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1. 发明授权

KR100539906B1 반사형 반도체 광증폭기 광원 失效
标题翻译：反射半导体光放大器光源
公开(公告)号：KR100539906B1
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：KR1020030081474
申请日：2003-11-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 신동재 , 이정석 , 김승우 , 황성택
IPC分类号： H04B10/00
CPC分类号： H01S5/50 , H01S5/005 , H01S5/0064 , H01S5/0078 , H01S5/5018
摘要： 본 발명에 따른 반사형 반도체 광증폭기 광원은, 증폭된 자발 방출광을 생성 및 증폭하기 위한 투과형 반도체 광증폭기와; 상기 반도체 광증폭기로부터 출력된 증폭된 자발 방출광을 반사시켜서 상기 반도체 광증폭기로 입력시키기 위한 반사기와; 상기 반도체 광증폭기와 상기 반사기 사이에 개재되며, 그 사이로 진행하는 증폭된 자발 방출광의 파장 대역을 제한하기 위해 기설정된 투과파장 대역을 갖는 대역통과 필터를 포함한다.

2. 发明公开

KR1020110039450A 광학 신호들을 증폭, 변조 및 검출하기 위한 나노-와이어 광학 블록 디바이스들 有权
标题翻译：用于放大，调制和检测光信号的纳米线光学器件
公开(公告)号：KR1020110039450A
公开(公告)日：2011-04-18
申请号：KR1020117002500
申请日：2008-07-31
申请人： 휴렛-팩커드 디벨롭먼트 컴퍼니, 엘.피.
发明人： 마타이,사기,바르게세 , 왕,시흐-유안
IPC分类号： G02B6/122 , H01S3/10
CPC分类号： H01S5/341 , B82Y20/00 , G02B6/107 , H01L31/035227 , H01L31/035236 , H01L31/105 , H01S5/10 , H01S5/50 , H01S5/5018 , H01S5/5036
摘要： 라지 코어 할로우 금속화된 도파관(100)에서 광학 신호(108)를 증폭, 변조 및 검출하기 위한 나노-와이어 광학 블록 디바이스(200, 300, 500, 700). 나노-와이어 광학 블록 디바이스(200)는 나노-와이어 광학 블록을 형성하도록 기판에 커플링된 복수의 나노-와이어들(206)을 구비하는 기판(202)을 포함한다. 각 적절하게 형성된 나노-와이어는 p-도핑된 영역, 진성 영역, 및 n-도핑된 영역을 포함한다. 나노-와이어 광학 블록(200, 300, 500, 700)은 광학 신호(108)를 증폭, 변조 및 검출하는 것 중 적어도 하나를 제공하도록 라지 코어 할로우 금속화된 도파관(100)에 삽입되도록 동작가능하다.

3. 发明公开

KR1020050047705A 반사형 반도체 광증폭기 광원 失效
标题翻译：反射半导体光放大器光源
公开(公告)号：KR1020050047705A
公开(公告)日：2005-05-23
申请号：KR1020030081474
申请日：2003-11-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 신동재 , 이정석 , 김승우 , 황성택
IPC分类号： H04B10/00
CPC分类号： H01S5/50 , H01S5/005 , H01S5/0064 , H01S5/0078 , H01S5/5018
摘要： 본 발명에 따른 반사형 반도체 광증폭기 광원은, 증폭된 자발 방출광을 생성 및 증폭하기 위한 투과형 반도체 광증폭기와; 상기 반도체 광증폭기로부터 출력된 증폭된 자발 방출광을 반사시켜서 상기 반도체 광증폭기로 입력시키기 위한 반사기와; 상기 반도체 광증폭기와 상기 반사기 사이에 개재되며, 그 사이로 진행하는 증폭된 자발 방출광의 파장 대역을 제한하기 위해 기설정된 투과파장 대역을 갖는 대역통과 필터를 포함한다.

4. 发明授权

KR101587669B1 전기적으로 펌핑된 반도체 지그재그 확장된 캐비티 표면 방출 레이저 및 초발광 ＬＥＤ有权
标题翻译：电动半导体ZIGZAG扩展孔表面发射激光和超级LED
公开(公告)号：KR101587669B1
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：KR1020107020564
申请日：2009-02-17
申请人： 코닌클리케 필립스 엔.브이. , 루미레즈 엘엘씨
发明人： 잔센,마이클
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/04 , H01S5/125
CPC分类号： H01S5/183 , H01S3/109 , H01S5/005 , H01S5/0092 , H01S5/02236 , H01S5/02296 , H01S5/026 , H01S5/0286 , H01S5/14 , H01S5/423 , H01S5/5018 , H01S5/5036 , H01S5/5081
摘要： 반도체표면방출광 증폭기칩은광 증폭기칩 내의지그재그광 경로를이용한다. 지그재그광 경로는 2개이상의이득엘리먼트들을결합한다. 각개별이득엘리먼트는원형애퍼처를갖고이득영역및 적어도하나의분포된브래그반사체를포함한다. 하나의구현에서광 증폭기칩은서로떨어져있고 0.5 이하의필 팩터를갖는적어도 2개의이득엘리먼트들을포함한다. 그결과총 광학이득은증가될수 있다. 광증폭기칩은초발광 LED로서작동될수 있다. 다르게는, 광증폭기칩은외부광학엘리먼트들과함께이용되어확장된캐비티레이저를형성할수 있다. 개별이득엘리먼트들은이득스위칭또는모드로킹을지원하기위해역방향바이어싱된모드에서작동될수 있다.

5. 发明公开

KR1020010088005A 편광 무의존 반도체 광증폭기 失效
标题翻译：偏振半导体光学放大器
公开(公告)号：KR1020010088005A
公开(公告)日：2001-09-26
申请号：KR1020000011925
申请日：2000-03-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김종렬 , 심종인
IPC分类号： H01L31/14
CPC分类号： H01S5/5018 , H01S5/06236 , H01S5/0625
摘要： PURPOSE: A polarization-insensitive(PI) semiconductor optical amplifier(SOA) is provided to control amplification regarding each mode and to approximately make the amplification regarding each mode coincide with each other, by controlling strain regarding respective regions of each mode to fall within a predetermined scope, and by applying current controlled through each electrode allotted to each region. CONSTITUTION: An optical amplifier has a crystal growth layer of a multilayered structure including an active layer(30) formed on a substrate(60). The active layer includes the first and second region having different polarization modes. An electrode unit(71,72) independently applies current to the respective regions of the active layer.
摘要翻译：目的：提供偏振不敏感（PI）半导体光放大器（SOA）以控制关于每个模式的放大，并且通过将每种模式的各个区域的应变控制在一个并且通过施加电流控制通过分配给每个区域的每个电极。构成：光放大器具有包括在基板（60）上形成的有源层（30）的多层结构的晶体生长层。有源层包括具有不同偏振模式的第一和第二区域。电极单元（71,72）独立地将电流施加到有源层的各个区域。

6. 发明授权

KR101510356B1 광학 신호들을 증폭, 변조 및 검출하기 위한 나노-와이어 광학 블록 디바이스들 有权
标题翻译：用于放大，调制和检测光信号的纳米线光学器件
公开(公告)号：KR101510356B1
公开(公告)日：2015-04-06
申请号：KR1020117002500
申请日：2008-07-31
申请人： 휴렛-팩커드 디벨롭먼트 컴퍼니, 엘.피.
发明人： 마타이,사기,바르게세 , 왕,시흐-유안
IPC分类号： G02B6/122 , H01S3/10
CPC分类号： H01S5/341 , B82Y20/00 , G02B6/107 , H01L31/035227 , H01L31/035236 , H01L31/105 , H01S5/10 , H01S5/50 , H01S5/5018 , H01S5/5036
摘要： 라지코어할로우금속화된도파관(100)에서광학신호(108)를증폭, 변조및 검출하기위한나노-와이어광학블록디바이스(200, 300, 500, 700). 나노-와이어광학블록디바이스(200)는나노-와이어광학블록을형성하도록기판에커플링된복수의나노-와이어들(206)을구비하는기판(202)을포함한다. 각적절하게형성된나노-와이어는 p-도핑된영역, 진성영역, 및 n-도핑된영역을포함한다. 나노-와이어광학블록(200, 300, 500, 700)은광학신호(108)를증폭, 변조및 검출하는것 중적어도하나를제공하도록라지코어할로우금속화된도파관(100)에삽입되도록동작가능하다.

7. 发明授权

KR101455706B1 나노 와이어 기반 광전자 장치 有权
标题翻译：基于纳米级的光电设备
公开(公告)号：KR101455706B1
公开(公告)日：2014-10-28
申请号：KR1020097022246
申请日：2008-04-25
申请人： 휴렛-팩커드 디벨롭먼트 컴퍼니, 엘.피.
发明人： 왕,시-유안 , 이슬람,엠.사이풀 , 쿠에케스,필립제이 , 고바야시,노부히꼬
IPC分类号： H01L31/00
CPC分类号： H01S5/341 , B82Y20/00 , H01L31/035281 , H01L31/09 , H01L31/1025 , H01S5/021 , H01S5/125 , H01S5/3412 , H01S5/4031 , H01S5/5018 , H01S5/5072 , H01S2301/14 , Y02E10/50 , Y10S977/762
摘要： 나노 와이어들, 광 검출기들 및 반도체 광 증폭기들을 포함하는 나노 와이어 기반 광전자 장치들(100, 200, 300, 400, 500)이 개시된다. 장치들은 단결정 및/또는 단결정 아닌 표면들로부터 성장된 나노 와이어들(114, 214, 324, 434, 436, 560, 562)을 포함한다. 반도체 광 증폭기들은 신호 도파관에 의해 운반되는 신호를 증폭하기 위해 밸러스트 레이저들로서 작용하는 나노 와이어 어레이들을 포함한다. 나노 와이어 레이저들 및 광 검출기들의 실시예들은 상이한 편광들을 제공할 수 있는 수평 및 수직 나노 와이어들(434, 436, 562, 560)을 포함한다.
나노 와이어 기반 광전자 장치, 반도체 광 증폭기, 광 검출기, 나노 와이어, 나노 와이어 레이저

8. 发明公开

KR1020100133977A 전기적으로 펌핑된 반도체 지그재그 확장된 캐비티 표면 방출 레이저 및 초발광 ＬＥＤ有权
标题翻译：电动半导体ZIGZAG扩展孔表面发射激光和超级LED
公开(公告)号：KR1020100133977A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：KR1020107020564
申请日：2009-02-17
申请人： 코닌클리케 필립스 엔.브이. , 루미레즈 엘엘씨
发明人： 잔센,마이클
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/04 , H01S5/125
CPC分类号： H01S5/183 , H01S3/109 , H01S5/005 , H01S5/0092 , H01S5/02236 , H01S5/02296 , H01S5/026 , H01S5/0286 , H01S5/14 , H01S5/423 , H01S5/5018 , H01S5/5036 , H01S5/5081
摘要： 반도체 표면 방출 광 증폭기 칩은 광 증폭기 칩 내의 지그재그 광 경로를 이용한다. 지그재그 광 경로는 2개 이상의 이득 엘리먼트들을 결합한다. 각 개별 이득 엘리먼트는 원형 애퍼처를 갖고 이득 영역 및 적어도 하나의 분포된 브래그 반사체를 포함한다. 하나의 구현에서 광 증폭기 칩은 서로 떨어져 있고 0.5 이하의 필 팩터를 갖는 적어도 2개의 이득 엘리먼트들을 포함한다. 그 결과 총 광학 이득은 증가될 수 있다. 광 증폭기 칩은 초발광 LED로서 작동될 수 있다. 다르게는, 광 증폭기 칩은 외부 광학 엘리먼트들과 함께 이용되어 확장된 캐비티 레이저를 형성할 수 있다. 개별 이득 엘리먼트들은 이득 스위칭 또는 모드 로킹을 지원하기 위해 역방향 바이어싱된 모드에서 작동될 수 있다.

9. 发明公开

KR1020100015869A 나노 와이어 기반 광전자 장치 有权
标题翻译：基于纳米级的光电设备
公开(公告)号：KR1020100015869A
公开(公告)日：2010-02-12
申请号：KR1020097022246
申请日：2008-04-25
申请人： 휴렛-팩커드 디벨롭먼트 컴퍼니, 엘.피.
发明人： 왕,시-유안 , 이슬람,엠.사이풀 , 쿠에케스,필립제이 , 고바야시,노부히꼬
IPC分类号： H01L31/00
CPC分类号： H01S5/341 , B82Y20/00 , H01L31/035281 , H01L31/09 , H01L31/1025 , H01S5/021 , H01S5/125 , H01S5/3412 , H01S5/4031 , H01S5/5018 , H01S5/5072 , H01S2301/14 , Y02E10/50 , Y10S977/762
摘要： Nanowire-based opto-electronic devices (100, 200, 300, 400, 500) including nanowire layers, photodetectors and semiconductor optical amplifiers are disclosed. The devices include nanowires (114, 214, 324, 434, 436, 560, 562) grown from single crystal and/or non-single surfaces. The semiconductor optical amplifiers include nanowire arrays that act as ballast lasers to amplify a signal carried by a signal waveguide. Embodiments of the nanowire lasers and photodetectors include horizontal and vertical nanowires (434, 436, 562, 560) that can provide different ploarizations.
摘要翻译：公开了包括纳米线层，光电检测器和半导体光放大器的基于纳米线的光电子器件（100,200,300,400,500）。这些器件包括从单晶和/或非单一表面生长的纳米线（114,214,324,434,436,560,562）。半导体光放大器包括用作镇流器激光器以放大由信号波导承载的信号的纳米线阵列。纳米线激光器和光电检测器的实施例包括可以提供不同扩散的水平和垂直的纳米线（434,436,562,560）。

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