专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

11. 发明公开

KR1020000068447A 발광 장치 失效
标题翻译：生产不同波长的激光
公开(公告)号：KR1020000068447A
公开(公告)日：2000-11-25
申请号：KR1019997001818
申请日：1997-09-02
申请人： 텔레폰악티에볼라겟엘엠에릭슨(펍)
发明人： 사흐렌올로프 , 웨버진-피어레
IPC分类号： H01S3/00
CPC分类号： H01S5/4031 , G02B2006/12121 , G02B2006/12142 , H01S5/0265 , H01S5/0612 , H01S5/0625 , H01S5/06258 , H01S5/12 , H01S5/4087
摘要： 조정가능한레이저장치에서복수의기본적으로동일한레이저(3,3')는공통기판(1)상에서라인또는로우방향으로서로인접배열된다. 레이저(3,3')는 DFB-형태일수 있고그들은각 레이저파장을형성하는격자(5)의다른피치로부터얻어진다른방출파장을갖는다. 레이저는레이저의상부상에위치된접촉부(11)에전기적전류를공급함으로써서로독립적으로광을방출하기위해활성화될수 있다. 레이저가활성화될때, 나머지레이저가바이어스되어, 활성레이저의한측에위치된레이저가방출된광에투과하고, 그것은레이저로부터전자광학적인변조기(17)를통해이동할수 있고, 다른측에위치된레이저는광을흡수한다. 온도를제어함으로써, 방출된광의파장은미세조절할수 있다. 그런레이저장치는간단한구조이고, 사용된구동전류의변동에매우민감하지않고간단한방법으로다른동작상태로조절될수 있고노화(aging) 결과를보상할수 있다.

12. 发明授权

KR100223353B1 반도체레이저소자 및 광디스크장치 失效
标题翻译：半导体激光器件和光盘驱动器
公开(公告)号：KR100223353B1
公开(公告)日：1999-10-15
申请号：KR1019960036660
申请日：1996-08-30
申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼
发明人： 기무라가츠히코 , 사에구사쇼조 , 무라니시마사루
IPC分类号： H01S5/30
CPC分类号： H01S5/0683 , G11B7/0956 , G11B7/127 , H01L2224/48091 , H01S5/0207 , H01S5/02212 , H01S5/0425 , H01S5/06236 , H01S5/0624 , H01S5/06243 , H01S5/06246 , H01S5/0625 , H01S5/06821 , H01S5/18305 , H01L2924/00014
摘要： An optical disk drive has an aberration detector (36, 40, 42) and an aberration correction circuit (47). A semiconductor laser device made of semiconductor crystals constituting a semiconductor laser light source (30) includes an active layer (3) for performing light amplification through current injection and guiding light in waveguide, a reflection member for reflecting light into said active layer, and a top electrode and a bottom electrode (11) used for current injection to the active layer, wherein the top electrode is divided into a main electrode (12) and a plurality of subsidiary electrodes (13, 14), and injection current to the subsidiary electrodes is controlled so as to correct an aberration generated at an optical focussing system (30, 31, 32, 33, 34) and an optical disk (35).

13. 发明公开

KR1020120106571A 레이저 다이오드 소자 조립체 및 그 구동 방법 无效
标题翻译：激光二极管元件组件及其驱动方法
公开(公告)号：KR1020120106571A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：KR1020120024405
申请日：2012-03-09
申请人： 소니 주식회사 , 도호쿠 다이가쿠
发明人： 오끼도모유끼 , 구라모또마사루 , 고다린따로 , 와따나베히데끼 , 요꼬야마히로유끼
IPC分类号： H01S5/22 , H01S5/10
CPC分类号： H01S5/0602 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/0625 , H01S5/1064 , H01S5/3063 , H01S5/34333 , H01S2301/166
摘要： PURPOSE: A laser diode element assembly and a driving method thereof are provided to efficiently irradiate laser light by obtaining high power. CONSTITUTION: A laser diode device(10) has a first conductivity type. A first compound semiconductor layer is made of a GaN(Gallium Nitride) compound semiconductor. A third compound semiconductor layer(40) includes a light emitting region. A second compound semiconductor layer(50) has a second conductive type which is different from the first conductivity type. The second compound semiconductor layer is made of the GaN compound semiconductor. A second electrode is formed on the second compound semiconductor layer. A first electrode(61) is electrically connected to the first compound semiconductor layer. A laminate structure includes a ridge stripe structure(56). [Reference numerals] (AA) Lens; (BB) Optical filter; (CC) ←external resonator → length X'; (DD) Light reflective cross section; (EE) Light emitted cross section
摘要翻译：目的：提供一种激光二极管元件组件及其驱动方法，以通过获得高功率来有效地照射激光。构成：激光二极管装置（10）具有第一导电类型。第一化合物半导体层由GaN（氮化镓）化合物半导体制成。第三化合物半导体层（40）包括发光区域。第二化合物半导体层（50）具有与第一导电类型不同的第二导电类型。第二化合物半导体层由GaN化合物半导体制成。在第二化合物半导体层上形成第二电极。第一电极（61）与第一化合物半导体层电连接。层叠结构包括脊状条纹结构（56）。（附图标记）（AA）透镜; （BB）滤光片; （CC）←外部谐振器→长度X'; （DD）光反射截面; （EE）光发射截面

14. 发明公开

KR1020100009514A 주입 동기 광 간섭계, 이를 포함하는 액세스 네트워크, 주입 동기 광 간섭계의 제조 방법 및 광 간섭계 내의 편광 민감도를 감소시키는 방법 有权
标题翻译：用于消除或大幅度降低注入光信号极化灵敏度的方法和光电装置及其制造这种光子器件的方法
公开(公告)号：KR1020100009514A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：KR1020090065430
申请日：2009-07-17
申请人： 알까뗄 루슨트
发明人： 센알렉산드레 , 두안구앙-후아
IPC分类号： H01S5/026 , H01S5/323 , H04B10/00
CPC分类号： H01S5/026 , H01S5/0617 , H01S5/06236 , H01S5/0625
摘要： PURPOSE: A manufacturing method of an optical device, a method for reducing polarized light sensitivity within the same and an injection optical device for compensating the difference of TE/TM mode index are provided to adjust the current or voltage of a passive section with different birefringence indexes. CONSTITUTION: A material of one section is different from two sections among two sections with the material of the other section. Two sections show a different optical birefringence index. The set of a first polarizing mode moves in response to the inserted optical signal to the set and the other speed of the second polarization mode in the spectral space. The photo devices are a laser diode, an optical filter or an interferometer.
摘要翻译：目的：提供一种光学器件的制造方法，用于降低其偏振光灵敏度的方法和用于补偿TE / TM模式指数差的注入光学器件的方法来调节具有不同双折射率的被动部分的电流或电压索引。规定：一部分的材料与两部分之间的两部分不同，其中另一部分的材料。两部分显示不同的光学双折射指数。响应于插入的光信号到第一偏振模式的集合和第二偏振模式的另一个速度在光谱空间中移动。照相装置是激光二极管，光滤波器或干涉仪。

15. 发明授权

KR100753816B1 수동 모드 잠김을 일으키는 레이저 다이오드 및 그 다이오드를 이용한 광 펄스 생성 방법 失效
标题翻译：激光二极管给予被动锁定和使用相同二极管制造光脉冲的方法
公开(公告)号：KR100753816B1
公开(公告)日：2007-08-31
申请号：KR1020050100872
申请日：2005-10-25
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 임영안 , 심은덕 , 김동철 , 박경현
IPC分类号： H01S5/065 , H01S5/12
CPC分类号： H01S5/065 , H01S5/0625 , H01S5/0657 , H01S5/1039 , H01S5/1203
摘要： 포화흡수체와 같은 비선형 영역이 없는 다영역 레이저 다이오드에서 수동 모드 잠김을 이용한 광 펄스 생성 방법을 제공한다. 그 레이저 다이오드는 리플렉터(reflector) 역할을 하는 DFB(distributed feedback) 영역; 및 상기 DFB 영역에 연결되고 끝단에 절단면(as-cleaved facet)이 형성된 이득 영역(gain region)을 포함한다. 본 발명에 의한 레이저 다이오드는 DFB 영역에 문턱 전류 이하의 전류를 인가하여 리플렉터로 작동시킬 경우 수동 모드 잠김이 원활히 발생하여, 포화 흡수체와 같은 영역이 불필요하여 제작이 간편하고, 포화 흡수체를 사용하는 경우에 비해 주파수의 가변 영역을 확대할 수 있다.

16. 发明公开

KR1020020070266A 파장 가변 레이저를 포함하는 광전자 장치 및 그 특성화방법 无效
标题翻译：合并激光器的光电装置及其特征的方法
公开(公告)号：KR1020020070266A
公开(公告)日：2002-09-05
申请号：KR1020027004845
申请日：2000-10-16
申请人： 쓰나미 포토닉스 리미티드
发明人： 오다우드로난에프.
IPC分类号： H01S5/0687
CPC分类号： H01S5/0687 , G02B6/42 , G02B6/4215 , G02B6/4243 , G02B6/4269 , G02B6/4271 , G02B6/4285 , G02B6/4286 , G02B2006/12107 , H01S5/005 , H01S5/0071 , H01S5/02248 , H01S5/0617 , H01S5/0625 , H01S5/105
摘要： 모드경계(141, 142)로부터멀리떨어진안정동작특성을결정할수 있고룩업테이블에저장할수 있도록다면레이저(100)와파장측정요소(110)를포함하는복합광전자장치(1). 샘플링기술을사용하여본 장치를고속으로특성화하는수단이또한기술된다. 본장치는레이저가소정의주파수에서방사선을방출할수 있게하는주파수고정요소(120)를포함할수 있다.
摘要翻译：具有多段激光器和波长测量部件的混合光电子器件可以确定远离模式边界的稳定的操作特性并将其存储在查找表中。还公开了使用采样技术来表征设备的快速方法。该装置可以包括频率锁定部件，以使激光能够以预定频率发射辐射。

17. 发明公开

KR1020010088005A 편광 무의존 반도체 광증폭기 失效
标题翻译：偏振半导体光学放大器
公开(公告)号：KR1020010088005A
公开(公告)日：2001-09-26
申请号：KR1020000011925
申请日：2000-03-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김종렬 , 심종인
IPC分类号： H01L31/14
CPC分类号： H01S5/5018 , H01S5/06236 , H01S5/0625
摘要： PURPOSE: A polarization-insensitive(PI) semiconductor optical amplifier(SOA) is provided to control amplification regarding each mode and to approximately make the amplification regarding each mode coincide with each other, by controlling strain regarding respective regions of each mode to fall within a predetermined scope, and by applying current controlled through each electrode allotted to each region. CONSTITUTION: An optical amplifier has a crystal growth layer of a multilayered structure including an active layer(30) formed on a substrate(60). The active layer includes the first and second region having different polarization modes. An electrode unit(71,72) independently applies current to the respective regions of the active layer.
摘要翻译：目的：提供偏振不敏感（PI）半导体光放大器（SOA）以控制关于每个模式的放大，并且通过将每种模式的各个区域的应变控制在一个并且通过施加电流控制通过分配给每个区域的每个电极。构成：光放大器具有包括在基板（60）上形成的有源层（30）的多层结构的晶体生长层。有源层包括具有不同偏振模式的第一和第二区域。电极单元（71,72）独立地将电流施加到有源层的各个区域。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式