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1. 发明授权

KR101161407B1 화학기상 증착장치 有权
标题翻译：化学气相沉积装置
公开(公告)号：KR101161407B1
公开(公告)日：2012-07-09
申请号：KR1020080096306
申请日：2008-09-30
申请人： 삼성엘이디 주식회사
发明人： 김창성 , 유상덕 , 홍종파 , 심지혜 , 이원신
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/00
摘要： 화학기상 증착장치를 제공한다.
본 발명에 따른 화학 기상 증착 장치는, 웨이퍼가 탑재되는 서셉터가 구비되며 상기 웨이퍼에 대한 화학 기상 증착이 이루어지는 반응로를 구비하는 반응챔버, 상기 반응로의 외측으로부터 상기 반응로의 중심 쪽으로 반응가스가 유동하도록 상기 반응챔버의 외부벽에 구비되는 가스 유입부, 그리고 상기 반응로에서 반응완료 된 반응가스를 상기 반응챔버의 상부 또는 하부로 배출하도록 상기 반응챔버의 중심부에 구비되는 가스 배기부를 포함하며, 고온의 증착 막 성장 조건 하에서 성장 압력을 증가시킬 경우에도 챔버 내에서 가스의 밀도가 실질적으로 균일하게 되도록 할 수 있는 특징이 있다.

2. 发明授权

KR101004822B1 화학 기상 증착 장치 失效
标题翻译：化学气相沉积装置
公开(公告)号：KR101004822B1
公开(公告)日：2010-12-28
申请号：KR1020080036094
申请日：2008-04-18
申请人： 삼성엘이디 주식회사
发明人： 김창성 , 최창환 , 홍종파 , 김중일
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/00
CPC分类号： C23C16/45591 , C23C16/45508 , C23C16/45574 , C23C16/45582 , C23C16/45585
摘要： 본 발명은 화학 기상 증착 장치의 구조를 개선하여 증착이 이루어지는 반응로 내부로 유입되는 반응가스의 유동 속도가 실질적으로 균일하게 될 수 있도록 하여 피증착체에 대한 박막의 성장이 실질적으로 균일하게 이루어질 수 있도록 하는 화학 기상 증착 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치는 ,챔버; 상기 챔버 내에 마련되어 피증착체에 대한 증착이 이루어지는 반응로; 및 외부로부터 도입되는 반응가스를 저장하여 상기 반응로로 유입되도록 하며, 도입되는 반응가스의 유동 경로를 따라 단면적이 변화하는 리저버를 포함한다.

3. 发明授权

KR100982982B1 화학 기상 증착장치 失效
标题翻译：化学气相沉积设备
公开(公告)号：KR100982982B1
公开(公告)日：2010-09-20
申请号：KR1020080008922
申请日：2008-01-29
申请人： 삼성엘이디 주식회사
发明人： 홍종파 , 김창성
IPC分类号： C23C16/00 , C23C16/455
摘要： 본 발명은 화학 기상 증착장치에 관한 것으로, 챔버; 상기 챔버의 하부에 마련되어, 복수의 기판을 탑재하는 서셉터; 상기 챔버의 일측에, 상기 챔버 내부에 반응가스를 주입하며, 제1 및 제2 레저버; 상기 제1 및 제2 레저버를 연결하는 확산채널; 및 상기 제1 레저버에 반응가스를 공급하는 메인 주입구;를 포함하는 반응가스 유입구; 및 상기 챔버의 타측에, 상기 기판 상에 화학적 증착반응으로 인해 박막을 형성한 후, 남은 잔여 가스 및 부산물을 배출하는 배출구;를 포함하여 구성된 화학 기상 증착장치를 제공한다.
증착장치, 챔버, 레저버, 다공판
摘要翻译：化学气相沉积装置技术领域本发明涉及一种化学气相沉积装置，其包括：设置在腔室下部用于安装多个基板的基座; 将反应气体注入腔室一侧的腔室中，第一和第二贮存器; 连接第一和第二储器的扩散通道; 以及用于将反应气体供应到第一储存器的主喷射口; 并且在腔室的另一侧上形成排出口，以通过基板上的化学气相沉积反应形成薄膜，并排出剩余的气体和残留的副产物。

4. 发明授权

KR100982987B1 화학 기상 증착 장치 失效
标题翻译：化学气相沉积设备
公开(公告)号：KR100982987B1
公开(公告)日：2010-09-17
申请号：KR1020080036095
申请日：2008-04-18
申请人： 삼성엘이디 주식회사
发明人： 김창성 , 유상덕 , 홍종파 , 이원신
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/00
CPC分类号： C23C16/45508 , C23C16/45574
摘要： 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치는, 피증착체에 증착이 이루어지는 반응로가 마련되는 챔버; 상기 반응로로 제1가스를 실질적으로 수평방향으로 분사되도록 하는 복수개의 가스관을 구비하는 제1공급부재; 상기 가스관이 관통하는 소정 크기의 홀을 구비하는 제2공급부재; 및 상기 가스관과 상기 홀 사이에 마련되어 상기 반응로로 제2가스가 실질적으로 수평방향으로 공급되도록 하는 공급유로를 포함한다.
摘要翻译：根据本发明的一个方面，提供了一种化学气相沉积设备，包括：设置有反应炉的腔室，其中沉积有蒸发材料; 第一供给部件，其具有用于将第一气体向大致水平方向喷射到反应炉内的多个气体配管; 具有预定尺寸的孔的第二供应构件，所述气体管穿过所述孔; 并且设置在气体管道与孔之间的供给通道，以允许第二气体以大致水平的方向供给反应器。

5. 发明公开

KR1020090068585A 화학기상증착용 서셉터 失效
标题翻译：化学蒸气沉积物不合格物质
公开(公告)号：KR1020090068585A
公开(公告)日：2009-06-29
申请号：KR1020070136262
申请日：2007-12-24
申请人： 삼성엘이디 주식회사
发明人： 홍종파 , 유상덕 , 김창성
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/00
摘要： A susceptor for chemical vapor deposition is provided to make the surface temperature of a wafer uniform so as to prevent the wafer from being damaged when the wafer is treated. A susceptor(100) for chemical vapor deposition includes an upper body(110) and a lower body(120). The upper body includes a pocket(112) on which a wafer is mounted. The pocket is formed on the top of the upper body. The lower body is inserted into a recessed combining part(111) formed at the bottom face of the upper body and integrated with the upper body. The lower body is made of a material having a thermal expansion coefficient greater than that of the upper body. The combining part includes a ring-shaped catch(114). The ring-shaped catch catches a plurality of protrusions(122) formed on the outer side of the lower body.
摘要翻译：提供用于化学气相沉积的感受器以使晶片的表面温度均匀，以防止晶片在处理晶片时被损坏。用于化学气相沉积的感受体（100）包括上体（110）和下体（120）。上体包括其上安装有晶片的口袋（112）。口袋形成在上身的顶部。下体插入形成在上身的底面并与上身整体形成的凹入的组合部分（111）中。下体由热膨胀系数大于上体的热膨胀系数的材料制成。组合部分包括环形捕获件（114）。环形卡扣捕获形成在下体的外侧上的多个突起（122）。

6. 发明授权

KR101038876B1 화학기상증착용 웨이퍼 및 이를 제조하는 방법 有权
标题翻译：化学气相沉积晶片及其制造方法
公开(公告)号：KR101038876B1
公开(公告)日：2011-06-02
申请号：KR1020070136263
申请日：2007-12-24
申请人： 삼성엘이디 주식회사
发明人： 홍종파 , 유상덕 , 김창성
IPC分类号： H01L21/205
摘要： 화학기상증착용 웨이퍼 및 이를 제조하는 방법을 제공한다.
본 발명은 반응가스가 공급되는 고온분위기의 반응챔버내에 구비되는 서셉터의 포켓에 탑재되어 적어도 하나이상의 금속유기물이 증착면에 증착되는 웨이퍼에 있어서, 상기 포켓에 탑재되는 웨이퍼 몸체의 하부면에는 상기 포켓의 바닥면과 접촉되는 외측테두리로부터 상기 웨이퍼 몸체의 중심으로 향하여 상기 포켓의 바닥면과의 일정간격을 서서히 증대시키도록 경사지는 이격부를 구비한다.
본 발명에 의하면, 격자상수 및 열팽창율의 차이에 기인하는 휨변형에 관계없이 전체면적이 고르게 가열되어 증착면에 성장층을 균일하게 증착하고, 응력집중에 의한 파손을 방지할 수 있다.
화학기상증착, 서셉터, 웨이퍼, 휨변형, 곡률, 평면연마, 곡면연마

7. 发明授权

KR100998011B1 화학기상 증착장치 失效
标题翻译：化学气相沉积装置
公开(公告)号：KR100998011B1
公开(公告)日：2010-12-03
申请号：KR1020080047510
申请日：2008-05-22
申请人： 삼성엘이디 주식회사
发明人： 김창성 , 홍종파 , 김중일
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45508 , C23C16/45512 , C23C16/45589
摘要： 본 발명은, 화학 기상 증착장치에 가변형 기류 조절부를 제공함으로써 반응챔버 내부로 유입된 반응가스의 균일한 유동 분포를 유도하여 양질의 박막 성장을 가능하게 하고, 제조 비용을 절감하기 위한 것이다.
이를 위해, 본 발명은, 반응챔버; 상기 반응챔버에 구비되고, 복수의 웨이퍼가 탑재되는 서셉터; 상기 서셉터를 회전시키는 회전구동부; 상기 반응챔버에 구비되고, 반응가스가 상기 반응챔버의 외측으로부터 상기 반응챔버의 내부 중심으로 도입되도록 하는 가스 유입부; 상기 반응챔버에 구비되고, 상기 반응챔버의 내부에서 반응완료된 반응가스가 상기 서셉터의 회전축방향으로 배출되도록 하는 가스 배기부; 및 상기 가스 유입부와 상기 가스 배기부 사이에 구비되고, 복수의 홀을 갖는 가스 분사판이 복수개로 중첩되어 형성된 가변형 기류 조절부;를 포함하는 화학 기상 증착장치를 제공한다.
화학기상, 증착, 웨이퍼, 서셉터, 반응 챔버, 반응가스, 가변형 기류 조절부

8. 发明授权

KR100990639B1 웨이퍼 제조방법 失效
标题翻译：晶圆制造方法
公开(公告)号：KR100990639B1
公开(公告)日：2010-10-29
申请号：KR1020080046277
申请日：2008-05-19
申请人： 삼성엘이디 주식회사
发明人： 김창성 , 최창환 , 홍종파 , 이원신
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/304
摘要： 본 발명은 웨이퍼 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시 형태는, 주면 및 이와 마주보는 배면을 갖는 웨이퍼를 마련하는 단계 상기 주면이 외부를 향하여 볼록해진 상태로 상기 웨이퍼가 만곡되도록 상기 웨이퍼의 주면을 조면화(roughening)하는 단계 및 볼록하게 만곡된 상기 웨이퍼를 평탄화시키는 단계를 포함하며, 상기 웨이퍼를 평탄화시키는 단계는, 상기 웨이퍼에 반도체 층을 성장시키기 전에 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, 이종 물질의 성장 시 웨이퍼의 휘어짐을 최소화할 수 있으며, 이에 따라, 웨이퍼 전체적으로 온도 분포를 균일하게 할 수 있다. 특히, 본 발명은 웨이퍼의 직경이 2인치 이상인 경우에 더욱 유용하게 사용될 수 있는 웨이퍼 제조방법을 제공한다.
웨이퍼, 휨, 휘어짐, 요철

9. 发明授权

KR100982984B1 화학 기상 증착 장치 失效
标题翻译：化学气相沉积设备
公开(公告)号：KR100982984B1
公开(公告)日：2010-09-17
申请号：KR1020080027954
申请日：2008-03-26
申请人： 삼성엘이디 주식회사
发明人： 이원신 , 유상덕 , 김창성 , 홍종파
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/00
摘要： 본 발명은 구조가 간단하고, 챔버 내부로부터 배기되는 배기가스는 용이하게 배출되도록 할 수 있으면서도 배기부를 통해 역류하는 오염물질의 챔버 내부로의 유입은 용이하게 막을 수 있는 화학 기상 증착 장치를 제공한다.
摘要翻译：本发明提供了一种化学气相沉积设备，其结构简单，并且容易进入到污染物的内腔防止逆流通过从腔室可以与所有的排气部分被容易地排出所排出的废气。

10. 发明授权

KR100954676B1 화학 기상 증착장치 失效
标题翻译：化学蒸气沉积
公开(公告)号：KR100954676B1
公开(公告)日：2010-04-27
申请号：KR1020070135444
申请日：2007-12-21
申请人： 삼성엘이디 주식회사
发明人： 김창성 , 최창환 , 홍종파
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/00
摘要： 본 발명은 화학 기상 증착장치에 관한 것으로, 챔버; 상기 챔버의 하부에 마련되어, 복수의 기판을 탑재하는 서셉터; 상기 챔버의 일측에, 상기 챔버 내부에 반응가스를 주입하는 반응가스 유입구; 상기 챔버의 타측에, 상기 기판 상에 화학적 증착반응으로 인해 박막을 형성한 후, 남은 잔여 가스 및 부산물을 배출하는 배출구; 및 상기 챔버의 천정면에, 상기 챔버 내부에 선택적으로 가스를 분사시켜, 상기 서셉터의 상부에 수직기류를 발생시키는 가스 분사판;을 포함하여 구성된 화학 기상 증착장치를 제공한다.
증착장치, 챔버, 가스 분사판

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