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31. 发明公开

KR1020170059975A 독립형 실리콘 메사들 상의 III-N 에피택셜 디바이스 구조체들 审中-实审
标题翻译： III-N外延器件结构在独立硅台面上
公开(公告)号：KR1020170059975A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：KR1020177004736
申请日：2014-09-25
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 다스굽타,산삽탁 , 텐,한위 , 가드너,사나즈케이. , 라도사블제빅,마르코 , 성,승훈 , 추-쿵,벤자민 , 차우,로버트에스.
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/66 , H01L21/02
CPC分类号： H01L29/7786 , H01L21/02381 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/0265 , H01L29/0657 , H01L29/41725 , H01L29/66462
摘要： 실리콘기판의메사로부터측방으로과성장되는 III-N 에피택셜아일랜드들상의 III-N 반도체이종구조체들이설명된다. IC는실리콘메사위로오버행하는 III-N 에피택셜아일랜드상에배치되는 III-N 반도체디바이스를포함할수 있고, III-N 디바이스와모놀리식으로통합되는실리콘-기반 MOSFET을더 포함할수 있다. 실리콘메사들로부터의측방에피택셜과성장은트랜지스터들또는다른능동반도체디바이스들이제조될수 있는양호한결정품질의 III-N 반도체영역들을제공할수 있다. III-N 아일랜드들의오버행표면들은상이한극성의표면들상에다수의디바이스층들을제공할수 있다. 별도의 III-N 아일랜드들사이의이격은 III-N 반도체디바이스들을포함하는 IC에대한기계적컴플라이언스를제공할수 있다. 실리콘메사의언더컷은 III-N 에피택셜아일랜드들의대안적인기판들로의이송을위해이용될수 있다.
摘要翻译： Eurogwa侧向生长的III-N外延岛中上的III-N半导体两种结构是从硅衬底的台面说明。 IC可以包括设置在III-N相外延岛一个III-N半导体器件，其突出端在硅台面，硅掺入III-N器件和基于整料-MOSFET可以包含euldeo。硅台面robuteoui横向外延生长，并且可以提供他们的晶体管或可以在良好的晶体质量来制备其它有源半导体器件的III-N半导体区。 III-N岛的悬垂表面可以在不同极性的表面上提供多个器件层。单独的III-N岛之间的分离可以为包括III-N半导体器件的IC提供机械顺应性。硅台面的底切可以用于将III-N外延岛转移到替代衬底。

32. 发明公开

KR1020170056511A 실리콘 CMOS-호환가능 반도체 디바이스들에서의 결함 전파 제어를 위한 경사 측벽 패싯들을 가지는 우르자이트 이종에피택셜 구조체들 审中-实审
标题翻译：具有倾斜侧壁面的Wurzite异相结构用于硅CMOS兼容半导体器件中的缺陷传播控制
公开(公告)号：KR1020170056511A
公开(公告)日：2017-05-23
申请号：KR1020177004128
申请日：2014-09-18
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 다스굽타,산삽탁 , 텐,한위 , 추-쿵,벤자민 , 라도사블제빅,마르코 , 가드너,사나즈케이. , 성,훈 , 필라리세티,라비 , 차우,로버트에스.
IPC分类号： H01L29/04 , H01L29/06 , H01L29/778 , H01L29/20 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/0265 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02521 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L21/8252 , H01L27/0605 , H01L29/045 , H01L29/0657 , H01L29/16 , H01L29/2003 , H01L29/267 , H01L29/7786 , H01L29/7787 , H01L29/7789 , H01L29/7851
摘要： 경사측벽패싯들을가지는상승형 III-N 반도체구조체들을포함하는 III-N 반도체이종구조체들이기술된다. 실시예들에서, 반-극성경사측벽패싯들을선호하는측방에피택셜과성장이수직전파로부터수평전파로결정결함들을구부리기위해이용된다. 실시예들에서, 낮은결함밀도표면들을가지는임의의큰 병합된 III-N 반도체구조체들이실리콘기판의 (100) 표면을노출시키는트렌치들로부터과성장될수 있다. III-N 트랜지스터들과같은 III-N 디바이스들은상승형 III-N 반도체구조체들상에추가로형성될수 있고, 실리콘-기반트랜지스터들은실리콘기판의다른영역들에형성될수 있다.
摘要翻译：描述了包括具有倾斜侧壁小面的升高的III-N半导体结构的III-N半导体异质结构。在实施例中，有助于半极性倾斜侧壁小面的横向外延生长和生长被用于弯曲来自垂直传播的水平传播晶体缺陷。在实施例中，具有低缺陷密度表面的任何大的合并III-N半导体结构可以从暴露硅衬底的（100）表面的沟槽生长。可以在凸起的III-N半导体结构上另外形成诸如III-N晶体管的III-N器件，并且可以在硅衬底的其他区域中形成硅基晶体管。

33. 发明授权

KR101680980B1 매립된 공동부 및 유전체 지지 구조체를 가진 반도체 기판을 형성하는 방법 有权
标题翻译：形成半导体衬底的方法，具有覆盖CAVITIES和电介质支持结构
公开(公告)号：KR101680980B1
公开(公告)日：2016-11-29
申请号：KR1020150126122
申请日：2015-09-07
申请人： 인피니언 테크놀로지스 아게
发明人： 데이네스마테오 , 라벤요하네스조지 , 슐즈한스-요아힘
IPC分类号： H01L21/762 , H01L27/12
CPC分类号： H01L27/1203 , H01L21/02233 , H01L21/02647 , H01L21/0265 , H01L21/02667 , H01L21/31111 , H01L21/31144 , H01L21/324 , H01L21/3247 , H01L21/743 , H01L21/76232 , H01L21/76248 , H01L21/76877 , H01L23/3677 , H01L23/5286 , H01L23/562 , H01L27/0922 , H01L28/40 , H01L29/0649
摘要： 반도체장치를형성하는방법은반도체기판의제 1 표면으로부터반도체기판내로연장되는복수의트렌치를형성하는단계를포함한다. 트렌치각각은좁은부분에의해제 1 표면으로부터이격되는넓은부분과개방적으로연통하는좁은부분을포함한다. 인접한트렌치의좁은부분은반도체기판의제 1 영역에의해횡방향으로분리된다. 인접한트렌치의넓은부분은제 1 영역보다좁은반도체기판의제 2 영역에의해횡방향으로분리된다. 방법은추가로반도체기판의제 1 영역을지지하는유전체지지구조체를형성하기위해인접한트렌치사이의반도체기판의제 2 영역을산화시키도록트렌치의좁은부분을통해트렌치의넓은부분에산화제를도입하는단계를포함한다.
摘要翻译：形成半导体器件的方法包括从半导体衬底的第一表面形成延伸到半导体衬底中的多个沟槽。每个沟槽包括与较窄部分开放连通的较窄部分，其较窄部分与第一表面间隔开。相邻沟槽的较窄部分由半导体衬底的第一区域横向隔开。相邻沟槽的较宽部分被半导体衬底的比第一区域窄的第二区域侧向分开。该方法还包括通过沟槽的较窄部分将氧化剂引入沟槽的较宽部分，以在相邻沟槽之间氧化半导体衬底的第二区域，以形成支撑半导体的第一区域的电介质支撑结构。

34. 发明公开

KR1020150082264A 자외선 발광 다이오드 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：超紫外线发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150082264A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：KR1020157011416
申请日：2013-10-15
申请人： 리켄
发明人： 히라야마히데키
IPC分类号： H01L33/22 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/00 , H01L21/02
CPC分类号： H01L33/12 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/0265 , H01L33/007 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L2933/0033
摘要： 본발명의목적은자외선발광다이오드의광추출효율을증가시키는것이다. 본발명의일 실시형태의전형적인자외선발광다이오드(100A)는볼록부(112) 배열이형성된단결정사파이어기판(110A); 사파이어기판에형성된 AlN 결정의버퍼층(120A); 버퍼층에접하여형성되고 n형도전층(132), 재결합층(134) 및 p형도전층(136)을버퍼층의옆으로이 순서대로적층하여형성된자외선발광층(130)을구비하고있다. 버퍼층은복수의기둥(124)이배열되어있는기둥배열부(124a) 및기둥이서로결합하여형성되어있는일체화부(126)를가지고있으며기둥의각각은사파이어기판의볼록부각각에서한 쪽면(104)의법선방향으로연장되어, 한쪽면의면내방향에서서로갭 G에의해떨어져있다. 자외선발광층에서방출되는빛은버퍼층의기둥배열부및 사파이어기판을통해서외부로추출된다.
摘要翻译：具有增加的光提取效率的紫外线LED包括：形成有突出部阵列的单晶蓝宝石基板; 形成在蓝宝石衬底上的AlN晶体缓冲层; 以及与缓冲层接触的紫外线发光层，从缓冲层的顺序形成为包括n型导电层，复合层和p型导电层的层叠堆叠。缓冲层包括柱阵列部分和集成部分，其中阵列中的柱彼此连接。每个支柱从蓝宝石基板的突出部分沿垂直于其一个表面的方向延伸。支柱通过间隙G在表面的平面中彼此分离。从紫外光发射层发射的光通过柱阵列部分和蓝宝石衬底被提取到外部。

35. 发明公开

KR1020140142040A 기판 재생 방법 및 재생 기판 审中-实审
标题翻译：回收衬底和回收衬底的方法
公开(公告)号：KR1020140142040A
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：KR1020130063578
申请日：2013-06-03
申请人： 서울바이오시스 주식회사
发明人： 한창석 , 김화목 , 고미소 , 이아람차 , 서대웅
IPC分类号： H01L21/20 , H01L33/12 , H01L33/22
CPC分类号： H01L21/02032 , H01L21/0265 , H01L29/2003 , H01L29/34 , H01L33/0075 , H01L33/12
摘要： 기판 재생 방법 및 재생 기판이 개시된다. 이 기판 재생 방법은, 에피층으로부터 분리된 표면을 갖는 기판을 준비하는 것을 포함한다. 분리된 표면은 돌출부와 오목부를 포함하고, 돌출부는 오목부에 비해 상대적으로 평탄하다. 분리된 표면 상에 결정성 복원층이 성장된다. 결정성 복원층은 돌출부에서 성장된다. 나아가, 결정성 복원층 상에 연속적인 표면을 갖도록 표면 거칠기 향상층이 성장된다. 이에 따라, 물리적인 연마나 화학적인 식각 기술을 이용하지 않으면서 평탄한 표면을 갖는 재생 기판을 제공할 수 있다.
摘要翻译：公开了一种基板回收方法和再循环基板。基板回收方法包括制备具有与外延层分离的表面的基板的步骤。分离面包括突出部和凹部。与凹部相比，突出部相对平坦。在分离的表面上生长晶体恢复层。晶体恢复层在突起部分上生长。此外，在结晶复原层上生长表面粗糙度改善层以具有连续表面。因此，提供了具有平坦表面的再循环基板，而不使用物理抛光或化学蚀刻技术。

36. 发明授权

KR101409112B1 반도체 장치 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：半导体器件的生产
公开(公告)号：KR101409112B1
公开(公告)日：2014-06-17
申请号：KR1020087032223
申请日：2008-01-31
申请人： 나노간 리미티드
发明人： 왕,왕낭
IPC分类号： H01L21/20 , B82B3/00 , B82Y40/00
CPC分类号： H01L21/02513 , H01L21/0237 , H01L21/02433 , H01L21/02439 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/0265
摘要： 본 발명은 층을 이루는 반도체 장치를 제조하는 방법 및 그것에 의해 제조된 반도체 장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 층을 이루는 반도체 장치의 제조 방법은 (a) 다수의 반도체 나노-구조들을 구비하는 베이스를 준비하는 단계; (b) 에피택셜 성장 프로세스를 이용하여 상기 나노-구조들 위에 반도체 물질을 성장시키는 단계; 및 (c) 에피택셜 성장 프로세스를 이용하여 상기 반도체 물질 위에 상기 반도체 장치의 층을 성장시키는 단계를 포함하며, 상기 다수의 반도체 나노-구조들이 서브스트레이트 위에 위치하며, 상기 서브스트레이트가 노출될 때까지 상기 서브스트레이트 위에 반도체 템플레이트를 식각함으로써 상기 나노-구조들을 제조하는 초기 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
반도체 물질, 나노-구조, 나노-컬럼, 서브스트레이트, 템플레이트

37. 发明授权

KR101300069B1 질화물 반도체층을 포함하는 구조체, 질화물 반도체층을 포함하는 복합 기판, 및 이것들의 제조 방법 有权
标题翻译：氮化物半导体层包含结构，含氮化合物半导体层的复合基板及其制备方法
公开(公告)号：KR101300069B1
公开(公告)日：2013-08-30
申请号：KR1020107028266
申请日：2009-05-25
申请人： 캐논 가부시끼가이샤
发明人： 왕시난 , 타마모리켄지
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/0265 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02389 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639
摘要： 적어도 2개의 질화물 반도체층에 의거한 적층구조를 구비하고, 상기 적층구조에 있어서의 상기 2개의 질화물 반도체층의 사이에, 상기 2개의 질화물 반도체층의 하부층인 질화물 반도체층 위에 형성된 요철 패턴의 오목부의 내벽을 포함하는 벽면에 의해 둘러싸여진 복수의 공동을 갖고, 상기 공동을 형성하는 상기 오목부의 내벽의 적어도 일부에, 상기 질화물 반도체층의 횡방향 성장을 억제하는 결정성 결함을 포함하는 부분들이 형성되는 구성을 갖는, 질화물 반도체층을 포함하는 구조체.

38. 发明公开

KR1020130040498A 질화갈륨 막 제조방법 无效
标题翻译：制造方法薄膜
公开(公告)号：KR1020130040498A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：KR1020110105312
申请日：2011-10-14
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 임성근 , 김준회 , 박보익 , 박철민 , 박현종 , 배준영 , 신성환 , 이원조 , 최준성 , 정병규
IPC分类号： B82B3/00 , B82B1/00 , B82Y40/00
CPC分类号： H01L21/0254 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/02513 , H01L21/02603 , H01L21/02639 , H01L21/0265
摘要： PURPOSE: A manufacturing method of a gallium nitride film is provided to prevent crack generation and defects on gallium nitride film by strain by growing a gallium nitride film on a nanorod. CONSTITUTION: A manufacturing method of a gallium nitride film comprises a step of growing a gallium nitride nanorod with grooves on a substrate; and a step of growing a gallium nitride film on the gallium nitride nanorod. A manufacturing method of the gallium nitride film additionally comprises a step of cooling the substrate to automatically separate the nanorod from the groove, after growing the gallium nitride film. The length and the diameter are 10-1000nm. The growing step of the gallium nitride nanorod is conducted at 500-700>=. The gallium nitride growth step is conducted at 900>= or more. [Reference numerals] (S110) Growing a gallium nitride nanorod with grooves; (S120) Growing a gallium nitride film;
摘要翻译：目的：提供一种氮化镓膜的制造方法，以通过在纳米棒上生长氮化镓膜来防止由于应变引起的裂纹产生和氮化镓膜的缺陷。构成：氮化镓膜的制造方法包括在衬底上生长具有沟槽的氮化镓纳米棒的步骤; 以及在氮化镓纳米棒上生长氮化镓膜的步骤。氮化镓膜的制造方法还包括在生长氮化镓膜之后冷却衬底以自动将纳米棒与沟槽分离的步骤。长度和直径为10-1000nm。氮化镓纳米棒的生长步骤在500-700℃下进行。氮化镓生长步骤在900℃以上进行。（参考号）（S110）生长具有槽的氮化镓纳米棒; （S120）生长氮化镓膜;

39. 发明公开

KR1020110116636A 탄화된 포토레지스트를 이용하여 에피택셜층을 형성하는 방법 및 이에 의해 제조된 적층 구조물 有权
标题翻译：使用碳化硅光电陶瓷形成外延层的方法和通过该方法制造的层压结构
公开(公告)号：KR1020110116636A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：KR1020100036169
申请日：2010-04-20
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 변동진 , 김상일 , 김범준 , 장삼석 , 박지훈
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02642 , H01L21/0265
摘要： 본 발명은 공정이 간단하면서도 에피택셜층 내에 생성된 결함을 최소화할 수 있는 에피택셜층을 형성하는 방법 및 이에 의해 제조된 적층 구조물에 관한 것이다. 본 발명에 따른 에피층 형성방법은 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 포토레지스트 패턴을 탄화시켜 마스크 패턴을 형성하는 단계와, 기판과 마스크 패턴이 함께 덮이도록 상기 기판 상에 에피택셜층을 형성하는 단계를 갖는다.

40. 发明公开

KR1020110009709A 질화물 반도체층을 포함하는 구조체, 질화물 반도체층을 포함하는 복합 기판, 및 이것들의 제조 방법 有权
标题翻译：氮化物半导体层包含结构，含氮化合物半导体层的复合基板及其制备方法
公开(公告)号：KR1020110009709A
公开(公告)日：2011-01-28
申请号：KR1020107028266
申请日：2009-05-25
申请人： 캐논 가부시끼가이샤
发明人： 왕시난 , 타마모리켄지
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/0265 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02389 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639
摘要： 적어도 2개의 질화물 반도체층에 의거한 적층구조를 구비하고, 상기 적층구조에 있어서의 상기 2개의 질화물 반도체층의 사이에, 상기 2개의 질화물 반도체층의 하부층인 질화물 반도체층 위에 형성된 요철 패턴의 오목부의 내벽을 포함하는 벽면에 의해 둘러싸여진 복수의 공동을 갖고, 상기 공동을 형성하는 상기 오목부의 내벽의 적어도 일부에, 상기 질화물 반도체층의 횡방향 성장을 억제하는 결정성 결함을 포함하는 부분들이 형성되는 구성을 갖는, 질화물 반도체층을 포함하는 구조체.

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