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1. 发明授权

KR101425635B1 산화물 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 및 산화물 박막트랜지스터 기판 有权
标题翻译：氧化物薄膜晶体管阵列基板和氧化物薄膜晶体管阵列基板的制造方法
公开(公告)号：KR101425635B1
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：KR1020070119287
申请日：2007-11-21
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 이제훈 , 양동주 , 인태형 , 김도현 , 홍선영 , 정승재 , 정창오
IPC分类号： G02F1/136 , H01L29/786
摘要： 산화물 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법이 제공된다. 산화물 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법은, 절연 기판 상에 게이트 배선을 형성하고, 게이트 배선 상에 산화물 반도체 패턴 및 데이터 배선의 적층 구조를 형성하되, 산화물 반도체 패턴은 제1 영역과 제2 영역으로 구분되고 상기 제1 영역의 두께가 상기 제2 영역의 두께보다 얇도록 형성하고, 상기 데이터 배선은 상기 제2 영역 상에 형성하는 것을 포함한다.
산화물 박막 트랜지스터, 산화물 반도체, 식각, 일함수, 채널 두께

2. 发明公开

KR1020080048936A 산화물 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 및 산화물 박막트랜지스터 기판 有权
标题翻译：氧化物薄膜晶体管阵列基板和氧化物薄膜晶体管阵列基板的制造方法
公开(公告)号：KR1020080048936A
公开(公告)日：2008-06-03
申请号：KR1020070119287
申请日：2007-11-21
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 이제훈 , 양동주 , 인태형 , 김도현 , 홍선영 , 정승재 , 정창오
IPC分类号： G02F1/136 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1225 , H01L27/1288 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要： A method of manufacturing an oxide thin film transistor substrate and the oxide thin film transistor substrate are provided to form a first area thinner than a second area and to form data wirings on the second area to increase an on/off current ratio, to prevent afterimages of the transistor substrate and to preclude the property degradation of the transistor. Gate wirings(22,26) are formed on an insulation substrate(10). Oxide semiconductor layer patterns(42,44) and data wirings(62,65,66,67) are formed on the gate wirings. The oxide semiconductor layer patterns are divided into a first area(A) and a second area. The first area is thinner than the second area. The data wirings are formed on the second area. A thickness ratio of the first and second areas is from more than 0.123 to less than 1, and the thickness of the first area is from more than 160Å to less than 1300Å.
摘要翻译：提供制造氧化物薄膜晶体管基板和氧化物薄膜晶体管基板的方法以形成比第二区域薄的第一区域，并在第二区域上形成数据布线以增加导通/截止电流比，以防止残留图像并且防止晶体管的特性劣化。栅极布线（22,26）形成在绝缘基板（10）上。氧化物半导体层图案（42,44）和数据布线（62,65,66,67）形成在栅极布线上。氧化物半导体层图案被分成第一区域（A）和第二区域。第一个区域比第二个区域薄。数据配线形成在第二区域上。第一和第二区域的厚度比大于0.123至小于1，第一区域的厚度大于160至小于1300。

3. 发明公开

KR1020090118395A 반도체 장치 및 이의 제조 방법 有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020090118395A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：KR1020080044144
申请日：2008-05-13
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 이제훈 , 김도현 , 인태형
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/458 , H01L29/78618
摘要： PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to easily form a low resistance contact layer without a doping process by lowering a schottky barrier in bonding a high mobility oxide semiconductor and a metal wiring layer. CONSTITUTION: An oxide semiconductor layer(103) is formed. A first conductive layer is formed on the oxide semiconductor layer, and includes a first component and a second component. Gibbs free energy for forming the oxide of the second component is higher than the first component. A second conductive layer including the second component is formed on the first conductive layer. The first component is oxidized in an interface region between the first conductive layer and the second conductive layer.
摘要翻译：目的：提供半导体器件及其制造方法，通过在高迁移率氧化物半导体和金属布线层的接合中降低肖特基势垒，容易地形成低电阻接触层而不进行掺杂工艺。构成：形成氧化物半导体层（103）。第一导电层形成在氧化物半导体层上，并且包括第一部件和第二部件。用于形成第二组分的氧化物的吉布斯自由能高于第一组分。包括第二部件的第二导电层形成在第一导电层上。第一组分在第一导电层和第二导电层之间的界面区域中被氧化。

4. 发明授权

KR101461127B1 반도체 장치 및 이의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101461127B1
公开(公告)日：2014-11-14
申请号：KR1020080044144
申请日：2008-05-13
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 이제훈 , 김도현 , 인태형
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/7869
摘要： 반도체 장치 및 이의 제조 방법에서, 반도체 장치는 산화물 또는 질화물 반도체층을 포함하고, 금속 배선층과의 접촉 저항을 낮추기 위한 저 저항 컨택층을 포함한다. 산화물 또는 질화물 반도체층을 기판 위에 형성하고, 제1 금속원소와 제2 금속 원소가 포함된 제1 전도층을, 제2 금속 원소가 포함된 제2 전도층을 반도체층 위에 형성한다. 제1 금속 원소의 깁스 자유 에너지는 제2 금속 원소 또는 반도체층 내의 어떤 금속 원소의 산소 또는 질소에 대한 깁스 자유 에너지 보다 낮도록 설계한다. 반도체층과 제1 전도층 사이의 계면에 제1 원소로 구성된 저 저항 컨택층을 형성한다.
산화물 반도체, 접촉 저항, 깁스 자유에너지, 비화학양론, 산화물, 질화물

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