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41. 发明公开

KR1020100074583A 포토레지스트 패턴 제거용 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성 방법 有权
标题翻译：用于去除光电子图案的组合物和使用组合物形成金属图案的方法
公开(公告)号：KR1020100074583A
公开(公告)日：2010-07-02
申请号：KR1020080133064
申请日：2008-12-24
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 주식회사 이엔에프테크놀로지
发明人： 홍선영 , 서남석 , 박홍식 , 이상대 , 박영진 , 정종현 , 김봉균 , 이병진
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： G03F7/425 , G03F7/42 , G03F7/34
摘要： PURPOSE: A photoresist pattern removal composition and a formation method of a metal pattern using thereof are provided to easily remove a photoresist pattern from a substrate, and to improve the removal reliability of the photoresist pattern. CONSTITUTION: A photoresist pattern removal composition contains the following: 5~20wt% of aminoethoxy ethanol; 2~30wt% of polyalkylene oxides compound; 10~30wt% of glycol ether compound; and the balance of nitrogen-containing aprotic polar solvent. The weight average molecular weight of the polyalkylene oxides compound is 50~500. The polyalkylene oxides compound is marked with chemical formula 1. In the chemical formula 1, R is hydrocarbon with the carbon number of 1~4. The nitrogen-containing aprotic polar solvent contains N,N`-dimethylacetamide, N-methylformamide, or N-methylpyrrolidinone.
摘要翻译：目的：提供光致抗蚀剂图案去除组合物和使用其的金属图案的形成方法以便容易地从基底去除光致抗蚀剂图案，并提高光致抗蚀剂图案的去除可靠性。构成：光致抗蚀剂图案去除组合物含有：5〜20wt％的氨基乙氧基乙醇; 2〜30wt％的聚环氧烷化合物; 10〜30wt％乙二醇醚化合物; 和含氮非质子极性溶剂的平衡。聚氧化烯化合物的重均分子量为50〜500。聚氧化烯化合物用化学式1表示。在化学式1中，R是碳数为1〜4的烃。含氮非质子极性溶剂含有N，N'-二甲基乙酰胺，N-甲基甲酰胺或N-甲基吡咯烷酮。

42. 发明公开

KR1020100069934A 몰드의 제조 방법 및 이를 이용한 액정 표시 장치의 제조 방법 无效
标题翻译：模具的制造方法和使用其形成液晶层析的方法
公开(公告)号：KR1020100069934A
公开(公告)日：2010-06-25
申请号：KR1020080128493
申请日：2008-12-17
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 이병진 , 김봉균 , 박홍식 , 조국래 , 김창훈 , 정종현 , 홍선영 , 김민욱
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0017 , G02F1/1333 , G03F7/0002
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a mold and a method for manufacturing a liquid crystal display device using the same are provided to reduce manufacturing time and simplify manufacturing processes of the liquid crystal display device by forming a shielding member and an interval member with a roll print method using the mold. CONSTITUTION: A first photo resist film pattern is formed on a substrate(10). A first groove(H1) is formed by etching the substrate using the first photo resist film as a mask. The first photo resist pattern is removed. A second photo resist film pattern is formed on the substrate to cover the first groove. A second groove(H2) is formed by etching the substrate using the second photo resist film pattern as the mask. The depth of the second groove is different from that of the first groove.
摘要翻译：目的：提供一种制造模具的方法和使用该方法的液晶显示装置的制造方法，以通过形成屏蔽构件和具有辊印的间隔构件来缩短制造时间并简化液晶显示装置的制造工艺方法使用模具。构成：在基板（10）上形成第一光致抗蚀剂膜图案。通过使用第一光致抗蚀剂膜作为掩模蚀刻基板来形成第一凹槽（H1）。第一个光刻胶图案被去除。在基板上形成第二光致抗蚀剂膜图形以覆盖第一凹槽。通过使用第二光致抗蚀剂膜图案作为掩模蚀刻基板来形成第二凹槽（H2）。第二槽的深度与第一槽的深度不同。

43. 发明公开

KR1020090112971A 식각액 조성물, 이를 사용한 금속 패턴의 형성 방법 및박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 有权
标题翻译：蚀刻组合物，形成金属图案的方法和使用其制造薄膜晶体管阵列的方法
公开(公告)号：KR1020090112971A
公开(公告)日：2009-10-29
申请号：KR1020080038784
申请日：2008-04-25
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 솔브레인 주식회사
发明人： 이병진 , 박홍식 , 정종현 , 홍선영 , 김봉균 , 최영주 , 서남석 , 이태형 , 송용성 , 하현
IPC分类号： C09K13/08
摘要： PURPOSE: An etchant composition is provided to maintain adhesive force between an insulating substrate and photosensitive pattern and to make etch profile good through simplification of a process. CONSTITUTION: An etchant composition includes phosphoric acid 80 ~ 90 weight%, sulfuric acid 0.1 ~ 5 weight%, and ammonium fluoride 0.1 ~ 2 weight%. A method for forming metal pattern comprises the steps of: forming a photosensitive pattern which partially exposes the insulating substrate on the insulating substrate(110); forming a trench on the insulating substrate by etching a part of exposed insulating substrate. The seed layer including a first seed layer located on the photosensitive pattern and a second seed layer located on the trench; removing the photosensitive pattern and the first seed layer by lift off the photosensitive pattern; and forming a wiring layer(124c) on the second seed layer with an electroless plating method.
摘要翻译：目的：提供蚀刻剂组合物以保持绝缘基板和感光图案之间的粘合力，并且通过简化工艺使蚀刻轮廓良好。构成：蚀刻剂组成包括磷酸80〜90重量％，硫酸0.1〜5重量％，氟化铵0.1〜2重量％。一种用于形成金属图案的方法包括以下步骤：形成在绝缘基板（110）上部分地暴露绝缘基板的感光图案; 通过蚀刻暴露的绝缘基板的一部分在绝缘基板上形成沟槽。种子层包括位于感光图案上的第一种子层和位于沟槽上的第二种子层; 通过剥离感光图案去除感光图案和第一种子层; 以及通过化学镀方法在所述第二籽晶层上形成布线层（124c）。

44. 发明公开

KR1020080030210A 표시 장치용 배선, 식각액, 박막 트랜지스터 표시판 및 그제조 방법 有权
标题翻译：用于显示装置的线，蚀刻薄膜薄膜晶体管阵列及其制造方法
公开(公告)号：KR1020080030210A
公开(公告)日：2008-04-04
申请号：KR1020060095979
申请日：2006-09-29
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 박홍식 , 김봉균 , 정창오 , 정종현 , 홍선영 , 신원석 , 이병진
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： C09K13/08 , G09G2300/0426 , G09G2300/0439 , G09G2320/0223 , H01L23/53238 , H01L27/124 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Wiring for a display device, an etchant, a TFT(Thin Film Transistor) substrate, and a method for manufacturing the same are provided to complement the contact efficiency of an upper film and minimize residues and skews in a manufacturing process by forming signal lines with a lower film made of a molybdenum-niobium alloy and the upper film made of copper. Wiring for a display device comprises the first conductive layer and the second conductive layer. The first conductive layer is composed of an alloy of molybdenum and niobium. The second conductive layer is made of copper. The first conductive layer is located below the second conductive layer. Also the wiring comprises the third conductive layer. The third conductive layer, located above the second conductive layer, is made of the molybdenum-niobium alloy. The wiring is used as gate lines or data lines to deliver signals to TFTs.
摘要翻译：提供显示装置，蚀刻剂，TFT（薄膜晶体管）基板及其制造方法的布线，以补充上膜的接触效率，并通过形成信号线与制造过程中的残留物和偏斜最小化由钼 - 铌合金制成的下部薄膜和由铜制成的上部薄膜。显示装置的布线包括第一导电层和第二导电层。第一导电层由钼和铌的合金组成。第二导电层由铜制成。第一导电层位于第二导电层的下方。此外，布线包括第三导电层。位于第二导电层上方的第三导电层由钼 - 铌合金制成。接线用作栅极线或数据线，以将信号传递给TFT。

45. 发明授权

KR101579846B1 포토레지스트 패턴 제거용 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성 방법 有权
标题翻译：用于去除光电子图案的组合物和使用组合物形成金属图案的方法
公开(公告)号：KR101579846B1
公开(公告)日：2015-12-24
申请号：KR1020080133064
申请日：2008-12-24
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 주식회사 이엔에프테크놀로지
发明人： 홍선영 , 서남석 , 박홍식 , 이상대 , 박영진 , 정종현 , 김봉균 , 이병진
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： G03F7/425
摘要： 포토레지스트패턴의제거력및 포토레지스트패턴의제거신뢰성을향상시킨포토레지스트패턴제거용조성물및 이를이용한금속패턴의형성방법이개시된다. 포토레지스트패턴제거용조성물은아미노에톡시에탄올, 폴리알킬렌옥사이드화합물, 글리콜에테르화합물및 여분의함질소비양자성극성용매를포함한다. 이에따라, 기판으로부터포토레지스트패턴을용이하게제거할수 있으므로포토레지스트패턴의제거력을향상시킬수 있고, 포토레지스트패턴의잔류량을최소화시킴으로써포토레지스트패턴의제거신뢰성을향상시킬수 있다.

46. 发明公开

KR1020150070491A 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管阵列及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150070491A
公开(公告)日：2015-06-25
申请号：KR1020130156543
申请日：2013-12-16
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 홍선영
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/1288 , H01L21/467 , H01L23/3171 , H01L23/3178 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/1259 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L2924/0002 , H01L29/78606 , H01L2924/00
摘要： 박막트랜지스터표시판을제공한다. 본발명의일실시예에따른박막트랜지스터표시판은기판, 상기기판위에위치하고게이트전극을포함하는게이트선, 상기기판위에위치하는반도체층, 상기기판위에위치하고, 상기게이트선과교차하는데이터선, 상기데이터선에연결되어있는소스전극및 상기소스전극과마주보는드레인전극을포함하는데이터배선층, 상기소스전극및 상기드레인전극사이의채널영역위에위치하는제1 보호막, 상기제1 보호막, 상기소스전극및 상기드레인전극위에위치하는제2 보호막을포함하고, 상기채널영역위에위치하는상기제1 보호막의폭은상기소스전극및 상기드레인전극사이의거리와동일하거나작다.
摘要翻译：提供了薄膜晶体管显示面板。根据本发明的实施例的薄膜晶体管显示面板包括基板，位于基板上并包括栅电极的栅极线，位于基板上的半导体层，位于基板上的数据线基板并与栅极线相交，数据线层，其包括连接到数据线的源电极和面对源电极的漏电极，位于源极和漏极之间的沟道区上的第一保护层电极和位于第一保护层，源电极和漏电极上的第二保护层。位于沟道区上的第一保护层的宽度与源电极和漏电极之间的距离相同或小于源电极和漏电极之间的距离。

47. 发明授权

KR101425635B1 산화물 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 및 산화물 박막트랜지스터 기판 有权
标题翻译：氧化物薄膜晶体管阵列基板和氧化物薄膜晶体管阵列基板的制造方法
公开(公告)号：KR101425635B1
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：KR1020070119287
申请日：2007-11-21
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 이제훈 , 양동주 , 인태형 , 김도현 , 홍선영 , 정승재 , 정창오
IPC分类号： G02F1/136 , H01L29/786
摘要： 산화물 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법이 제공된다. 산화물 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법은, 절연 기판 상에 게이트 배선을 형성하고, 게이트 배선 상에 산화물 반도체 패턴 및 데이터 배선의 적층 구조를 형성하되, 산화물 반도체 패턴은 제1 영역과 제2 영역으로 구분되고 상기 제1 영역의 두께가 상기 제2 영역의 두께보다 얇도록 형성하고, 상기 데이터 배선은 상기 제2 영역 상에 형성하는 것을 포함한다.
산화물 박막 트랜지스터, 산화물 반도체, 식각, 일함수, 채널 두께

48. 发明授权

KR101418588B1 표시 기판 및 이의 제조 방법 有权
标题翻译：显示基板及其制造方法
公开(公告)号：KR101418588B1
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：KR1020070115806
申请日：2007-11-14
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김장수 , 닝홍롱 , 김봉균 , 박홍식 , 김시열 , 정창오 , 김상갑 , 윤재형 , 이우근 , 배양호 , 윤필상 , 정종현 , 홍선영 , 김기원 , 이병진 , 이영욱 , 김종인 , 김병범 , 서남석
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： G02F1/13458 , G02F1/136286 , G02F2001/136295 , H01L27/1218 , H01L27/124 , H01L27/1288
摘要： 저저항 배선을 구현하기 위한 표시 기판은 베이스 기판, 게이트 배선, 제1 절연층, 제2 절연층, 데이터 배선 및 화소 전극을 포함한다. 베이스 기판은 화소 영역이 정의된다. 게이트 배선은 베이스 기판에 형성된 제1 시드층, 제1 시드층 위에 형성된 제1 금속층으로 이루어진다. 제1 절연층은 게이트 배선이 형성된 베이스 기판 위에 형성된다. 제2 절연층은 제1 절연층이 형성된 베이스 기판 위에 게이트 배선과 교차하는 방향으로 배선 트랜치가 형성된다. 데이터 배선은 배선 트랜치 아래에 형성된 제2 시드층 및 배선 트랜치 내에 형성된 제2 금속층으로 이루어진다. 화소 전극은 화소 영역에 형성된다. 이에 따라서, 절연층을 이용하여 일정 깊이의 홀을 형성하고, 홀 내에 도금 방식으로 금속층을 형성함으로써 금속 배선의 두께를 두껍게 형성할 수 있다.
도금, 저저항, 금속 배선, 트랜치, 홀, 시드층

49. 发明授权

KR101326128B1 표시 장치용 배선, 식각액, 박막 트랜지스터 표시판 및 그제조 방법 有权
标题翻译：用于显示装置的线，蚀刻薄膜薄膜晶体管阵列及其制造方法
公开(公告)号：KR101326128B1
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：KR1020060095979
申请日：2006-09-29
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 박홍식 , 김봉균 , 정창오 , 정종현 , 홍선영 , 신원석 , 이병진
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： C09K13/08 , G09G2300/0426 , G09G2300/0439 , G09G2320/0223 , H01L23/53238 , H01L27/124 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판은 기판, 기판 위에 형성되어 있는 게이트선, 게이트선 위에 형성되어 있는 게이트 절연막, 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 반도체층, 게이트 절연막 또는 반도체층 위에 형성되어 있으며 소스 전극을 포함하는 데이터선 및 드레인 전극, 그리고 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극을 포함하며, 게이트선과 데이터선 및 드레인 전극 중 적어도 하나는 몰리브덴-니오븀 합금을 포함하는 제1 도전층 및 구리를 포함하는 제2 도전층을 포함한다.
몰리브덴-니오븀 합금, 잔사, 꼬리, 박막 트랜지스터, 식각액

50. 发明授权

KR101300183B1 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 失效
标题翻译：薄膜晶体管基板及其制造方法
公开(公告)号：KR101300183B1
公开(公告)日：2013-08-26
申请号：KR1020060114702
申请日：2006-11-20
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 정종현 , 이병진 , 박홍식 , 홍선영 , 김봉균 , 신원석
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： H01L27/1288 , G02F1/136227 , H01L27/1214
摘要： 제조 원가가 절감되고, 불량이 감소된 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법이 제공된다. 박막 트랜지스터 기판은, 절연 기판 상에 형성되고, 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선과, 게이트 배선 상에 형성되고, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 데이터 배선과, 데이터 배선 상에 형성되고, 드레인 전극의 일부 및 화소 영역을 노출하는 보호막 패턴과, 드레인 전극과 전기적으로 접속되고, 산화 아연(zinc oxide)을 포함하는 화소 전극을 포함한다.
ZAO, 리프트 오프, 화소 전극

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