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41. 发明授权

KR101242903B1 필터장치 有权
标题翻译：过滤装置
公开(公告)号：KR101242903B1
公开(公告)日：2013-03-12
申请号：KR1020100137328
申请日：2010-12-28
申请人： 주식회사 포스코
发明人： 정우성 , 엄문종 , 남경훈 , 정용화 , 김경보 , 이동열 , 김태엽 , 곽영진 , 홍석준 , 이상철 , 박상훈 , 남양우
IPC分类号： B01D46/10 , C23C16/00
摘要： 스플래쉬(Splash)에 의한 표면결함 발생을 감소시킬 수 있는 필터장치가 개시된다.
상기한 필터장치는 금속 증기가 유동하는 유동 경로를 제공하는 이송부재 및 금속 증기에 함유된 스플래쉬를 제거토록 상기 이송부재에 설치되며, 스플래쉬의 운동에너지를 손실시키기 위해 금속 증기가 지그재그로 유동하도록 하거나 미세공을 가지는 복수개의 필터유닛을 구비하는 필터부를 포함한다.
이러한 필터장치에 의하면, 제1,2 필터유닛을 구비하는 필터부를 통해 금속 증기에 함유된 스플래쉬를 금속 증기로부터 제거함으로써 표면결함 발생을 감소시킬 수 있다.

42. 发明授权

KR101217518B1 증착 원료 공급 장치 및 이를 구비하는 박막 증착 장치 有权
标题翻译：用于提供具有该沉积物的沉积物和沉积设备的设备
公开(公告)号：KR101217518B1
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：KR1020080028353
申请日：2008-03-27
申请人： 주성엔지니어링(주) , (주)에이디에스
发明人： 김철환 , 박석주 , 이형섭
IPC分类号： C23C16/448 , C23C16/00
摘要： 따라서본 발명에의하면복수의홈을구비하며회전하는원료유량조절부를이용하여일정양의유기원료를연속적으로증착챔버에공급할수 있다. 따라서, 매증착공정마다유기원료를새로넣지않아도되므로공정수율이높아지는효과가있다. 또한, 본발명에서는원료유량조절부를이용하여기계적, 물리적인방법으로유기원료를이송하므로상기유기원료의특성및 주위환경에영향을받지않고일정양을증착챔버에공급할수 있다.

43. 发明授权

KR101192326B1 가스분사장치 및 이를 구비하는 박막증착장치 有权
标题翻译：气体注射装置和装置用于沉积其膜
公开(公告)号：KR101192326B1
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：KR1020070141273
申请日：2007-12-31
申请人： 주성엔지니어링(주) , (주)에이디에스
发明人： 이형섭 , 남궁성태 , 이규환
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/00
摘要： 본 발명의 가스분사장치는 내부 공간이 마련된 몸체와, 상기 몸체의 상부면에 형성되어 내부 공간과 연통되고 원료 물질이 도입되는 공급홀과, 상기 몸체의 하부면에 형성되어 내부 공간과 연통되고 원료 물질이 분사되는 분사홀과, 상기 몸체 내의 내부 공간에 마련되어 관통홀이 형성된 분배판을 포함하고, 상기 분배판은 수평면으로부터 소정 각도로 기울어져 배치된다.
상기와 같은 발명은 가스분사장치의 공급홀과 분사홀 사이에 소정 각도로 기울어진 분배판을 마련함으로써, 원료 물질을 균일하게 분사할 수 있는 효과가 있다.
챔버, 가스분사장치, 기판 지지부, 공급홀, 분사홀

44. 发明授权

KR101183363B1 버블러를 리필링하기 위한 장치 및 방법 有权
标题翻译：改装啤酒的装置和方法
公开(公告)号：KR101183363B1
公开(公告)日：2012-09-14
申请号：KR1020050013556
申请日：2005-02-18
申请人： 씨에스 크린 시스템즈 아게
发明人： 숄츠,크리스토프
IPC分类号： C23C16/00
CPC分类号： C23C16/4482 , B01B1/005 , G05D9/12 , Y10T137/0396 , Y10T137/3127
摘要： 액체 물질(3)을 증발시키고 그리고 이것을 소비 장치(user)로 이송시키기 위해, 버블러(1)가 제공되고, 이것 내로 캐리어 가스(7)가 이송된다. 최소 레벨(4)이 달성될 때, 상기 액체 물질(3)의 정확한 양이 레저버 탱크(15)로부터 리필된다. 이 목적을 위해, 중간 탱크(25)가 제공되며, 상기 중간 탱크는 비활성 가스로 압력 P1 까지 채워진다. 비활성 가스(21)는 P1 보다 더 높은 압력 P2 에서 레저버 탱크(15)로 적용된다. 상기 중간 탱크(25)는 레저버 탱크(15)와 연결되며, 그 결과로서 상기 액체 물질(3)의 특정 양이 중간 탱크(25)로 흐르며 그리고 연결 라인(17)을 통해 버블러(1)로 이송되며, 비활성 가스(32)는 P2 보다 더 낮은 압력 P3 에서 연결 라인(17)에 우선 적용된다.

45. 发明公开

KR1020120096084A 밀봉 필름의 차수 성능 개선 방법 및 장치 无效
标题翻译：改善封隔膜的水障碍性能
公开(公告)号：KR1020120096084A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：KR1020127018613
申请日：2005-06-06
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 원,태경 , 야다브,산자이
IPC分类号： C23C16/50 , C23C16/00
CPC分类号： C23C16/345 , C23C8/36
摘要： 재료 층을 저온에서 기판 상에 증착하는 방법 및 장치가 기재되어 있다. 재료 층은 하부 재료들의 열 불안정성으로 인해 여러 디스플레이 애플리케이션들에서 필요로 하는 저온 공정들을 위한 밀봉 층으로서 이용될 수 있다. 밀봉 층은 다수의 기판 형태들 및 여러 기판 크기들에 있어서 표면 조도를 감소시키며, 차수 성능을 개선하고, 열 응력을 감소시키며, 양호한 스텝 커버리지를 제공하기 위해서 하나 이상의 배리어 층 재료들 및 하나 이상의 저 유전체 상수의 재료들을 갖는 하나 이상의 재료 층들(다층)을 포함한다. 따라서, 이와 같이 증착된 밀봉 층은 OLED 소자들과 같은 다양한 디스플레이 소자들을 위해서 양호한 소자 수명을 제공한다. 게다가, 무정형 탄소 재료를 저온에서 기판 상에 증착하는 방법이 제공된다. 무정형 탄소 재료는 열 응력을 감소시키며, 증착된 박막이 기판으로부터 필링되는 것을 방지하는데 이용될 수 있다.

46. 发明公开

KR1020120091466A 이송 챔버 인터페이스용 플로팅 슬릿 밸브 有权
标题翻译：浮动接口的浮动阀门
公开(公告)号：KR1020120091466A
公开(公告)日：2012-08-17
申请号：KR1020127019586
申请日：2008-02-29
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 화이트,존엠. , 쿠리타,신이치 , 마츠모토,타카유키
IPC分类号： F16K51/02 , C23C16/00 , H01L21/02 , F16K3/18
CPC分类号： F16K51/02 , Y10S438/905 , Y10T29/49412
摘要： 본 발명은 일반적으로 챔버와 인터페이싱하기 위한 플로팅 슬릿 밸브를 포함한다. 플로팅 슬릿 밸브는 챔버와 같은 또 다른 대상물에 대해 이동 또는 "플로팅"한다. 슬릿 밸브는 두 개의 챔버들 사이에 결합될 수 있다. 슬릿 밸브와 결합되는 챔버가 가열될 때, 슬릿 밸브는 또한 전도에 의해 가열될 수 있다. 슬릿 밸브가 가열될 때, 열 팽창될 수 있다. 진공이 챔버 내에 취입되면, 슬릿 밸브는 진공 편향에 의해 변형될 수 있다. 챔버와 슬릿 밸브 사이에 저 마찰 재료 스페이서를 배치함으로써, 슬릿 밸브는 열 팽창/수축 및/또는 진공 편향 동안 챔버와 접촉하지 않을 수 있어, 원하지 않는 입자 오염물이 발생하지 않을 수 있다. 또한, 챔버로 슬릿 밸브를 결합하기 위한 챔버를 통해 드릴 가공되는 슬롯은 슬릿 밸브의 열 팽창/수축 및 진공 편향을 수용하기 위한 크기를 가질 수 있다.

47. 发明公开

KR1020120091063A 안정한 표면파 플라즈마 소스 有权
标题翻译：稳定的表面波等离子体源
公开(公告)号：KR1020120091063A
公开(公告)日：2012-08-17
申请号：KR1020127009034
申请日：2010-08-30
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 첸,리 , 자오,젠핑 , 브라베넥,로날드,브이. , 펑크,메리트
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/00 , H05H1/30
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01L21/67005 , H01Q13/10
摘要： 표면파 플라즈마(surface wave plasma, SWP) 소스가 제시된다. 표면파 플라즈마 소스는 플라즈마에 인접한 전자기(electromagnetic, EM)파 방사부의 플라즈마 표면 위에 표면파를 발생시켜 전자기에너지를 원하는 전자기파 모드로 상기 플라즈마에 커플링시키도록 구성된다. 전자기파 방사부는 복수의 슬롯을 구비한 슬롯 안테나를 포함한다. 표면 플라즈마(SWP) 소스는 상기 플라즈마 표면에 형성되는 제1리세스 배열을 더 포함하고, 상기 제1리세스 배열은 실질적으로 상기 복수의 슬롯의 제1슬롯배열에 맞추어 정렬되며, 상기 플라즈마 표면에 형성되는 제2리세스 배열은 상기 복수의 슬롯의 제2슬롯배열에 부분적으로 맞추어 정렬되거나 상기 복수의 슬롯의 제2슬롯배열에 맞추어 정렬되지 않는다.
摘要翻译：描述了表面波等离子体（SWP）源。 SWP源包括电磁（EM）波发射器，其被配置为通过在邻近等离子体的EM波发射器的等离子体表面上产生表面波来将期望的EM波模式中的EM能量耦合到等离子体。 EM波发射器包括具有多个槽的缝隙天线。 SWP源还包括形成在等离子体表面中的第一凹陷构型，其中第一凹槽构型基本上与多个槽中的槽的第一布置对准，以及形成在等离子体表面中的第二凹槽构型，其中第二凹槽配置部分地与多个槽中的槽的第二布置部分对准或者不与多个槽中的槽的第二布置对准。功率耦合系统耦合到EM波发射器并且被配置为向用于形成等离子体的EM波发射器提供EM能量。

48. 发明公开

KR1020120091003A 딥 트렌치 실리콘 식각 장치 및 딥 트렌치 실리콘 식각 장치의 가스 흡입 시스템 有权
标题翻译：深层硅蚀刻装置深度硅蚀刻装置的气体采集系统
公开(公告)号：KR1020120091003A
公开(公告)日：2012-08-17
申请号：KR1020127007794
申请日：2010-08-19
申请人： 베이징 나우라 마이크로일렉트로닉스 이큅먼트 씨오., 엘티디.
发明人： 저우양
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/00
CPC分类号： H01J37/3244 , H01L21/30655 , Y10T137/8593
摘要： 반응 챔버 및 가스 소스 캐비넷을 포함하는 딥 트렌치 실리콘 식각 장치로서, 가스 소스 캐비넷은 독립적으로 제어되는 두 개의 가스 경로를 통하여 반응 챔버에 연결되고, 제1 가스 경로가 가스 소스 캐비넷으로부터 반응 챔버 내로 식각 단계용 공정 가스를 주입하는데 사용되고, 제2 가스 경로가 가스 소스 캐비넷으로부터 반응 챔버 내로 증착 단계용 공정 가스를 주입하는데 사용된다. 본 발명은 공정 단계가 전환될 때 발생하는 가스 혼합 및 가스 지연의 문제점을 해결하는데 사용된다.

49. 发明授权

KR101170576B1 대기압 질소 유전체-장벽 방전 내에 존재하는 Ｈ2Ｏ 수준의고려에 관한 방법, 시스템 및 중합체 물질 有权
标题翻译：在大气压氮介质阻挡放电中存在的考虑到H2O水平的方法，系统和聚合物物质
公开(公告)号：KR101170576B1
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：KR1020077002451
申请日：2005-06-30
申请人： 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니
发明人： 스트로벨,마크,에이. , 키르크,세쓰,엠. , 겟셸,조엘,에이. , 스카루파,매튜,제이.
IPC分类号： C08J7/12 , C08J3/28 , C23C16/00 , B29C59/12
CPC分类号： C08J7/123 , B29C59/12 , Y10T428/31656 , Y10T428/31938
摘要： 본 방법 및 시스템은 중합체 물질의 표면을 처리하기 위해 대기압 질소 유전체-장벽 방전을 사용한다. 대기압 질소 유전체-방전은, 처리기 내 H
2 O를 측정 및 제어하는 등에 의해 H
2 O 수준이 소정 양 미만으로 유지되어, 바람직한 특성을 제공하는 중합체 물질에 대한 표면 처리를 생성할 수 있다. 또한, 상기 H
2 O 수준은 소정 양에 의해서, 또는 수득되는 중합체 표면의 분석과 같은 또 다른 변수에 의해서 측정 및 제어될 수 있다. 예를 들면, 처리된 중합체의 이러한 분석에 근거하여 처리기 내의 H
2 O 수준을 제어하는 등에 의해, 세척된 및 세척되지 않은 전진 접촉각에 근거하여, 중합체 표면에 최적의 첨가된 질소-대-첨가된 산소 비 및(또는) 최적의 안정성이 제공될 수 있다.
대기압 질소 유전체-장벽 방전, 중합체 물질, 표면 처리, 전진 접촉각

50. 发明授权

KR101161407B1 화학기상 증착장치 有权
标题翻译：化学气相沉积装置
公开(公告)号：KR101161407B1
公开(公告)日：2012-07-09
申请号：KR1020080096306
申请日：2008-09-30
申请人： 삼성엘이디 주식회사
发明人： 김창성 , 유상덕 , 홍종파 , 심지혜 , 이원신
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/00
摘要： 화학기상 증착장치를 제공한다.
본 발명에 따른 화학 기상 증착 장치는, 웨이퍼가 탑재되는 서셉터가 구비되며 상기 웨이퍼에 대한 화학 기상 증착이 이루어지는 반응로를 구비하는 반응챔버, 상기 반응로의 외측으로부터 상기 반응로의 중심 쪽으로 반응가스가 유동하도록 상기 반응챔버의 외부벽에 구비되는 가스 유입부, 그리고 상기 반응로에서 반응완료 된 반응가스를 상기 반응챔버의 상부 또는 하부로 배출하도록 상기 반응챔버의 중심부에 구비되는 가스 배기부를 포함하며, 고온의 증착 막 성장 조건 하에서 성장 압력을 증가시킬 경우에도 챔버 내에서 가스의 밀도가 실질적으로 균일하게 되도록 할 수 있는 특징이 있다.

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