基本信息:
- 专利标题: 딥 트렌치 실리콘 식각 장치 및 딥 트렌치 실리콘 식각 장치의 가스 흡입 시스템
- 专利标题(英):Deep silicon etching device and gas intake system for deep silicon etching device
- 专利标题(中):深层硅蚀刻装置深度硅蚀刻装置的气体采集系统
- 申请号:KR1020127007794 申请日:2010-08-19
- 公开(公告)号:KR1020120091003A 公开(公告)日:2012-08-17
- 发明人: 저우양
- 申请人: 베이징 나우라 마이크로일렉트로닉스 이큅먼트 씨오., 엘티디.
- 申请人地址: NO.* Wenchang Avenue, Beijing Economic-Technological Development Area, Beijing ******, China
- 专利权人: 베이징 나우라 마이크로일렉트로닉스 이큅먼트 씨오., 엘티디.
- 当前专利权人: 베이징 나우라 마이크로일렉트로닉스 이큅먼트 씨오., 엘티디.
- 当前专利权人地址: NO.* Wenchang Avenue, Beijing Economic-Technological Development Area, Beijing ******, China
- 代理人: 특허법인태평양
- 优先权: CN2009100918563 2009-08-27
- 国际申请: PCT/CN2010/076152 2010-08-19
- 国际公布: WO2011023078 2011-03-03
- 主分类号: H01L21/3065
- IPC分类号: H01L21/3065 ; C23C16/00
摘要:
반응 챔버 및 가스 소스 캐비넷을 포함하는 딥 트렌치 실리콘 식각 장치로서, 가스 소스 캐비넷은 독립적으로 제어되는 두 개의 가스 경로를 통하여 반응 챔버에 연결되고, 제1 가스 경로가 가스 소스 캐비넷으로부터 반응 챔버 내로 식각 단계용 공정 가스를 주입하는데 사용되고, 제2 가스 경로가 가스 소스 캐비넷으로부터 반응 챔버 내로 증착 단계용 공정 가스를 주입하는데 사용된다. 본 발명은 공정 단계가 전환될 때 발생하는 가스 혼합 및 가스 지연의 문제점을 해결하는데 사용된다.
摘要(英):
A deep trench silicon etching apparatus comprising a reaction chamber and a gas source cabinet, gas source cabinet is connected to the reaction chamber through the two gas channels are independently controlled, the first gas path, the etching steps into the reaction chamber from the gas source cabinet used to inject a process gas, the second gas path is used to inject a process gas for the deposition step into the reaction chamber from the gas source cabinet. The invention is used to solve the problems of the gas mixing and gas delay that occurs when a process step is switched.
公开/授权文献:
- KR101322545B1 딥 트렌치 실리콘 식각 장치 및 딥 트렌치 실리콘 식각 장치의 가스 흡입 시스템 公开/授权日:2013-10-28
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
--------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料 |
--------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的,例如腐蚀、抛光、切割 |
------------------H01L21/306 | ......化学或电处理,例如电解腐蚀 |
--------------------H01L21/3065 | .......等离子腐蚀;活性离子腐蚀 |