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1. 发明公开

KR20180070327A 멀티빔을 이용한 레이저 가공 장치 및 이에 사용되는 광학계 有权
公开(公告)号：KR20180070327A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：KR20160172900
申请日：2016-12-16
申请人： 주식회사 이오테크닉스
发明人： PARK JUNG RAE
IPC分类号： H01S3/00 , G02B27/14 , H01S3/08 , H01S5/0625
CPC分类号： H01S3/0007 , G02B27/149 , H01S3/08004 , H01S5/0625
摘要： 가공장치가개시된다. 개시된가공장치는입사된복수의레이저빔의간격을조절하는빔 간격조절부를포함하되, 상기빔 간격조절부는상기복수의레이저빔의경로에배치되며, 상기복수의레이저빔의적어도일부를굴절시켜, 상기제1 간격과다른간격을가지는복수의레이저빔을출사하는복수의프리즘부와, 상기복수의프리즘부에의해출사된레이저빔을반사하는반사부를포함하며, 상기복수의프리즘부각각은, 레이저빔이입사되는제1면과, 상기제1면에대해경사지게배치되며상기제1 면을통해입사된레이저빔이출사되는제2면을가지는제1 프리즘과, 상기제2면에평행하게배치되며상기제2면으로부터출사된레이저빔이입사되는제3면과, 상기제3면에대해경사지며상기제1면과평행하게배치되며상기제3면을통해입사된레이저빔이출사되는제4면을가지는제2 프리즘을포함하며, 상기제1 프리즘의제2면과상기제2 프리즘의제3면이서로가까워지거나멀어지도록상기제1 및제2 프리즘중 적어도하나가이동가능하다.

2. 发明授权

KR100549384B1 단면 열화 저감 구조를 갖는 Ⅱ-Ⅵ족 레이저 다이오드 失效
标题翻译：？ - ？激光二极管与降解减少结构
公开(公告)号：KR100549384B1
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：KR1020007005329
申请日：1998-11-06
申请人： 쓰리엠 컴퍼니
发明人： 하아스마이클에이 , 버드폴에프
IPC分类号： H01S5/10
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/0264 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/0625 , H01S5/16 , H01S5/347
摘要： Ⅱ-Ⅵ족 반도체 레이저 다이오드는 pn 접합을 형성하는 복수의 반도체층을 포함하는 반도체 본체와, 본체의 일 단부에 있는 단면, 및 기준 전극을 포함한다. 상기 레이저 다이오드는 그 단면에 인접하게 배치된 단면 열화 저감 전극을 더 포함한다. 단면 열화 저감 전극은 순방향 바이어스 전극과 전기적으로 분리된다. 단면 열화 저감 전극은 단면 열화를 저감시키기 위해 충분한 전계를 설정하는데 사용된다. 일실시예에서는 단면 전극과 기준 전극 사이에 역방향 바이어스 전압을 인가함으로써 이 전계를 설정한다. 다른 실시예에서는 단면 전극을 기준 전극에 전기적으로 연결함으로써 이 전계를 설정한다.

3. 发明公开

KR1020130072697A 외부공진 파장가변 레이저 모듈 无效
标题翻译：外部空气可控激光模块
公开(公告)号：KR1020130072697A
公开(公告)日：2013-07-02
申请号：KR1020110140235
申请日：2011-12-22
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 윤기홍 , 권오균 , 오수환 , 김기수 , 최병석 , 김현수
IPC分类号： H01S5/06 , H01S3/13
CPC分类号： H01S3/10 , H01S3/1065 , H01S5/02216 , H01S5/02284 , H01S5/0287 , H01S5/0625 , H01S5/101 , H01S5/142
摘要： PURPOSE: An external cavity tunable laser module is provided to be able to minutely tune the wavelength of each channel by tuning the wavelength of channels with a specific wavelength gap, and to supply a wide tunable wavelength domain with low power. CONSTITUTION: An external cavity tunable laser module comprises a mirror surface (110), a transmission type liquid crystal filter (120), and a light source chip (140). The mirror surface is formed on a substrate and reflects the laser coming from outside. The transmission type liquid crystal filter is formed on the rear end of the mirror surface, and selects and tunes the laser wavelength reflected by the mirror surface. The light source chip is formed on the rear end of the transmission type liquid crystal filter, reflects the laser passing through the transmission type liquid crystal filter at a specific wavelength gap to form plural channels, and tunes the wavelength of each channel.
摘要翻译：目的：提供外部可调谐激光器模块，通过调谐具有特定波长间隙的通道波长，能够精细调整每个通道的波长，并提供具有低功耗的宽可调波长域。构成：外部可调谐激光器模块包括镜面（110），透射型液晶滤光器（120）和光源芯片（140）。镜面形成在基板上并反射来自外部的激光。透镜型液晶滤光器形成在镜面的后端，并选择并调谐由镜面反射的激光波长。光源芯片形成在透射型液晶滤光器的后端，反射通过透射型液晶滤光器的激光器以特定的波长间隙形成多个通道，并调谐每个通道的波长。

4. 发明授权

KR101084851B1 주입 동기 광 간섭계, 이를 포함하는 액세스 네트워크, 주입 동기 광 간섭계의 제조 방법 및 광 간섭계 내의 편광 민감도를 감소시키는 방법 有权
标题翻译：用于消除或大幅度降低注入光信号极化灵敏度的方法和光电装置及其制造这种光子器件的方法
公开(公告)号：KR101084851B1
公开(公告)日：2011-11-21
申请号：KR1020090065430
申请日：2009-07-17
申请人： 알까뗄 루슨트
发明人： 센알렉산드레 , 두안구앙-후아
IPC分类号： H01S5/026 , H01S5/323 , H04B10/00
CPC分类号： H01S5/026 , H01S5/0617 , H01S5/06236 , H01S5/0625
摘要： 본 발명의 광 디바이스는 다른 섹션의 재료와는 다른 재료의 일 섹션을 포함하며, 따라서 두 섹션들은 서로 다른 광학적 복굴절 인덱스 값을 나타낸다. 이것은 주입된 광학 신호에 응답하여 제 1 편광 모드의 세트가 제 2 편광 모드의 세트와는 다른 속도로 스펙트럼 공간 내에서 이동하도록 한다. 바이어스 전류 또는 전압은 디바이스 내의 전반적인 복굴절 효과를 제어하도록 사용된다. 복굴절 효과를 제어하기 위한 바이어싱은 디바이스의 TE 모드 및 TM 모드가 그들 각각의 스펙트럼 위치에서 일치하도록 수행된다. 따라서 디바이스는 임의의 들어오는 광학 신호의 편광에 대해 비민감하거나, 또는 실질적으로 감소된 민감도를 나타내도록 제작된다.

5. 发明公开

KR1020070044678A 수동 모드 잠김을 일으키는 레이저 다이오드 및 그 다이오드를 이용한 광 펄스 생성 방법 失效
标题翻译：激光二极管提供被动模式锁定
公开(公告)号：KR1020070044678A
公开(公告)日：2007-04-30
申请号：KR1020050100872
申请日：2005-10-25
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 임영안 , 심은덕 , 김동철 , 박경현
IPC分类号： H01S5/065 , H01S5/12
CPC分类号： H01S5/065 , H01S5/0625 , H01S5/0657 , H01S5/1039 , H01S5/1203
摘要： 포화흡수체와 같은 비선형 영역이 없는 다영역 레이저 다이오드에서 수동 모드 잠김을 이용한 광 펄스 생성 방법을 제공한다. 그 레이저 다이오드는 리플렉터(reflector) 역할을 하는 DFB(distributed feedback) 영역; 및 상기 DFB 영역에 연결되고 끝단에 절단면(as-cleaved facet)이 형성된 이득 영역(gain region)을 포함한다. 본 발명에 의한 레이저 다이오드는 DFB 영역에 문턱 전류 이하의 전류를 인가하여 리플렉터로 작동시킬 경우 수동 모드 잠김이 원활히 발생하여, 포화 흡수체와 같은 영역이 불필요하여 제작이 간편하고, 포화 흡수체를 사용하는 경우에 비해 주파수의 가변 영역을 확대할 수 있다.

6. 发明公开

KR1020050083799A 파장 안정성을 제공하는 회절 격자를 구비하는 펌프레이저의 킹크 없는 동작 无效
标题翻译：无需操作具有衍射光栅的泵浦激光器来提供波长稳定性
公开(公告)号：KR1020050083799A
公开(公告)日：2005-08-26
申请号：KR1020057006962
申请日：2003-10-22
申请人： 인플레인 포토닉스 인코퍼레이트
发明人： 카자리노브루돌프 , 프롤로브서지 , 쉬물로브치조셉프
IPC分类号： H01S5/10 , H01S3/08
CPC分类号： H01S5/141 , H01S5/0425 , H01S5/0601 , H01S5/0625 , H01S5/0658 , H01S5/146
摘要： A semiconductor laser source includes a laser diode (300) having front (301) and rear (302) facets. The laser diode includes a substrate and a lower cladding layer (310) disposed on the substrate.An active layer (330) is disposed on the lower cladding layer and an upper cladding layer (320) is disposed on the active layer. At least one electrode is disposed on a first outer layer of the diode. A pair of electrodes (321 and 322) is disposed on a second outer layer of the diode. The pair of electrodes is configured to allow application of different currents to each one of the electrodes in the pair of electrodes. A reflector (341), which is located external to the laser diode, is in optical communication with the front facet of the laser diode for providing optical feedback to the active region.
摘要翻译：半导体激光源包括具有前（301）和后（302）面的激光二极管（300）。激光二极管包括基板和设置在基板上的下包覆层（310）。有源层（330）设置在下包层上，上包层（320）设置在有源层上。至少一个电极设置在二极管的第一外层上。一对电极（321和322）设置在二极管的第二外层上。该对电极被配置为允许对该对电极中的每个电极施加不同的电流。位于激光二极管外部的反射器（341）与激光二极管的前端面光学通信，用于向激活区域提供光学反馈。

7. 发明授权

KR100411871B1 발광 장치 失效
标题翻译： 발광장치
公开(公告)号：KR100411871B1
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：KR1019997001818
申请日：1997-09-02
申请人： 텔레폰악티에볼라겟엘엠에릭슨(펍)
发明人： 사흐렌올로프 , 웨버진-피어레
IPC分类号： H01S3/00
CPC分类号： H01S5/4031 , G02B2006/12121 , G02B2006/12142 , H01S5/0265 , H01S5/0612 , H01S5/0625 , H01S5/06258 , H01S5/12 , H01S5/4087
摘要： In a tunable laser device a plurality of basically identical lasers are arranged adjacent to each other in a line or row on a common substrate. The lasers can be DFB-type and they have different emission wavelengths, obtained from e.g. different pitches of gratings which define the wavelengths of the respective lasers. The lasers can be activated to emit light independently of each other by supplying electrical current to contacts located on the top sides of the lasers. When a laser is activated, the other lasers are biased, so that lasers located at one of side of the active laser will be transparent to the emitted light, which can then travel from the lasers through an electrooptic modulator, and the lasers located at the other side will absorb the light. By controlling the temperature the wavelength of emitted light can be finely adjusted. Such a laser device has a compact structure, is fairly insensitive to variations of the used drive currents and can in simple way be adjusted to different operating conditions and be compensated for aging effects.
摘要翻译：在可调谐激光器件中，多个基本上相同的激光器在共同的衬底上以行或行的方式彼此相邻布置。激光器可以是DFB型的，并且它们具有不同的发射波长，例如从例如定义各激光器波长的不同光栅间距。通过向位于激光器顶侧的触点提供电流，可以激活激光器以彼此独立地发光。当激光器被激活时，其他激光器被偏置，使得位于激活激光器一侧的激光器对于所发射的光是透明的，然后激光器可以通过电光调制器从激光器传播，并且激光器位于对方会吸收光线。通过控制温度可以精确调整发射光的波长。这样的激光装置具有紧凑的结构，对所使用的驱动电流的变化相当不敏感，并且可以以简单的方式调整到不同的操作条件并且可以补偿老化效应。

8. 发明公开

KR1020150097306A 실리콘 기판 상에 반도체 광증폭기와 통합 형성된 양자점 레이저 소자 审中-实审
标题翻译：与硅基板上的半导体光放大器集成的量子激光器件
公开(公告)号：KR1020150097306A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：KR1020140018655
申请日：2014-02-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김택
IPC分类号： H01S5/10 , H01S5/06
CPC分类号： H01S5/026 , H01S5/0085 , H01S5/021 , H01S5/0265 , H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/0425 , H01S5/0625 , H01S5/06256 , H01S5/1039 , H01S5/1209 , H01S5/125 , H01S5/3412 , H01S5/4012 , H01S5/4087 , H01S5/50 , H01S2301/173 , G02B1/005 , H01S5/06808
摘要： 개시된 레이저 소자는 실리콘 기판; 상기 실리콘 기판 상에 형성된 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 형성되고 Ⅲ-Ⅴ족 반도체 양자점 기반의 제1활성영역을 구비하는 레이저 캐비티; 상기 버퍼층 상에 상기 레이저 캐비티와 통합적으로 형성된 것으로, Ⅲ-Ⅴ족 반도체 양자점 기반의 제2활성영역을 구비하며 상기 레이저 캐비티를 출사한 광을 증폭하는 반도체 광증폭기;를 포함한다.
摘要翻译：所公开的激光器件包括硅衬底; 形成在硅衬底上的缓冲层; 激光腔，形成在缓冲层上，具有基于III-V半导体量子点的第一有源区; 以及与缓冲层上的激光腔一体化的半导体光放大器，具有基于III-V半导体量子点的第二有源区，并放大从激光腔发出的光。

9. 发明公开

KR1020150019071A 상호 주입된 복수 광원을 이용한 다파장 레이저 발생 장치 审中-实审
标题翻译：使用相互注入的激光二极管的多波长激光发生装置
公开(公告)号：KR1020150019071A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：KR1020130095444
申请日：2013-08-12
申请人： 목포대학교산학협력단
发明人： 박창수 , 권원배 , 윤석호 , 정민아 , 이연우 , 이성로
IPC分类号： H01S3/10 , H01S5/0625
CPC分类号： H01S3/08027 , G02B6/29361 , H01S5/0625 , H04J14/0282
摘要： 본 발명은 다파장 레이저 발생장치에 관한 것으로, 다파장 레이저를 생성하기 위한 자발 방출광을 방출하거나, 광을 입력받을 경우 입력받는 광이 갖는 파장으로 발진하여 출력광을 방출하고 제1광원으로부터 자발 방출광을 입력으로 받아, 제2광원으로부터 하나 이상의 반사광을 방출하며, 제1광원과 제2광원으로부터 방출되는 광을 하나 이상의 파장으로 상호 주입된 광원을 생성하기 위한 다채널 필터부를 포함하되, 제1광원과 제2광원은 반사형 반도체 광 증폭기(RSOA), 반도체 광 증폭기(SOA) 또는 패브리-페롯 다이오 중 적어도 하나인 것을 그 요지로 한다.
摘要翻译：本发明涉及一种多波长激光发生装置。多波长激光发生装置进行用于产生多波长激光的激光的自发发射，或者在接收输入光的情况下，以输入光的波长发射输出激光，并且通过反射激光器发射至少一个反射激光在从第一光源接收到自发发射的激光器之后的第二光源。多波长激光发生装置包括多通道滤波器单元，用于使用从第一光源和第二光源发射的激光器产生具有至少一个波长的相互注入的光源，其中第一光源和第二光源是半导体光放大器（RSOA），半导体光放大器（SOA）和法布里 - 珀罗激光二极管。

10. 发明公开

KR1020010032142A 단면 열화 저감 구조를 갖는 Ⅱ-Ⅵ족 레이저 다이오드 失效
标题翻译：具有分段降解还原结构的II-VI族激光二极管
公开(公告)号：KR1020010032142A
公开(公告)日：2001-04-16
申请号：KR1020007005329
申请日：1998-11-06
申请人： 쓰리엠 컴퍼니
发明人： 하아스마이클에이 , 버드폴에프
IPC分类号： H01S5/10
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/0264 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/0625 , H01S5/16 , H01S5/347
摘要： Ⅱ-Ⅵ족반도체레이저다이오드는 pn 접합을형성하는복수의반도체층을구성하는반도체몸체과몸체의한 끝단에서한 단면및 참조전극을포함한다. 상기레이저다이오드는단면에인접하게위치한단면열화감소전극을추가로포함한다. 단면열화감소전극은순방향바이어스전극과전기적으로절연된다. 단면열화감소전극은단면열화를감소시키기위해충분한전계를형성하는데사용된다. 제1 실시예에서, 이전계는단면전극과참조전극사이에역방향바이어스전압을적용함으로서형성된다. 제2 실시예에서, 이전계는단면전극을참조전극에전기적으로연결함으로서형성된다.

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