is formed being spaced apart from each other with a fixed distance therebetween. A second nanosphere self-assembled monolayer array (400) is formed on the first nanosphere self-assembled monolayer array. The second nanosphere self-assembled monomer array is etched so that a flower-type mask pattern (500) is formed. A mask film (600) is formed on the front surface of the flower-type mask pattern.
摘要翻译：目的：提供使用多尺寸纳米球的2D光子晶体结构及其制造方法，以扩大光子晶体结构的形态变化。构成：在衬底（100）上形成光子晶体层（200）。在光子晶体层上形成第一纳米球自组装单层阵列（300）。蚀刻第一纳米球自组装单体阵列，使得调整第一非球体的尺寸，并且形成多个纳米球（300a），彼此间隔开固定的距离。在第一纳米球自组装单层阵列上形成第二纳米球自组装单层阵列（400）。蚀刻第二纳米球自组装单体阵列，从而形成花型掩模图案（500）。在花型掩模图案的前表面上形成掩模膜（600）。

10. 发明公开

KR1020050120842A 전압 프로그래밍을 기반으로 한 원자간 인력 현미경에의한 나노 전사법 失效
标题翻译：使用基于电压编程的原子力显微镜的纳米方式
公开(公告)号：KR1020050120842A
公开(公告)日：2005-12-26
申请号：KR1020040045942
申请日：2004-06-21
申请人： 재단법인서울대학교산학협력재단
发明人： 이종협 , 김영훈 , 최인희
IPC分类号： B82B3/00 , G01Q60/24
CPC分类号： B82B3/0014 , B82B3/0019 , G01Q60/24
摘要： 본 발명은 원자간 인력 현미경(atomic force microscope : AFM)을 이용한 나노 전사법(nano-patterning method)에 관한 것으로, 기존 AFM의 구조를 변형시키지 않고, 전위차계(potentiometer)를 이용하여 복잡한 2차원 또는 3차원 패턴을 반복적이면서도 빠르게 구현하는 방법을 제공하는 것이 목적이다.
본 발명의 원자간 인력 현미경을 이용한 나노전사 방법은, 전사하고자 하는 2차원 또는 3차원 대상물을 픽셀(pixel)로 분할, 스캔하여 픽셀마다 인가전압을 결정하는 단계(A)와, (A)단계에서 얻어진 픽셀 단위로 결정된 인가전압 데이터를 시간에 대한 인가전압의 시그널로 전환하여 프로그램화 하는 단계(B)와, (B)단계에서 시간의 함수로 프로그램된 전압 패턴을 전위차계를 통하여 AFM에 인가하여 이미지를 구현하는 단계(C)와, (C)단계에서 양극산화반응을 통해 구현된 양각 패턴의 이미지를 음각 패턴으로 전환하거나 양각 패턴을 보다 뚜렷하게 구현하기 위하여 불산이나 인산으로 에칭하는 단계(D)를 포함하며, 본 발명에 의하면 광전사법보다 더욱 미세한 나노구조물을 구축할 수 있다.

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