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1. 发明授权

KR102252118B1 어닐링 공정 방법, 공정 챔버 및 어닐링 장비 有权
公开(公告)号：KR102252118B1
公开(公告)日：2021-05-13
申请号：KR1020197014678
申请日：2017-06-15
申请人： 베이징 나우라 마이크로일렉트로닉스 이큅먼트 씨오., 엘티디.
发明人： 바이즈민 , 리치앙 , 덩빈 , 덩위춘 , 왕허우궁 , 딩페이쥔
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/67 , H01L21/677
摘要： 본발명은어닐링공정방법, 공정챔버및 어닐링장치를제공한다. 상기방법은웨이퍼를공정챔버내로전달하기전후및 웨이퍼에대한어닐링과정에서, 공정챔버내의압력이사전설정역치를유지하도록하는단계를포함함으로써, 웨이퍼의어닐링공정과정에서가스의난류에의한온도변동을방지할수 있을뿐만아니라챔버내의온도가회복되어안정되는시간을단축할수 있어, 장비생산성을높일수 있다.

2. 发明授权

KR102219586B1 기상 에칭 장치 및 기상 에칭 설비 有权
公开(公告)号：KR102219586B1
公开(公告)日：2021-02-24
申请号：KR1020197005640
申请日：2017-10-09
申请人： 베이징 나우라 마이크로일렉트로닉스 이큅먼트 씨오., 엘티디.
发明人： 장준 , 마전궈 , 우신 , 웬리후이 , 후윈롱 , 장허난 , 추푸핑
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/311 , H01L21/3065
摘要： 본발명은기상에칭장치및 설비를제공한다. 상기기상에칭장치는한정된공간의반응챔버(203)를형성하는반응챔버본체(201)와; 반응챔버(203) 내부에위치하여, 피가공물을로딩하는기좌(209)와; 반응챔버본체에연결되어, 반응챔버의내부로에칭제를도입하는흡기부재(202)와; 반응챔버본체에연결되어, 반응챔버내의압력을제어하는압력제어어셈블리와; 반응챔버본체에연결되어반응챔버내의온도를제 1 온도로제어하는제 1 온도제어기(208)와; 기좌에연결되어, 기좌의온도를제2 온도로제어하는제2 온도제어기(207)를포함한다. 상기기상에칭장치및 설비는각각반응챔버및 기좌의온도를제어하여, 이산화규소가제거된피가공물이냉각없이, 다음단계공정의온도요구조건을충족할수 있으므로, 에칭챔버에어닐링기능을통합하거나별도의어닐링챔버또는냉각챔버를구성할필요가없어, 공정설계가간단하고, 비용이적게들고, 생산성이높다.

3. 发明授权

KR102159893B1 자성 박막 적층 구조의 제조 방법, 자성 박막 적층 구조체 및 마이크로 인덕터 소자 有权
公开(公告)号：KR102159893B1
公开(公告)日：2020-09-24
申请号：KR1020197013887
申请日：2017-10-25
申请人： 베이징 나우라 마이크로일렉트로닉스 이큅먼트 씨오., 엘티디.
发明人： 양유지에 , 딩페이준 , 장통웬 , 시아웨이 , 왕호우공
IPC分类号： H01F10/30 , H01F41/18 , H01F41/32 , H01F10/14

4. 发明授权

KR102078326B1 증착 설비 및 물리 기상 증착 설비 有权
公开(公告)号：KR102078326B1
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：KR1020177035747
申请日：2016-10-09
申请人： 베이징 나우라 마이크로일렉트로닉스 이큅먼트 씨오., 엘티디.
发明人： 장준 , 동보위 , 자오진롱 , 우쑤에웨이 , 궈빙리앙 , 쑤바오강 , 장허난 , 왕통 , 리우샤오후이 , 왕준
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/56 , C23C14/50 , C23C14/06

5. 发明授权

KR102010168B1 박막 형성 방법 및 질화 알루미늄 박막 형성 방법 有权
公开(公告)号：KR102010168B1
公开(公告)日：2019-08-12
申请号：KR1020177035950
申请日：2016-09-27
申请人： 베이징 나우라 마이크로일렉트로닉스 이큅먼트 씨오., 엘티디.
发明人： 왕준 , 동보위 , 구오빙량 , 겅유지에 , 마화이차오
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/285 , C23C14/02

6. 发明授权

KR101917304B1 원자층 식각 장치 및 이를 이용한 원자층 식각 방법 有权
公开(公告)号：KR101917304B1
公开(公告)日：2018-11-12
申请号：KR1020177008420
申请日：2015-08-19
申请人： 베이징 나우라 마이크로일렉트로닉스 이큅먼트 씨오., 엘티디.
发明人： 루오웨이
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/02 , H01L21/3213 , H01L21/67 , H01J37/32 , H05H1/46
CPC分类号： H01L21/00
摘要： 본발명은원자층식각장치및 이를이용한원자층식각방법을개시한다. 원자층식각장치는반응캐비티(1), 배플어셈블리(203), 제1 플라즈마발생장치(205) 및제2 플라즈마발생장치(211)를포함한다. 배플어셈블리(203)는반응챔버를상부챔버(213) 및하부챔버(214)로분리시키고, 배플어셈블리(203)는접지되거나직류바이어스전원에연결된배플들을포함하여, 상부챔버내의대전입자가하부챔버(214)로유입되는것을방지하고, 활성중성입자가하부챔버(214)로유입되도록허용한다. 제1 플라즈마발생장치(205)는상부챔버(213)로유입된가스를플라즈마로여기시킨다. 제2 플라즈마발생장치(211)는하부챔버(214)로유입된가스를플라즈마로여기시킨다. 활성흡착입자를이용한화학흡착은일반적인반응가스흡착을대체할수 있어, 식각속도를현저하게개선할수 있고, 식각주기시간을단축시킬수 있어, 식각반응가스의사용량을줄이고, 공정원가를낮출수 있다.

7. 发明公开

KR1020170092645A 실리콘 다이옥사이드 기판의 식각 방법 및 식각 장치 审中-实审
标题翻译：二氧化硅基板的蚀刻方法及蚀刻装置
公开(公告)号：KR1020170092645A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：KR1020177018336
申请日：2015-12-01
申请人： 베이징 나우라 마이크로일렉트로닉스 이큅먼트 씨오., 엘티디.
发明人： 저우나
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/324 , H01L21/033 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/311 , H01L21/768 , H01L21/0337 , H01L21/324 , H01L21/76831
摘要： 실리콘다이옥사이드기판의식각방법으로서, 상기실리콘다이옥사이드기판(100)의표면위에제1 홈(200a)을포함하는마스크패턴(200)을형성하는 S1 단계; 상기실리콘다이옥사이드기판(100)의온도를낮추고공정챔버내에증착공정기체를도입하여상기제1 홈(200a)의측벽및 저부위에패시베이션층(300)을생성하는 S2 단계; 및상기실리콘다이옥사이드기판(100)의온도를올리고상기공정챔버내에주 식각기체(primary etching gas)를도입하여상기제1 홈(200a)의상기저부를식각하는 S3 단계를포함하고, 상기실리콘다이옥사이드기판(100) 위에상기제1 홈에대응하는위치에미리결정된깊이대 너비비율(depth-to-width ratio)을갖는제2 홈이형성될때까지, 상기 S2 단계및 S3 단계를반복하는식각방법이제공된다. 나아가, 식각장치가제공된다. 그식각장치는구조가단순하고코스트가낮고, 그식각장치가수행하는식각방법을이용하여실리콘다이옥사이드기판을식각함으로써식각공정코스트를절감할수 있다.
摘要翻译：一种蚀刻二氧化硅基板的方法，包括：在所述二氧化硅基板（100）的表面上形成包括第一凹槽（200a）的掩模图案（200）; （S2）降低二氧化硅衬底（100）的温度并将沉积工艺气体引入处理室中以在第一沟槽（200a）的侧壁和底部上形成钝化层（300）; 以及步骤S3，升高二氧化硅基板100的温度并且通过将一次蚀刻气体引入到处理室中来蚀刻第一凹槽200a的底部，并且重复S2，直到具有预定的深宽比的第二凹槽形成在与基板100上的第一凹槽对应的位置处。此外，提供蚀刻装置。该蚀刻装置结构简单，成本低，通过蚀刻装置进行的蚀刻方法对二氧化硅基板进行蚀刻，可以降低蚀刻工艺成本。

8. 发明公开

KR1020170048468A 원자층 식각 장치 및 이를 이용한 원자층 식각 방법 审中-实审
标题翻译：原子层刻蚀装置及使用其的原子层刻蚀方法
公开(公告)号：KR1020170048468A
公开(公告)日：2017-05-08
申请号：KR1020177008420
申请日：2015-08-19
申请人： 베이징 나우라 마이크로일렉트로닉스 이큅먼트 씨오., 엘티디.
发明人： 루오웨이
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/02 , H01L21/3213 , H01L21/67 , H01J37/32 , H05H1/46
CPC分类号： H01L21/00
摘要： 본발명은원자층식각장치및 이를이용한원자층식각방법을개시한다. 원자층식각장치는반응캐비티(1), 배플어셈블리(203), 제1 플라즈마발생장치(205) 및제2 플라즈마발생장치(211)를포함한다. 배플어셈블리(203)는반응챔버를상부챔버(213) 및하부챔버(214)로분리시키고, 배플어셈블리(203)는접지되거나직류바이어스전원에연결된배플들을포함하여, 상부챔버내의대전입자가하부챔버(214)로유입되는것을방지하고, 활성중성입자가하부챔버(214)로유입되도록허용한다. 제1 플라즈마발생장치(205)는상부챔버(213)로유입된가스를플라즈마로여기시킨다. 제2 플라즈마발생장치(211)는하부챔버(214)로유입된가스를플라즈마로여기시킨다. 활성흡착입자를이용한화학흡착은일반적인반응가스흡착을대체할수 있어, 식각속도를현저하게개선할수 있고, 식각주기시간을단축시킬수 있어, 식각반응가스의사용량을줄이고, 공정원가를낮출수 있다.
摘要翻译：本发明公开了一种原子层刻蚀设备和使用该原子层刻蚀设备的原子层刻蚀方法。原子层刻蚀设备包括反应腔1，挡板组件203，第一等离子体发生器205和第二等离子体发生器211。挡板组件203是去除反应室成上部室213和下部腔室（214）和挡板组件（203）被接地或包括连接到DC偏置电源的挡板，下部腔室的带电粒子在所述上腔室（214）并允许活性中性粒子进入下腔室（214）。第一等离子体发生器205将引入上腔室213的气体激发成等离子体。第二等离子体产生装置211将引入下腔室214的气体激发成等离子体。使用活性吸附剂颗粒的化学吸附可以代替传统的反应气体吸附，可以显着提高蚀刻速率，缩短蚀刻周期时间，减少蚀刻气体消耗，降低工艺成本。

9. 发明公开

KR1020160141833A ITO 박막의 증착 방법 및 GaN 기반 LED 칩 审中-实审
标题翻译： ITO GaN LED方法，用于沉积ITO薄膜和GaN基LED芯片
公开(公告)号：KR1020160141833A
公开(公告)日：2016-12-09
申请号：KR1020167030918
申请日：2014-12-26
申请人： 베이징 나우라 마이크로일렉트로닉스 이큅먼트 씨오., 엘티디.
发明人： 겅보 , 왕호우공 , 자오멍신 , 웬리후이 , 시아웨이 , 첸펑 , 리우지엔셩 , 딩페이준
IPC分类号： C23C14/08 , C23C14/34 , C23C14/02 , C23C14/54 , C23C14/00 , C23C14/35
CPC分类号： C23C14/34 , C23C14/086 , C23C14/0057 , C23C14/024 , C23C14/35 , C23C14/542
摘要： 본발명은 ITO 박막증착방법을개시하고, 마그네트론스퍼터링공정을채용하여 ITO 박막의증착을진행하며, 아래의단계: 라디오주파수및 직류공통스퍼터링을이용하여기판표면에 ITO 버퍼층을증착하는단계; 직류스퍼터링을이용하여상기 ITO 버퍼층표면에 ITO 박막층을증착하는단계를포함한다. 라디오주파수및 직류공통스퍼터링을통해, 스퍼터링입자가기판표면에충격을가하여손상시키는것을효율적으로감소시킬수 있다. 본발명은 GaN 기반 LED 칩을더 개시하고, 상기칩의 ITO 투명전극은본 발명의 ITO 박막증착방법설비를통해형성된다. ITO 투명전극의증착을진행할때, 본발명의 ITO 박막증착방법을채용하기때문에, 스퍼터링입자가 GaN기기판표면에충격을가하여손상시키는것을효율적으로감소시킬수 있고, ITO 투명전극과 GaN 기판사이의접촉저항을ㄱ감소시켜, LED 칩의에너지소모를감소시키고, LED 칩의광전변환효율을증가시키고, LED 칩의수명을향상시킬수 있다.
摘要翻译：公开了一种用于沉积ITO薄膜的方法。磁控溅射工艺用于沉积ITO薄膜。该方法包括以下步骤：通过使用射频和直流（DC）共溅射在衬底的表面上沉积ITO缓冲层; 以及通过使用DC溅射在ITO缓冲层的表面上沉积ITO薄膜层。通过射频和DC共溅射，有效地降低了在衬底表面上轰击溅射颗粒所造成的损伤。本发明还提供一种GaN基LED芯片，并且通过使用本发明中的ITO薄膜的沉积方法来制备芯片的ITO透明电极。在ITO透明电极的沉积期间，由于在本发明中通过使用ITO薄膜的沉积方法，在GaN衬底的表面上溅射颗粒的轰击造成的损伤被有效地降低，所以ITO透明电极和 GaN衬底减少，LED芯片的功耗降低，LED芯片的光电转换效率提高，LED芯片的使用寿命延长。

10. 发明公开

KR1020140105581A 기판 에칭 방법 및 기판 처리 장치 有权
标题翻译：基板蚀刻方法和基板处理装置
公开(公告)号：KR1020140105581A
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：KR1020147019877
申请日：2012-06-04
申请人： 베이징 나우라 마이크로일렉트로닉스 이큅먼트 씨오., 엘티디.
发明人： 웨이강 , 왕춘 , 리동산
IPC分类号： H01L21/3065 , C23F1/12
CPC分类号： B81C1/00531 , B81C1/00619 , B81C99/0025 , B81C2201/0132 , H01L21/30655
摘要： 기판 에칭 방법 및 기판 처리 장치에 있어서, 기판 에칭 방법은, 처리 예정인 기판을 반응 챔버 내에 넣는 단계(S1); 상기 반응 챔버 내에 에칭 가스를 공급하는 단계(S2); 여자 전원을 턴 온 하여 상기 반응 챔버 내에 플라즈마를 발생하는 단계(S3); 바이어스 전원을 턴 온 하여 상기 기판에 바이어스 출력을 인가하는 단계(S4); 상기 바이어스 전원을 턴 오프하고, 동시에 상기 반응 챔버 내에 증착 가스를 공급하기 시작하는 단계(S5); 상기 반응 챔버 내에 상기 증착 가스의 공급을 중단하고, 동시에 상기 바이어스 전원을 턴 온 하는 단계(S6); 상기 에칭 공정을 완료할 때까지, S5-S6 단계를 반복하는 단계(S7);를 포함한다. 전체 에칭 공정 과정에서, 에칭 작업은 항상 진행되며, 증착 작업은 수시로 진행된다. 따라서 증착 작업 동안 반응 챔버 내의 플라즈마는 에칭 섹션의 측벽 상에 증착 작업에 의해 형성된 증착된 폴리머의 적어도 일부분을 에칭할 수 있어, 에칭 섹션의 측벽을 매끄럽게 한다.
摘要翻译：基板蚀刻方法和基板处理装置，基板蚀刻方法包括：S1：将待处理的基板放置在反应室中; S2：向反应室供给蚀刻气体; S3：打开激励电源以在反应室中产生等离子体; S4：打开偏置电源以向基板施加偏置功率; S5：关闭偏置电源，同时开始向反应室供应沉积气体; S6：停止向反应室供应沉积气体，同时打开偏置电源; S7：重复步骤S5-S6，直到蚀刻处理完成。在整个蚀刻过程中，总是执行蚀刻操作，并且有时执行沉积操作。因此，在沉积操作期间，反应室中的等离子体可以蚀刻掉在蚀刻部分的侧壁上通过沉积操作形成的沉积聚合物的至少一部分，从而衬底的蚀刻部分的侧壁是光滑的。

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