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1. 发明授权

KR102010336B1 표시 장치 및 그 구동 방법 有权
公开(公告)号：KR102010336B1
公开(公告)日：2019-08-14
申请号：KR1020120089633
申请日：2012-08-16
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 노상용 , 김장수
IPC分类号： G09G3/36

2. 发明授权

KR101991371B1 액정 표시 장치 有权
公开(公告)号：KR101991371B1
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：KR1020120067433
申请日：2012-06-22
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 정연학 , 김승환 , 김귀현 , 김장수 , 노상용 , 송재진 , 나병선 , 백승수
IPC分类号： G02F1/1343 , G02F1/133

3. 发明授权

KR101566430B1 액정 표시 장치 有权
标题翻译：液晶显示器
公开(公告)号：KR101566430B1
公开(公告)日：2015-11-06
申请号：KR1020090027562
申请日：2009-03-31
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김용환 , 김장수 , 유홍석 , 백승수 , 오화열 , 최재호 , 김종인 , 장상희
IPC分类号： G02F1/1335 , G02F1/136
CPC分类号： G02F1/136209
摘要： 본발명은액정표시장치에관한것이다. 액정표시장치는제1 화소전극과제1 빛샘방지부재가위치하는첫 번째화소영역, 제2 화소전극과제2 빛샘방지부재가위치하는마지막화소영역및 첫번째화소영역과마지막화소영역이배열되고제1 화소전극및 제2 화소전극이위치하는중간화소영역들을갖는하판을포함한다. 따라서가장자리에위치하는최초화소영역과마지막화소영역에서빛샘을효과적으로방지할수 있다.
摘要翻译：液晶显示装置技术领域本发明涉及液晶显示装置。液晶显示装置包括：第一像素电极1，漏光防止部件所在的第一像素区域2，第二像素电极2，漏光防止部件所在的最终像素区域，以及其中电极和第二像素电极位于其中的中间像素区域。因此，可以在位于边缘的第一像素区域和最后像素区域中有效地防止漏光。

4. 发明授权

KR101499226B1 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：薄膜晶体管基板及其制造方法
公开(公告)号：KR101499226B1
公开(公告)日：2015-03-05
申请号：KR1020080072704
申请日：2008-07-25
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김장수 , 윤재형 , 김상수 , 김동규
IPC分类号： G02F1/136 , G02F1/1335
CPC分类号： H01L29/78633 , H01L27/124 , H01L27/1248
摘要： 본 발명은 색필터 또는 차광 부재를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판에 관한 것으로서, 제1 기판 위에 게이트 전극을 포함하는 게이트선 및 높이 상향 부재를 형성하는 단계, 게이트선 및 높이 상향 부재 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계, 게이트 절연막 위에 반도체, 소스 전극을 포함하는 데이터선 및 소스 전극과 마주하며 높이 상향 부재와 적어도 일부가 중첩하는 드레인 전극을 형성하는 단계, 게이트 절연막 및 데이터선 위에 제1 절연막을 형성하는 단계, 제1 절연막 위의 게이트선 및 데이터선과 대응하는 부분에 화소 영역을 구획하도록 차광 부재를 형성하는 단계, 차광 부재에 의해 구획된 화소 영역에 색필터를 형성하는 단계, 차광 부재 및 상기 색필터 위에 제2 절연막을 형성하는 단계, 제2 절연막, 차광 부재 또는 색필터 그리고 제1 절연막을 사진 식각하여 드레인 전극의 높이 상향 부재와 중첩하는 부분을 노출하는 접촉구를 형성하는 단계, 그리고 제2 절연막 위에 접촉구를 통하여 드레인 전극과 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
이와 같이, 화소 전극과 박막 트랜지스터의 접촉을 위한 접촉구의 아래 부분에 높이 상향 부재를 형성하여 접촉구의 길이를 짧게 함으로서, 접촉구를 형성하기 위한 건식 식각 공정을 용이하게 만들 수 있다.
박막 트랜지스터 표시판, COA, 건식 식각

5. 发明授权

KR101418588B1 표시 기판 및 이의 제조 방법 有权
标题翻译：显示基板及其制造方法
公开(公告)号：KR101418588B1
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：KR1020070115806
申请日：2007-11-14
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김장수 , 닝홍롱 , 김봉균 , 박홍식 , 김시열 , 정창오 , 김상갑 , 윤재형 , 이우근 , 배양호 , 윤필상 , 정종현 , 홍선영 , 김기원 , 이병진 , 이영욱 , 김종인 , 김병범 , 서남석
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： G02F1/13458 , G02F1/136286 , G02F2001/136295 , H01L27/1218 , H01L27/124 , H01L27/1288
摘要： 저저항 배선을 구현하기 위한 표시 기판은 베이스 기판, 게이트 배선, 제1 절연층, 제2 절연층, 데이터 배선 및 화소 전극을 포함한다. 베이스 기판은 화소 영역이 정의된다. 게이트 배선은 베이스 기판에 형성된 제1 시드층, 제1 시드층 위에 형성된 제1 금속층으로 이루어진다. 제1 절연층은 게이트 배선이 형성된 베이스 기판 위에 형성된다. 제2 절연층은 제1 절연층이 형성된 베이스 기판 위에 게이트 배선과 교차하는 방향으로 배선 트랜치가 형성된다. 데이터 배선은 배선 트랜치 아래에 형성된 제2 시드층 및 배선 트랜치 내에 형성된 제2 금속층으로 이루어진다. 화소 전극은 화소 영역에 형성된다. 이에 따라서, 절연층을 이용하여 일정 깊이의 홀을 형성하고, 홀 내에 도금 방식으로 금속층을 형성함으로써 금속 배선의 두께를 두껍게 형성할 수 있다.
도금, 저저항, 금속 배선, 트랜치, 홀, 시드층

6. 发明公开

KR1020140025742A 표시 장치용 모기판, 표시 장치용 모기판의 제조 방법, 및 표시 장치의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：用于显示装置的主基板，其制造方法以及用于制造显示装置的方法
公开(公告)号：KR1020140025742A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：KR1020120091800
申请日：2012-08-22
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김종인 , 노상용 , 최국현 , 곽상기 , 김장수
IPC分类号： G02F1/1343
CPC分类号： G02F1/136286 , G02F1/1337 , G02F1/13452 , G02F1/13624 , G02F2001/134345 , H01L33/0054
摘要： The present invention relates to a backpanel for a display device capable of improving visibility and a response speed by differently forming pretilt angles of liquid molecules of two subpixels, a method for manufacturing a backpanel of a display device and a method for manufacturing a display device. The backpanel for a display device according to an embodiment of the present invention comprises a first backpanel and a second backpanel which have a plurality of panel areas and face to each other; a first contact electrode and a second electrode which are formed on the first backpanel; a common electrode, a first voltage applying electrode, and a second applying voltage which are formed to be separated from one another on the second backpanel; and a liquid crystal layer which is formed between the first backpanel and the second backpanel, wherein the first voltage applying electrode is connected to the first contact electrode, the second voltage applying electrode is connected to the second contact electrode, and the first voltage applied to the first voltage applying electrode and the second applied to the second voltage applying electrode are different from each other.
摘要翻译：本发明涉及一种用于显示装置的背板，其能够通过不同地形成两个子像素的液体分子的预倾角来提高可见度和响应速度，显示装置的背板的制造方法和显示装置的制造方法。根据本发明的实施例的用于显示装置的背板包括具有多个面板区域并彼此面对的第一背板和第二背板; 形成在第一背板上的第一接触电极和第二电极; 形成为在第二背板上彼此分离的公共电极，第一施加电极和第二施加电压; 以及形成在所述第一背板和所述第二背板之间的液晶层，其中所述第一电压施加电极连接到所述第一接触电极，所述第二电压施加电极连接到所述第二接触电极，并且所述第一电压施加到第一电压施加电极和施加到第二施加电极的第二施加电极彼此不同。

7. 发明授权

KR101232063B1 표시 기판의 제조 방법 有权
标题翻译：制造显示基板的方法
公开(公告)号：KR101232063B1
公开(公告)日：2013-02-12
申请号：KR1020060076971
申请日：2006-08-16
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 신봉규 , 김장수 , 이은국 , 오민석
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/133 , G02F1/136
摘要： 생산성 및 제조 공정의 신뢰성을 향상시킨 표시 기판의 제조방법이 개시된다. 표시 기판의 제조 방법은 게이트 배선 및 스위칭 소자의 게이트 전극을 포함하는 게이트 패턴 상에 활성층 및 소스 금속층을 순차적으로 형성하는 단계, 식각 가스를 이용해 활성층 및 소스 금속층을 동시에 식각하여 소스 금속층이 돌출된 단부를 갖는 소스 패턴을 형성하는 단계, 소스 패턴을 식각하여 스위칭 소자의 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계 및 스위칭 소자와 연결된 화소 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 이에 따라, 소스 금속층과 활성층을 동시에 식각하여 공정을 단순화하고 생산성을 향상시킬 수 있고, 소스 금속층과 활성층이 식각 가스의 선택비에 의해 서로 다른 속도로 식각됨으로써 패터닝된 소스 금속층에 비해 활성층이 돌출되는 것을 방지함으로써 제조 공정의 신뢰성 및 표시 품질을 향상시킬 수 있다.
3매 공정, 4매 공정, 소스 금속층, 활성층, 몰리브덴 팁

8. 发明公开

KR1020120023165A 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：薄膜晶体管阵列及其制造方法
公开(公告)号：KR1020120023165A
公开(公告)日：2012-03-12
申请号：KR1020120011954
申请日：2012-02-06
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김장수 , 이영욱
IPC分类号： G02F1/136 , G02F1/1343
CPC分类号： G02F1/136286 , G02F1/13439 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F2001/136222
摘要： PURPOSE: A thin film transistor display panel and a manufacturing method thereof are provided to increase an aperture ration and prevent misalignment. CONSTITUTION: A thin film transistor is connected to a gate line and a data line. An organic insulating film is located on the gate line, the data line, and the thin film transistor. A first electrode is located on the organic insulating film. A protective film comprises an upper protective film(180q) and a lower protective film(180p). The protective film is located on the first electrode. A second electrode is located on the protective film.
摘要翻译：目的：提供一种薄膜晶体管显示面板及其制造方法以增加孔径比并防止未对准。构成：薄膜晶体管连接到栅极线和数据线。有机绝缘膜位于栅极线，数据线和薄膜晶体管上。第一电极位于有机绝缘膜上。保护膜包括上保护膜（180q）和下保护膜（180p）。保护膜位于第一电极上。第二电极位于保护膜上。

9. 发明公开

KR1020100011470A 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：薄膜晶体管基板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020100011470A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：KR1020080072704
申请日：2008-07-25
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김장수 , 윤재형 , 김상수 , 김동규
IPC分类号： G02F1/136 , G02F1/1335
CPC分类号： H01L29/78633 , H01L27/124 , H01L27/1248
摘要： PURPOSE: A thin film transistor substrate and a method for manufacturing the same are provided to facilitate a dry etching process for forming a contact hole. CONSTITUTION: A gate line and a height raising member(125) are formed. A gate insulating layer(140) is formed. A semiconductor(154), a data line including a source electrode(173) and a drain electrode(175) are formed. The first insulating layer is formed on the gate insulating layer and the data line. A light shielding member(220) is formed. Color filters(230R,230G) is formed on a pixel domain divided by the light shielding member. The second insulating layer is formed. Photo etching of the second insulating layer, the light shielding member or the color filter and the first insulating layer is performed. A contact hole(185) exposing a part overlapped with the height raising member of the drain electrode is formed.
摘要翻译：目的：提供薄膜晶体管基板及其制造方法，以便于形成接触孔的干法蚀刻工艺。构成：形成栅线和升高构件（125）。形成栅极绝缘层（140）。形成半导体（154），包括源电极（173）和漏电极（175）的数据线。第一绝缘层形成在栅极绝缘层和数据线上。形成遮光部件（220）。彩色滤光片（230R，230G）形成在由遮光构件分割的像素域上。形成第二绝缘层。执行第二绝缘层，遮光构件或滤色器以及第一绝缘层的蚀刻。形成露出与漏电极的高度提升部件重叠的部分的接触孔（185）。

10. 发明公开

KR1020100005496A 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：薄膜晶体管阵列和制造它们
公开(公告)号：KR1020100005496A
公开(公告)日：2010-01-15
申请号：KR1020080065548
申请日：2008-07-07
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김장수 , 김상수 , 김시열 , 김장섭
IPC分类号： G02F1/136 , H01L29/786
CPC分类号： G02F1/136227 , G02F1/133512 , G02F2001/136222 , H01L27/1248 , G02F1/133514 , H01L27/1214
摘要： PURPOSE: A thin film transistor array panel and a manufacturing method thereof are provided to use the same partition mask for any pixel electrode pattern without changing the partition wall. CONSTITUTION: A gate line(121) and data line(171a,171b) are formed on an insulating substrate. A thin film transistor(TFT) is connected to the gate line and the data line. A partition wall(361) is formed along the gate line and the data line. The partition wall divides the color filter filling area. The color filter is formed in the filling area. The protective film is formed on the color filter and partition wall. The pixel electrode(191) is formed on the protective film. The pixel electrode is connected through contact holes(185a,185b) to the thin film transistor. The contact hole is formed in the protective film and the color filter.
摘要翻译：目的：提供一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法，以在不改变分隔壁的情况下对任何像素电极图案使用相同的分隔掩模。构成：在绝缘基板上形成栅极线（121）和数据线（171a，171b）。薄膜晶体管（TFT）连接到栅极线和数据线。沿着栅极线和数据线形成分隔壁（361）。分隔壁分隔滤色器填充区域。滤色器形成在填充区域中。保护膜形成在滤色器和分隔壁上。像素电极（191）形成在保护膜上。像素电极通过接触孔（185a，185b）连接到薄膜晶体管。接触孔形成在保护膜和滤色器中。

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