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31. 发明公开

KR1020160018310A 과불소화알킬 계면활성제를 함유하는 솔더범프용 주석합금 전기도금액 有权
标题翻译：含有全氟化烷基铝表面活性剂的锡合金电解液
公开(公告)号：KR1020160018310A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：KR1020140155735
申请日：2014-11-10
申请人： 주식회사 에이피씨티
发明人： 고정우 , 오정훈 , 박규빈 , 박현국 , 정흥수
IPC分类号： C25D3/56 , C25D3/60
CPC分类号： H01L24/11 , C25D3/32 , C25D3/38 , C25D3/46 , C25D3/60 , C25D5/02 , C25D5/10 , C25D5/12 , C25D7/123 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/94 , H01L2224/0345 , H01L2224/05647 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/94 , H01L2924/0132 , H01L2924/10253 , H01L2924/01047 , H01L2924/00014 , H01L2224/11 , H01L2224/03 , C25D3/56
摘要： 플립칩패키지의솔더범프제조를위한불소계계면활성제가포함된주석계전기도금액과이 전기도금액을이용한솔더범프제조방법을개시한다. 본발명의주석계전기도금액은메탄술폰산주석, 메탄술폰산은, 메탄술폰산, 불소계계면활성제, 그리고방향족폴리옥시알킬렌계에테르및 물을함유한다. 본발명의솔더범프제조방법은 (1) 전극패드가개방된보호층과금속기저층(UBM)을갖는실리콘웨이퍼에구리또는니켈전기도금액으로상기금속기저층위에구리또는구리/니켈필라범프를형성하는단계와 (2) 상기주석계전기도금액을이용하여솔더범프를형성하는단계를포함한다.
摘要翻译：公开了一种含有用于制造倒装芯片封装的焊料凸块的氟基表面活性剂的锡基电镀溶液和使用其的焊料凸块制造方法。根据本发明，锡基电镀液包含甲磺酸锡，甲磺酸银，甲磺酸，氟系表面活性剂，芳香族聚氧化烯系醚，水。焊料凸块的制造方法包括：（1）在具有开放电极焊盘的保护层的硅晶片的金属基底层（凸点下冶金）上形成铜或铜/镍柱状凸起的工序，金属基体使用铜或镍电镀溶液; 和（2）使用锡基电镀液形成焊料凸块的工序。

32. 发明公开

KR1020160007650A 은 피복재 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：银涂料及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160007650A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：KR1020157035364
申请日：2014-11-10
申请人： 제이엑스금속주식회사 , 아루프스 덴키 가부시키가이샤
发明人： 아이바아키히로 , 다카하시히로후미 , 오우찌다카시 , 엔도사또루 , 무라카미류 , 미야자와사토시 , 오다시마마사히코 , 도쿠다히로유키
IPC分类号： H01H1/021 , H01H1/025 , C25D5/50 , C25D7/00 , H01H11/04
CPC分类号： C25D5/50 , C25D3/46 , C25D5/10 , C25D5/12 , C25D7/00 , H01H1/021 , H01H1/025 , H01H2011/046
摘要： 본발명은, 스위칭이반복하여행해지는조건하에서장기간사용되는스위치의가동접점및/또는고정접점으로서이용해도, 표면의은 또는은 합금층이삭제되지않고, 또한접촉저항이상승되지않는, 내마모성이우수한은 피복재를제공하는것을목적으로한다. 도전성기재상에, 적어도은 혹은은 합금으로이루어지는층을최표층으로서가지는은 피복재로서, 내마모시험에있어서의피막삭제량이 40mg 미만이며, 또한초기의접촉저항, 및특정의조건에서슬라이딩마모시험을행한후의접촉저항이 10mΩ미만인은 피복재, 및상기은 혹은은 합금으로이루어지는층이도금에의해형성되고, 200 ~ 500℃에서 1 ~ 299초간열처리되어서이루어지는은 피복재.

33. 发明公开

KR1020150138086A 반응성 금속 필름 상에 금속을 전기화학적으로 증착시키기 위한 방법 审中-实审
标题翻译：在金属膜上电化学沉积金属的方法
公开(公告)号：KR1020150138086A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：KR1020150075832
申请日：2015-05-29
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 샤비브,로이 , 에메쉬,이스마일티. , 아지리스,디미트리오스 , 악수,서다르
IPC分类号： H01L21/288 , H01L21/283
CPC分类号： C25D7/123 , C25D3/02 , C25D3/12 , C25D3/38 , C25D3/46 , C25D3/48 , H01L21/2885 , H01L21/76843 , H01L21/76873 , H01L21/76877 , H01L21/76879 , H01L21/76882 , H01L23/528 , H01L23/53209 , H01L23/53238 , H01L23/53252 , H01L2221/1089 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 본개시물의일 실시예에따르면, 작업물상의반응성금속필름상에금속을증착시키기위한방법은, 적어도하나의도금금속이온을갖는, 약 1 내지약 6의 ph 범위의도금전해질을사용하여, 작업물상에형성된시드층 상에금속화층을전기화학적으로증착시키는단계, 및약 -0.5v 내지약 -4v 의범위의캐소드전위를인가하는단계를포함한다. 작업물은작업물의유전체표면과시드층 사이에배치된배리어층을포함하고, 배리어층은 0v 보다더 음의표준전극전위를갖는제 1 금속을포함하며, 시드층은 0v 보다더 양의표준전극전위를갖는제 2 금속을포함한다.
摘要翻译：根据本公开的一个实施例，用于在工件上的反应性金属膜上沉积金属的方法包括以下步骤：在形成于工件上的种子层上电化学沉积金属化层，使用电镀电解质在约 1至约6具有至少一个电镀金属离子; 并且施加在约-0.5V至约-4V的范围内的阴极电势。所述工件包括设置在所述种子层和所述工件的电介质表面之间的阻挡层，其中所述阻挡层包括具有标准电极电位的第一金属负极为0V，并且种子层包含具有比0V更正的标准电极电位的第二金属。

34. 发明公开

KR1020150057804A 아말감 전극, 이의 제조 방법, 및 이를 이용한 이산화탄소의 전기화학적 환원 방법 审中-实审
标题翻译： AMALGAM电极，其制备方法和使用其的二氧化碳电化学还原的方法
公开(公告)号：KR1020150057804A
公开(公告)日：2015-05-28
申请号：KR1020130141604
申请日：2013-11-20
申请人： 서강대학교산학협력단
发明人： 신운섭 , 박미정
IPC分类号： C25B11/18 , C25B11/03
CPC分类号： C25B11/18 , C25B3/04 , C25B11/02 , C25B11/035 , C25D3/30 , C25D3/46 , C25D3/54 , C25D3/60 , C25D3/64 , C25D5/10 , C25D7/00
摘要： 본원은, 아말감전극의제조방법, 이에의해제조되는아말감전극, 및상기아말감전극을이용하는이산화탄소의전기화학적환원방법에관한것이다.
摘要翻译：本发明涉及汞齐电极的制造方法，由此制造的汞齐电极，以及使用汞齐电极电化学还原二氧化碳的方法。本发明的汞齐电极的制造方法包括在基板电极的表面上从Hg，Ag，Sn，Cu，Zn，Pb，Sb及其组合中选出的电镀金属。根据本发明，可以包括仅用表面改性的电极，特别是可以制造当应用于多孔结构时具有较大表面积的汞齐电极。

35. 发明公开

KR1020140120882A 평탄한 막의 전착을 위한 방법 및 전해액 审中-实审
标题翻译：用于电沉积薄膜的方法和电解质
公开(公告)号：KR1020140120882A
公开(公告)日：2014-10-14
申请号：KR1020147017480
申请日：2012-12-18
申请人： 바텔리 메모리얼 인스티튜트
发明人： 장즈구앙 , 쉬위 , 그라프고든엘. , 첸쉬린 , 샤오위안 , 딩페이
IPC分类号： C25D5/10 , C25D3/02
CPC分类号： C25D3/56 , C09D5/4484 , C25D3/02 , C25D3/12 , C25D3/20 , C25D3/22 , C25D3/30 , C25D3/38 , C25D3/42 , C25D3/46 , C25D3/48 , C25D3/50 , C25D5/00 , C25D13/22
摘要： 표면평탄화 첨가제를 갖는 전해액을 수반한 전착은 기판 및/또는 막 표면상에 거칠기 및/또는 덴드라이트 형성을 일으키는 초기 돌출 팁(protuberant tips)의 자가증폭(self-amplification) 대신, 자가치유(self-healing)를 야기할 수 있다. 전해액 내 하나 이상의 반응물로부터 기판상에 제1 전도성 물질(C1)의 전착을 위하여, 상기 전해액은 제2 전도성 물질(C2)의 양이온을 포함하는 표면평탄화 첨가제를 특징으로 하고, 여기서 상기 C2의 양이온은 상기 전해액에서 상기 반응물보다 낮은 실효 전기화학적 환원 전위를 갖는다.

36. 发明授权

KR101409701B1 은 또는 은 합금층의 기재 위 침착용 시아나이드가 없는 전해질 조성물 및 방법 有权
标题翻译：无氰化物电解质组合物，以及沉积在基底上的银或银合金层的方法
公开(公告)号：KR101409701B1
公开(公告)日：2014-06-19
申请号：KR1020097009568
申请日：2007-10-09
申请人： 맥더미드 엔쏜 인코포레이티드
发明人： 샤퍼,스테판 , 리처드슨,토마스
IPC分类号： C25D3/46
CPC分类号： C25D3/46
摘要： 본 발명은 은 또는 은 합금층을 기재 위에 침착하기 위한 시아나이드가 없는 전해질 조성물뿐 아니라 이러한 층을 상기 시아나이드가 없는 전해질 조성물로 침착하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 전해질 조성물은 하나 이상의 은 이온 급원, 설폰산 및/또는 설폰산 유도체, 습윤제 및 하이단토인을 함유한다. 본 발명의 방법에 따라 이러한 전해질 조성물로 침착된 은 또는 은 합금층은 탁하고, 연성이다.
은침착, 전해질, 시아나이드, 하이단토인

37. 发明公开

KR1020130125433A 듀얼 백플레이트를 갖는 ＭＥＭＳ 마이크로폰 및 제조방법 有权
标题翻译：具有双背板的MEMS麦克风及其方法
公开(公告)号：KR1020130125433A
公开(公告)日：2013-11-19
申请号：KR1020120048922
申请日：2012-05-09
申请人： 한국기계연구원 , 이화여자대학교 산학협력단
发明人： 허신 , 정영도 , 이영화 , 곽준혁 , 지창현
IPC分类号： H04R19/04 , H01L29/84
CPC分类号： B81B3/0086 , B81B2201/0257 , B81C1/00698 , C25D1/08 , C25D3/04 , C25D3/12 , C25D3/38 , C25D3/44 , C25D3/46 , C25D3/54 , C25D3/56 , C25D5/02 , C25D5/34 , C25D7/12 , H04R19/005 , H04R19/04
摘要： Disclosed are a micro electro mechanical system (MEMS) microphone having dual backplates and a method for manufacturing the same. An MEMS microphone according to the embodiment of the present invention comprises a substrate having a first backplate in the central part thereof; a membrane plate, arranged on the top of a first supporting unit formed in both sides on the top of the substrate, vibrating according to external sound pressure; and a second backplate arranged on the top of a second supporting unit formed in both sides on the top of the membrane plate.
摘要翻译：公开了具有双背板的微机电系统（MEMS）麦克风及其制造方法。根据本发明的实施例的MEMS麦克风包括在其中心部分具有第一背板的基板; 膜片，布置在基板顶部的两侧形成的第一支撑单元的顶部上，根据外部声压振动; 以及第二背板，其布置在形成在所述膜板的顶部上的两侧的第二支撑单元的顶部上。

38. 发明公开

KR1020130112805A ｐＨ 감응형 도포를 위한 금속 도금법 审中-实审
标题翻译：金属镀层用于敏感应用
公开(公告)号：KR1020130112805A
公开(公告)日：2013-10-14
申请号：KR1020130036927
申请日：2013-04-04
申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨
发明人： 햄게리 , 쟈크데이비드엘. , 리스제이슨에이.
IPC分类号： C25D7/12 , C25D5/10 , C25D21/12
CPC分类号： H01L31/022425 , C25D3/12 , C25D3/38 , C25D3/46 , C25D5/006 , C25D5/028 , C25D5/10 , C25D5/12 , C25D7/126 , H05K3/246 , Y02E10/50
摘要： PURPOSE: A metal plating method for pH sensitive coating is provided to plate metal on a plasticized metal paste and to prevent a decrease in the adhesion of the metal to a semiconductor. CONSTITUTION: A metal plating method for pH sensitive coating includes a front side, a metalized back side, and a PN junction. The front side provides a semiconductor in which patterns of a conductive track including a plasticized metal paste are formed. A barrier layer is deposited on the conductive track. The semiconductor is in contact with a copper electroplating bath of pH 1.5-4 which includes a copper ion supply source, a chloride and bromide ion supply source, a nitrate ion supply source, and a sulfate and bisulfate ion supply source. The copper layer is plated adjacent to the barrier layer of the plasticized metal paste of the conductive track.
摘要翻译：目的：提供一种用于pH敏感涂层的金属电镀方法，用于在塑化的金属糊上镀金，并防止金属对半导体的附着力降低。构成：用于pH敏感涂层的金属电镀方法包括前侧，金属化背面和PN结。前侧提供了形成包括增塑金属糊的导电轨道的图案的半导体。阻挡层沉积在导电轨道上。半导体与pH为1.5-4的铜电镀浴接触，其包括铜离子供应源，氯化物和溴离子供应源，硝酸根离子供应源和硫酸根和硫酸氢根离子源。铜层与导电轨道的塑化金属浆料的阻挡层相邻地被电镀。

39. 发明授权

KR101286661B1 은 함유 합금 도금욕 및 이를 이용한 전해 도금 방법 有权
标题翻译：含银合金涂层浴和使用其的电解镀层的方法
公开(公告)号：KR101286661B1
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：KR1020117018166
申请日：2009-02-06
申请人： 데와키 유카리 , 가부시키가이샤 엠테크 재팬 , 데와키 신지
发明人： 데와키켄지 , 마츠우라테루 , 데와키신지
IPC分类号： C25D3/64 , C25D3/56
CPC分类号： C25D3/46 , C25D3/56 , C25D3/64 , Y10T428/12493
摘要： 본 발명은 전자 부재, 장식 부재 및 치과 부재에 매우 적합한, 내산화성이 뛰어난 은 함유 합금 도금 제품을 제공할 수 있는 은 함유 합금 도금욕 및 이를 이용한 전해 도금법을 제공한다. 상세하게는, 기체 표면에 은 함유 합금을 퇴적시키기 위한 도금욕으로서, (a) 도금욕 중의 전 금속 질량을 기준으로 99.9질량%~46질량%의 은을 포함하는 은 화합물, (b) 도금욕 중의 전 금속 질량을 기준으로 0.1질량%~54질량%의 가돌리늄을 포함하는 가돌리늄 화합물, (c) 적어도 1종의 착화제, 및 (d) 용매를 포함하는 도금욕 및 이를 이용한 전해 도금법에 의해 내산화성이 뛰어난 은 함유 합금 도금 제품을 제공할 수가 있다.
摘要翻译：本发明提供一种含银合金电解镀浴，其可以制造具有优异的耐电氧化性的含银合金电镀产品，适用于电子元器件，装饰部件和牙科用部件，以及使用其的电解电镀方法。具体地说，电镀槽是在基板的表面上沉积含银合金。可以通过使用含有（a）基于其总金属质量而含有99.9〜46质量％的银的银化合物的电镀（b）来制造具有优异的抗氧化性的含银合金电镀制品）基于其总金属质量含有0.1〜54质量％的钆的钆化合物，（c）至少一种络合剂和（d）溶剂，并且通过使用电解电镀方法应用电镀浴。

40. 发明公开

KR1020120030983A 니켈 상에 실버 스트라이크를 전기도금하는 방법 无效
标题翻译：镍电镀银线的方法
公开(公告)号：KR1020120030983A
公开(公告)日：2012-03-29
申请号：KR1020110095045
申请日：2011-09-21
申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨
发明人： 장-베그링거반 , 스죄크스에디트 , 클라우스마르기트
IPC分类号： C25D3/46
CPC分类号： C25D3/46 , C25D3/50 , C25D5/10 , C25D5/12
摘要： PURPOSE: A method for electroplating silver strike on nickel is provided to form nickel silicide without harmful effects to environments and human bodies by using a cyanide-free silver electroplating solution. CONSTITUTION: A method for electroplating silver strike on nickel comprises a step of preparing a cyanide-free solution that includes one or more kinds of silver ion sources, one or more kinds of imide or imide derivates, and one or more kinds of alkali metal nitrates, a step of making a contact between a nickel-contained material and the solution, a step of electroplating a silver strike layer of 0.01-0.2μm on nickel or nickel alloy, and a step of electroplating a second silver layer of 1-50μm on the silver strike layer.
摘要翻译：目的：通过使用无氰化银电镀溶液，提供电镀银镍触电的方法，以形成镍硅化物，对环境和人体无害。构成：用于电镀银镍的方法包括制备无氰溶液的步骤，其包括一种或多种银离子源，一种或多种酰亚胺衍生物和一种或多种碱金属硝酸盐，在镍和镍合金之间进行接触的步骤，在镍或镍合金上电镀0.01-0.2μm的银色层的步骤，以及将1-50μm的第二银层电镀到第一层上的步骤银色打击层。

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