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1. 发明公开

KR1020150061172A 평판표시장치 세정제 조성물 및 이를 이용한 표시 장치의 제조방법 审中-实审
标题翻译：用于清洁平板显示器的组合物和使用其制造显示装置的方法
公开(公告)号：KR1020150061172A
公开(公告)日：2015-06-04
申请号：KR1020130144858
申请日：2013-11-26
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 주식회사 이엔에프테크놀로지
发明人： 김인배 , 정종현 , 문영민 , 박홍식 , 상현정 , 정재우 , 김민희 , 박영진 , 윤상문 , 이상대 , 정현철
IPC分类号： C11D1/86 , C11D1/04 , C11D1/40 , C11D1/66
CPC分类号： H01L27/153 , C03C23/0075 , C11D1/66 , C11D3/044 , C11D3/046 , C11D3/30 , C11D3/33 , C11D11/0041 , H01L21/02052 , H01L27/1262
摘要： 본발명은세정제조성물총 중량대비폴리아미노카르복실산 0.1~10 중량%, 알칼리 0.1~10 중량%, 비이온성계면활성제 0.001~20 중량%, 불화이온은 0.001~20 중량%를포함하는평판표시장치세정제조성물을제공한다. 본발명에따른평판표시장치세정제조성물은투명전도성막에손상을주지않으면서, 평판표시장치용기판에존재할수 있는금속산화물및 유기오염물등을효과적으로제거할수 있는장점이있다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于平板显示装置的清洁剂组合物，其包含0.1至10重量％的聚氨基羧酸，0.1至10重量％的碱，0.001至20重量％的非离子表面活性剂和0.001至20重量％相对于清洁剂组合物的总重量，氟化离子的百分比。根据本发明，用于平板显示装置的清洁剂组合物具有有效地除去可能存在于用于平板显示装置的基板上的金属氧化物，有机污染物等而不损坏透明导电膜的优点。

2. 发明公开

KR1020160033855A 포토레지스트 박리용 조성물, 이를 이용한 금속 패턴의 형성 방법 및 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：用于剥离光电元件的组合物，使用其形成金属图案的方法和使用其制造显示器基板的方法
公开(公告)号：KR1020160033855A
公开(公告)日：2016-03-29
申请号：KR1020140124412
申请日：2014-09-18
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 주식회사 이엔에프테크놀로지
发明人： 박홍식 , 정재우 , 상현정 , 김인배 , 박영진 , 이상대 , 임찬규 , 전경민
IPC分类号： G03F7/42 , H01L21/306
CPC分类号： G03F7/422 , H01L21/02068
摘要： 제조공정의신뢰성및 생산성을향상시킬수 있는포토레지스트박리용조성물, 이를이용한금속패턴의형성방법및 박막트랜지스터기판의제조방법이개시된다. 포토레지스트박리용조성물은알칸올아민 1 내지 10 중량%, 모노알킬렌글리콜알킬에테르화합물 1 내지 10 중량%, 디알킬렌글리콜알킬에테르화합물 10 내지 85 중량%, 하기화학식 2로표시되는폴리알킬렌옥사이드화합물 1 내지 5 중량%, 부식방지제 0.001 내지 0.01 중량%, 함질소비양자성극성용매 5 내지 20중량% 및여분의물을포함한다. 이에따라, 포토레지스트제거력을향상시킬수 있으며, 박리된포토레지스트가기판상에재부착되는것을방지할수 있다. 또한, 포토레지스트하부의금속에대한부식을방지할수 있다. 이에따라, 금속패턴및 박막트랜지스터기판의제조공정의신뢰성을향상시킬수 있다.
摘要翻译：公开了用于分离光致抗蚀剂的组合物，其可以提高制造工艺的可靠性和生产率，用于形成金属图案的方法以及通过使用该方法制造薄膜晶体管基板的方法。用于分离光致抗蚀剂的组合物包括1-10重量％的链烷醇胺，1-10重量％的单亚烷基二醇烷基醚化合物，10-85重量％的二亚烷基二醇烷基醚化合物和1-5重量％的聚环氧烷化学式2表示的化合物，0.001-0.01重量％的防腐蚀剂，5-20重量％的含氮非质子极性溶剂和余下的水。因此，可以增加用于除去光致抗蚀剂的力，并且可以防止分离的光致抗蚀剂再次附着到基板上。此外，可以防止光致抗蚀剂下部的金属腐蚀。因此，可以提高用于制造金属图案和薄膜晶体管基板的工艺的可靠性。

3. 发明公开

KR1020100074583A 포토레지스트 패턴 제거용 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성 방법 有权
标题翻译：用于去除光电子图案的组合物和使用组合物形成金属图案的方法
公开(公告)号：KR1020100074583A
公开(公告)日：2010-07-02
申请号：KR1020080133064
申请日：2008-12-24
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 주식회사 이엔에프테크놀로지
发明人： 홍선영 , 서남석 , 박홍식 , 이상대 , 박영진 , 정종현 , 김봉균 , 이병진
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： G03F7/425 , G03F7/42 , G03F7/34
摘要： PURPOSE: A photoresist pattern removal composition and a formation method of a metal pattern using thereof are provided to easily remove a photoresist pattern from a substrate, and to improve the removal reliability of the photoresist pattern. CONSTITUTION: A photoresist pattern removal composition contains the following: 5~20wt% of aminoethoxy ethanol; 2~30wt% of polyalkylene oxides compound; 10~30wt% of glycol ether compound; and the balance of nitrogen-containing aprotic polar solvent. The weight average molecular weight of the polyalkylene oxides compound is 50~500. The polyalkylene oxides compound is marked with chemical formula 1. In the chemical formula 1, R is hydrocarbon with the carbon number of 1~4. The nitrogen-containing aprotic polar solvent contains N,N`-dimethylacetamide, N-methylformamide, or N-methylpyrrolidinone.
摘要翻译：目的：提供光致抗蚀剂图案去除组合物和使用其的金属图案的形成方法以便容易地从基底去除光致抗蚀剂图案，并提高光致抗蚀剂图案的去除可靠性。构成：光致抗蚀剂图案去除组合物含有：5〜20wt％的氨基乙氧基乙醇; 2〜30wt％的聚环氧烷化合物; 10〜30wt％乙二醇醚化合物; 和含氮非质子极性溶剂的平衡。聚氧化烯化合物的重均分子量为50〜500。聚氧化烯化合物用化学式1表示。在化学式1中，R是碳数为1〜4的烃。含氮非质子极性溶剂含有N，N'-二甲基乙酰胺，N-甲基甲酰胺或N-甲基吡咯烷酮。

4. 发明公开

KR1020160122328A 고순도 글리콜계 화합물의 제조방법 审中-实审
标题翻译：制备高纯度甘油基化合物的方法
公开(公告)号：KR1020160122328A
公开(公告)日：2016-10-24
申请号：KR1020150051908
申请日：2015-04-13
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 주식회사 이엔에프테크놀로지
发明人： 정재우 , 박홍식 , 김봉균 , 윤승호 , 이상대 , 박영진 , 박효원 , 윤상문
IPC分类号： C07C29/80 , C07C29/06 , C07C31/20
CPC分类号： C07C41/42 , B01D3/009 , C07C41/46 , C07C43/11
摘要： 포름알데히드(formaldehyde)를포함하는제1 글리콜(glycol)계화합물, 히드라지드(hydrazide)계화합물및 설폰산(sulfonic acid)계화합물의혼합물을교반하는단계및 교반결과물을분별증류하여포름알데히드(formaldehyde)의함량이 0 ppm 인제2 글리콜계화합물을회수하는단계를포함하는글리콜계화합물제조방법이제공된다.
摘要翻译：提供一种二醇类化合物的制造方法。该方法包括搅拌第一二醇基化合物，酰肼基化合物和磺酸基化合物的混合物，并对所得搅拌物质进行分馏，以回收甲醛含量为0ppm的第二种二醇类化合物。

5. 发明授权

KR101579846B1 포토레지스트 패턴 제거용 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성 방법 有权
标题翻译：用于去除光电子图案的组合物和使用组合物形成金属图案的方法
公开(公告)号：KR101579846B1
公开(公告)日：2015-12-24
申请号：KR1020080133064
申请日：2008-12-24
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 주식회사 이엔에프테크놀로지
发明人： 홍선영 , 서남석 , 박홍식 , 이상대 , 박영진 , 정종현 , 김봉균 , 이병진
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： G03F7/425
摘要： 포토레지스트패턴의제거력및 포토레지스트패턴의제거신뢰성을향상시킨포토레지스트패턴제거용조성물및 이를이용한금속패턴의형성방법이개시된다. 포토레지스트패턴제거용조성물은아미노에톡시에탄올, 폴리알킬렌옥사이드화합물, 글리콜에테르화합물및 여분의함질소비양자성극성용매를포함한다. 이에따라, 기판으로부터포토레지스트패턴을용이하게제거할수 있으므로포토레지스트패턴의제거력을향상시킬수 있고, 포토레지스트패턴의잔류량을최소화시킴으로써포토레지스트패턴의제거신뢰성을향상시킬수 있다.

6. 发明公开

KR1020150102354A 포토레지스트 박리액 조성물 有权
标题翻译：光电子剥皮机组成
公开(公告)号：KR1020150102354A
公开(公告)日：2015-09-07
申请号：KR1020140024119
申请日：2014-02-28
申请人： 주식회사 이엔에프테크놀로지
发明人： 이상대 , 박영진 , 전경민 , 임찬규
IPC分类号： G03F7/42 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/42 , G03F7/004 , H01L21/027
摘要： 본 발명은 포토레지스트 박리액 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 알킬렌글리콜 t-부틸 에테르계 화합물을 2종 이상 포함하여, 포토레지스트의 제거속도가 매우 뛰어나고 절연체 손상을 최소화 할 수 있는 포토레지스트 박리액 조성물에 관한 것이다.
摘要翻译：本发明涉及光致抗蚀剂剥离液体组合物。更具体地，提供了包含至少两种亚烷基二醇 - 叔丁基醚类化合物的光致抗蚀剂剥离液体组合物，其可以最小化对绝缘体的损害，并且具有优异的光致抗蚀剂去除速率。

7. 发明授权

KR100718639B1 안료 분산형 감광제 제거용 세정제 조성물 有权
标题翻译：用于去除色素分散光电剂的薄膜组合物
公开(公告)号：KR100718639B1
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：KR1020050101671
申请日：2005-10-27
申请人： 주식회사 이엔에프테크놀로지
发明人： 박창수 , 박영진 , 정진배 , 이상대 , 문재웅 , 김종진
IPC分类号： C11D3/16 , C11D3/32 , C11D1/66 , C11D3/00 , G03F7/32 , C11D11/00
摘要： 본 발명은 단순 안료 분산형 감광제 제거용 세정제(thinner) 조성물에 관한 것으로, 본 발명에 따라 조성물 총 중량을 기준으로 고분자형 분산제 0.01 내지 10 중량%, 알킬아마이드 또는 케톤 1.99 내지 70 중량%, 프로필렌 글리콜 알킬에테르 아세테이트 또는 프로필렌 글리콜 알킬에테르 20 내지 98 중량%, 및 선택적으로 비이온성 계면활성제 0.01 내지 5 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 칼라필터 감광제 제거용 세정제 조성물은 감광제 도포 공정 후 기판 가장자리에 불균일하게 발생하는 에지비드(edge bead)를 효과적으로 제거할 수 있고 안료 잔사를 발생시키지 않을 뿐만 아니라 사용 후 재생(recycle)이 용이하므로, 박막트랜지스터 액정표시장치(TFT-LCD)의 칼라필터 제조공정 등에 유용하게 활용될 수 있다.

8. 发明公开

KR1020060052247A 안료 분산형 감광제 제거용 세정제 조성물 有权
标题翻译：用于去除色素分散光电剂的薄膜组合物
公开(公告)号：KR1020060052247A
公开(公告)日：2006-05-19
申请号：KR1020050101671
申请日：2005-10-27
申请人： 주식회사 이엔에프테크놀로지
发明人： 박창수 , 박영진 , 정진배 , 이상대 , 문재웅 , 김종진
IPC分类号： C11D3/16 , C11D3/32 , C11D1/66 , C11D3/00 , G03F7/32 , C11D11/00
CPC分类号： C11D3/16 , C11D1/66 , C11D3/0005 , C11D3/32 , C11D11/0047 , G03F7/32
摘要： 본 발명은 단순 안료 분산형 감광제 제거용 세정제(thinner) 조성물에 관한 것으로, 본 발명에 따라 조성물 총 중량을 기준으로 고분자형 분산제 0.01 내지 10 중량%, 알킬아마이드 또는 케톤 1.99 내지 70 중량%, 프로필렌 글리콜 알킬에테르 아세테이트 또는 프로필렌 글리콜 알킬에테르 20 내지 98 중량%, 및 선택적으로 비이온성 계면활성제 0.01 내지 5 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 칼라필터 감광제 제거용 세정제 조성물은 감광제 도포 공정 후 기판 가장자리에 불균일하게 발생하는 에지비드(edge bead)를 효과적으로 제거할 수 있고 안료 잔사를 발생시키지 않을 뿐만 아니라 사용 후 재생(recycle)이 용이하므로, 박막트랜지스터 액정표시장치(TFT-LCD)의 칼라필터 제조공정 등에 유용하게 활용될 수 있다.

9. 发明授权

KR101375100B1 후막의 네가티브 포토레지스트용 박리액 조성물 有权
标题翻译：剥离组合物用于厚负离子光刻胶
公开(公告)号：KR101375100B1
公开(公告)日：2014-03-17
申请号：KR1020120096430
申请日：2012-08-31
申请人： 주식회사 이엔에프테크놀로지
发明人： 강영한 , 박영진 , 이상대 , 류현규
IPC分类号： G03F7/34 , G03F7/039
摘要： 본 발명은 포토레지스트 제거용 박리액 조성물에 관한 것으론, 본 발명에 따른 조성물은 1 내지 5 중량%의 화학식(1)로 표시되는 화합물, 70 내지 95 중량%의 극성 유기 용매, 0.1 내지 5 중량%의 하이드록사이드계 화합물 및 나머지량의 물을 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의한 박리액 조성물은 특히 박리액 조성물 내에 부식방지제를 포함하지 않고 화학식(1)로 표시되는 화합물을 적정량 포함함으로써 효과적으로 단시간 내에 박리 공정을 완료할 수 있으며 다른 공정에 비해 상대적으로 높은 공정온도에서 수행되는 박리 공정에서 조성변화를 최소화할 수 있다. 또한 부식방지제를 포함하지 않음으로써 비수용성인 부식방지제 흡착에 의한 증착 불량과 같은 후공정 불량을 방지하면서 전극 손상을 막을 수 있게 한다.

10. 发明公开

KR1020140028962A 후막의 네가티브 포토레지스트용 박리액 조성물 有权
标题翻译：剥离组合物用于厚负离子光刻胶
公开(公告)号：KR1020140028962A
公开(公告)日：2014-03-10
申请号：KR1020120096430
申请日：2012-08-31
申请人： 주식회사 이엔에프테크놀로지
发明人： 강영한 , 박영진 , 이상대 , 류현규
IPC分类号： G03F7/34 , G03F7/039
CPC分类号： G03F7/0382 , C11D11/0047 , G03F7/42 , G03F7/422 , G03F7/423 , G03F7/425 , G03F7/426
摘要： The present invention relates to a stripper composition for photoresist removal. The composite according to the present invention comprises 1-5 wt% of a compound represented by chemical formula (1), 70-95 wt% of a polar organic solvent, 0.1-5 wt% of a hydroxide-based compound and a rest amount of water. The stripper composition according to the present invention is able to effectively complete a stripping process within a short time by including the proper amount of the compound represented by chemical formula (1) without an anticorrosive agent and is able to minimize composition variation in a stripping process performed at relatively high process temperatures as compared to a different process. The stripper composition is able to prevent post-processing defect such as evaporation defect due to the adsorption of non-aqueous anticorrosive agents by excluding anticorrosive agents while preventing electrode damage.
摘要翻译：本发明涉及一种用于光致抗蚀剂去除的剥离剂组合物。根据本发明的复合材料包含1-5重量％的由化学式（1）表示的化合物，70-95重量％的极性有机溶剂，0.1-5重量％的氢氧化物基化合物和其余量的水。根据本发明的汽提组合物能够在短时间内有效地完成汽提过程，包括适当量的化学式（1）表示的化合物而不使用防锈剂，并能够最小化汽提过程中的组成变化与不同的工艺相比，在相对高的工艺温度下进行。脱模剂组合物能够防止由于通过排除防锈剂而吸附非水性防锈剂而引起的蒸发缺陷等后处理缺陷，同时防止电极损坏。

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