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31. 发明授权

KR100701121B1 파장 가변 레이저 다이오드의 측정 시스템 및 방법 失效
标题翻译：可调激光校准系统及方法
公开(公告)号：KR100701121B1
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：KR1020050042422
申请日：2005-05-20
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 고현성 , 오수환 , 박상기 , 이철욱 , 박문호 , 김기수
IPC分类号： H01S3/10
摘要： 파장 가변 레이저 다이오드의 파장과 광신호 채널을 일치시키기 위한 측정 시간을 감소시킬 수 있는 파장 가변 레이저 다이오드의 측정 시스템 및 이를 이용한 측정방법을 개시한다. 개시된 본 발명에 따른 파장 가변 레이저 다이오드의 측정 시스템은, 파장 가변 레이저 다이오드에 전류를 공급하는 전류 공급부와, 상기 파장 가변 레이저 다이오드의 광 출력을 측정하는 제 1 광출력 측정기 및 상기 파장 가변 레이저 다이오드의 광 출력 중 아이티유 그리드(ITU-GRID)에서 제공되는 광신호 채널과 오차 범위내에서 일치하는 광 출력만을 필터링하여 측정하는 에탈론을 구비한 제 2 광출력 측정기를 포함한다. 또한, 상기 제 1 광출력 측정기에서 측정된 광 출력과 상기 에탈론을 구비한 제 2 광출력 측정기에서 측정된 광 출력을 비교하여 상기 전류 공급부의 전류 공급량을 제어하는 제어부를 포함한다.
파장 가변 레이저 다이오드, 에탈론

32. 发明授权

KR100670831B1 레이저 다이오드 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：激光二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR100670831B1
公开(公告)日：2007-01-19
申请号：KR1020050121983
申请日：2005-12-12
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 박문호 , 김성복 , 백용순 , 오광룡
IPC分类号： H01S5/10 , H01S5/30
CPC分类号： H01S5/2205 , H01L21/761 , H01L29/0646 , H01S5/3205
摘要： A laser diode and a method of manufacturing the same are provided to increase an optical output by forming three current implantation electrodes on the same active layer. A light waveguide having a BRS(Buried Ridge Stripe) structure includes an active layer of a resonant stripe pattern on a predetermined region of an InP substrate(10). An insulating layer pattern(50) is formed on the light waveguide in order to define a plurality of regions which are divided according to a longitudinal direction of the active layer. A plurality of electrodes is formed in each of the plurality of regions on the active layer. The electrodes are insulated from each other. A current shielding region is formed between the electrodes in order to insulate the electrodes from each other.
摘要翻译：提供激光二极管及其制造方法以通过在同一有源层上形成三个电流注入电极来增加光输出。具有BRS（埋藏脊条）结构的光波导包括在InP衬底（10）的预定区域上的共振条纹图案的有源层。在光波导上形成绝缘层图案（50），以便限定根据有源层的纵向划分的多个区域。在活性层上的多个区域的每一个上形成多个电极。电极彼此绝缘。在电极之间形成电流屏蔽区域，以使电极彼此绝缘。

33. 发明授权

KR100598438B1 코히어런트 튜닝 장치 및 이를 이용하는 반도체 레이저 失效
标题翻译：在光通信设备和使用其的半导体激光器上进行相干调谐的装置
公开(公告)号：KR100598438B1
公开(公告)日：2006-07-11
申请号：KR1020030097057
申请日：2003-12-26
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 박상기 , 박문호 , 김기수 , 오수환 , 이지면 , 이철욱
IPC分类号： H01S5/125
CPC分类号： H01S5/06256 , H01S5/0425
摘要： 본 발명은 공간적으로 코히어런트한 광이 통과하는 광 도파로와, 광도파로의 일정 부위에 전기장 또는 전류를 인가함으로써 상기 광도파로를 통하여 전송되는 광의 진행방향을 변화시키는 전극 어레이와, 변화된 광의 특정 파장을 선택하는 파장선택 광요소부를 포함하는 코히어런트 튜닝 장치를 제공한다. 이와 같은 구성을 통하여, 광통신 디바이스들에 대해 넓은 파장 밴드에 걸쳐 연속적으로 파장가변이 가능하게 되는 효과가 있다.
코히어런트 튜닝, 파장가변형 광통신 디바이스, 파장가변형 레이저,

34. 发明公开

KR1020030050986A 반도체 광 변조기 失效
标题翻译：半导体光学调制器
公开(公告)号：KR1020030050986A
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：KR1020010081776
申请日：2001-12-20
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 박경현 , 오수환 , 이철욱 , 박문호
IPC分类号： G02B26/06
摘要： PURPOSE: A semiconductor optical modulator is provided to optionally compensate the loss of optical absorption to be generated when the divided light beams are phase modulated by adjusting the ratio of the optical division during the optical division. CONSTITUTION: A semiconductor optical modulator includes an input optical division region(105), an optical converging output region(101) and an optical phase modulation region(103) formed between the input optical division region(105) and the optical converging output region(101). The semiconductor optical modulator includes a substrate, a bottom electrode formed on the bottom surface of the semiconductor, an active layer, a cladding layer and a top layer. An optical wave guide(250) is formed in the form of ridge on the top of the cladding layer so as to guide the optical light beam.
摘要翻译：目的：提供一种半导体光调制器，以可选地补偿当通过调整在光分路期间的光分配比来分割光束被相位调制时所产生的光吸收损失。构成：半导体光调制器包括输入光分割区域（105），聚光输出区域（101）和形成在输入光分区域（105）和光会聚输出区域（103）之间的光相位调制区域（103） 101）。半导体光调制器包括基板，形成在半导体的底表面上的底电极，有源层，包覆层和顶层。光波导（250）以覆盖层顶部的脊状形成，以引导光束。

35. 发明授权

KR100358133B1 스트레인 분산 패드를 이용한 측면-테이퍼 도파로 제조방법과 이를 응용한 모드변환기 제조방법 및 그에 따른광소자 失效
标题翻译：使用应变分散垫制造侧面锥形波导的方法，使用其制造模式转换器的方法及其光学装置
公开(公告)号：KR100358133B1
公开(公告)日：2002-10-25
申请号：KR1020000086719
申请日：2000-12-30
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 박경현 , 김종회 , 백용순 , 박문호 , 김성복 , 오광룡
IPC分类号： G02B6/02
摘要： 접촉식 노광장비를 사용하되, 측면-테이퍼 패턴 형성시 야기되는 스트레인을 흡수할 수 있는 패드를 테이퍼 끝단에 연결시킨 마스크를 사용하여 리소그라피 공정을 수행하므로써 그 끝단을 0.6um 정도로 형성한 다음, 습식식각에 의해 0.1um의 매우 균일한 측면-테이퍼 도파로(또는 활성층)을 갖는 모드변환기를 제조하는 방법이 개시되어 있다. 이에 따라, 고분해능 전자선 리소그래피법 및 스테퍼를 사용하지 않도도 되어 제작 비용을 절감할 수 있고, 접촉식 노광 장비를 사용하더라도 종래와 같이 과도한 깊은 습식식각을 수행하지 않아도 되어 측면-테이퍼 패턴 제작의 재현성을 높일 수 있다. 또한 이러한 방법에 의해 제작된 측면-테이퍼 구도의 모드변환기를 광소자와 함께 집적시켜 제작하므로써, 모드변환기의 위치 조절 및 재현성을 높여 수율 증대를 가져올 수 있다.

36. 发明授权

KR100346778B1 박막증착에 의한 다중접합 단전자 트랜지스터의 제조방법 失效
标题翻译：金属蒸发多结单电子晶体管的制作方法
公开(公告)号：KR100346778B1
公开(公告)日：2002-08-01
申请号：KR1019990032698
申请日：1999-08-10
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 박문호 , 박경완 , 이성재
IPC分类号： H01L29/786 , B82Y40/00
摘要： 본발명은단전자트랜지스터의제조방법에관한것으로, SIMOX(Separation by IMplanted OXygen) 기판에활성영역패턴을형성하는제 1공정과, 게이트콘텍을형성하고소오스, 드레인채널영역을위한이온주입을하는제 2공정과, 상기활성영역패턴을서로꼭지점이마주보는두개의채널패턴으로분리형성하고, 상기매립된실리콘산화막층의상면에사이드게이트를형성하는제 3공정과; 소오스, 드레인콘텍을형성하고, 상기두개의채널패턴의꼭지점과상기사이드게이트의사이에알루미늄양자점을형성하는제 4공정을수행하는단전자트랜지스터제조방법을제공한다. 상기제 4공정은전자리소그라피로금속증착영역을가능한작게(100nm x 100nm) 패턴한후 수나노미터두께의알루미늄을증착한다. 수나노미터두께의알루미늄박막은스스로수 나노미터크기의금속클러스터를형성하므로이러한클러스터를소오스와드레인사이의양자점으로이용하여다중양자점을통한다중접합채널과사이드게이트(side gate)로전자흐름의제어로단전자트랜지스터를제작할 수있다.

37. 发明授权

KR100250460B1 실리콘 양자세선 제조 방법 失效
标题翻译：制造硅量子线的方法
公开(公告)号：KR100250460B1
公开(公告)日：2000-04-01
申请号：KR1019970047170
申请日：1997-09-12
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 박문호 , 오상철 , 이성재 , 박경완 , 신민철
IPC分类号： H01L21/318
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a silicon quantum wire is provided to observe a quantum phenomenon in a high temperature by forming a quantum wire surrounded with a silicon oxide layer and a silicon nitride layer. CONSTITUTION: A silicon nitride layer(4) is formed on an upper portion of a SIMOX(Separation by IMplanted Oxygen) substrate laminated with a silicon substrate(1), the first silicon oxide layer(2), and a silicon layer(3). A selected region of the silicon nitride layer(4) is removed. A part of the silicon layer(3) is removed by using the remaining silicon nitride layer(4) as a shielding layer. The second silicon oxide layer(6) is grown on a side face of the silicon layer(3).
摘要翻译：目的：提供一种制造硅量子线的方法，通过形成由氧化硅层和氮化硅层包围的量子线来观察高温下的量子现象。构成：在层叠有硅衬底（1），第一氧化硅层（2）和硅层（3）的SIMOX（通过掺入氧分离）衬底的上部形成氮化硅层（4）。去除氮化硅层（4）的选定区域。通过使用剩余的氮化硅层（4）作为屏蔽层来去除硅层（3）的一部分。在硅层（3）的侧面上生长第二氧化硅层（6）。

38. 发明授权

KR100223024B1 고효율 마이크로파 및 밀리미터파 검출기와 그 제조방법 失效
标题翻译：具有高效率的微波和微波检波器及其制造方法
公开(公告)号：KR100223024B1
公开(公告)日：1999-10-01
申请号：KR1019970041696
申请日：1997-08-27
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 박경완 , 박문호 , 오상철 , 이성재 , 신민철
IPC分类号： G01H17/00
摘要： 본 발명은 고효율 마이크로파 및 밀리미터파의 검출기와 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 전자의 측면 양자 구속에 의한 에너지 양자화 효과를 이용한 고효율 마이크로파 및 밀리미터파의 검출기와 그 제조방법에 관한 것이다.
반도체에서 전자의 운동 방향이 어느 한 방향으로 상기 전자의 드브로이파장 정도의 길이에 구속되면 그 방향에 해당되는 전자의 에너지는 양자화 된다. 따라서 상기 양자화된 에너지 준위는 구속 길이와 직접적인 관계가 있으므로 상기 구속길이를 변화시켜 양자화된 에너지 준위의 간격을 조절한다. 조절된 에너지 준위를 마이크로파 및 밀리미터파에 해당되는 에너지와 일치시키므로써 마이크로파 및 밀리미터파의 흡수를 유도하고 이에 따르는 광전효과로 마이크로파 및 밀리미터파를 검출한다.
본 발명은 마이크로파 및 밀리미터파의 에너지 양을 검출하거나, 초고주파 대역의 무선이동통신 시그널의 고효율 수신 및 필터링에 이용된다.

39. 发明公开

KR1019990042174A 금속 그물 망 게이트 구조의 발광 다이오드 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：具有金属网栅极结构的发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR1019990042174A
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019970062897
申请日：1997-11-25
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 이성재 , 박문호 , 신민철 , 박경완 , 오상철
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 본 발명은 발광 다이오드에 관한 것으로, 특히 금속 망 게이트 구조를 갖는 발광 다이오드와 그 제조 방법에 관한 것이다.
반도체의 PN 접합 부분을 발광 영역으로 이용하는 본 발명에 따른 발광 다이오드는, 발광 영역의 상부에 금속의 그물 망 게이트를 형성하고 이 게이트에 음전압을 인가함으로써, 게이트 밑 부분의 발광을 제한하여 PN 접합의 발광 영역의 크기를 극한적으로 구속한다. 이러한 발광 영역의 극한적 구속에 따른 양자 구속 효과에 의하여, 반도체의 밴드갭이 증가하게 되어 PN 접합에서 발광하는 빛의 에너지가 변화하게 된다. 즉, 한 개의 발광 다이오드로 게이트의 전압에 의하여 발광하는 빛의 파장을 변화하는 발광 다이오드에 관한 것이다.

40. 发明公开

KR1019990030559A 전자묘화의2차전자근접효과와실리콘산화를이용한실리콘단전자트랜지스터제작방법 失效
公开(公告)号：KR1019990030559A
公开(公告)日：1999-05-06
申请号：KR1019970050803
申请日：1997-10-01
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 박경완 , 신민철 , 오상철 , 박문호 , 이성재
IPC分类号： H01L29/737
摘要： 본 발명은 전자빔의 2차 전자의 근접효과를 이용한 묘화 및 실리콘 산화를 이용한 단전자 트랜지스터 제작방법에 관한 것으로서, 실리콘 기판위에 전자빔 레지스트를 입히는 제 1 공정과, 전자빔 묘화에 의해 게이트, 소스, 양자점 및 드레인 영역을 노광하되, 소스와 양자점 및 양자점과 드레인 사이에 소정폭의 공백을 두고 전자빔 묘화를 행하여 전자빔의 2차 전자의 근접효과에 의해 소스와 양자점 및 양자점과 드레인 사이에 각각 소스와 드레인의 선폭보다 좁은폭의 가는 세선이 노광되게하는 제 2 공정과, 묘화된 부분에 실리콘 산화막을 입히고 이 산화막을 마스크로 사용하여 실리콘을 에칭하는 제 3 공정과, 실리콘 열적 산화를 수행하여 상기 가는 허리모양의 가는 세선을 절연하여 소스와 양자점 및 양자점과 드레인간에 전기적으로 절연된 터널 링 접합이 이루어지게하는 제 4 공정을 포함하여, 단전자 트랜지스터의 구조에서 가장 중요한 터널 접합을 전자빔의 2차 전자의 근접효과를 이용한 묘화와 실리콘 산화 공정을 이용하여 제작할 수 있다는 장점이 있다.

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