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21. 发明授权

KR100676234B1 에칭처리방법 失效
标题翻译：处理蚀刻的方法
公开(公告)号：KR100676234B1
公开(公告)日：2007-01-30
申请号：KR1020020012871
申请日：2002-03-11
申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 , 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
发明人： 가지데츠노리 , 기무라시즈아키 , 우스이다테히토 , 후지이다카시
IPC分类号： G01N21/73
CPC分类号： H01J37/32972 , G01L21/30 , G01N21/73 , H01J37/32935
摘要： 본 발명의 발광분광처리장치는, 처리장치로부터의 입력광을 분광하는 분광기 (3)와, 상기 분광한 입력광의 광량을 각 파장별로 검출하는 일련의 수광소자를 구비한 수광부(4)와, 일련의 수광소자 중의 인접하는 일부의 수광소자의 검출신호를 각각 제 1 주기에서 순차 유지하는 제 1 신호유지부(10)와, 상기 유지한 인접하는 일부 수광소자의 검출신호를 포함하는 상기 수광부의 인접하는 수광소자의 검출신호를 가산하는 가산부(11)와, 상기 가산부의 가산출력을 순차 유지하는 제 2 신호유지부 (12)를 구비하고, 상기 제 2 신호유지부의 출력을 기초로 상기 처리장치의 상태를 판정하는 신호처리부(9)를 구비한다.

22. 发明公开

KR1020010082664A 플라즈마처리장치에 있어서의 공정 모니터방법 및모니터장치 및 그것을 사용한 시료의 처리방법 失效
标题翻译：用于等离子体处理装置中的监测过程的方法和装置以及使用其处理基板的方法
公开(公告)号：KR1020010082664A
公开(公告)日：2001-08-30
申请号：KR1020010007526
申请日：2001-02-15
申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼
发明人： 우스이다테히토 , 오노데츠오 , 니시오료지 , 다카하시가즈에 , 미세노부유키
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： H01L22/34 , C23C16/50 , C23C16/52 , G01N21/73 , H01J37/32935 , H01L21/67253 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： PURPOSE: An apparatus for monitoring processes is provided to measure potential difference or plasma current. CONSTITUTION: The intensity of the light emitted from the light-emitting diode on wafer(105) is measured and then the potential difference between the terminals of the light-emitting element, and the plasma current flowing thereinto are derived from measured light intensity. Since the use of a camera enables non-contact measurement of emitted light intensity, the lead-in terminals for lead wires that are always required in conventional probing methods become unnecessary. In addition, since the target wafer does not require lead wire connection, wafers can be changed in the same way as performed for etching.
摘要翻译：目的：提供一种用于监测过程的装置，用于测量电位差或等离子体电流。结论：测量从晶片（105）上的发光二极管发射的光的强度，然后从测量的光强度导出发光元件的端子与其中流动的等离子体电流之间的电位差。由于使用相机能够非接触地测量发射的光强度，所以在常规探测方法中始终需要的导线的引入端子变得不必要。此外，由于目标晶片不需要引线连接，因此可以以与蚀刻相同的方式来改变晶片。

23. 发明授权

KR100271762B1 반도체 제조설비 시료 용융용 케미컬 및 이를 이용한 불순물 분석방법 失效
标题翻译：用于解决制造半导体器件的设备样品的化学品AMD分析其重要性的方法
公开(公告)号：KR100271762B1
公开(公告)日：2000-12-01
申请号：KR1019970066288
申请日：1997-12-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 허용우
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G01N21/3103 , G01N21/73 , G01N21/94 , Y10T436/25125 , Y10T436/25625
摘要： PURPOSE: A chemical for melting a sample in a semiconductor manufacturing system and a method for analyzing impurity using the same are provided to perform a quantitative analysis and a qualitative analysis in a semiconductor manufacturing system. CONSTITUTION: A chemical for melting a sample formed with sulfuric acid, hydrogen fluoride, and nitric acid is mixed with a sample of a specific material. The mixture is melted under a high temperature. A cooling process for the melted sample of the high temperature is performed. Fumes are removed from the cool sample. A dilution process for the cool sample and deionized water is performed. An analysis process for the diluted sample is performed.
摘要翻译：目的：提供半导体制造系统中的用于熔融样品的化学品和使用其的杂质分析方法，以在半导体制造系统中进行定量分析和定性分析。构成：将用硫酸，氟化氢和硝酸形成的样品熔化的化学品与特定材料的样品混合。混合物在高温下熔化。对熔融的高温样品进行冷却处理。从凉爽的样品中除去烟雾。进行冷样品和去离子水的稀释过程。进行稀释样品的分析过程。

24. 发明公开

KR20180065004A 챔버 매칭 및 모니터링을 위한 방법 및 시스템 审中-公开
公开(公告)号：KR20180065004A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：KR20170166912
申请日：2017-12-06
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/3299 , G01J3/443 , G01N21/73 , H01J37/32183 , H01J37/32935 , H01J37/32972 , H01J37/32981 , H01J2237/24507 , H01J2237/24585 , H01J2237/334 , H01L21/67069 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , H01L22/26
摘要： 플라즈마에칭을위한방법및 시스템이제공된다. 상기방법은제 1 세트의플라즈마에칭처리파라미터를측정하는단계; 에칭속도를결정하는단계; 결정된에칭속도가미리결정된에칭속도차이문턱값이상으로표준에칭속도와상이한경우에플라즈마에칭처리챔버하드웨어구성을변경하는단계; 그후에, 결정된에칭속도가미리결정된에칭속도차이문턱값미만으로표준에칭속도와상이할때까지상기결정하는단계와변경하는단계를반복하는단계를포함한다. 상기방법은에칭된피처의임계치수를측정하는단계, 및측정된임계치수가미리결정된임께치수차이문턱값이상으로표준임계치수와상이한경우에에칭처리파라미터를변경하는단계, 그후에측정된임계치수가미리결정된임계치수차이문턱값미만으로표준임계치수와상이할때까지상기결정하는단계및 상기변경하는단계를반복하는단계를더 포함한다.

25. 发明公开

KR20180003448A 표면파 플라즈마 소스에서의 동작 불안정성 검출을 위한 방법 审中-公开
标题翻译：在表面波等离子体源中操作不稳定性检测的方法
公开(公告)号：KR20180003448A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：KR20170081197
申请日：2017-06-27
IPC分类号： H01J37/32 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32935 , G01N21/73 , G01N21/88 , H01J37/32128 , H01J37/32715 , H01J37/3299 , H01J2237/3341 , H01L21/3065 , H01L22/26
摘要： 표면파플라즈마소스에서의동작불안정성검출을위한방법및 시스템이제공된다. 일실시예에서, 플라즈마프로세싱을위한시스템은플라즈마필드를생성하도록구성된표면파플라즈마소스를포함할수 있다. 시스템은또한표면파플라즈마소스에근접한영역에서수집된광 에너지의정보특성을생성하도록구성된광 센서를포함할수 있다. 부가적으로, 시스템은광 센서에의해생성된정보에응답하여, 표면파플라즈마소스에근접한불안정영역을검출하도록구성된센서로직유닛을포함할수 있다.
摘要翻译：提供了用于表面波等离子体源中的操作不稳定性检测的方法和系统。在一个实施例中，用于等离子体处理的系统可以包括被配置为产生等离子体场的表面波等离子体源。该系统还可以包括光学传感器，该光学传感器被配置为生成在靠近表面波等离子体源的区域中收集的光能的信息。另外，该系统可以包括传感器逻辑单元，该传感器逻辑单元被配置成响应于由光学传感器生成的信息来检测邻近表面波等离子体源的不稳定区域。

26. 发明公开

KR1020170093975A 온라인 이송된 분석 시료의 분석 시스템 审中-实审
标题翻译：分析样品在线转移分析系统
公开(公告)号：KR1020170093975A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：KR1020177019475
申请日：2016-08-16
申请人： 가부시키가이샤 이아스
发明人： 가와바타가츠히코 , 이치노세다츠야 , 이케우치미츠마사
IPC分类号： G01N21/84 , H01J49/10 , G01N1/00 , G01N1/10
CPC分类号： G01N21/68 , G01N21/714 , G01N21/73 , G01N21/85 , G01N27/62 , G01N2001/002 , G01N2001/1006 , G01N2021/8411 , H01J49/105 , G01N21/84
摘要： 본발명은분석시료를온라인이송가능하게하면서, 신속하게분석결과를얻을수 있는분석시스템에관한것이다. 또한, 둘이상의현장으로부터공급되는분석시료에대해서분석시료의이송경로에펌프나밸브등의데드볼륨부분을갖는것을사용하지않는구성으로하면서, 1대의분석장치로분석가능한분석시스템을제공한다. 본발명은둘 이상의시료별이송수단을구비함과동시에, 시료별이송수단의각 시료이송경로가유도결합플라스마또는마이크로파플라스마를이용한분석장치로이루어지는공통분석수단의플라스마토치와접속되어있고, 각시료이송경로에는메인유로와메이크업가스공급로와드레인유로를가지며, 플라스마토치는대략중앙에무화된분석시료를도입하는시료도입관을갖고, 드레인유로의안지름은플라스마토치의시료도입관입구부분의안지름과동등이상인분석시스템에관한것이다.
摘要翻译：本发明中，使样品传输线的分析，以一个迅速的分析系统得到的分析。此外，虽然被分析用于从现场提供的样本，提供可分析的分析系统与单一分析仪的分析不使用具有泵或阀，以样品的进给路径的死体积的两个部分的结构。本发明是在同一时间与两个或更多的样品连接成具有特定的供给装置中，共同分析的等离子炬装置，其包括光谱仪，通过传输使用电感耦合等离子体或微波等离子体装置的样本的每个样本输送路径，将每个样品输送路径有一个补充气体供给路径和所述漏极流路和主流路，一个等离子炬具有基本上用于将原子化的样品在中心要被分析的样品导入管，所述排水通道的内径是样品入口管的内径，等离子体焰炬的入口部分等等。

27. 发明公开

KR1020170063584A 적층 필름 및 플렉시블 전자 디바이스 审中-实审
标题翻译：层压薄膜和柔性电子设备
公开(公告)号：KR1020170063584A
公开(公告)日：2017-06-08
申请号：KR1020177007561
申请日：2015-09-28
申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 리관 , 야마시타야스히로 , 노도노미츠노리
IPC分类号： B32B27/16 , B32B27/30 , B32B27/20 , C23C16/30 , C23C16/50
CPC分类号： G01J3/42 , B32B9/00 , B32B15/08 , B32B27/08 , B32B27/281 , B32B38/0008 , B32B2307/412 , B32B2307/7242 , G01N21/31 , G01N21/35 , G01N21/73 , G01N25/72 , G02F1/1339 , G06F1/1652 , H04M1/0268 , B32B27/16 , B32B27/20 , B32B27/308 , B32B2255/10 , B32B2457/20 , C23C16/30 , C23C16/50
摘要： 본발명은고온에서의사용환경하에있어서도높은밀착성을갖는, 가스배리어성의적층필름을제공하는것을과제로한다. 가요성기재와, 상기기재의적어도한면에접하여마련된유기층과, 상기유기층상에접하여마련된박막층을가지고, 상기유기층이아크릴레이트수지를함유하며, 상기박막층이 Si, O 및 C를함유하고, 상기박막층의규소분포곡선, 산소분포곡선및 탄소분포곡선에있어서, 하기의조건 (i)∼(iii)을전부만족시키는적층필름. (i) Si의원자수비, O의원자수비및 C의원자수비가, 상기박막층의막 두께방향에있어서의 90% 이상의영역에있어서, 하기식 (1)을만족시킴, O의원자수비>Si의원자수비>C의원자수비 (1) (ii) 상기탄소분포곡선이적어도하나의극값을갖음, 및 (iii) 상기탄소분포곡선에있어서의탄소의원자수비의최대값및 최소값의차의절대값이 0.05 이상임.
摘要翻译：本发明的目的在于提供即使在高温的使用环境下也具有高粘合性的气体阻隔性层叠膜。柔性基板和设置成与所述基板的有机层的至少一个表面，并且已在与有机层，其中有机层含有丙烯酸酯树脂，其特征在于，所述薄膜含有Si，O和C，其中，所述薄膜层相接地设置薄膜层（I）至（III）中的硅分布曲线，氧分布曲线和碳分布曲线。在薄膜层的厚度方向（I）的Si代表字符防御，O-代表字符的防御和C代表刺绣比，在90％以上的区域，满足下述式（1），O代表字符防守>的Si代表。这里防御> c ^代表字符防御（1）（ii）所述的碳分布曲线至少gateum一个极端值，和（iii）的最大值和碳的原子比在碳分布曲线中的最小值之间的差的绝对值超过0.05。

28. 发明授权

KR101108883B1 아이시피-에이이에스에 의한 산화가돌리늄 함량 측정법 有权
标题翻译：钆三氧化物含量测定方法
公开(公告)号：KR101108883B1
公开(公告)日：2012-01-30
申请号：KR1020090121072
申请日：2009-12-08
申请人： 한전원자력연료 주식회사
发明人： 박찬준 , 강필상 , 박철주 , 고범식 , 이준노 , 김형중
IPC分类号： G01N21/71 , G01N1/28
CPC分类号： G01N21/73 , G01N33/222
摘要： 본 발명은 ICP-AES에 의한 Gd
2 O
3 함량 측정법에 관한 것으로, Gd 소결체를 분쇄기에 넣고 분쇄하는 분쇄단계; 분쇄된 시료를 가온한 후 산성용액으로 용해하는 용해단계; 용해된 Gd
2 O
3 를 증류수로 희석하는 희석단계; 희석된 Gd
2 O
3 용액에서
U 원소와 Gd 원소의 질량(ppm)을 ICP-AES로 측정하는 측정단계; 희석된 Gd
2 O
3 로부터 Gd의 몰분율을 산출한 후, 산출된 Gd의 몰분율을 이용하여 Gd
2 O
3 의 함량을 산출하는 산출단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 함량측정법을 적용하게 되면 ICP-AES를 사용하여 UO
2 -Gd
2 O
3 소결체 중의 Gd
2 O
3 함량을 정밀하게 측정할 수 있다. 또한, 매우 적은 양(약 0.1g)의 시료를 사용하므로 시료 준비 시간을 단축할 수 있고, 시료전처리(pipetting, weighing)에 의한 오차를 줄일 수 있으며, 분석 감도가 우수한 이점이 있다.
ICP-AES, 감속재, 산화가돌리늄

29. 发明公开

KR1020060106786A 이트리아 안정화 나노 지르코니아 분말 소재의 정량 분석키트 및 이를 이용한 파괴 및 비파괴 조성 분석법 无效
标题翻译：用于YITTRIA稳定的纳米ZIRCONIA颗粒材料和破坏性和非破坏性分析方法的定量分析试剂盒
公开(公告)号：KR1020060106786A
公开(公告)日：2006-10-12
申请号：KR1020060081784
申请日：2006-08-28
申请人： 한국기초과학지원연구원 , (주) 나노랩
发明人： 윤혜온 , 안중재 , 신미영 , 박찬수 , 윤철호
IPC分类号： G01N23/223 , G01N21/73 , B82Y35/00
CPC分类号： G01N23/223 , B82Y25/00 , B82Y35/00 , G01N1/38 , G01N21/73 , G01N2223/076
摘要： 본 발명은 a) Y, Zr, Hf, Ce, Er, Si, Ti, Cr, Ni, Fe, Mg, Ca, Al, Na 및 K으로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상의 원소를 포함하는 나노 지르코니아 소재의 미지 시료를 마이크로웨이브 전처리 장치(Microwave Sample Digestion System)를 이용하여 분해하는 단계; 및 b) 상기 분해된 미지 시료 용액을 희석한 후 부피를 조절하여 측정 용액을 제조하는 단계를 포함하는 나노 지르코니아 분말 소재의 비파괴 분석용 측정 용액의 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따른 이트리아 안정화 나노 지르코니아 (nano-zirconia) 분말 소재의 비파괴 및 파괴용 정량 분석법은 종래에 사용되던 습식분석법의 단점을 해결할 수 있을 뿐만 아니라 재현성 및 정확도를 유의적으로 높임으로써, 신속하고 정확하게 분석할 수 있다.
나노지르코니아 소재, 원소, 습식전처리, 유도 결합 플라즈마 방출분광 분석법(ICP-AES), X선 형광분석법(XRF)

30. 发明公开

KR1020050055048A 종료점 감지를 위한 장치 및 방법 失效
标题翻译：检测端点的方法和装置
公开(公告)号：KR1020050055048A
公开(公告)日：2005-06-10
申请号：KR1020057007683
申请日：2003-10-31
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 위에홍위
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/66
CPC分类号： G01N21/73 , H01J37/32935 , H01L21/67069 , H01L21/67253
摘要： The present invention presents a method for detecting an endpoint of an etch process for etching a substrate in plasma processing system (1) comprising: etching the substrate; measuring at least one endpoint signal; generating at least one filtered endpoint signal by filtering the at least one endpoint signal, wherein the filtering comprises applying a Savitsky Golay filter (12) to the at least one endpoint signal; and determining (14) an endpoint of the etch process from the at least one filtered endpoint signal.
摘要翻译：本发明提出了一种用于检测在等离子体处理系统（1）中蚀刻衬底的蚀刻工艺的端点的方法，包括：蚀刻衬底; 测量至少一个端点信号; 通过对所述至少一个端点信号进行滤波来产生至少一个经滤波的端点信号，其中所述滤波包括将Savitsky Golay滤波器（12）应用于所述至少一个端点信号; 以及从所述至少一个滤波的端点信号确定（14）所述蚀刻处理的端点。

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