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21. 发明授权

KR101029657B1 용기 내면으로의 코팅막 형성 장치 및 내면 코팅막 용기의제조 방법 有权
标题翻译：用于形成容器内表面上的涂膜的装置和用于生产具有涂覆的内表面的容器的方法
公开(公告)号：KR101029657B1
公开(公告)日：2011-04-15
申请号：KR1020087000710
申请日：2005-07-12
申请人： 미쯔비시 쥬우꼬오 쇼구힌호오소오기까이 가부시키가이샤
发明人： 야마꼬시히데오 , 아사하라유우지 , 우에다아쯔시 , 이시세후미히꼬 , 나까찌마사아끼
IPC分类号： C23C16/507
CPC分类号： C23C16/507 , C23C16/045
摘要： 회전식 진공 밀봉 기구(1)에 배기관(11)을 통해 연통되고, 패트 보틀(B)의 내면에 코팅막을 성막하기 위한 복수의 성막 챔버(21)를 구비하고, 상기 배기관은 도전 재료로 이루어지고, 그 내부의 소망 위치에 통기성과 도전성을 갖는 전계 차폐 부재인 벌집형 도체(39)가 배치되고, 또한 상기 성막 챔버는 용기가 삽입되었을 때에 그 용기를 둘러싸는 크기의 공동을 갖는 외부 전극(27)과, 이 용기의 입구부가 위치하는 측의 상기 외부 전극의 단부면에 절연 부재(31)를 통해 장착되고 배기관이 접속되는 동시에 접지되는 도전성의 챔버 헤더 부재(32)와, 외부 전극(27) 내의 용기 내에 챔버 헤더 부재측으로부터 삽입되고 코팅막 생성 가스를 분출하기 위한 가스 분출 부재(34)와, 외부 전극과 접지된 챔버 헤더 부재 및 배기관과의 사이에 전계를 부여하기 위한 전계 부여 수단인 고주파 전원(35)을 구비한다.
회전식 진공 밀봉 기구, 성막 챔버, 도체, 외부 전극, 절연 부재

22. 发明授权

KR100661781B1 플라즈마 처리 장치, 플라즈마 처리 방법, 플라즈마막형성 장치 및 플라즈마 막형성 방법 失效
标题翻译：等离子体处理系统，等离子体处理方法，等离子体膜沉积系统和等离子体膜沉积方法
公开(公告)号：KR100661781B1
公开(公告)日：2006-12-28
申请号：KR1020047020686
申请日：2003-06-17
申请人： 미츠비시 쥬고교 가부시키가이샤
发明人： 마츠다류이치 , 시마즈다다시 , 이노우에마사히코
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/507
CPC分类号： H01J37/321 , C23C16/507
摘要： 안테나 (11a) 주위의 천장면의 바깥쪽에 위치하여 배치되는 제 2 안테나 (11b) 와, 급전 수단에 의해 안테나 (11a) 에 공급되는 전류의 방향에 역방향으로 흐르는 전류를 제 2 안테나 (11b) 에 공급하고, 제 2 안테나 (11b) 부위에서, 안테나 (11a) 부위에 나타나는 자력선 (F1) 의 방향에 역방향으로 향하는 자력선 (F2) 을 발생시키는 플라즈마 막형성 장치 (플라즈마 처리 장치) 를 개시한다. 따라서, 통형상 용기 (2) 내에 넓은 범위에 걸쳐서 균일한 플라즈마를 발생시키더라도 벽면 방향의 자속 밀도를 작게 한다.
플라즈마 처리 장치

23. 发明授权

KR102466189B1 수소 라디칼을 이용한 기판 처리장치 有权
公开(公告)号：KR102466189B1
公开(公告)日：2022-11-10
申请号：KR1020200106810
申请日：2020-08-25
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/507 , C23C16/44 , C23C16/34 , H01J37/32
摘要： 본발명은수소라디칼을이용한기판처리장치및 수소라디칼을이용한기판처리방법이고, 기판이내부에로딩되며내부로금속원자를함유하는유기또는무기화합물소스가공급되며가스를배출하는가스배기부가구비된증착용챔버부, 상기증착용챔버부내로제1반응가스를공급하는제1가스공급부, 상기증착용챔버부내로제2반응가스를공급하는제2가스공급부, 상기증착용챔버부내로리모트플라즈마로여기된수소라디칼을공급하는수소라디칼공급부를포함하여 LD(Atomic Layer Deposition) 방법을이용한박막증착과정에서리모트플라즈마방식으로수소라디칼을여기한후 챔버내로공급하여하지막손상(Damage)을방지하고, 우수한단차피복율로종횡비(Aspect Ratio)가높은패턴에서도균일한수소라디컬처리가가능하여우수한특성의막질을얻을수 있다.

24. 发明授权

KR102434943B1 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램 有权
公开(公告)号：KR102434943B1
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：KR1020227014234
申请日：2018-03-12
IPC分类号： C23C16/507 , C23C16/52 , C23C16/54 , H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/31
摘要： 처리가스가플라스마여기되는플라스마생성공간과, 플라스마생성공간에연통하는기판처리공간을포함하는적어도하나의처리용기와, 플라스마생성공간을둘러싸도록배치됨과함께상기적어도하나의처리용기의외주에권회하도록마련된코일, 및해당코일에고주파전력을공급하는고주파전원을포함하는플라스마생성부와, 상기플라스마생성공간에처리가스를공급하는가스공급부와, 상기적어도하나의처리용기의외측에마련되어, 상기적어도하나의처리용기의온도를검출하도록구성되어있는적어도하나의온도센서와, 기판을처리하기위한처리레시피의실행전에, 상기적어도하나의온도센서에의해검출되는상기적어도하나의처리용기의온도가미리설정되는상한값및 하한값에의해규정되는목표온도의범위내에수렴되도록제어하는제어부를포함하는구성이제공된다.

25. 发明授权

KR102287835B1 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 有权
公开(公告)号：KR102287835B1
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：KR1020187027237
申请日：2017-03-28
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/3065 , H05H1/46 , C23C16/44 , C23C16/507 , H01J37/32
摘要： 플라스마생성공간과기판처리공간을갖는기판처리실과, 기판이적재되도록구성되는기판적재대와, 플라스마생성공간의외주에권회하도록설치되는코일을구비하고, 코일의전기적길이가코일에공급되는고주파전력의파장의정수배이며, 코일의직경이기판의직경보다커지도록구성되는유도결합구조와, 기판적재대를승강시키도록구성되는기판적재대승강부와, 플라스마생성공간에처리가스를공급하는가스공급부와, 기판을처리할때, 기판적재대에적재된기판이코일의하단보다하방의높이에위치하도록, 기판적재대승강부를제어하도록구성되는제어부를갖는기판처리장치를제공한다. 이에의해, 기판을처리할때, 기판의면 상에생성되는플라스마의밀도의치우침을저감하여, 기판처리의면내균일성을향상시킨다.

26. 发明授权

KR101441865B1 할로겐-함유 플라즈마에 노출된 표면들의 침식 속도를 감소시키는 장치 및 방법 有权
公开(公告)号：KR101441865B1
公开(公告)日：2014-09-22
申请号：KR1020130101297
申请日：2013-08-26
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 제니퍼,선,와이. , 렌-구안,듀안 , 지에,유안 , 리,쑤 , 케니스,콜린스,에스.
IPC分类号： C04B35/505 , C23C16/507
CPC分类号： C23C16/4404 , H01J37/32467 , H01J37/32495
摘要： 반도체 프로세스에서 이용되는 할로겐-함유 플라즈마에 의한 침식에 저항성이 있는 세라믹 제품이 제공된다. 세라믹 제품은 통상적으로는 2개 상 내지 3개 상을 포함하는 다상인 세라믹을 포함한다. 제 1 실시예에서, 세라믹은 약 50 mole% 내지 약 75 mole%의 몰농도 범위의 이트륨 산화물; 및 약 10 mole% 내지 약 30 mole%의 몰농도 범위의 지르코늄 산화물; 알루미늄 산화물, 하프늄 산화물, 스칸듐 산화물, 네오디뮴 산화물, 니오븀 산화물, 사마륨 산화물, 이테르븀 산화물, 에르븀 산화물, 세륨 산화물, 및 이들의 조합물로 이루어진 그룹에서 선택되며 상기 적어도 하나의 다른 성분의 농도 범위는 약 10mole% 내지 약 30mole%의 몰농도 범위를 가지는 적어도 하나의 다른 성분으로 형성된다. 제 2 실시예에서, 세라믹 제품은 약 90 mole% 내지 약 70 mole%의 몰농도 범위의 이트륨 산화물, 및 약 10 mole% 내지 약 30 mole%의 몰농도 범위의 지르코늄 산화물으로 형성된 세라믹을 포함하며, 세라믹의 평균 그레인 크기 범위는 약 2㎛ 내지 약 8㎛이다. 제 3 실시예에서, 상기 세라믹 제품은 약 96 mole% 내지 약 94 mole%의 몰농도 범위의 지르코늄 산화물, 및 약 4 mole% 내지 약 6 mole%의 몰농도 범위의 이트륨 산화물로 형성된 세라믹을 포함한다.

27. 发明公开

KR1020130065642A 플라즈마 처리 시스템에서의 유도 코일 배열을 위한 방법 및 장치 审中-实审
标题翻译：一种等离子体处理系统中感应线圈布置的方法和装置
公开(公告)号：KR1020130065642A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：KR1020127027433
申请日：2011-04-19
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 벤자민닐마틴폴
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065 , C23C16/507
CPC分类号： H01J37/321 , H05K1/165 , H05H1/46 , C23C16/507 , H01L21/3065
摘要： 기판 처리 동안에 기판에 걸쳐 플라즈마 균일성을 제공하는, 플라즈마 처리 시스템에서의 안테나 장치가 제공된다. 본 장치는 복수의 원형 안테나 어셈블리들을 포함한다. 복수의 원형 안테나 어셈블리들의 각각의 원형 안테나 어셈블리는 비원형 코일들의 세트를 포함한다. 비원형 코일들의 세트의 각각의 비원형 코일은 방위 방향으로 미리 정해진 각도에서 오프셋되어 있다. 본 장치는 또한, 복수의 원형 안테나 어셈블리에 급전하기 위한 전력 생성기들의 세트를 포함한다.

28. 发明授权

KR101257005B1 플라즈마 처리 장치 有权
标题翻译：等离子体加工设备
公开(公告)号：KR101257005B1
公开(公告)日：2013-04-26
申请号：KR1020120074957
申请日：2012-07-10
申请人： 니신 일렉트릭 컴패니 리미티드
发明人： 안도,야수노리
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065 , C23C16/507
CPC分类号： H01J37/3211 , C23C16/402 , C23C16/507
摘要： PURPOSE: A plasma processing apparatus is provided to suppress plasma potential and to increase uniformity of plasma density distribution in the longitudinal direction of an antenna. CONSTITUTION: An antenna(30) puts two rectangular conductive plates close by opening a gap(34) to be arranged on the same plane. The antenna has a reciprocal conductive structure connecting one end in a longitudinal X direction of the two conductive plates with a conductor(33). The two conductive plates make high frequency current flow in the opposite directions. An opening(37) is formed in a side of the two conductive plates and is distributed in the longitudinal X direction of a plurality of antennae.
摘要翻译：目的：提供等离子体处理装置，以抑制等离子体电位并提高天线纵向等离子体密度分布的均匀性。构成：天线（30）通过打开间隙（34）将两个矩形导电板放在靠近的同一平面上。天线具有将两个导电板的纵向X方向上的一端与导体（33）相连接的导电结构。两个导电板使相反方向的高频电流流动。开口（37）形成在两个导电板的一侧，并且分布在多个天线的纵向X方向上。

29. 发明授权

KR101245844B1 플라즈마 처리 장치 有权
标题翻译：等离子体处理装置
公开(公告)号：KR101245844B1
公开(公告)日：2013-03-22
申请号：KR1020120043054
申请日：2012-04-25
申请人： 니신 일렉트릭 컴패니 리미티드
发明人： 쯔노다,타카노리 , 마츠바라,요시오 , 안도,야수노리 , 쯔지,마사유키
IPC分类号： H05H1/46 , C23C16/507 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/321 , H01J37/3211
摘要： 유도 결합형의 장치이며, 안테나의 실효 유도계수를 작게 하여 플라즈마 전위를 낮게 억제할 수 있으며 해당 안테나에 의해 그 길이 방향으로 플라즈마 밀도 분포를 제어할 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공한다.
이 플라즈마 처리 장치는 평면 형상이 곧바른 안테나(30)를 기판(2)의 표면에 세운 수선(3)에 따르는 방향인 상하 방향 Z에 서로 접근하게 배치되며 고주파 전류(IR)가 서로 역방향으로 흐르게 되는 왕복 도체 (31), (32)에 의해 구성한다. 한편, 왕복 도체 (31), (32)간의 상하 방향(Z)의 간격 D를 안테나(30)의 길이 방향 X로 변화시킨다.

30. 发明公开

KR1020120132642A 유도 결합 플라즈마 발생 장치 无效
标题翻译：电感耦合等离子体生成装置
公开(公告)号：KR1020120132642A
公开(公告)日：2012-12-06
申请号：KR1020127028346
申请日：2011-06-13
申请人： 미츠비시 쥬고교 가부시키가이샤
发明人： 마츠다류이치 , 니시카와세이지
IPC分类号： H05H1/46 , C23C16/507
CPC分类号： H05H1/00 , H01J37/321 , H01J37/32183 , H05H1/46 , H05H2001/4667
摘要： 넓은 정합 범위와 손실 저감의 양립이 가능한 유도 결합 플라즈마 발생 장치를 제공한다. 그를 위해서, 고주파 전원 (11) 으로부터의 고주파를, 임피던스를 정합시키는 정합기 (12) 를 개재하여 안테나 (14) 에 공급하고, 안테나 (14) 로부터의 전자파에 의해 진공 용기 내에 플라즈마를 생성하는 유도 결합 플라즈마 발생 장치에 있어서, 정합기 (12) 로서 L 형 정합 회로를 사용함과 함께, 당해 L 형 정합 회로 중의 콘덴서 (C1, C2) 보다 안테나 (14) 에 가까운 위치에 안테나 (14) 와 병렬로 콘덴서 (C3) 를 설치한다.

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