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1. 发明授权

KR101738535B1 솔더범프용 주석계 전기도금액 有权
标题翻译：焊锡凸点的锡的电量
公开(公告)号：KR101738535B1
公开(公告)日：2017-05-23
申请号：KR1020150061110
申请日：2015-04-30
申请人： 주식회사 에이피씨티
发明人： 고정우 , 이형근 , 오정훈 , 손진호 , 박현국 , 이승원
IPC分类号： C25D3/30 , C25D3/32 , C25D7/00
摘要： 주석기준으로 40~105 g/L의농도가되게하는양의메탄술폰산주석; 선택적구성요소로서, 은기준으로 0.40~3.0 g/L의농도가되게하는양의메탄술폰산은과 130~350 g/L의착화제; 70~210 g/L의메탄술폰산; 0.1~500 g/L의산화방지제; 0.5~60 g/L의첨가제; 및물을포함하는솔더범프용주석계전기도금액이제공된다.
摘要翻译：一定量的甲烷磺酸锡，锡浓度为40〜105 g / L; 作为任选组分，甲基磺酸的含量为0.40-3.0g / L，配合剂为130-350g / L，以银为基础; 70至210g / L的甲磺酸; 0.1至500g / L的抗氧化剂; L添加剂0.5〜60 g / L; 以及包括焊料凸点的用于焊料凸点的锡中继电极。

2. 发明公开

KR1020160129940A 솔더범프용 주석계 전기도금액 有权
标题翻译：锡锡焊电镀液
公开(公告)号：KR1020160129940A
公开(公告)日：2016-11-10
申请号：KR1020150061110
申请日：2015-04-30
申请人： 주식회사 에이피씨티
发明人： 고정우 , 이형근 , 오정훈 , 손진호 , 박현국 , 이승원
IPC分类号： C25D3/30 , C25D3/32 , C25D7/00
摘要： 주석기준으로 40~105 g/L의농도가되게하는양의메탄술폰산주석; 선택적구성요소로서, 은기준으로 0.40~3.0 g/L의농도가되게하는양의메탄술폰산은과 130~350 g/L의착화제; 70~210 g/L의메탄술폰산; 0.1~500 g/L의산화방지제; 0.5~60 g/L의첨가제; 및물을포함하는솔더범프용주석계전기도금액이제공된다.

3. 发明公开

KR1020150080398A 플립칩용 솔더범프 제조 방법과 이를 위한 금속 전기도금액 无效
标题翻译：用于制造用于卷筒纸和金属电镀溶液的焊膏的方法
公开(公告)号：KR1020150080398A
公开(公告)日：2015-07-09
申请号：KR1020140066301
申请日：2014-05-30
申请人： 주식회사 에이피씨티 , 주식회사 엠에스씨
发明人： 고정우 , 오정훈 , 손진호 , 이형근 , 박규빈 , 박현국 , 방태조 , 김동현
IPC分类号： C25D3/56
CPC分类号： C25D3/56
摘要： 플립칩패키지의솔더범프제조를위한주석계전기도금액과이 전기도금액을이용한연속도금공정의솔더범프제조방법을개시한다. 본발명의주석계전기도금액은메탄술폰산주석, 메탄술폰산은, 메탄술폰산과방향족폴리옥시알킬렌계에테르및 물을함유한다. 본발명의솔더범프제조방법은 (1) 전극패드가개방된보호층과금속기저층(UBM)을갖는실리콘웨이퍼에황산계구리또는구리/니켈전기도금액으로도금하여상기금속기저층위에구리또는구리/니켈필라범프를형성하는단계와 (2) 이러한구리도금단계완료후 12 시간이내에상기주석계전기도금액을이용하여솔더범프를형성하는단계를포함한다.
摘要翻译：本说明书公开了一种用于制造用于倒装芯片封装的焊料凸块的锡基电镀溶液以及使用该电镀溶液的连续电镀工艺中制造焊料凸块的方法。根据本发明，锡基电镀溶液包括甲磺酸锡，甲磺酸银，甲磺酸锡，芳香族聚氧化烯醚和水。根据本发明，用于制造焊料凸块的方法包括：通过电镀具有金属基层（UBM）的硅树脂晶片和金属基层（UBM）的硅晶片和金属基层的顶部上形成铜或铜/镍柱凸块的步骤（1）具有带有硫酸基铜或铜/镍电镀溶液的开放电极焊盘的保护层; 以及在镀铜步骤完成后十二小时内使用锡基电镀溶液形成焊料凸块的步骤（2）。

4. 发明授权

KR101431613B1 전자파 차폐층 형성 방법 有权
标题翻译： EMI屏蔽层的制造方法
公开(公告)号：KR101431613B1
公开(公告)日：2014-08-22
申请号：KR1020130088311
申请日：2013-07-25
申请人： 주식회사 에이피씨티
发明人： 고정우 , 윤성영 , 오정훈 , 손진호 , 서경원 , 육영난 , 이형근 , 송기완 , 김경민 , 박현국 , 김홍기 , 정희돈 , 박경호 , 방태조
IPC分类号： H05K9/00
摘要： The present invention relates to a method of manufacturing an EMI shielding layer. A method of manufacturing an EMI shielding layer according to one embodiment of the present invention includes a step of providing an EMI shielding object; a step of providing roughness on the surface of the EMI shielding object; and a step of forming a conducive layer on the surface having roughness.
摘要翻译：本发明涉及EMI屏蔽层的制造方法。根据本发明的一个实施例的制造EMI屏蔽层的方法包括提供EMI屏蔽物体的步骤; 在EMI屏蔽物体的表面上提供粗糙度的步骤; 以及在具有粗糙度的表面上形成导电层的步骤。

5. 发明授权

KR101636361B1 과불소화알킬 계면활성제를 함유하는 솔더범프용 주석합금 전기도금액 有权
标题翻译：含有全氟化烷基表面活性剂的锡合金电镀溶液
公开(公告)号：KR101636361B1
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：KR1020140155735
申请日：2014-11-10
申请人： 주식회사 에이피씨티
发明人： 고정우 , 오정훈 , 박규빈 , 박현국 , 정흥수
IPC分类号： C25D3/56 , C25D3/60
CPC分类号： H01L24/11 , C25D3/32 , C25D3/38 , C25D3/46 , C25D3/60 , C25D5/02 , C25D5/10 , C25D5/12 , C25D7/123 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/94 , H01L2224/0345 , H01L2224/05647 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/94 , H01L2924/0132 , H01L2924/10253 , H01L2924/01047 , H01L2924/00014 , H01L2224/11 , H01L2224/03
摘要： 플립칩패키지의솔더범프제조를위한불소계계면활성제가포함된주석계전기도금액과이 전기도금액을이용한솔더범프제조방법을개시한다. 본발명의주석계전기도금액은메탄술폰산주석, 메탄술폰산은, 메탄술폰산, 불소계계면활성제, 그리고방향족폴리옥시알킬렌계에테르및 물을함유한다. 본발명의솔더범프제조방법은 (1) 전극패드가개방된보호층과금속기저층(UBM)을갖는실리콘웨이퍼에구리또는니켈전기도금액으로상기금속기저층위에구리또는구리/니켈필라범프를형성하는단계와 (2) 상기주석계전기도금액을이용하여솔더범프를형성하는단계를포함한다.

6. 发明授权

KR101596437B1 플립칩 패키지 구리 필라의 제조 방법과 이를 위한 동계 전기도금액 有权
标题翻译：用于制造用于翻转芯片的铜柱和用于其的铜基电镀溶液的方法
公开(公告)号：KR101596437B1
公开(公告)日：2016-03-08
申请号：KR1020140066485
申请日：2014-05-30
申请人： 주식회사 에이피씨티
发明人： 고정우 , 오정훈 , 손진호 , 박현국 , 방태조
IPC分类号： C25D3/38
摘要： 플립칩패키지의솔더범프제조에있어서금속기저층위에구리또는구리/니켈필라를형성하기위한동계및 니켈계전기도금액과이 전기도금액을이용한연속도금공정의솔더범프제조방법을개시한다. 본발명의동계전기도금액은황산구리, 황산, 염산, 방향족폴리옥시알킬렌계에테르, 알킬디메틸벤질암모늄염 화합물및 물을함유하고니켈계전기도금액은술팜산니켈, 염화니켈, 붕산과물을포함한다. 본발명의솔더범프제조방법은 (1) 전극패드가개방된보호층을갖는실리콘웨이퍼의금속기저층(UBM) 표면을본 발명의동계전기도금액만으로또는동계와니켈계전기도금액으로순차전기도금하여구리필라또는구리/니켈필라를형성하는필라도금단계와 (2) 이러한필라도금단계완료후 12 시간이내에주석계또는주석-은계전기도금액을이용하여솔더범프를형성하는단계를포함한다.

7. 发明公开

KR1020160001853A 전자부품의 전자파 차폐층 형성방법 无效
标题翻译：电子元件的EMI屏蔽方法
公开(公告)号：KR1020160001853A
公开(公告)日：2016-01-07
申请号：KR1020140079609
申请日：2014-06-27
申请人： 주식회사 에이피씨티
发明人： 고정우 , 윤성영 , 오정훈 , 손진호 , 이형근 , 박규빈 , 박현국 , 김홍기 , 방태조
IPC分类号： H05K9/00
摘要： 본발명의전자파차폐층형성방법은전자파차폐대상물을제공하는단계와, 상기전자파차폐대상물의표면에거칠기를부여하는단계와, 상기거칠기가부여된표면에도전층을형성하는단계를포함한다.
摘要翻译：本发明的形成电磁波屏蔽层的方法包括以下步骤：提供电磁波屏蔽物体; 将粗糙度分配给电磁波屏蔽物体的表面; 并在表面上形成导电层，该导电层被赋予粗糙度。

8. 发明公开

KR1020150124350A 플립칩 패키지 구리 필라의 제조 방법과 이를 위한 동계 전기도금액 有权
标题翻译：用于制造用于卷筒纸和铜箔电镀解决方案的铜支架的方法
公开(公告)号：KR1020150124350A
公开(公告)日：2015-11-05
申请号：KR1020140066485
申请日：2014-05-30
申请人： 주식회사 에이피씨티
发明人： 고정우 , 오정훈 , 손진호 , 박현국 , 방태조
IPC分类号： C25D3/38
CPC分类号： C25D3/38
摘要： 플립칩패키지의솔더범프제조에있어서금속기저층위에구리또는구리/니켈필라를형성하기위한동계및 니켈계전기도금액과이 전기도금액을이용한연속도금공정의솔더범프제조방법을개시한다. 본발명의동계전기도금액은황산구리, 황산, 염산, 방향족폴리옥시알킬렌계에테르, 알킬디메틸벤질암모늄염 화합물및 물을함유하고니켈계전기도금액은술팜산니켈, 염화니켈, 붕산과물을포함한다. 본발명의솔더범프제조방법은 (1) 전극패드가개방된보호층을갖는실리콘웨이퍼의금속기저층(UBM) 표면을본 발명의동계전기도금액만으로또는동계와니켈계전기도금액으로순차전기도금하여구리필라또는구리/니켈필라를형성하는필라도금단계와 (2) 이러한필라도금단계완료후 12 시간이내에주석계또는주석-은계전기도금액을이용하여솔더범프를형성하는단계를포함한다.
摘要翻译：在制造倒装芯片封装的焊料凸块时，公开了一种用于在下阻挡金属（UBM）上形成铜或铜/镍柱的铜基溶液和镍基电镀溶液的制造方法，使用电镀溶液的连续电镀工艺的焊料凸块。根据本发明的铜基电镀溶液包括：硫酸铜，硫酸，盐酸，芳族聚氧化烯系醚，烷基二甲基苄基铵盐化合物和水。根据本发明的镍基电镀溶液包括：氨基磺酸镍，氯化镍，硼酸和水。根据本发明的焊料凸块的制造方法包括：第一步骤，对柱进行电镀，以仅使用铜基电镀液或铜基电镀液和镍基电镀液进行连续电镀具有保护层的硅晶片的UBM的表面打开，并形成铜柱或铜/镍柱; 并且完成在电镀柱的第一步骤后12小时内通过使用锡基或锡 - 银基电镀溶液形成焊料凸块的第二步骤。

9. 发明公开

KR1020160033678A 플립칩용 솔더범프 제조 방법과 이를 위한 금속 전기도금액 审中-实审
标题翻译：用于制造用于卷筒纸和金属电镀溶液的焊膏的方法
公开(公告)号：KR1020160033678A
公开(公告)日：2016-03-28
申请号：KR1020160029019
申请日：2016-03-10
申请人： 주식회사 에이피씨티 , 주식회사 엠에스씨
发明人： 고정우 , 오정훈 , 손진호 , 이형근 , 박규빈 , 박현국 , 방태조 , 김동현
IPC分类号： C25D3/56 , C25D7/12 , C08G65/34 , C08G65/38 , H01L23/492 , H01L21/288 , H01L23/532
摘要： 플립칩패키지의솔더범프제조를위한주석계전기도금액과이 전기도금액을이용한연속도금공정의솔더범프제조방법을개시한다. 본발명의주석계전기도금액은메탄술폰산주석, 메탄술폰산은, 메탄술폰산과방향족폴리옥시알킬렌계에테르및 물을함유한다. 본발명의솔더범프제조방법은 (1) 전극패드가개방된보호층과금속기저층(UBM)을갖는실리콘웨이퍼에황산계구리또는구리/니켈전기도금액으로도금하여상기금속기저층위에구리또는구리/니켈필라범프를형성하는단계와 (2) 이러한구리도금단계완료후 12 시간이내에상기주석계전기도금액을이용하여솔더범프를형성하는단계를포함한다.
摘要翻译：本发明提供一种用于制造用于倒装芯片封装的焊料凸块的锡系统电镀溶液以及使用其的连续电镀工艺中制造焊料凸块的方法。锡系电镀液含有甲磺酸锡，甲磺酸银，甲磺酸，芳香族聚氧乙烯系醚，和水。制造焊料凸块的方法包括：（1）利用硫酸体系铜 - 电镀具有开放电极焊盘和金属基层（凸点冶金（UBM））的保护层的硅晶片的步骤或铜/镍电镀溶液，以在金属基层上形成铜或铜/镍柱状凸起; 以及（2）在完成镀铜步骤后的12小时内，使用锡系电镀液形成焊料凸点的工序。

10. 发明公开

KR1020160018310A 과불소화알킬 계면활성제를 함유하는 솔더범프용 주석합금 전기도금액 有权
标题翻译：含有全氟化烷基铝表面活性剂的锡合金电解液
公开(公告)号：KR1020160018310A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：KR1020140155735
申请日：2014-11-10
申请人： 주식회사 에이피씨티
发明人： 고정우 , 오정훈 , 박규빈 , 박현국 , 정흥수
IPC分类号： C25D3/56 , C25D3/60
CPC分类号： H01L24/11 , C25D3/32 , C25D3/38 , C25D3/46 , C25D3/60 , C25D5/02 , C25D5/10 , C25D5/12 , C25D7/123 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/94 , H01L2224/0345 , H01L2224/05647 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/94 , H01L2924/0132 , H01L2924/10253 , H01L2924/01047 , H01L2924/00014 , H01L2224/11 , H01L2224/03 , C25D3/56
摘要： 플립칩패키지의솔더범프제조를위한불소계계면활성제가포함된주석계전기도금액과이 전기도금액을이용한솔더범프제조방법을개시한다. 본발명의주석계전기도금액은메탄술폰산주석, 메탄술폰산은, 메탄술폰산, 불소계계면활성제, 그리고방향족폴리옥시알킬렌계에테르및 물을함유한다. 본발명의솔더범프제조방법은 (1) 전극패드가개방된보호층과금속기저층(UBM)을갖는실리콘웨이퍼에구리또는니켈전기도금액으로상기금속기저층위에구리또는구리/니켈필라범프를형성하는단계와 (2) 상기주석계전기도금액을이용하여솔더범프를형성하는단계를포함한다.
摘要翻译：公开了一种含有用于制造倒装芯片封装的焊料凸块的氟基表面活性剂的锡基电镀溶液和使用其的焊料凸块制造方法。根据本发明，锡基电镀液包含甲磺酸锡，甲磺酸银，甲磺酸，氟系表面活性剂，芳香族聚氧化烯系醚，水。焊料凸块的制造方法包括：（1）在具有开放电极焊盘的保护层的硅晶片的金属基底层（凸点下冶金）上形成铜或铜/镍柱状凸起的工序，金属基体使用铜或镍电镀溶液; 和（2）使用锡基电镀液形成焊料凸块的工序。

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