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1. 发明公开

KR1020140112071A 캐스케이드 스테이지로 이루어진 액티브 코어를 구비한 중적외선 다중파장 연결 분포-궤환형 레이저 审中-实审
标题翻译： MID-IR多波长分布式反馈激光器与主动核心级数
公开(公告)号：KR1020140112071A
公开(公告)日：2014-09-22
申请号：KR1020147022367
申请日：2013-01-11
申请人： 코닝 인코포레이티드
发明人： 카노,캐서린제네비브 , 시에,펭 , 자,충-엔
IPC分类号： H01S5/0625 , H01S5/34 , H01S5/12 , G01N21/39
CPC分类号： H01S5/3425 , B82Y20/00 , G01N21/39 , G01N21/47 , G01N21/59 , G01N2201/0612 , H01S5/0287 , H01S5/06256 , H01S5/1096 , H01S5/1215 , H01S5/3402
摘要： 직렬로 배치된 다수의 레이저 섹션들을 갖춘 연결 분포 궤환형 레이저가 개시된다. 상기 연결 분포 궤환형 레이저는 중적외선 영역에서의 광학 이득을 생성하기 위해 양자 캐스케이드 코어 디자인을 이용하고, 동시에 또는 순차적으로 몇몇 파장을 생성한다. 또한, 그와 같은 장치를 이용하는 방법에 따른 제조 방법이 개시된다.

2. 发明公开

KR1020120023670A 반도체 레이저용 내균열성 금속화 패턴 无效
标题翻译：用于半导体激光器的耐断裂金属化模式
公开(公告)号：KR1020120023670A
公开(公告)日：2012-03-13
申请号：KR1020117027375
申请日：2010-04-19
申请人： 코닝 인코포레이티드
发明人： 차파라라,사티시,씨 , 후,마틴,에이치 , 휴즈,로렌스,씨.,주니어 , 자,청-엔
IPC分类号： H01S5/042 , H01S5/00 , H01S5/0625
CPC分类号： H01S5/0425 , H01S5/0092 , H01S5/06256
摘要： 금속화 패턴은 반도체 레이저의 칩 균열의 가능성을 감소시키기 위해 제공된다. 여기에 개시된 하나의 실시예에 따르면, 금속화 패턴의 패드 에지는 레이저 기판의 다수의 결정 평면을 가로질러 확장한다. 이러한 방식에 있어서, 소정 주어진 응력 집중으로 시작된 크랙이 상당한 크기에 이르도록 기판의 많은 결정 평면을 가로질러 전파될 필요가 있다. 본 발명 개시의 추가의 실시예는 인접한 접촉 패드 쌍의 각각의 형태 및 방위에 관한 것이다. 또 다른 실시예는 개시 및 청구되어 있다.

3. 发明公开

KR1020100102693A 광 시그널의 편광 변조 시스템 및 그 방법 无效
标题翻译：光信号极化调制系统与方法
公开(公告)号：KR1020100102693A
公开(公告)日：2010-09-24
申请号：KR1020107017196
申请日：2008-12-22
申请人： 코닝 인코포레이티드
发明人： 골리어,잭쿼스 , 쿡센코브,드미트리브이. , 피쿨라,드라간
IPC分类号： G03B21/20 , G03B21/14
CPC分类号： G02B27/283 , H01S5/005 , H01S5/0427 , H01S5/06256
摘要： 본 발명은 레이저 공급원을 작동시키는 방법에 관한 것이다. 상기 레이저 공급원은 광 시그널을 생성하도록 형성된 레이저와, 상기 광 시그널과 연결된 편광 분할 및 딜레이 유닛을 포함한다. 상기 편광 분할 및 딜레이 유닛은 광 시그널을, 서로 직교하는 제 1 및 제 2 편광 성분으로 분할하도록 형성되어, 상기 서로 직교한 편광 성분 사이의 광 경로차를 형성하고 상기 서로 직교한 편광 성분을 결합된 시그널로 결합한다. 본 발명의 방법은 파장 변조 시그널을 레이저에 가하여 조작된 광 시그널이 적어도 제 1 파장과 제 2 파장을 포함하고, 파장 차이만큼 이격되도록 광 시그널을 변조하는 단계를 더 포함한다. 서로 직교한 편광 성분이 동상 상태로부터 이상 상태로 전후방으로 발진하도록, 파장 차이와 광 경로 차이가 발생한다.

4. 发明公开

KR1020080021721A 외부 캐비티 튜너블 레이저용의 집적형 모니터링 및 피드백설계 有权
标题翻译：集成式监控和反馈设计外部空心可动激光
公开(公告)号：KR1020080021721A
公开(公告)日：2008-03-07
申请号：KR1020077030932
申请日：2006-06-29
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 허친슨,존,엠. , 다이버,앤드류,제이. , 맥도날드,마크,이. , 니코노브,드미트리,이.
IPC分类号： G02B6/12 , H01S3/08 , H01S5/0683
CPC分类号： H01S5/141 , H01S5/0064 , H01S5/02284 , H01S5/026 , H01S5/0264 , H01S5/0265 , H01S5/0601 , H01S5/0612 , H01S5/06255 , H01S5/06256 , H01S5/0683 , H01S5/142
摘要： An integrated structure includes front and rear facets (201, 203) optically-coupled by a waveguide (220) passing through the integrated structure. The integrated structure includes a gain section (202) and a reflector (208) optically coupled to the gain section by the waveguide, the reflector to emit an optical output. A modulator (214) is optically coupled to the reflector by the waveguide, the modulator to modulate the optical output. And a control section (216) disposed along the waveguide. ® KIPO & WIPO 2008
摘要翻译：集成结构包括通过通过整合结构的波导（220）光耦合的前和后小面（201,203）。集成结构包括增益部分（202）和由波导光耦合到增益部分的反射器（208），反射器发射光输出。调制器（214）通过波导光学耦合到反射器，调制器调制光输出。以及沿着波导设置的控制部分（216）。 ®KIPO＆WIPO 2008

5. 发明公开

KR20070074750A VERTICAL EXTERNAL CAVITY SURFACE EMITTING LASER 审中-公开
标题翻译：垂直外壁表面发射激光
公开(公告)号：KR20070074750A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：KR20060002691
申请日：2006-01-10
申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
发明人： LIM SEONG JIN , CHO SOO HAENG
IPC分类号： H01S5/18 , H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18361 , H01S5/041 , H01S5/06256
摘要： A vertical external cavity surface emitting laser is provided to obtain a pumping power for excitation emission of laser chip through a low output laser diode by combing the polarized light from at least two optical sources to progress at the same path through a polarized optical element. A vertical external cavity surface emitting laser includes a laser chip(23), an external cavity mirror, and a pumping unit(10) having a plurality of optical sources(11,13) and a polarized optical element(15). The laser chip(23) illuminates laser light having a predetermined wavelength. The external cavity mirror is arranged on an outer part of the laser chip(23), and forms a resonator with the laser chip(23). The pumping unit(10) is arranged on a plane or a rear plane on which the laser light of the laser chip illuminates. The pumping unit(10) provides pumping light to the laser chip(23). The plurality of optical sources(11,13) illuminate predetermined polarized light. The polarized optical element(15) is arranged between the optical source(11,13) and the plurality of laser chips(23). The polarized optical element(15) enables the light illuminated from the plurality of optical sources(11,13) to progress along an optical path by penetrating or reflecting the incident light according to the polarized direction.
摘要翻译：提供垂直的外腔表面发射激光器，以通过将来自至少两个光源的偏振光组合到通过偏振光学元件的相同路径上来通过低输出激光二极管来激发激光发射激光发射的功率。垂直外腔表面发射激光器包括激光芯片（23），外腔镜和具有多个光源（11,13）和偏振光学元件（15）的泵送单元（10）。激光芯片（23）照射具有预定波长的激光。外腔镜配置在激光芯片（23）的外侧，与激光芯片（23）形成谐振器。泵送单元（10）布置在激光芯片的激光照亮的平面或背面上。泵送单元（10）向激光芯片（23）提供泵浦光。多个光源（11,13）照射预定的偏振光。偏振光学元件（15）设置在光源（11,13）和多个激光芯片（23）之间。偏振光学元件（15）使得能够通过根据偏振方向穿透或反射入射光来使从多个光源（11,13）照射的光沿光路前进。

6. 发明公开

KR1020070041635A 광반도체 소자 및 광반도체 집적회로 有权
标题翻译：光学半导体器件和光学半导体集成电路
公开(公告)号：KR1020070041635A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：KR1020077006316
申请日：2004-03-30
申请人： 니폰덴신뎅와 가부시키가이샤
发明人： 누노야노부히로 , 시바타야스오 , 후지와라나오키 , 키쿠치노부히로 , 토모리유이치
IPC分类号： G02B6/12 , H01S5/12 , H01S3/08
CPC分类号： G02B6/12007 , G02B6/122 , G02B6/131 , G02B6/136 , G02B6/4202 , H01S5/026 , H01S5/06206 , H01S5/06256 , H01S5/0654 , H01S5/068 , H01S5/101 , H01S5/1017 , H01S5/1025 , H01S5/1085 , H01S5/1215 , H01S5/1221 , H01S5/124 , H01S5/125 , H01S5/2205 , H01S5/227 , H01S2301/173
摘要： 반도체 기판 상에서, 굴절률 및 그 온도 의존성이 다른 재료를 조합함으로써, 광반도체 소자 및 광반도체 집적회로를 제공한다. 특히, 반도체 레이저의 이득 영역과 굴절률의 온도 의존성이 다른 재료 및/또는 구조를 가지는 전파 영역에 의해, 발진 파장의 온도 의존성을 제어하는 것이 가능하게 된다. 또, 광도파로에서, 광도파 방향을 따라 복수의 계면을 형성하고, 제1 계면에서 반사한 광이 다른 계면에서 반사한 광에 의해 약하게 되도록 구성할 수가 있다. 또한, 계면이 광의 전파 방향에 대해 기울도록 배치함으로써, 굴절률이 다른 광도파로 사이에서의 반사 및 굴절에 의한 도파로 손실을 저감할 수도 있다.
광반도체, 레이저, 클래드층, 코어층, 매립층, 활성층, 광도파로, 굴절, 반사

7. 发明公开

KR1020060123006A 광학적 펌핑 구조의 ＶＥＣＳＥＬ无效
标题翻译：光学垂直外腔表面发射激光
公开(公告)号：KR1020060123006A
公开(公告)日：2006-12-01
申请号：KR1020050045301
申请日：2005-05-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 유재령
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18366 , H01S5/06256 , H01S5/18377
摘要： An optically-pumped vertical external cavity surface emitting laser is provided to enhance an optical output by increasing a volume of a periodic gain region that is a multi-quantum well activation region. A DBR mirror(120) is formed on a substrate(110). A second multi-quantum well activation region(130) is formed on the DBR mirror. A first multi-quantum well activation region(140) is formed on the second multi-quantum well activation region. A capping layer(152) is formed on the first multi-quantum well activation region. A first optical pump(160) is used for irradiating a pump beam having a first wavelength range on a surface of the capping layer. A second optical pump(162) is used for irradiating a pump beam having a second wavelength range on the surface of the capping layer. An external cavity mirror(170) is installed at the outside opposite to the DBR mirror.
摘要翻译：提供了一种光学泵浦的垂直外腔表面发射激光器，以通过增加作为多量子阱激活区域的周期性增益区域的体积来增强光输出。 DBR反射镜（120）形成在基板（110）上。第二多量子阱激活区域（130）形成在DBR反射镜上。在第二多量子阱激活区域上形成第一多量子阱激活区域（140）。在第一多量子阱激活区上形成覆盖层（152）。第一光泵（160）用于在封盖层的表面上照射具有第一波长范围的泵浦光束。第二光泵（162）用于在封盖层的表面上照射具有第二波长范围的泵浦光束。在与DBR反射镜相对的外侧设置有外腔镜（170）。

8. 发明公开

KR1020060025419A 볼록면 위스퍼링 갤러리 모드를 이용한 발광 소자, 발광소자 어레이 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：照明发光装置及其使用透镜式图像模式的制造方法
公开(公告)号：KR1020060025419A
公开(公告)日：2006-03-21
申请号：KR1020040074218
申请日：2004-09-16
申请人： 학교법인 포항공과대학교
发明人： 권오대 , 김무진 , 안성재 , 이승은 , 김동권
IPC分类号： H01S5/187 , H01S5/30
CPC分类号： H01S5/187 , H01L29/868 , H01S5/06256 , H01S5/18366
摘要： 볼록면(convex) 위스퍼링 갤러리 모드를 이용한 발광 소자, 발광 소자 어레이 및 그 제조 방법이 개시된다. 상기 볼록면 위스퍼링 갤러리 모드를 이용한 발광 소자는 활성영역을 포함한 다수의 층들이 수직으로 적층되는 PIN형 반도체를 이용한 발광 소자에 있어서. 높은 밴드갭 에너지를 가지는 제1 층 및 낮은 밴드갭 에너지를 가지는 제2 층이 교대로 적층됨으로써 다수의 양자 우물들을 가지는 활성영역; 상기 활성영역의 상하에 각각 위치하는 P 분산형 브래그 반사판(P-DBR: P-distributed Bragg Reflection) 및 N 분산형 브래그 반사판(N-DBR: N-distributed Bragg Reflection); 및 상기 PIN형 반도체에 수직으로 형성되는 소정의 직경을 가지는 홀(hole)을 포함하는 발광 소자로, 상기 홀 주변의 활성영역을 따라 다수의 파장을 가지는 빛이 발진하며, 상기 제1 층 및 상기 제2 층은 Al
x Ga
1-
x As층을 포함하고, 상기 활성영역에 만들어지는 상기 홀의 직경은 보통 수 um 이상의 크기를 가지는 것을 특징으로 한다. 이로써, 폴리이미드 공정, 메탈 공정 등의 후속공정 없이도 고집적 발광 소자 어레이를 제조할 수 있는 효과가 있다.

9. 发明公开

KR1020050107338A 직접광변조형 파장변환기 失效
标题翻译：直接光调制波长转换器
公开(公告)号：KR1020050107338A
公开(公告)日：2005-11-11
申请号：KR1020050099603
申请日：2005-10-21
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 안준태 , 이종무 , 김경헌
IPC分类号： H01S5/06
CPC分类号： H01S5/06821 , G02B6/29361 , H01S5/0605 , H01S5/06256
摘要： 직접광변조형 파장변환기를 개시한다. 본 발명에 따른 파장변환기는 연속발진 신호가 필요없는 이득고정형 반도체 광증폭기 또는 반도체 레이저 자체이면서, 이들과 광섬유간의 결합손실을 줄이고 레이저의 발진 문턱값을 높게 한 것이다. 본 발명에 따르면, 파장변환이 일어나는 입력신호광의 세기를 조절할 수 있어 상대적으로 약한 세기의 입력신호광에 대해서도 파장변환이 가능하다.

10. 发明公开

KR1020030073406A 분배 브락 반사경을 갖는 반도체 레이저의 제조 방법 失效
标题翻译：具有分布式BRAGG反射器的半导体激光器
公开(公告)号：KR1020030073406A
公开(公告)日：2003-09-19
申请号：KR1020020012957
申请日：2002-03-11
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김종렬
IPC分类号： H01S5/30
CPC分类号： H01S5/06256 , H01S5/1206 , H01S5/1209 , H01S5/1225 , H01S5/1231
摘要： PURPOSE: A semiconductor laser with a DBR(Distributed Bragg Reflector) is provided to increase the tunable range by implementing a chirping effect through a shape modification of a sample grating. CONSTITUTION: A first clad layer(120) is made of an n-type InP and has a refractive index lower than that of each of first and second guiding layers(140,160). A lower electrode(110) is layered on a lower surface of the first clad layer(120). A second clad layer(180) is made of a p-type InP and has a refractive index lower than that of the respective first and second guiding layers(140,160). An active layer(130) has a quantum well structure and is formed across an active region(230). The first guiding layer(140) is formed on a side of the active layer(130) across a first grating region(220). The first guiding layer(160) is formed on another side of the active layer(130) across a second grating region(240). A first upper electrode(190) is formed on the second clad layer(180) across the first grating region(220). A second upper electrode(200) is formed on the second clad layer(180) across the active region(230). A third upper electrode(210) is formed on the second clad layer(180) across the second grating region(240). Each of the electrodes(190,200,210) is apart to each other.
摘要翻译：目的：提供具有DBR（分布式布拉格反射器）的半导体激光器，以通过采样光栅的形状修改实现啁啾效应来增加可调范围。构成：第一包层（120）由n型InP制成，折射率低于第一和第二引导层（140,160）的折射率。下电极（110）层叠在第一包层（120）的下表面上。第二包层（180）由p型InP制成，折射率低于相应的第一和第二引导层（140,160）的折射率。活性层（130）具有量子阱结构，并跨越有源区（230）形成。第一引导层（140）跨越有源层（130）跨越第一光栅区域（220）形成。第一引导层（160）通过第二光栅区域（240）形成在有源层（130）的另一侧上。第一上电极（190）跨越第一光栅区域（220）形成在第二覆层（180）上。第二上电极（200）跨越有源区（230）形成在第二覆层（180）上。在第二覆盖层（180）上穿过第二光栅区域（240）形成第三上电极（210）。每个电极（190,200,210）彼此分开。

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